JPH01220401A - 酸化金属皮膜抵抗器 - Google Patents
酸化金属皮膜抵抗器Info
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- JPH01220401A JPH01220401A JP63046442A JP4644288A JPH01220401A JP H01220401 A JPH01220401 A JP H01220401A JP 63046442 A JP63046442 A JP 63046442A JP 4644288 A JP4644288 A JP 4644288A JP H01220401 A JPH01220401 A JP H01220401A
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- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 29
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- DAMJCWMGELCIMI-UHFFFAOYSA-N benzyl n-(2-oxopyrrolidin-3-yl)carbamate Chemical compound C=1C=CC=CC=1COC(=O)NC1CCNC1=O DAMJCWMGELCIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、絶縁性基体に酸化錫を主成分とする酸化金属
皮膜を形成した抵抗器に関する。
皮膜を形成した抵抗器に関する。
[従来の技#J]
酸化金属皮膜抵抗器は、例えば、直径1.5〜2mm、
長さ5〜6mm程度の棒状の磁器からなる基体の表面に
、酸化錫もしくは酸化アンチモンを含む酸化錫皮膜を形
成し、磁器素体の両端から金属製キャップ端子を圧入し
て、前記皮膜を絶縁性、耐湿性の保護膜で覆って構成さ
れている。
長さ5〜6mm程度の棒状の磁器からなる基体の表面に
、酸化錫もしくは酸化アンチモンを含む酸化錫皮膜を形
成し、磁器素体の両端から金属製キャップ端子を圧入し
て、前記皮膜を絶縁性、耐湿性の保護膜で覆って構成さ
れている。
酸化金属皮膜が酸化錫のみからなるときは、抵抗温度係
数が非常に大きいため、使用条件が大きく限定され、実
用的でない。このため、−船釣には酸化金属皮膜として
、酸化アンチモンを含む酸化錫皮膜が実用化されている
。
数が非常に大きいため、使用条件が大きく限定され、実
用的でない。このため、−船釣には酸化金属皮膜として
、酸化アンチモンを含む酸化錫皮膜が実用化されている
。
前記酸化金属皮膜抵抗器の製法は、一般に吹き付は法と
呼ばれる方法によっている。この方法では、予め塩化第
二錫(SnC1a) に少量の三塩化アンチモン(S
bC13) が添加されたものを、塩酸、水及びアル
コールの混合溶液に溶解した母液を用意し、別に用意し
た棒状のムライト−コランダム磁器からなる基体をステ
ンレス製の籠に入れ、この籠を回転しながら、600〜
800℃に加熱した状態で前記母液を1版細な霧状にし
てノズルから噴霧し、これを基体の表面に吹き付けて着
膜する。その後、250〜300’Cの温度で熱処理し
、着膜した皮膜を熱的、電気的に安定させる。
呼ばれる方法によっている。この方法では、予め塩化第
二錫(SnC1a) に少量の三塩化アンチモン(S
bC13) が添加されたものを、塩酸、水及びアル
コールの混合溶液に溶解した母液を用意し、別に用意し
た棒状のムライト−コランダム磁器からなる基体をステ
ンレス製の籠に入れ、この籠を回転しながら、600〜
800℃に加熱した状態で前記母液を1版細な霧状にし
てノズルから噴霧し、これを基体の表面に吹き付けて着
膜する。その後、250〜300’Cの温度で熱処理し
、着膜した皮膜を熱的、電気的に安定させる。
さらに、金属キャップを基体の両端から圧入し、所定の
抵抗1直に皮膜の一部を切除して保護膜を形成すること
により、酸化金属皮膜抵抗器か完成する。
抵抗1直に皮膜の一部を切除して保護膜を形成すること
により、酸化金属皮膜抵抗器か完成する。
[発明が解決しようとする問題点コ
アンチモンは熱的に不安定であるため、これを添加した
酸化錫膜抵抗体は、抵抗温度係数が大きく、−55℃〜
+155℃の温度範囲に於て、小さいものでも±200
ppm/’Cである。コンピュータ、通信機器等の産業
機器分野では、種々の環境条件下に於て高い信頼性が保
証されなけれはならないため、前記のような大きな抵抗
温度係数では実用にならない。
酸化錫膜抵抗体は、抵抗温度係数が大きく、−55℃〜
+155℃の温度範囲に於て、小さいものでも±200
ppm/’Cである。コンピュータ、通信機器等の産業
機器分野では、種々の環境条件下に於て高い信頼性が保
証されなけれはならないため、前記のような大きな抵抗
温度係数では実用にならない。
加えて、成膜条件が安定せず、変動しやすい吹付性によ
り前記酸化金属皮膜が形成されるので、抵抗温度係数に
大きなばらつきが生じると言う問題があった。この抵抗
温度係数のばらつきを抑えるためには、原料溶液の霧を
充分気化した状態で基体の表面に吹き付ける必要がある
が、sbには5nC1iを早期分解する作用があるため
、原料溶液を気化してしまった場合は、強度、耐性のあ
る酸化金属皮膜が得られにくい。
り前記酸化金属皮膜が形成されるので、抵抗温度係数に
大きなばらつきが生じると言う問題があった。この抵抗
温度係数のばらつきを抑えるためには、原料溶液の霧を
充分気化した状態で基体の表面に吹き付ける必要がある
が、sbには5nC1iを早期分解する作用があるため
、原料溶液を気化してしまった場合は、強度、耐性のあ
る酸化金属皮膜が得られにくい。
そこで本発明の目的は、前記従来の問題点に鑑み、抵抗
温度1糸数及びそのばらつきが小さい酸化錫を主成分と
する酸化金属皮膜抵抗器を提供することにある。
温度1糸数及びそのばらつきが小さい酸化錫を主成分と
する酸化金属皮膜抵抗器を提供することにある。
[問題を解決するための手段]
即ち、前記目的を達成するため、本発明において採用し
た手段は、酸化金属皮膜抵抗器において、絶縁性基体に
酸化金属皮膜を形成した抵抗器に於て、酸化金属皮膜に
酸化錫とアンチモンとフッ素とを含ませるものである。
た手段は、酸化金属皮膜抵抗器において、絶縁性基体に
酸化金属皮膜を形成した抵抗器に於て、酸化金属皮膜に
酸化錫とアンチモンとフッ素とを含ませるものである。
[実 施 例コ
次に、本発明の構成を実施例に基づき詳細かつ具体的に
説明する。
説明する。
(実施例1)
直径1.7mm、長さ5.5mm、アルミナ含有置駒7
0%のムライト−コランダムから成る磁器基体を100
0個用意し、該基体をアルコール中に於て10分間超音
波洗浄機で洗浄し、更に純水中で同様に洗浄した後、純
水で流水洗浄した。次いで、上記基体を乾燥器に入れ1
70℃温度を1時間加えて乾燥した後、自然冷却し、磁
器基体を得た。
0%のムライト−コランダムから成る磁器基体を100
0個用意し、該基体をアルコール中に於て10分間超音
波洗浄機で洗浄し、更に純水中で同様に洗浄した後、純
水で流水洗浄した。次いで、上記基体を乾燥器に入れ1
70℃温度を1時間加えて乾燥した後、自然冷却し、磁
器基体を得た。
次に、塩化錫を60%含む水溶液1250 gと、純水
2500 gと、フッ化アンモニウム(N84F)10
.7gと、酸化アンチモン(S bClq ) 49.
5gを塩酸250gに溶かした溶液と、アルコール10
0gとを混合し、成膜用原料母液を用意した。
2500 gと、フッ化アンモニウム(N84F)10
.7gと、酸化アンチモン(S bClq ) 49.
5gを塩酸250gに溶かした溶液と、アルコール10
0gとを混合し、成膜用原料母液を用意した。
次に、回転自在な筒状の籠を回転させながら、能を加熱
する装置と、籠に向けて原料母液を噴霧するノズルとを
具備した着膜炉を用い、前記磁器基体1000個を前記
の籠に入れ、炉内温度を700℃に検温したまま籠を回
転させながら、前記母液と、圧縮空気とをノズルから噴
出し、微細な霧を吹き付けて、磁器基体の表面に一時間
着膜し続けた。
する装置と、籠に向けて原料母液を噴霧するノズルとを
具備した着膜炉を用い、前記磁器基体1000個を前記
の籠に入れ、炉内温度を700℃に検温したまま籠を回
転させながら、前記母液と、圧縮空気とをノズルから噴
出し、微細な霧を吹き付けて、磁器基体の表面に一時間
着膜し続けた。
なおこの際、ノズルと籠との距離を調節することにより
、霧が磁器基体に到達するまでに、原料溶液が完全に気
化するようにした。
、霧が磁器基体に到達するまでに、原料溶液が完全に気
化するようにした。
その後、ノズルの0!霧と加熱を止め、磁器基体を自然
冷却した後、該基体に着膜した抵抗体を取り出し、別に
用意した炉で300℃、2時間のアニーリングを行った
。こうして処理された抵抗体を無策意に100個取り出
し、その両端にリード線の付いた金属キャップを圧入し
、シリコン樹脂で表面を覆い、これを170℃の温度で
1時間焼付け、保護塗装を施した。
冷却した後、該基体に着膜した抵抗体を取り出し、別に
用意した炉で300℃、2時間のアニーリングを行った
。こうして処理された抵抗体を無策意に100個取り出
し、その両端にリード線の付いた金属キャップを圧入し
、シリコン樹脂で表面を覆い、これを170℃の温度で
1時間焼付け、保護塗装を施した。
これらの抵抗器について、その抵抗温度係数を次の方法
で測定した。即ち、槽内温度を可変できる恒温槽内に置
き、20℃、−55℃、20℃、155℃の順に、それ
ぞれの温度で30分間保温した状態で四端子測定法に従
って抵抗値を測定した。
で測定した。即ち、槽内温度を可変できる恒温槽内に置
き、20℃、−55℃、20℃、155℃の順に、それ
ぞれの温度で30分間保温した状態で四端子測定法に従
って抵抗値を測定した。
そして、−55℃と155℃に於ける抵抗温度係数を次
式により求めた。
式により求めた。
但し、R2θは20℃に於ける抵抗(値、ΔRは測定温
度に於ける抵抗値と20℃に於ける抵抗値との差、△T
は測定温度と20℃との温度差である。
度に於ける抵抗値と20℃に於ける抵抗値との差、△T
は測定温度と20℃との温度差である。
このようにして、100個の抵抗器について抵抗温度係
数を測定し、測定値の最大値を以てその日・ントの抵抗
器1度係数とした。また、各温度に於ける抵抗温度係数
の最大値と最小値の差をはらつきとし、その最大1値を
そのロットのばらつき値とした。
数を測定し、測定値の最大値を以てその日・ントの抵抗
器1度係数とした。また、各温度に於ける抵抗温度係数
の最大値と最小値の差をはらつきとし、その最大1値を
そのロットのばらつき値とした。
また、膜中のF/Sn比については、アニール後の抵抗
膜を二次イオン質量分析装置によって定量分析して求め
た。前記抵抗温度係数とそのはらつきとF/Sn比を表
1に示す。
膜を二次イオン質量分析装置によって定量分析して求め
た。前記抵抗温度係数とそのはらつきとF/Sn比を表
1に示す。
(実施例2〜5)
前記実施例1に於て、原料母液中に添加するフッ化アン
モニウム(N84F) の量を10.7gから53.
3g、106.6g、213.1g、532.8gに各
々変えて実施例2〜5を実施したこと以外は、前記実施
例1と同じ方法、条件で試験を行った結果を表1に示す
。
モニウム(N84F) の量を10.7gから53.
3g、106.6g、213.1g、532.8gに各
々変えて実施例2〜5を実施したこと以外は、前記実施
例1と同じ方法、条件で試験を行った結果を表1に示す
。
(実施例6)
前記実施例1に於て、原料母液中に添加するフッ化アン
モニウム(N84F) の量を10.7gから213
.1gに変えたことと、アルコール100gを除去した
こと以外は、実施例1と同じ方法、条件で試験を行った
結果を表1に示す。
モニウム(N84F) の量を10.7gから213
.1gに変えたことと、アルコール100gを除去した
こと以外は、実施例1と同じ方法、条件で試験を行った
結果を表1に示す。
(実施例7)
前記実施例1に於て、フ・ン化アンモニウム(N84F
)10.7gに代えて、フッ化水素アンモニウム(N8
4FHF)246.2gを原料母液に添加したこと以外
は、実施例1と同じ方法、条件で試験を行った結果を表
1に示す。
)10.7gに代えて、フッ化水素アンモニウム(N8
4FHF)246.2gを原料母液に添加したこと以外
は、実施例1と同じ方法、条件で試験を行った結果を表
1に示す。
(実施例8〜10)
前記実施例1に於て、フッ化アンモニウム(N84F)
10.7gに代えて、フッ化水素(HF)の47%溶液
を122.5g、490g、612.6g ずつ原料母
液に加えて各々実施例8〜loを実施したこと以外は、
前記実施例1と同じ方法、条件で試験を行った結果を表
1に示す。
10.7gに代えて、フッ化水素(HF)の47%溶液
を122.5g、490g、612.6g ずつ原料母
液に加えて各々実施例8〜loを実施したこと以外は、
前記実施例1と同じ方法、条件で試験を行った結果を表
1に示す。
(比較例1)
前記実施例1に於て、原料母港中にフ・ン化アンモニウ
ム(N84F) を加えなかったこと以外は、実施例
1と同じ方法、条件で試験を行った結果を表1に示す。
ム(N84F) を加えなかったこと以外は、実施例
1と同じ方法、条件で試験を行った結果を表1に示す。
なお、この場合に得られた酸化金属皮膜抵抗器は、酸化
金属皮膜も膜質が粗雑で、実用に供し得る程度に緻密な
酸化金属皮膜が得られながった。
金属皮膜も膜質が粗雑で、実用に供し得る程度に緻密な
酸化金属皮膜が得られながった。
(比較例2)
前記比較例1に於て、ノズルと籠との距離を近づけて、
原料溶液の霧が充分気化しないうちに磁器基体に到達す
るようにして金属酸化皮膜を形成したこと以外は、前記
比較例1と同じ方法、条件で試験を行った結果を表1に
示す。
原料溶液の霧が充分気化しないうちに磁器基体に到達す
るようにして金属酸化皮膜を形成したこと以外は、前記
比較例1と同じ方法、条件で試験を行った結果を表1に
示す。
以上の実施例の結果から明確なように、sbを含む5n
a2膜にさらにFG添加することによって、良好な抵抗
温度係数を有する酸化金属皮膜抵抗器を得ることが可能
となる。また、原料溶液の霧を充分気化して磁器基体に
吹き付けた場合でも、良質な酸化金属皮膜が得られ、抵
抗温度係数のばらつきも少ない。
a2膜にさらにFG添加することによって、良好な抵抗
温度係数を有する酸化金属皮膜抵抗器を得ることが可能
となる。また、原料溶液の霧を充分気化して磁器基体に
吹き付けた場合でも、良質な酸化金属皮膜が得られ、抵
抗温度係数のばらつきも少ない。
これに対し、比較例1のように、原料溶液中にN84F
を含有させない場合において、原料溶液を充分気化させ
て磁器基体に吹き付けた場合は、実用に供し得る膜質の
酸化金属抵抗皮膜を得ることができない。他方、比較例
2のように、原料溶液の霧が充分気化しないうちに磁器
基体に吹き付けるようにしても、抵抗温度係数の小さい
酸化金属皮膜抵抗器は得られない。
を含有させない場合において、原料溶液を充分気化させ
て磁器基体に吹き付けた場合は、実用に供し得る膜質の
酸化金属抵抗皮膜を得ることができない。他方、比較例
2のように、原料溶液の霧が充分気化しないうちに磁器
基体に吹き付けるようにしても、抵抗温度係数の小さい
酸化金属皮膜抵抗器は得られない。
ここで、抵抗膜中の組成比、つまりF/Sn、S b/
S nは原料母液組成を変えることによって変えること
か可能であり、F/Snは0.1〜4.0%の範囲が、
Sb/Snは0.5〜7%の範囲が望ましい、F/Sb
が0.1%未満では、Fの添加による抵抗温度係数の改
善効果が得にくく、これを境として抵抗温度係数が急激
に増大する。
S nは原料母液組成を変えることによって変えること
か可能であり、F/Snは0.1〜4.0%の範囲が、
Sb/Snは0.5〜7%の範囲が望ましい、F/Sb
が0.1%未満では、Fの添加による抵抗温度係数の改
善効果が得にくく、これを境として抵抗温度係数が急激
に増大する。
他方、F/Snが4.0%を越えると、Fが飽和状態と
なり、それ以上のF/S nf直が得られにくく、また
抵抗温度係数も大きくなる。また、S b / S n
が前記の範囲より小さいと、酸化金属皮膜の比抵抗が小
さくなり、抵抗温度係数が正特性で大きくなる。逆に、
前記範囲より大きいと、比抵抗が増大し、抵抗温度係数
が負特性で大きくなり、何れも必要とする特性が得られ
ない。
なり、それ以上のF/S nf直が得られにくく、また
抵抗温度係数も大きくなる。また、S b / S n
が前記の範囲より小さいと、酸化金属皮膜の比抵抗が小
さくなり、抵抗温度係数が正特性で大きくなる。逆に、
前記範囲より大きいと、比抵抗が増大し、抵抗温度係数
が負特性で大きくなり、何れも必要とする特性が得られ
ない。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれは、従来の酸化金属
皮膜抵抗器より、抵抗温度係数が小さく、かつそのばら
つきの小さな金属酸化皮膜抵抗器を提供することが可能
になる。従って、信頼性の高い酸化金属皮膜抵抗器が得
られ、信頼性の点で従来適用が問題視されていたコンビ
コータ、通18機器等の産業機器分野でも適用が可自社
となる。
皮膜抵抗器より、抵抗温度係数が小さく、かつそのばら
つきの小さな金属酸化皮膜抵抗器を提供することが可能
になる。従って、信頼性の高い酸化金属皮膜抵抗器が得
られ、信頼性の点で従来適用が問題視されていたコンビ
コータ、通18機器等の産業機器分野でも適用が可自社
となる。
Claims (1)
- 絶縁性基体に酸化金属皮膜を形成した抵抗器に於て、前
記酸化金属皮膜が酸化錫とアンチモンとフッ素とを含む
ことを特徴とする酸化金属皮膜抵抗器
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046442A JPH01220401A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 酸化金属皮膜抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046442A JPH01220401A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 酸化金属皮膜抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220401A true JPH01220401A (ja) | 1989-09-04 |
| JPH0568081B2 JPH0568081B2 (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12747282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63046442A Granted JPH01220401A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 酸化金属皮膜抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01220401A (ja) |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046442A patent/JPH01220401A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0568081B2 (ja) | 1993-09-28 |
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