JPH01230046A - 露光監視装置 - Google Patents

露光監視装置

Info

Publication number
JPH01230046A
JPH01230046A JP63055003A JP5500388A JPH01230046A JP H01230046 A JPH01230046 A JP H01230046A JP 63055003 A JP63055003 A JP 63055003A JP 5500388 A JP5500388 A JP 5500388A JP H01230046 A JPH01230046 A JP H01230046A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask
photomasks
light
speckle pattern
amount
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63055003A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsushi Imi
伊美 哲志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP63055003A priority Critical patent/JPH01230046A/ja
Publication of JPH01230046A publication Critical patent/JPH01230046A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は焼付は対象物の両側から透光材で形成された一
対のフォトマスクを通して露光を行ない、ブラウン管の
シャドウマスク等のパターンを形成する際の露光状態を
監視する露光監視装置に関する。
(従来の技術) コンピュータグラフィック等に利用されるデイスプレィ
装置では、使用されるブラウン管のシャドウマスクの各
式を高精度でかつ高密度、例えば5μm以下の精度に形
成することが要求され、またその製造にあっては歩留り
の向上が図られている。すなわち、この精度はシャドウ
マスクの各式を形成する場合は、シャドウマスク用板の
表裏両面から穴を開けていって一つの穴を形成するので
、これら表裏両方の穴の位置ずれを5μm程度にするこ
とである。
第5図は、シャドウマスク製造の模式図である。
第5図において、焼付は対象物1の両面側にはそれぞれ
フォトマスク2.3が相対的に位置決め配置され、この
状態で露光4が行なわれる。なお、各フォトマスク2,
3は実際にはそれぞれ焼付は対象物1の両面に対して密
着されているが、図ではわかり易くするために焼付は対
象物1から離して示しである。そして、露光4が行なわ
れることにより、焼付は対象物1に対して各フォトマス
ク2.3に形成されたパターンが焼付けられてその穴5
,6が形成される。なお、これらの穴5,6は焼付は対
象物1の各面においてその径が異なっている。
ところで、このようなシャドウマスクの形成方法では、
焼付は対象物1の両面から露光4を行なっているために
、各面における露光位置が一致しなければならない。そ
うしないと、各人5,6の形成位置がずれてしまい、高
精度でかつ高密度なシャドウマスクを製造することがで
きなくなる。
ところが、実際には各フォトマスク2.3の位置を精度
高く一致させることは困難であり、またたとえ一致させ
たとしても露光4を開始してから数回露光を行なってい
るうちに、各フォトマスク2.3の位置がずれることが
ある。
そこで最近では、フォトマスクの位置ずれを検出する方
法として、各フォトマスクにマークを施し、フレームを
基準としてセンサ(カメラ)等でマーク位置を監視する
方法、あるいは一方のフォトマスクに発光器を設け、他
方のフォトマスクに光位置検出器を設けて監視する方法
等が提案されてきている。しかしながら、前者の方法で
は装置が高価であるばかりでなく、センサからフレーム
までの間のがた。熱膨張等が誤差の原因となり品かった
。さらに、マークをセンサでとらえるための調整が困難
であり、調整に時間がかかった。−方、後者の方法では
発光器からの光が光位置検出器に入射するように調整す
るのに時間がかかっていた。
(発明が解決しようとする課題) 従って、以上のような現状であるから、高精度でかつ高
密度のシャドウマスクを形成することが困難であり、ま
たその製造工程において歩留りの向上が期待できないも
のであった。
本発明の目的は、種々の調整を行なうことなく一対のフ
ォトマスクの位置決め配置位置ずれ量を自動的に監視す
ることができ、もって焼付は対象物に対して高精度でか
つ高密度で穴を形成できると共に歩留りを向上させるこ
とが可能な露光監視装置を提供することにある。
[発明の構成コ (課題を解決するための手段) 上記の目的を達成するために本発明では、焼付は対象物
の両側からそれぞれ透光材で形成された対向する一対の
フォトマスクを予め定められた相対的な位置決め配置し
、当該フォトマスクを通して露光を行ない、焼付は対象
物に各フォトマスクに形成されたパターンを焼付ける状
態を監視する露光監視装置を、 一方のフォトマスクに設けられ、光を散乱して反射する
散乱部と、他方のフォトマスク側に設けられ、干渉性の
よい光を散乱部に照射する光源と、他方のフォトマスク
側に設けられ、散乱部からの散乱光パターンを撮像する
撮像手段と、撮像手段により今回撮像された散乱光パタ
ーンと前回撮像された散乱光パターンとの相互相関をと
ってフォトマスクの位置決め配置後のずれ量を算出する
ずれ量算出手段と、ずれ量算出手段により算出されたず
れ量が許容範囲を超えるとフォトマスクがずれた旨を報
知する報知手段とを備えて構成している。
(作用) 従って、本発明の露光監視装置においては、一方のフォ
トマスクに設けられた散乱部に、他方のフォトマスクに
設けられた光源から干渉性のよい光が照射され、この散
乱部からの散乱光パターンが撮像手段により撮像される
。そして、ずれ量算出手段においては、今回撮像された
散乱光パタ−ンと前回撮像された散乱光パターンとの相
互相関からフォトマスクの位置決め配置位置ずれ量が求
められ、これが許容範囲を超えているとその旨が報知手
段によって作業者に報知される。これにより、作業者が
各フォトマスクのパターンを合せ直すことによって、歩
留りの向上が期待できる。
(実施f!Il) 以下、本発明を図面に示す一実施例を参照して説明する
第1図乃至第3図は本発明の一実施例を示す図であり、
第1図は露光監視装置の構成例を示すブロック図、第2
図は露光機へのセンサ部分の配置例を示す図、第3図は
センサ部分の構成例を示す図である。
図において、7は鋼板からなる焼付は対象物であり、こ
の焼付は対象物7の一面側にはガラス等の透光材で形成
されたフォトマスク8を配置すると共に、焼付は対象物
7の二面側にはラオトマスク8と同一材料で形成された
フォトマスク9を配置し、これらの各フォトマスク8,
9は焼付は対象物7を介して対向配置している。また、
一方のフォトマスク8上には、光を散乱して反射する散
乱体10を固定して設け、他方のフォトマスク9上には
、干渉性のよい光を散乱体10に照射する光源11、お
よび散乱体10からの散乱光パターンであるスペックル
パターンを撮像する撮像手段であるITVカメラ12を
それぞれ固定して設けている。ここで、光源11として
は例えば半導体レーザを用いる。
一方、13は露光開始を検出するフォトセンサ14から
の出力信号によって動作するコンピュータ等からなるず
れ全算出装置である。このずれ全算出装置13は、IT
Vカメラ12により今回撮像されたスペックルパターン
と、1回前に撮像されたスペックルパターンとの二次元
相互相関をとり、この相互相関のピークの位置からスペ
ックルパターンの移動量を求め、フォトマスク8,9の
ずれ量を求めるものである。さらに、15はずれ全算出
装置13により算出されたずれ量が予め設定されている
許容範囲を超えているか否かを判別する報知手段である
警報器で、ずれ量が超えている場合にはフォトマスク8
.9がずれた旨の警報を報知するものである。
次に、以上の如く構成した露光監視装置の作用について
、第4図に示すフロー図に従って説明する。
一方のフォトマスク8に設けられた散乱体10に、他方
のフォトマスク9に設けられた光源11から干渉性のよ
い光が照射されると、この散乱体10からのスペックル
パターンがITVカメラ12により撮像される。このス
ペックルパターンは、散乱体10の移動、すなわち一方
のフォトマスク8と他方のフォトマスク9との相対的な
移動に比例する量だけ移動する。ここで、比例する量は
光源11の広き角、光源11と散乱体10との距離、お
よび散乱体10とITVカメラ12との距離によって決
まる。従って、スペックルパターンの移動量は、ずれ全
算出装置13によって演算により次のようにして求めら
れる。
゛すなわち、フォトセンサ14が第1回目の露光開始を
検出した時(露光用ランプを点灯させた時)(ステップ
Sl)に、これからの出力信号によってずれ全算出装置
13が動作し、ITVカメラ12でこの時撮像したスペ
ックルパターンが内部の画像メモリに取込んで記憶され
る(ステップS2)。この第1回目の露光時には、スペ
ックルパターンが記憶されるだけである(ステップS3
)。
次に、フォトセンサ14が第2回目の露光開始を検出し
た時(ステップS4)に、ずれ全算出装置13では上述
と同様にして、ITVカメラ12でこの時撮像したスペ
ックルパターンが内部の画像メモリに取込んで記憶され
る(ステップS5)。
次に、ずれ全算出装置13では、今回取込んだスペック
ルパターンと1回前の露光時に記憶したスペックルパタ
ーンとの相互相関のピーク値から、スペックルパターン
の移動量が求められ、第1回目の露光の時からの移動量
、すなわちフォトマスク8,9のずれ量が求められる(
ステップS6)。
この第2回目以後の露光時には、上述のようにして今回
取込んだスペックルパターンと1回前の露光時に記憶し
たスペックルパターンとの相互相関のピーク値から、ス
ペックルパターンの移動量が求められ、フォトマスク8
,9のずれ量が求められる(ステップS6)。そして、
警報器15では、ずれ量算出装置13で求めたフォトマ
スク8,9のずれ二が、予め設定している許容範囲を超
えているか否かが判別され(ステップS7)、ずれ量が
許容範囲を超えている場合にはその旨の警報が作業者に
報知される(ステップS8)。
上述したように、本実施例の露光監視装置においては、
一方のフォトマスク8上に光を散乱して反射する散乱体
10を設け、他方のフォトマスク9上に干渉性のよい光
を散乱体10に照射する光rj、11.および散乱体1
0からのスペックルパターンを撮像するITVカメラ1
2をそれぞれ設け、ずれ量算出装置13でITVカメラ
12により今回撮像されたスペックルパターンと、1回
前に撮像されたスペックルパターンとの二次元相互相関
をとり、この相互相関のピークの位置からスペックルパ
ターンの移動量を求めてフォトマスク8゜9のずれ量を
求め、さらにこのずれ量が予め設定されている許容範囲
を超えている場合にはその旨の警報を警報器15で報知
するようにしたので、一対のフォトマスク8.9の位置
ずれ量を自動的に監視することができるため、この位置
ずれが生じた時点で直ぐにフォトマスク8,9のパター
ンを合せ直すことができる。これにより、材料の無駄1
時間の無駄をなくしつつ、焼付は対象物1に対して高精
度でかつ高密度で穴を形成できると共に、歩留りを向上
させることが可能となる。
より具体的に述べると、前述した従来の前者の方法に比
較して、 (a)フォトマスクの相対的な動きを直接測定でき、誤
差要因が少ない (b)マークを施す必要がない(小さなマークを施すの
は非常に困難であった) (C)レンズ等の光学系が不要なため、センサ部を小形
化できる (d)マークがマークセンサの視野に入るように調整を
行なう必要がない(マークを探すのは非常に困難であっ
た) また、前述した後者の方法に比較して、発光器からの光
が光位置検出器に入るように調整をおなう必要がない 等の利点が得られるものである。
尚、上記実施例ではITVカメラは一台のみ設けたが、
複数台のITVカメラを設けることにより、フォトマス
ク8.9の回転1部分的な伸び等を検出することが可能
となる。
また、上記実施例ではセンサ部分に全くレンズ等の光学
系を用いていないが、光源11の広き角を変更する時等
は用いてもよい。
さらに、■TVカメラを直接センサ部に設けるのではな
く、光フアイバイメージガイド等を付加してもよい。す
なわち、ITVカメラを直接設けるとセンサ部が重量と
なるので、これを付加した方が実用的である。
一方、上記実施例ではスペックルパターンの相互相関を
コンピュータで行なったが、ソフトウェアで演算したり
、あるいはマイクロコンピュータに接続された/い・・
トウエアで演算するようにしてもよい。
また、上記実施例では一方のフォトマスク8上に散乱体
10を設けたが、この種の散乱体を特に設けずに、フォ
トマスク8のフォトマスク9側と反対側の面に、光を散
乱して反射する散乱部分を施すようにしてもよい。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、種々の調整を行な
うことなく一対のフォトマスクの位置決め配置位置ずれ
量を自動的に監視することができ、もって焼付は対象物
に対して高精度でかつ高密度で穴を形成できると共に歩
留りを向上させることが可能な露光監視装置が提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は本発明の一実施例を示す図であり、
第1図は露光監視装置の構成例を示すブロック図、第2
図は露光機へのセンサ部分の配置例を示す図、第3図は
センサ部分の構成例を示す図、第4図は同実施例におけ
る作用を説明するためのフロー図、第5図は従来技術を
説明するための模式図である。 7・・・焼付は対象物、8・・・フォトマスク、9・・
・フォトマスク、10・・・散乱体、11・・・光源、
12・・・ITVカメラ、13・・・ずれ全算出装置、
14・・・フォトセンサ、15・・・警報器。 出願人代理人  弁理士 鈴江武彦 第1図 第 2 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  焼付け対象物の両側からそれぞれ透光材で形成された
    対向する一対のフォトマスクを予め定められた相対的な
    位置決め配置し、当該フォトマスクを通して露光を行な
    い、前記焼付け対象物に各フォトマスクに形成されたパ
    ターンを焼付ける状態を監視する露光監視装置において
    、 前記一方のフォトマスクに設けられ、光を散乱して反射
    する散乱部と、 前記他方のフォトマスク側に設けられ、干渉性のよい光
    を前記散乱部に照射する光源と、 前記他方のフォトマスク側に設けられ、前記散乱部から
    の散乱光パターンを撮像する撮像手段と前記撮像手段に
    より今回撮像された散乱光パターンと前回撮像された散
    乱光パターンとの相互相関をとって前記フォトマスクの
    位置決め配置後のずれ量を算出するずれ量算出手段と、 前記ずれ量算出手段により算出されたずれ量が許容範囲
    を超えるとフォトマスクがずれた旨を報知する報知手段
    と、 を備えて成ることを特徴とする露光監視装置。
JP63055003A 1988-03-10 1988-03-10 露光監視装置 Pending JPH01230046A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63055003A JPH01230046A (ja) 1988-03-10 1988-03-10 露光監視装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63055003A JPH01230046A (ja) 1988-03-10 1988-03-10 露光監視装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01230046A true JPH01230046A (ja) 1989-09-13

Family

ID=12986478

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63055003A Pending JPH01230046A (ja) 1988-03-10 1988-03-10 露光監視装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01230046A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018173663A (ja) * 2014-01-16 2018-11-08 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018173663A (ja) * 2014-01-16 2018-11-08 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100505088B1 (ko) 간극설정기구를구비한프록시미티노광장치
EP0534720B1 (en) Register marks
JPS62209304A (ja) 寸法測定方法
CN110320742A (zh) 光刻装置、图案形成方法以及物品的制造方法
JPWO2010087352A1 (ja) アライメント方法、露光方法、電子デバイスの製造方法、アライメント装置及び露光装置
US6657725B1 (en) Scanning type projection exposure apparatus and device production method using the same
JPS5994032A (ja) 投影露光装置
JP3488428B2 (ja) マスク表面上のパターン構造の位置測定方法
JP3034273B2 (ja) 露光方法及び露光装置
JP2580668B2 (ja) 露光方法、露光条件測定方法及ぴパターン測定方法
TWI578096B (zh) 校正用光罩及校正方法
CN112859545A (zh) 一种曝光镜头的位置标定装置及其标定方法
JPH01230046A (ja) 露光監視装置
JPH07326563A (ja) 露光条件評価用パターンとそれを使用する露光条件評価方法および装置
JPH08162397A (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
KR20020012110A (ko) 반도체 제조 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체장치
TW201923485A (zh) 兩面曝光裝置
JP2001203148A (ja) 露光における間隙測定装置および間隙測定方法
WO1999008315A1 (fr) Procede d'exposition par balayage, graveur par projection a balayage, procede de production du graveur par projection a balayage et procede d'analyse des erreurs de synchronisation
KR20070049061A (ko) 기판 측정 장치
JP3391030B2 (ja) 電子デバイスの製造方法及びパターン露光方法
KR100301139B1 (ko) 투영노광장치및방법
JPH10106937A (ja) 位置検出方法及びその装置並びに投影露光装置
JP2778231B2 (ja) 位置検出装置
US6320659B1 (en) Clearance measuring device and method for exposure