JPH01229265A - 電子写真感光体およびその製造方法 - Google Patents
電子写真感光体およびその製造方法Info
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- JPH01229265A JPH01229265A JP5354588A JP5354588A JPH01229265A JP H01229265 A JPH01229265 A JP H01229265A JP 5354588 A JP5354588 A JP 5354588A JP 5354588 A JP5354588 A JP 5354588A JP H01229265 A JPH01229265 A JP H01229265A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
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- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
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- G03G5/147—Cover layers
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体とその製造方法に係り、特にア
モルファスシリコン感光体の長時間使用後に生じる画像
流れの防止に好適な電子写真感光体およびその製造方法
に関する。
モルファスシリコン感光体の長時間使用後に生じる画像
流れの防止に好適な電子写真感光体およびその製造方法
に関する。
従来から電子写真用感光体として、Ｓｅ。
Ｃｄｓ、ＡｓｚＳｅａ等の無機光導電材もしくはＰＶＫ
−ＴＮＦ等に代表される有機光導電材が用いられている
。これらの材料は極めて優れた電子写真特性を有するも
のの、機械的特性においては必ずしも必要とする仕様を
満足しているとは言い難い。これに対しアモルファスシ
リコン系感光体は光導電性及び機械的特性の両面におい
て優れた特性を備えているが、高湿下での長時間の使用
において画像流れが生じやすいという問題がある。
−ＴＮＦ等に代表される有機光導電材が用いられている
。これらの材料は極めて優れた電子写真特性を有するも
のの、機械的特性においては必ずしも必要とする仕様を
満足しているとは言い難い。これに対しアモルファスシ
リコン系感光体は光導電性及び機械的特性の両面におい
て優れた特性を備えているが、高湿下での長時間の使用
において画像流れが生じやすいという問題がある。
この理由としては、コロナ帯電時に生ずるオゾンにより
感光体表面が親水性のＳコ○ｘ（ｘ ： １〜２）に変
質することが考えられる。長時間使用に際してはこの反
応が進行し、感光体表面の親水性が増すことにより水が
吸着し易くなる。その結果、感光体の表面抵抗が低下し
、電子写真プロセスで形成された静電潜像（即ち、露光
−未露光部の電位差）を鮮明に維持できなくなり画像流
れが生じる。
感光体表面が親水性のＳコ○ｘ（ｘ ： １〜２）に変
質することが考えられる。長時間使用に際してはこの反
応が進行し、感光体表面の親水性が増すことにより水が
吸着し易くなる。その結果、感光体の表面抵抗が低下し
、電子写真プロセスで形成された静電潜像（即ち、露光
−未露光部の電位差）を鮮明に維持できなくなり画像流
れが生じる。
この問題を解決する手段として表面にＳｉを含まない水
素化アモルファスカーボン（以下ａ−ｃ：Ｈと略す）の
膜を作製することが提案されており、たとえば特開昭６
１−９４０５６号公報などに記載されている。しかし、
これらのａ−ｃ：Ｈ膜ではコロナ帯電時に生ずるオゾン
によりカルボニル基や水酸基が生じるため、長時間の電
子写真プロセスにおいては画像流れを完全に制御するこ
とは困難であった。
素化アモルファスカーボン（以下ａ−ｃ：Ｈと略す）の
膜を作製することが提案されており、たとえば特開昭６
１−９４０５６号公報などに記載されている。しかし、
これらのａ−ｃ：Ｈ膜ではコロナ帯電時に生ずるオゾン
によりカルボニル基や水酸基が生じるため、長時間の電
子写真プロセスにおいては画像流れを完全に制御するこ
とは困難であった。
」二記従来技術のａ −ｃ ： Ｈ膜は膜中に未結合手
あるいはメチル基やエチル基などの結合末端が多量に存
在している。これらの末端部分が酸化され、カルボニル
や水酸基になってゆく。
あるいはメチル基やエチル基などの結合末端が多量に存
在している。これらの末端部分が酸化され、カルボニル
や水酸基になってゆく。
本発明の目的はａ −ｃ ： Ｈ膜は膜中の結合末端を
減少させることにより、高湿下での長時間使用において
も画像流れが生じない電子写真感光体およびその製造方
法を提供することにある。
減少させることにより、高湿下での長時間使用において
も画像流れが生じない電子写真感光体およびその製造方
法を提供することにある。
上記課題は、導電性を有する支持体と、該支持体に水素
化アモルファスシリコン感光層を積層し感光体を形成す
る電子写真感光体において、前記水素化アモルファスシ
リコン感光層に三重結合を有する炭化水素を含む水素化
アモルファスカーボンから成る表面層を積層することに
より解決される。本発明の電子写真感光体の製造法は、
導電性を有する支持体に水素化アモルファスシリコン感
光層を積層して電子写真感光体を製造する電子写真感光
体の製造方法において、前記水素化アモルファスシリコ
ン感光層を積層後、Ｃ２Ｈ２とＨｅより成るガスを、Ｃ
２Ｈ２とＨｅの流量の合計に対するＣ ２ Ｈ２の流量
の比である流量比を０．０１〜０．３の範囲で流し該ガ
ス圧力を０．０１〜Ｉ Ｔｏｒｒの範囲として放電電極
の面積に対する放電電力の比である放電電力密度を０．
０１〜Ｉ Ｗ／ｃｄの範囲で第１の所定時間グロー放電
し該放電後、Ｈ２ガスを所定の流量流し前記放電電力密
度を０．１ 〜１Ｗ／ｃｍ２の範囲で第２の所定時間グ
ロー放電し前記水素化アモルファスシリコン感光層に水
素化アモルファスカーボンから成る表面層を積層するこ
とにより解決される。
化アモルファスシリコン感光層を積層し感光体を形成す
る電子写真感光体において、前記水素化アモルファスシ
リコン感光層に三重結合を有する炭化水素を含む水素化
アモルファスカーボンから成る表面層を積層することに
より解決される。本発明の電子写真感光体の製造法は、
導電性を有する支持体に水素化アモルファスシリコン感
光層を積層して電子写真感光体を製造する電子写真感光
体の製造方法において、前記水素化アモルファスシリコ
ン感光層を積層後、Ｃ２Ｈ２とＨｅより成るガスを、Ｃ
２Ｈ２とＨｅの流量の合計に対するＣ ２ Ｈ２の流量
の比である流量比を０．０１〜０．３の範囲で流し該ガ
ス圧力を０．０１〜Ｉ Ｔｏｒｒの範囲として放電電極
の面積に対する放電電力の比である放電電力密度を０．
０１〜Ｉ Ｗ／ｃｄの範囲で第１の所定時間グロー放電
し該放電後、Ｈ２ガスを所定の流量流し前記放電電力密
度を０．１ 〜１Ｗ／ｃｍ２の範囲で第２の所定時間グ
ロー放電し前記水素化アモルファスシリコン感光層に水
素化アモルファスカーボンから成る表面層を積層するこ
とにより解決される。
導電性を有する支持体に水素化アモルファスシリコン感
光層を積層し感光体を形成する電子写真感光体において
、前記水素化アモルファスシリコン感光層を積層後、三
重結合を有する炭化水素を含む水素化アモルファスカー
ボンから成る表面層を積層する。また、導電性を有する
支持体に水素化アモルファスシリコン感光層を積層して
電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法に
おいて、前記水素化アモルファスシリコン感光層を積層
後、Ｃ２Ｈ２とＨｅより成るガスを、Ｃ２Ｈ２とＨｅの
流量の合計に対するＣ２Ｈ２の流量の比である流量比を
０．０１〜０．３の範囲で流し、このガス圧力を０．０
１〜Ｉ Ｔｏｒｒの範囲として放電電力密度を０．０１
〜ＩＷ／ｃＩＩＴの範囲で第１の所定時間グロー放電し
、生起したプラズマに前記水素化アモルファスシリコン
感光層を接触させ、その水素化アモルファスシリコン感
光層に水素化アモルファスカーボンから成る表面層を積
層し、その表面層にＨ２ガスを所定の流量流し、前記放
電電力密度を０．１〜ＩＷ／−の範囲でグロー放電し前
記表面層に水素プラズマ処理を行う。
光層を積層し感光体を形成する電子写真感光体において
、前記水素化アモルファスシリコン感光層を積層後、三
重結合を有する炭化水素を含む水素化アモルファスカー
ボンから成る表面層を積層する。また、導電性を有する
支持体に水素化アモルファスシリコン感光層を積層して
電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法に
おいて、前記水素化アモルファスシリコン感光層を積層
後、Ｃ２Ｈ２とＨｅより成るガスを、Ｃ２Ｈ２とＨｅの
流量の合計に対するＣ２Ｈ２の流量の比である流量比を
０．０１〜０．３の範囲で流し、このガス圧力を０．０
１〜Ｉ Ｔｏｒｒの範囲として放電電力密度を０．０１
〜ＩＷ／ｃＩＩＴの範囲で第１の所定時間グロー放電し
、生起したプラズマに前記水素化アモルファスシリコン
感光層を接触させ、その水素化アモルファスシリコン感
光層に水素化アモルファスカーボンから成る表面層を積
層し、その表面層にＨ２ガスを所定の流量流し、前記放
電電力密度を０．１〜ＩＷ／−の範囲でグロー放電し前
記表面層に水素プラズマ処理を行う。
以下、本発明の内容と実施例を第１図〜第５図により説
明する。高湿下での長時間使用における画像流れを防止
する為に水素化アモルファスシリコン感光体の表面層と
して設けるａ−ｃ：Ｈ膜は、炭素源としてたとえばアセ
チレンなど三重結合を分子鎖中に含む炭化水素を用い、
これと希ガスの混合ガスに高い高周波電力を印加してａ
−ｃ：Ｈ膜の表面層を成膜し、さらに水素プラズマに曝
すことによって達成できる。ａ−ｃ：Ｈ膜を成膜させる
ときに原料ガスに水素を多く含まない不飽和炭化水素と
希ガスとの混合ガスを用いてグロー放電分解することに
より作製された膜中のＣ−Ｈ結合の数は飽和炭化水素を
用いたものよりも少なくなる。特に三重結合を持つアル
キンを用いた場合、二重結合を持つアルケンから作製し
たものよりもＣ−Ｈ結合数が少なくなる。希ガスとの混
合ガスを用いてグロー放電分解することにより、分解に
よって生成した水素の再結合が抑制され、炭素同士の結
合が増す。アルキンを希ガスと混合したグロー放電分解
することで膜中のメチル基やエチル基などの結合末端の
数が飽和炭化水素やアルケンを原料とした場合よりも大
幅に減少する。結果的に膜の三次元化が進んだ状態とな
る。しかし、この膜は逆に未結合手や不飽和結合を多く
含んでいる。これら未結合手や不飽和結合は水酸基など
の結合中心になるので、水素ガスによるグロー放電によ
って水素原子を結合させ、未結合手や不飽和結合の数を
減少させる。これらの操作によって作製したａ−ｃ：Ｈ
膜では膜表面部において側鎖の形で結合している置換基
や未結合手、不飽和結合などの数が少ない。このａ −
ｃ ： Ｈ膜をａ−８ｉ感光層の最外層に表面層として
設けることにより高湿下で長時間使用しても画像流れが
生じなくなる。
明する。高湿下での長時間使用における画像流れを防止
する為に水素化アモルファスシリコン感光体の表面層と
して設けるａ−ｃ：Ｈ膜は、炭素源としてたとえばアセ
チレンなど三重結合を分子鎖中に含む炭化水素を用い、
これと希ガスの混合ガスに高い高周波電力を印加してａ
−ｃ：Ｈ膜の表面層を成膜し、さらに水素プラズマに曝
すことによって達成できる。ａ−ｃ：Ｈ膜を成膜させる
ときに原料ガスに水素を多く含まない不飽和炭化水素と
希ガスとの混合ガスを用いてグロー放電分解することに
より作製された膜中のＣ−Ｈ結合の数は飽和炭化水素を
用いたものよりも少なくなる。特に三重結合を持つアル
キンを用いた場合、二重結合を持つアルケンから作製し
たものよりもＣ−Ｈ結合数が少なくなる。希ガスとの混
合ガスを用いてグロー放電分解することにより、分解に
よって生成した水素の再結合が抑制され、炭素同士の結
合が増す。アルキンを希ガスと混合したグロー放電分解
することで膜中のメチル基やエチル基などの結合末端の
数が飽和炭化水素やアルケンを原料とした場合よりも大
幅に減少する。結果的に膜の三次元化が進んだ状態とな
る。しかし、この膜は逆に未結合手や不飽和結合を多く
含んでいる。これら未結合手や不飽和結合は水酸基など
の結合中心になるので、水素ガスによるグロー放電によ
って水素原子を結合させ、未結合手や不飽和結合の数を
減少させる。これらの操作によって作製したａ−ｃ：Ｈ
膜では膜表面部において側鎖の形で結合している置換基
や未結合手、不飽和結合などの数が少ない。このａ −
ｃ ： Ｈ膜をａ−８ｉ感光層の最外層に表面層として
設けることにより高湿下で長時間使用しても画像流れが
生じなくなる。
実施例１
第２図は本実施例に用いたプラズマＣＶＤ装置の反応槽
の概略図である。円筒状アルミニウム合金ドラム１０４
をドラムホルダー１０５に設置する。次にチャンバ１０
２内をＩ Ｘ １０”−ＢＴｏｒｒまで減圧する。この
ときドラムホルダー１０５に内蔵したヒーターでドラム
１０４を２５０℃に加熱した。圧力がＩ Ｘ １０−６
Ｔｏｒｒに達した後、原料となるガスを導入して電極１
０３に高周波電力を印加してグロー放電を生起した。第
１図は、本実施例の水素化アモルファスシリコン感光体
の構造図である。感光Ｍ２Ｏ３をブロッキング層２０２
からａ−８ｉＣ層２０５まで順次積層して作製した。
の概略図である。円筒状アルミニウム合金ドラム１０４
をドラムホルダー１０５に設置する。次にチャンバ１０
２内をＩ Ｘ １０”−ＢＴｏｒｒまで減圧する。この
ときドラムホルダー１０５に内蔵したヒーターでドラム
１０４を２５０℃に加熱した。圧力がＩ Ｘ １０−６
Ｔｏｒｒに達した後、原料となるガスを導入して電極１
０３に高周波電力を印加してグロー放電を生起した。第
１図は、本実施例の水素化アモルファスシリコン感光体
の構造図である。感光Ｍ２Ｏ３をブロッキング層２０２
からａ−８ｉＣ層２０５まで順次積層して作製した。
感光層２０８の作製条件は表１に示した。
表１
感光層２０８を作製した後Ｃ： ２Ｈ２とＨｅを各々５
ｓｅｃｍ、 １００ ｓｅｃｍ導入してガス圧力０
、１ Ｔｏｒｒで高周波電力ＩＫＷを１０分間印加して
表面層２０６を積層した。この試料を３０４とする。さ
らにＨ２を５０ｓｅｃｍ導入し、ガス圧力１．０Ｔｏｒ
ｒで高周波電力ａｏｏｗを１５分間印加しグロー放電（
水素プラズマ処理）を行った。この試料を３０１とする
。
ｓｅｃｍ、 １００ ｓｅｃｍ導入してガス圧力０
、１ Ｔｏｒｒで高周波電力ＩＫＷを１０分間印加して
表面層２０６を積層した。この試料を３０４とする。さ
らにＨ２を５０ｓｅｃｍ導入し、ガス圧力１．０Ｔｏｒ
ｒで高周波電力ａｏｏｗを１５分間印加しグロー放電（
水素プラズマ処理）を行った。この試料を３０１とする
。
第３図はコロナ放電下に連続して放置した場合の感光体
表面の接触角の経時変化を示した。接触角というのは水
滴を滴下したときの感光体表面と水滴の角度θのことで
、接触角の大きいものほど撥水性が大きい。本実施例３
０１のコロナ放電下での接触角の経時変化を３０１に示
した。表１の条件で感光層２０８を積層したあと、Ｃ２
Ｈ２の代わりにＣ２Ｈｚを用い、Ｃ２Ｈ４を５ｓｅｃｍ
、 Ｈｅを１００ｓｃｃｍ導入し、ガス圧力０ 、 Ｉ
Ｔｏｒｒで高周波電力ＩＫＷを１０分間印加して表面
層２０６を作製し、さらに水素プラズマ処理を施した感
光体を３０２とした。感光層２０８の上に同様の条件で
Ｃ２Ｈ４のかわりにＣＨ４を用いて表面層２０６を作製
し、水素プラズマ処理を行った感光体を３０３とした。
表面の接触角の経時変化を示した。接触角というのは水
滴を滴下したときの感光体表面と水滴の角度θのことで
、接触角の大きいものほど撥水性が大きい。本実施例３
０１のコロナ放電下での接触角の経時変化を３０１に示
した。表１の条件で感光層２０８を積層したあと、Ｃ２
Ｈ２の代わりにＣ２Ｈｚを用い、Ｃ２Ｈ４を５ｓｅｃｍ
、 Ｈｅを１００ｓｃｃｍ導入し、ガス圧力０ 、 Ｉ
Ｔｏｒｒで高周波電力ＩＫＷを１０分間印加して表面
層２０６を作製し、さらに水素プラズマ処理を施した感
光体を３０２とした。感光層２０８の上に同様の条件で
Ｃ２Ｈ４のかわりにＣＨ４を用いて表面層２０６を作製
し、水素プラズマ処理を行った感光体を３０３とした。
感光体３０２及び３０３についてコロナ放電下での接触
角の経時変化をそれぞれ３０２゜３０３に示した。この
結果表面層２０６の原料ガスがＣＨ４，、Ｃ２Ｈａ 、
Ｃ２Ｈｚの順でコロナ放電下に放置する前の初期接触
角が大きくなっており、この順序はコロナ放電下に放置
しても変らない。表面層２０６を作製するときに原料と
なる炭化水素にＣ２Ｈ２を用い、水素プラズマ処理を行
なわなかった感光体３０４の接触角の経時変化は３０４
に示したが、初期接触角は水素プラズマ処理したもの３
０１と大きな差はない。しかしコロナ放電下での接触角
の低下が著しいことがわかる。画像評価によれば３０４
は５時間、３０３は１０時間。
角の経時変化をそれぞれ３０２゜３０３に示した。この
結果表面層２０６の原料ガスがＣＨ４，、Ｃ２Ｈａ 、
Ｃ２Ｈｚの順でコロナ放電下に放置する前の初期接触
角が大きくなっており、この順序はコロナ放電下に放置
しても変らない。表面層２０６を作製するときに原料と
なる炭化水素にＣ２Ｈ２を用い、水素プラズマ処理を行
なわなかった感光体３０４の接触角の経時変化は３０４
に示したが、初期接触角は水素プラズマ処理したもの３
０１と大きな差はない。しかしコロナ放電下での接触角
の低下が著しいことがわかる。画像評価によれば３０４
は５時間、３０３は１０時間。
３０２は２０時間コロナ放電下に放置すると画像流れが
生じた。一方、本実施例による３０１は検討した範囲内
で画像流れは認められなかった。
生じた。一方、本実施例による３０１は検討した範囲内
で画像流れは認められなかった。
実施例２
表１の条件で感光層２０８を作製し、その後ＣｚＨ２５
ｓｃｃｍ、 Ｈｅ ］、 ＯＯｓｃｃｍを導入し、ガス
圧力０ 、１ Ｔｏｒｒでグロー放電を行ない表面層２
０６を積層後、さらに水素プラズマ処理して感光体を作
製した。表面層２０６を作製するときに高周波電力の異
なる感光体を３種類作製した。高周波電力が１００Ｗの
感光体を４０１，４００Ｗを４０２゜１５００ Ｗを４
０３として各々のコロナ放電下での接触角の経時変化を
第４図に示した。その結果、ａ −ｃ ： Ｈ膜で表面
層２０６を作るときの高周波電力が大きいほど、接触角
が大きいことがわかる。
ｓｃｃｍ、 Ｈｅ ］、 ＯＯｓｃｃｍを導入し、ガス
圧力０ 、１ Ｔｏｒｒでグロー放電を行ない表面層２
０６を積層後、さらに水素プラズマ処理して感光体を作
製した。表面層２０６を作製するときに高周波電力の異
なる感光体を３種類作製した。高周波電力が１００Ｗの
感光体を４０１，４００Ｗを４０２゜１５００ Ｗを４
０３として各々のコロナ放電下での接触角の経時変化を
第４図に示した。その結果、ａ −ｃ ： Ｈ膜で表面
層２０６を作るときの高周波電力が大きいほど、接触角
が大きいことがわかる。
プリンターに搭載して画像評価を行なった結果、４、０
１では１０時間コロナ照射すると画像流れが生じるが、
高周波電力４． ＯＯＷ以上で作製した感光体は検討し
た範囲内では画像流れは発生しなかった。
１では１０時間コロナ照射すると画像流れが生じるが、
高周波電力４． ＯＯＷ以上で作製した感光体は検討し
た範囲内では画像流れは発生しなかった。
実施例３
本発明は三重結合を有する不飽和結合炭化水素を用いる
ことによって最初からＨ原子を減らしてＣ−Ｃ結合を増
やし、また希ガス雰囲気中で作成することでＨ原子のＣ
への再結合を抑制するどいうものである。その結果Ｃ−
Ｃ結合の三次元化が進み、さらに水素プラズマ処理を行
なうことにより未結合手や不飽和結合の数が減少する。
ことによって最初からＨ原子を減らしてＣ−Ｃ結合を増
やし、また希ガス雰囲気中で作成することでＨ原子のＣ
への再結合を抑制するどいうものである。その結果Ｃ−
Ｃ結合の三次元化が進み、さらに水素プラズマ処理を行
なうことにより未結合手や不飽和結合の数が減少する。
そのためコロナ放電下に曝しても劣化が抑制され寿命が
延びるというものである。グロー放電による分解反応を
高い電力を用いて行えば二重結合を有する分子を用いて
も長寿命化が実現できる。
延びるというものである。グロー放電による分解反応を
高い電力を用いて行えば二重結合を有する分子を用いて
も長寿命化が実現できる。
プラズマＣＶＤ装置で表１に示す作製条件の感光層２０
８を作製する。さらにＣ２Ｈ４とＨｅを各々ｌｓｅｃｍ
、 １００ｓｅｃｍ導入してガス圧力０．０１Ｔｏｒｒ
で高周波電力を３ＫＷ印加した。１時間放電した後に今
度は水素ガスのみを３００ ｓｅｃｍ流し、ガス圧力３
Ｔｏｒｒで高周波電力３００Ｗを３０分間印加した（
水素プラズマ処理）。同様にして高周波電力］、ＯＯＷ
で作製し同じ条件で水素プラズマ処理を施した感光体を
比較して第５図に示した。
８を作製する。さらにＣ２Ｈ４とＨｅを各々ｌｓｅｃｍ
、 １００ｓｅｃｍ導入してガス圧力０．０１Ｔｏｒｒ
で高周波電力を３ＫＷ印加した。１時間放電した後に今
度は水素ガスのみを３００ ｓｅｃｍ流し、ガス圧力３
Ｔｏｒｒで高周波電力３００Ｗを３０分間印加した（
水素プラズマ処理）。同様にして高周波電力］、ＯＯＷ
で作製し同じ条件で水素プラズマ処理を施した感光体を
比較して第５図に示した。
第５図で５０１が１００Ｗで表面層を作製した感光体、
また５０２が３ＫＷで表面層を作製した感光体の接触角
経時変化である。］、 ＯＯＷ作製のもの５０１は５時
間で画像流れが生じたが３ＫＷ作製のものは画像流れは
発生しなかった。
また５０２が３ＫＷで表面層を作製した感光体の接触角
経時変化である。］、 ＯＯＷ作製のもの５０１は５時
間で画像流れが生じたが３ＫＷ作製のものは画像流れは
発生しなかった。
以上の実施例より、まずａ−ｃ：Ｈの成膜モードにおい
て、流量比Ｃ２Ｈｚ／ （Ｃ２Ｈ２＋Ｈｅ）の範囲は、
０．０１〜０．３ となる。流量比が０．３を越える場
合、生成した膜中にＨが多く残ってしまい、ＣとＣの結
合数が少なくなり膜がやわらかくなってしまい感光体の
最外層として好ましくない。そのため流量比は０．３
が」−眼となる。下限はＯより大きい領域では膜にな
るわけなのでＯより大きくすればよいので０．０１ と
する。しかし実際問題としてＯに近い流量比では成膜速
度が低い。ガス圧については安定したグロー放電が起き
る領域の限度として、上限をＩ Ｔｏｒｒ下限を０．０
１Ｔｏｒｒとする。グロー放電電力については安定して
成膜できる領域の限度として、放電電極の面積に対する
放電電力の比である放電電力密度によりその範囲を設け
０．０１〜Ｉ Ｗ／ｃｎ？ とする。１Ｗ／ｃｍ２を越
えると成膜面に荒れが生じ易くなり、０．０１Ｗ／ａＫ
よりホさくなると膜中にＨが多く残ってしまいやわらか
くなる。また、この時のグロー放電時間はａ−ｃ：Ｈ膜
の膜厚が０．０１〜３μｍになる程度の放電時間が好ま
しい。
て、流量比Ｃ２Ｈｚ／ （Ｃ２Ｈ２＋Ｈｅ）の範囲は、
０．０１〜０．３ となる。流量比が０．３を越える場
合、生成した膜中にＨが多く残ってしまい、ＣとＣの結
合数が少なくなり膜がやわらかくなってしまい感光体の
最外層として好ましくない。そのため流量比は０．３
が」−眼となる。下限はＯより大きい領域では膜にな
るわけなのでＯより大きくすればよいので０．０１ と
する。しかし実際問題としてＯに近い流量比では成膜速
度が低い。ガス圧については安定したグロー放電が起き
る領域の限度として、上限をＩ Ｔｏｒｒ下限を０．０
１Ｔｏｒｒとする。グロー放電電力については安定して
成膜できる領域の限度として、放電電極の面積に対する
放電電力の比である放電電力密度によりその範囲を設け
０．０１〜Ｉ Ｗ／ｃｎ？ とする。１Ｗ／ｃｍ２を越
えると成膜面に荒れが生じ易くなり、０．０１Ｗ／ａＫ
よりホさくなると膜中にＨが多く残ってしまいやわらか
くなる。また、この時のグロー放電時間はａ−ｃ：Ｈ膜
の膜厚が０．０１〜３μｍになる程度の放電時間が好ま
しい。
次に水素プラズマ処理において、Ｈ２ガスの流量及び圧
力は、安定したグロー放電が起きる領域であれば良く、
それぞれ１０〜１０００ｓｅｃｍと０．０１〜Ｉ Ｔｏ
ｒｒ程度とする。この時のグロー放□電の放電電力密度
は０．１〜Ｉ Ｗ／ａｌＴの範囲とし、Ｉ Ｗ／ｃｏ？
を越えると膜にダメージを与えて好ましくなく、０ 、
１ Ｗ／ｄ より小さくなるとＨ原子が結合端に付かな
くなり水素プラズマ処理の効果がなくなる。また、この
時のグロー放電時間はａ −ｃ：Ｈ膜の成膜条件による
が１０分以上、好ましくは２０分以上放電することが必
要である。このときの放電電力が大きい程、放電時間は
短かくてすむ。この下限より長い時間放電しても水素プ
ラズマ処理の効果は飽和する。
力は、安定したグロー放電が起きる領域であれば良く、
それぞれ１０〜１０００ｓｅｃｍと０．０１〜Ｉ Ｔｏ
ｒｒ程度とする。この時のグロー放□電の放電電力密度
は０．１〜Ｉ Ｗ／ａｌＴの範囲とし、Ｉ Ｗ／ｃｏ？
を越えると膜にダメージを与えて好ましくなく、０ 、
１ Ｗ／ｄ より小さくなるとＨ原子が結合端に付かな
くなり水素プラズマ処理の効果がなくなる。また、この
時のグロー放電時間はａ −ｃ：Ｈ膜の成膜条件による
が１０分以上、好ましくは２０分以上放電することが必
要である。このときの放電電力が大きい程、放電時間は
短かくてすむ。この下限より長い時間放電しても水素プ
ラズマ処理の効果は飽和する。
以上の実施例によって作成したａ−８ｉ悪感光を搭載し
たプリンターでは画像流れを著しく抑制できる。その結
果、感光体寿命が延びるのでプリンタのメンテナンスの
回数を低減できる。
たプリンターでは画像流れを著しく抑制できる。その結
果、感光体寿命が延びるのでプリンタのメンテナンスの
回数を低減できる。
本発明によれば、支持体に水素化アモルファスシリコン
感光層を積層後、三重結合を有する炭化水素を含む水素
化アモルファスカーボンから成る表面層を積層したこと
により、または、支持体に水素化アモルファスシリコン
感光層を積層後、Ｃ２Ｈ２とＨｅより成るガスをグロー
放電し、生起させたプラズマに前記水素化アモルファス
シリコン感光層を接触させ、その水素化アモルファスシ
リコン感光層に水素化アモルファスカーボンから成る表
面層を積層し、その表面層にＨ２ガスをグロー放電し水
素プラズマ処理を行なうことにより高湿下での長時間の
使用においても画像流れが生じないという優れた効果が
ある。
感光層を積層後、三重結合を有する炭化水素を含む水素
化アモルファスカーボンから成る表面層を積層したこと
により、または、支持体に水素化アモルファスシリコン
感光層を積層後、Ｃ２Ｈ２とＨｅより成るガスをグロー
放電し、生起させたプラズマに前記水素化アモルファス
シリコン感光層を接触させ、その水素化アモルファスシ
リコン感光層に水素化アモルファスカーボンから成る表
面層を積層し、その表面層にＨ２ガスをグロー放電し水
素プラズマ処理を行なうことにより高湿下での長時間の
使用においても画像流れが生じないという優れた効果が
ある。
第１図は本発明の一実施例の水素化アモルファスシリコ
ン感光体の構造図、第２図はプラズマＣＶＤ装置の反応
槽の概略図、第３図は実施例１におけるコロナ放電下で
の接触角の経時変化、第４図は実施例２におけるコロナ
放電下での接触角の経時変化、第５図は実施例３におけ
るコロナ放電下での接触角の経時変化を示した図である
。 ２０１・・・支持体、２０６・・・表面層、２０８・・
・感光第２図 カス 稚気 宅３凹 コロア照埼ゴ時間（，１１＋−ジ コロナ照ｌ１ｔｌｌ寺閤 （ｈ＋−ラ 第５０ コロナ照狙蒔間（ｈト〕
ン感光体の構造図、第２図はプラズマＣＶＤ装置の反応
槽の概略図、第３図は実施例１におけるコロナ放電下で
の接触角の経時変化、第４図は実施例２におけるコロナ
放電下での接触角の経時変化、第５図は実施例３におけ
るコロナ放電下での接触角の経時変化を示した図である
。 ２０１・・・支持体、２０６・・・表面層、２０８・・
・感光第２図 カス 稚気 宅３凹 コロア照埼ゴ時間（，１１＋−ジ コロナ照ｌ１ｔｌｌ寺閤 （ｈ＋−ラ 第５０ コロナ照狙蒔間（ｈト〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性を有する支持体上にアモルファスシリコン感
光層を具備する電子写真感光体において、前記水素化ア
モルファスシリコン感光層表面に三重結合を有する炭化
水素を含む水素化アモルファスカーボンから成る表面層
を積層したことを特徴とする電子写真感光体。 ２、導電性を有する支持体に水素化アモルファスシリコ
ン感光層を積層して電子写真感光体を製造する電子写真
感光体の製造方法において、前記水素化アモルファスシ
リコン感光層を積層後、Ｃ＿２Ｈ＿２とＨｅより成るガ
スを、Ｃ＿２Ｈ＿２とＨｅの流量の合計に対するＣ＿２
Ｈ＿２の流量の比である流量比を０．０１〜０．３の範
囲で流し該ガス圧力を０．０１〜１Ｔｏｒｒの範囲とし
て放電電極の面積に対する放電電力の比である放電電力
密度を０．０１〜１Ｗ／ｃｍ＾２の範囲で第１の所定時
間グロー放電し該放電後、Ｈ＿２ガスを所定の流量流し
前記放電電力密度を０．１〜１Ｗ／ｃｍ＾２の範囲で第
２の所定時間グロー放電し前記水素化アモルファスシリ
コン感光層に水素化アモルファスカーボンから成る表面
層を積層することを特徴とする電子写真感光体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5354588A JPH01229265A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5354588A JPH01229265A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01229265A true JPH01229265A (ja) | 1989-09-12 |
Family
ID=12945771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5354588A Pending JPH01229265A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01229265A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444326B1 (en) * | 1999-03-05 | 2002-09-03 | Restek Corporation | Surface modification of solid supports through the thermal decomposition and functionalization of silanes |
| US7524598B2 (en) | 2006-06-07 | 2009-04-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, and process cartridge and image forming apparatus using the same |
-
1988
- 1988-03-09 JP JP5354588A patent/JPH01229265A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444326B1 (en) * | 1999-03-05 | 2002-09-03 | Restek Corporation | Surface modification of solid supports through the thermal decomposition and functionalization of silanes |
| US7524598B2 (en) | 2006-06-07 | 2009-04-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, and process cartridge and image forming apparatus using the same |
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