KR910001031B1 - 후막 전자 물질 - Google Patents

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이. 아이. 듀우판 디 네모아 앤드 캄파니
제임스 제이. 플린
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Abstract

내용 없음.

Description

후막 전자 물질
본 발명은 특히 저산소-함유 분위기하에서 연소될때 개선된 버언아웃(burnout) 특성을 갖는 후막 전자 물질에 관한 것이다.
후막 전자 물질-도체, 저항기 및 유전체-의 제조 방법에 있어서 소성시, 소성된 물질층상에 탄소질 잔류물 및 녹(stain)을 남기지 않고 유기 매질의 제거를 실행하는 데에는 흔히 어려움이 따른다. 이것은 전자 물질을 에틸 셀룰로오스, 히드록시에틸 셀룰로오스 및 에틸히드록시에틸 셀룰로오스와 같은 셀룰로오스 성분을 함유하는 유기 물질중에서 분산시킬 경우 특히 어렵다.
셀룰로오스 물질은 분산 안정성 및 프린트 리이올로지(rheology)를 우수하게 만드는 후막 분산을 부여하기 때문에 종종 유기 매질에 적합한 성분이 된다. 이러한 후막층은 전형적으로 양호한 프린트능을 갖고, 신속하게 프린트될 수 있으며, 유연한 프린트층을 생성한다.
이제까지는 셀룰로오스 물질의 전부 또는 일부를 통상적으로 보다 양호한 버언아웃 특성을 갖는 아크릴 중합체를 치환하는 것이 필수적이 되어 왔다. 그러나, 이러한 아크릴 중합체는 셀룰로오스 결합제만큼 양호한 리이올로지 특성을 갖지 않는다.
그러므로, 후막 전자 조성물에 셀룰로오스 결합제를 사용하면서 동시에 통상적으로 아크릴 중합체에만 수반되는 양호한 버언아웃 특성을 얻을 수 있는 방법을 갖는 것이 매우 바람직하다.
첫번째로, 본 발명은 0.1% 내지 10.0중량%의 질산납층으로 피복시킨 전기적 기능을 갖는 물질의 미분 입자에 관한 것이다.
두번째로, 본 발명은 전기적 기능을 갖는 물질의 미분 입자와 산화 납과 상용할 수 있는 유리로 되어 있고, 이중 어느 하나 또는 모두의 표면을 유기 매질중에 분산된 0.1% 내지 10.0중량%의 질산납으로 피복시킨 후막 전자 조성물에 관한 것이다.
세번째로, 본 발명은 상기한 후막 조성물중 적어도 하나의 층을 도포시키고, 층(들)을 유기 매질이 휘발되기에 충분한 온도에서 소성하고, 또한 산화납과 사용할 수 있는 유리를 소결(sintering)함으로써 형성된, 전기적 기능을 갖는 층에 관한 것이다.
종래 기술은 다음과 같다. 슬레피안(slepian)의 미합중국 특허 제1,763,268호와 램프 블랙을 산화시키기 위해 KNO3또는 BaNO3와 같은 산화제의 잔류물을 함유하므로 이로부터 만들어진 저항기의 저항능을 증가시키는 성형된 저항기 플레이트.
[베어스도르퍼(Beyersdorfer))의 미합중국 특허 제2,033,103호]
납을 함유하는 유리의 제조에 있어서, 납 성분은 산화 용융시 PbO로 전환되고, 유리중에 용해되는 Pb(NO3)2로서 첨가된다.
[네이기(Nagy)의 미합중국 특허 제2,617,773호]
인의 소성도중 산화물로 분해되는 질산납을 사용하여 텅스텐산 칼슘 인을 제제한다.
[사움즈(Saums)등의 미합중국 특허 제3,343,984호]
에나멜의 유기 매질 버언아웃 특성을 개선시키기 위해 유리 형성 산화물 LiNO3를 도선 절연 후 베이킹(baking)한 에나멜중에 혼입시킨다.
[크루즈(Kruse)의 미합중국 특허 제3,348,918호]
탄소-다이아몬드 혼합물을 PbO 및 산소와 250˚-500℃에서 접촉시킴으로써 이 혼합물로부터 탄소를 제거시키는 방법.
[쉬바르츠(Schwartz)등의 미합중국 특허 제3,370,966호]
유리로부터 얻은 위화물(僞和物)의 버언아웃을 촉진시키기 위해 PbO2와 같은 산화제를 PbO/ZnO/B2O3유리에 첨가한다.
[프란셀(Francel)등의 미합중국 특허 제3,973,975호, 동 제4,038,091호, 동 제4,099,977호 및 동 제4,120,678호]
밀폐 유리 페이스트를 소성시키는 중에 발생하는 PbO의 환원은 그 중에서도 특히 Pb3O4입자를 페이스트내에 혼입시킴으로써 방지한다.
[노프지거(Nofziger)의 미합중국 특허 제4,058,387호]
PbO를 함유하는 밀폐 유리 조성물에 Pb(NO3)2입자를 첨가하여 소성중 PbO가 Pb로 환원되는 것을 방지한다.
[프란셀(Francel)등의 미합중국 특허 제4,098,611호]
밀례 유리 페이스트의 소성중 PbO의 환원은 LiNO3및(또는) AgNO3입자를 페이스트중에 혼입시킴으로써 방지한다.
[호마달리(Hormadaly)의 미합중국 특허 제4,476,039호]
열적으로 분해되어 O2를 방출하는 금속 화합물의 입자를 산화루테늄-기재 저항기에 첨가함으로써 감소시킨다. 상기 금속 화합물로서 적합한 것으로는 비염기성 질산염, 특히 Pb(NO3)2가 있다.
[전기적 기능을 갖는 물질]
후막 조성물로부터 유기 매질의 버언아웃을 촉진하기 위한 전기적 기능을 갖는 물질상에 Pb(NO3)2피복의 사용은 임의 형태의 전기적 기능, 즉 도체, 저항기 및 유전체뿐 아니라 이들과 함께 사용될 수 있는 무기 결합제를 갖는 물질에 적용될 수 있다. 총 고상물에 대해 Pb(NO3)2의 사용량은 0.1% 내지 10중량%, 적합하기로는 0.2% 내지 5중량%이다. 0.1중량%이하에서는 충분한 잇점을 얻을 수 없고, 10중량% 이상에서는, 형성된 PbO의 양이 무기 결합제의 리이올로지에 대해 역효과를 나타낼 수 있다.
Pb(NO3)2가 상기한 범위내에 속하는 한은 Pb(NO3)2가 1차적인 전기적 기능 물질의 입자 또는 무기 결합입자 또는 양쪽 모두에 피복되는 경우 아무런 문제가 없다. 본 발명의 작업성능에 있어서 전기적 기능을 갖는 물질 및 무기 결합제, 모두에 대한 고상물의 입도 분포는 중요하지 않다. 그러므로, 사용물의 리이올로지, 프린팅 및 기타 사항에 따라 임의 조정할 수 있다.
종래 기술에서도 질산납 및 기타 금속 질산염을 다양한 목적 및 다양한 방법으로 사용하여 왔으나 본 발명에 따른 질산납의 용도는 후막 페이스트에서 입자상의 피복 형태로 사용되기 때문에, 종래의 기술과 상이하며, 더욱 효과적이다. 이 형태로의 질산납의 중요한 기능은 잔류 유기 매질의 버언아웃을 촉진하는 것이다. 즉, 피복된 입자와 매우 밀접하게 결합되어 있으므로, 버언아웃이 단지 분말 첨가물로서 사용되는 경우 보다 더 균일하고, 질산납은 미립자상 첨가물의 형태로 첨가되는 경우보다 낮은 농도에서도 효과적으로 작용한다.
질산납은 여러가지 이유로 인해 후막 조성물에서 기타 질산염보다 우수하다. 그중 한 잇점으로, 질산납은 비교적 낮은 온도에서 분해된다. 결과적으로 무기 결합제를 함유하는 후막 조성물중에서 유리의 흐름이 발생하기 전에 버언아웃이 이루어진다. 이와 같이 낮은 온도에서의 버언아웃은 잔류 탄소가 보다 높은 소성 온도에서 유리를 환원시킬 수 있는 질소 소성에 특히 유용하다.
질산납 사용의 또다른 잇점은 그의 분해 생성물인 PbO가 대부분 소성중 유리중에 용해되어 유리의 흐름을 촉진시키는 작용을 할 수 있다는 점이다. 또한, PbO는 그 자체가 공기와 질소 소성 모두에 있어서 금속막을 물질에 결합시키는 시약으로서 작용할 수 있다.
질산납의 또다른 잇점은 물의 흡착에 의해 점도의 불안전성을 일으키는 것으로 밝혀진 수화물의 형성이 일어나지 않는다는 것이다. 이것은 수적을 페이스트에 첨가하여, 이어서 점도의 증가의 발생을 주시함으로써 알 수 있다. 질산납으로 피복시킨 분말을 함유하는 페이스트는 현저한 차이로 안정하다.
[무기 결합제]
무기 결합제로는 PbO가 실질적으로 용해되는, 적합한 소결 온도를 갖는 임의의 유리일 수 있다. 따라서 그 유리는 투성(透性) 또는 실투(失透)성 유리일 수 있다. 실투성 유리의 경우, PbO는 비결정질 메트릭스 유리중에 용해되어야 한다.
[제제(Formulation)]
본 발명의 조성물에는 고상물에 기초해서 질산납을 적어도 0.1중량%이상, 10중량%이하 함유시킬 필요가 있다. 또한, 질소 소성계에 사용하는 경우에는 적어도 2.5중량%의 질산납을 사용하는 것이 적합하다. 유기 매질은 총 조성물의 약 25% 내지 30중량%만을 구성하고 있기 때문에 질산납의 버언아웃 시약의 필요량은 유기매질에 기초해서 0.3 내지 약 30%이다.
질산납은 고상물 성분중 어느 하나 또는 양쪽 모두에 피복으로서 도포함으로써 조성물중에 분산시킨다. 즉, 질산납은 전기적 기능을 갖는 물질에 피복시키거나, 또는 유리 위에 피복시키거나 또는 양 물질 모두에 피복시킬 수 있다.
피복 방법은 동등 효과를 갖는 하기 방법중 어느 하나에 의해 행할 수 있다.
[방법 A]
(1) 물중에서 기능을 갖는 고상물과 프릿(frit)의 슬러리를 형성시키고, (2) 현탁된 고상물의 응집을 해리시키고(추가 혼합에 의해 필수적일 수도 있음), (3) 슬러리에 질산납을 첨가하고, 슬러리를 계속 교반시켜서 질산납을 완전히 용해시키고, (4) 용해된 질산납을 함유한 슬러리를 증발시켜서 건조시킨다.
[방법 B]
(1) 질산납을 물중에 용해시키고, (2) 용해된 질산납을 함유한 물중에서 기능을 갖는 고상물과 프릿의 슬러리를 형성시키고, (3) 용해된 질산납을 함유한 슬러리를 증발시켜서 건조시킨다.
증발은 어렵지 않으며, 질산납의 분해온도, 즉 약 473℃이하의 온도중 임의의 온도에서 행할 수 있다. 물론, 이 단계에서 진공증발을 행할 수도 있으나 필수적인 것은 아니다.
이어서 후막 조성물을 고상물로부터 통상적인 방법, 예를 들어 고상물을 유기 매질과 혼합한 후 혼합물을 롤로 분쇄해서 고상물의 균일 분산액을 얻는 방법에 의해 형성시킨다.
[시험방법]
A. 부착력
부착력은 "Instron"인장 시험기를 사용하여 90℃ 피일(peel)배열에서 분당 약 0.27㎝(0.5인치)의 인장율로 측정하였다. 미리 주석으로 처리한 12 게이지 와이어들을 220℃의 62 Sn/36 Pb/2 Ag 납땜 또는 230℃의 63 Sn/37 Pb 납땜중에 Alpha 611 유체를 사용하여 10초간 담금으로써 80mil×80mil(2×2㎜)패드에 부착시켰다. 150℃로 조절된 Blue M Stabil-ThermR오븐중에서 에이징(Aging)조사를 행하였다.
에이징후, 와이어를 인장시키기 위해 시험할 부분은 공기중에서 여러 시간 평형을 유지하도록 하였다.
B. 캐패시턴스
캐패시턴스는 전기 저하 및 인가 전압 사이의 비례 상수로 정의할 수 있다(C=Q/V).
평행 플레이트 콘덴서에 대해 캐패시턴스는 다음과 같은 공식으로 계산할 수 있다.
Figure kpo00001
(여기에서 K는 유전상수이고, A는 플레이트 면적(㎠)이고, d는 유전체 두께(㎝)임.)
이 공식에 의한 캐패시턴스는 정전기 단위로 주어진다.
1 파라드=9×1011정전기 단위
캐패시턴스는 General Radil Automatic RLC Bridge Model 1683을 사용하여 120Hz 또는 1KHz의 주파수 및 1V의 교류에서 측정하였다. 캐패시턴스는 일반적으로 음극의 납과 납땜된 양극 피복 사이에서 측정했다. 경우에 따라서는 납을 양극 피복에 납땜시켜 측정에 사용했다.
C. 방열 계수(dissipation factor)
소멸 인자는 전류가 90˚벡터에서 볼트로 지연되는 각(σ)의 탄젠트 값이다. 여기에서는 백분 방열 계수로 표시한다(100×tangent σ).
캐패시턴스 및 방열계수는 Hewlett-Packard의 HP 4274A의 다중 주파수 LCR 미터를 사용하여 측정했고, 절연 저항은 모델 RM 170(Biddle Instruments, AVO Ltd., U.K.)의 슈퍼메가오옴(megohm)미터를 사용하여 측정했다. 각 수는 적어도 10회 측정값이 평균값이다. 절연 저항은 각각의 동작 전압을 갖는 캐패시턴스를 1분동안 대전시킨 후 측정하였다. 측정은 양쪽 방향으로 행하였고, 평균적으로 IR(절연 저항)에서 크기 순서의 차이는 발견되지 않았다. 일반적으로, C(캐패시턴스) 및 IR에 대한 명세는 최소치로 설정하였고, DF(소멸 인자)에 대해서는 주어진 용도에 대해 최대 허용치로 설정하였다.
D. 저항 측정 및 계산
시험 물질을 조절된 온도 챔버내에서 단자 포스트상에 장착되고, 디지탈 오옴 미터에 전기적으로 연결하였다. 챔버내의 온도를 25℃로 조절하고, 평형을 이루게 한 후, 각 물질의 저항을 측정하고 기록했다.
이어서 챔버의 온도를 125℃로 상승키시고 평형을 이루게한 후, 물질의 저항을 다시 측정하고 기록했다.
이어서 챔버의 온도를 -55℃로 냉각하고, 평형을 이루게 한 후 냉각 저항을 측정하고 기록하였다.
저항의 가온 및 냉각 온도계수(ICR)는 다음과 같이 계산하였다.
Figure kpo00002
R25℃치와 가온 및 냉각 TCR치(각각 HTCR 및 CTCR로 표기)를 평균하고 R25℃치는 25 마이크론의 건식 프린트 두께로 표준화하고, 저항은 25 마이크로 건식 프린트 두께에서 면적당 오옴으로 기록하였다. 다수의 시험치의 정규화는 다음과 같은 관계식에 따라 계산했다.
Figure kpo00003
E. 납땜 인수 시험
납땜 인수 시험의 패턴은 10×20mil(250×250μ) 내지 80×80mil(2×2㎜)범위내의 크기가 다른 납땜 패드를 포함한다. 후막 도체 조성물은 약 2.54×2.54㎝(1×1인치)의 알루미나 물질상에서 프린트하여 소성시켰다. 공기중에서 850℃로 3회 행하는 소성법은 최종 사용 조건을 모의하기 위해 귀금속 도체 조성물에 사용된다. 구리 도체를 질소하에서 90℃로 소성시켰다. 두 경우 모두 도체를 최고 온도에서 10분 동안 방치하고, 총 소성 주기는 약 60분으로 하였다.
소성 시험의 패턴을 Alpha 611(Alpha Metals제품, 뉴저지주 저지 시티 소재)과 같은 RMA 융제중에 침액시키고, 과량의 용제를 배수시켰다. 이어서 물질의 바닥을 용융된 납땜중에 침액시킴으로써 일부분을 2-3초동안 예열시켰다. 최종 사용 조건을 모의하기 위해 융제, 납땜 조성물 및 납땜로 온도를 선택하였다. 예열 후, 전체를 납땜중에 5초 동안 담구었다. 침액 및 제거 비율은 약 0.5 내지 1.0㎝/초였다. 제거 후 납땜된 시험 패턴을 냉각시켰다. 용제의 잔류물은 트리클로로에탄 또는 이소프로판올과 같은 적합한 용매중에서 일부분을 세척하여 제거했다.
납땜 인수는 납땜에 의해 흠뻑 적셔진 패드의 수를 세어서 평가했다. 흠뻑 적셔지지 않은 패드는 젖지 않는 것으로 간주했다. 납땜으로 흠뻑 적셔진 패드의 수는 백분율에 기초해서 납땜 인수를 계산하기 위해 패드의 총 수로 나누었다.
[실시예 1]
[저온의 N2하에서 소결가능한 캡슐화제에서의 Pb(NO)3용도]
질산납을 저 연화(軟化)(365℃)의 붕규산납 아연 유리에 피복시켰다. 피복은 H2O중에 Pb(NO3)22.4g을 용해시키고, 유리분말 50g중에서 교반시킨 후 피복된 분말을 120℃에서 24시간 동안 증발 건조시켜서 행했다.
분말을 유기 매질과 SiO2충전재와 함께 연마기상에서 혼합시킴으로써 후막 페이스트로 만들었다. 충전재는 소성중 과도한 유리 유동을 제어하기 위한 것이다. 다음과 같은 혼합물 즉, 상기 피복된 분말 4.35g; SiO2분말 0.65g, 녹색 안료 0.25g과 유기 매질 1.5g을 제조했다. 매질에는 에틸셀룰로오스 3.1%, TexanolR(뉴욕주, 로체스터 소재의 Eastman Kodak Company에서 제조한 2,2,4-트리메틸펜탄디올-1,3-모노이소부티레이트)용매 95.84%와 트리데실포스페이트 1.06%를 함유시켰다.
페이스트는 먼저 소성시킨 Cu 회로 및 알루미나 물질상에 이중후막 저항기에 대해 캡슐화제로서 시험했다. 페이스트를 물질상에 스크린 프린트하고, 120℃에서 10분 동안 건조시킨 후, N2분위기하에 벨트(belt)식 노에서 약 10분동안 535℃의 최고온도로 소성시켰다.
생성된 막은 부드러우며 검은 거품 부위가 없으므로 우수한 부형제의 버언아웃을 나타냈다. 저항의 이동 및 Cu 녹은 최소인 것으로 관찰되었다.
[실시예 2 및 3]
[저 연화 캡슐화제]
다량의 저 융점 캡슐화제를 실시예 1의 방법으로 제조했다. Pb(NO3) 121.86g을 H2O 2538g중에 용해시킨 용액을 제조했다. 여기에 다음의 저 연화 유리, 즉 유리 A(실시예 1로 부터 제조) 및 유리 B(PbO 82.7중량%, B2O311.2중량%, PbF25.0중량%, SiO21.1중량%) 846.72g을 첨가했다. 이 혼합물을 유리를 피복시키기 위해 증발, 건조시켰다. 분말 즉, 유리 A와 유리 B(Pb(NO3)2피복 63.5%, SiO29.49%, 녹색 안료 2.92%와 상기 실시예 1에 기재된 셀룰로오스 부형제 24.4%를 함유함)를 롤로 분해했다.
페이스트를 상기한 저항기를 갖는 Cu 회로에 프린트하고, N2벨트식 노중에서 550℃에서 소성시켰다. 소성된 막의 부드러움은 유기 매질이 거의 완전하게 버언아웃 되었음을 나타낸다.
최소의 녹과 함께 완전한 버언아웃을 위한 최적 Pb(NO3)2농도를 결정하기 위해, 페이스트를 Pb(NO3)2는 사용하지 않고 상기한 바와 유사하게 제조하였다. 이를, Pb(NO3)2의 양을 4.8중량%에서 4.3중량%로 감소시키도록 Pb(NO3)2함유하는 페이스트중 일부와 혼합하였다. 이것을 상기한 바와 같이 프린트하고 소성시켰다. 그 결과 생성된 막은 불완전한 부형제 버언아웃을 나타냈다. 그리하여 이 유리 혼합물에 대해 Pb(NO3)2의 최정량은 4.3% 내지 4.8중량% 사이이다.
부드럽고, 완전히 버언아웃되는 막은 N2벨트식 노중에서 450℃에서 얻었다. 이와 같은 보다 낮은 소성 온도는 조항기의 이동을 최소화하기에 적합하다.
[실시예 4]
[보다 높은 연화점을 갖는 N2-소성가능한 캡슐화제에서 부형제를 버언아웃하기 위한 Pb(NO3)2의 용도]
660℃의 연화점을 갖는 유리(SiO256.5, PbO 17.2, Al2O39.1, CaO 8.6, B2O34.5, Na2O 2.4 및 K2O 1.7)는 물 중에 Pb(NO3)20.54g을 용해시키고, 여기에 유리 11.27g을 첨가한 후, 증발, 건조시킨 Pb(NO3)2로 피복시켰다. 페이스트는 상기한 것과 동일한 셀룰로오스 부형제를 사용하여 제조했다(Pb(NO3)2-피복 유리 5g과 상기한 셀룰로오스 부형제 1.7g). 이것을 알루미나 물질상에서 미리 제조한 Cu 전극 캐패시터에 대해 캡슐화제로서 시험하였다. 페이스트를 스크린 프린트하고, 건조시킨 후, N2분위기 노중에서 900℃/분의 최고치로 소성했다. 그 결과 생성된 막은 부드러우며, 소성막의 정화도 또는 투명도로써 나타난 바와 같이 완전하게 버언아웃 되었다.
[실시예 5]
[고 K를 갖는 유전 캐패시터에 부형제를 버언아웃하기 위한 Pb(NO3)2의 용도]
TiO2분말 50g을 물중에서 Pb(NO3)21.2g과 혼합하고, 이어서 TiO2를 피복시키기 위해 증발, 건조시켰다. 다음의 화합물, 즉 TiO2-피복 분말 48g, 유리 결합제 2.53g, 셀룰로오스 부형제(이미 상기하였음) 13.0g을 제조하고, 롤로 분쇄하였다. 페이스트는 구리 전극상에 캐패시터를 제조하기 위해 사용하였다. 막을 N2벨트식 노중에서 900℃에서 소성했다. 그 결과 생성된 유전 막은 양호한 버언아웃을 나타내는 흰색을 띄었다. 캐패시터는 0.2%의 저소멸인자 0.2%와 함께 2000의 고 K치를 나타내었다.
[실시예 6-8]
[구리 도체 조성물에서 Pb(NO3)2의 용도]
2%의 Pb(NO3)2를 다음과 같은 조성물 및 방법에 따라 구리 분말상에 피복시켰다.
Figure kpo00004
[방법]
1. D.I. 물(Water)중에 10% Pb(NO3)2와 0.05% 시트르산을 용해시켜서 질산납 용액(A) 1000g을 제조하였다.
2. 용액 A를 고전단 혼합기로 옮기고, 여기에 Cu 분말 5000g을 서서히 첨가하였다.
3. 분말이 충분히 젖도록 혼합물을 15분 동안 서서히 교반시켰다. 이어서 응집물을 파괴시키기 위해 고속으로 증가시켰다. 구리 페이스트가 부드럽고, 균일하고 "거품이 인 크림"컨시스턴스를 가질때까지 고전단 혼합기로 15분간 계속 혼합시켰다.
4. 구리 슬러리(B)를 트레이(tray)에 옮기고, 동결 건조하여 미세하고, 응집되지 않으며, Pb(NO3)2로 균일하게 피복된 구리 분말을 얻었다.
상기 질산납으로 피복한 Cu 분말을 다음의 페이스트 조성물에서 시험하고, 표준물 Du Pont 9924Q(프릿 결합)과 산화물이 결합된 구리 도체 Du pont 6022와 비교했다. 모든 구리 조성물을 1시간 주기로 900℃에서 10분간 소성했다.
Figure kpo00005
* 600℃의 버언아웃 온도로 소성시킨 Cu막의 탄소 분석
[실시예 9 및 10]
[Ag/Pt 도체 조성물에서 Pb(NO3)2의 용도]
100Ag:1Pt 분말의 혼합물을 상기한 방법과 유사한 슬러리 방법에 의해 1.5% Pb(NO3)2로 피복시켰다. 이어서 피복된 이 분말을, 1시간 주기로 10분 동안 850℃로 공기중에서 소성시킬때 우수한 특성을 나타내는 하기의 도체 조성물 D에서 사용했다.
Figure kpo00006
Pb(NO3)2로 피복시킨 분말로부터 제조한 Ag/Pt 도체(D)의 우수한 특성은 E와 비교해서 명백하다. 시료 E는 Ag 및 Pt 분말의 혼합물로부터 제조한 조성물과 유사한(동일하지는 않음) 조성물이었다. 결합제로서 Pb(NO3)2대신 PbO 2%를 E에 함유시켰다하더라도 부착력이 미약했다.
Figure kpo00007

Claims (17)

  1. 피복되지 않은 고상물의 0.1% 내지 10중량%을 구성하는 질산납층으로 피복된 전기적 기능을 갖는 고상물의 미분 입자.
  2. 제1항에 있어서, 고상물이 저항 산화물로 되는 피복된 고상 입자.
  3. 제1항에 있어서, 고상물이 유전 세라믹 산화물로 되는 피복된 고상 입자.
  4. 제1항에 있어서, 고상물이 전도성 금속으로 되는 피복된 고상 입자.
  5. 피복되지 않은 유리 입자 0.1% 내지 10중량%를 구성하는 질산납층으로 피복된 유리의 미분 입자.
  6. 고상물 성분중 적어도 하나의 표면상의 피복으로서 고상물에 기초해서 0.1% 내지 10중량%의 질산납을 분산질중에 혼입시키는 점이 개선된 유기 매질중에 분산된 전기적 기능을 갖는 물질과 PbO와 상용할 수 있는 무기 결합제의 미분 입자로 되는 후막 전자 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 전기적 기능을 갖는 물질이 질산납으로 피복된 입자 표면상의 저항 산화물인 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 질산납을 저항 물질과 무기 결합제의 모두의 입자 표면상에 피복시킨 조성물.
  9. 제6항에 있어서, 전기적 기능을 갖는 물질이 질산납이 피복된 입자 표면상의 유전 세라믹 산화물인 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 질산납을 유전 세라믹 산화물과 무기 결합제 모두의 입자 표면상에 피복시킨 조성물.
  11. 제6항에 있어서, 전기적 기능을 갖는 물질이 질산납이 피복된 입자 표면상의 전도성 금속인 조성물.
  12. 제6항에 있어서, 질산납을 전도성 금속과 무기 결합제 모두의 입자 표면상에 피복시킨 조성물.
  13. 유기 매질중에 분산된 질산납 0.1% 내지 10중량%로 피복된 PbO와 상용할 수 있는 유리의 미분 입자로 되는 후막 캡슐화 조성물.
  14. 물질상에 프린트한 후, 그로부터 유기 매질의 완전 휘발을 달성하기 위해 소성시킨 제7항 또는 제8항에 의한 조성물의 모형 후막으로 되는 저항기.
  15. 물질상에 프린트한 후, 그로부터 유기 매질의 완전 휘발 및 유전 세라믹 산화물의 조밀성을 달성하기 위해 소성시킨 제9항 또는 제10항에 의한 조성물의 후막으로 되는 유전층.
  16. 물질상에 프린트한 후, 그로부터 유기 매질의 완전 휘발 및 전도성 금속의 소결을 달성하기 위해 소성시킨 제11항 또는 제12항에 의한 조성물의 후막으로 되는 전도층.
  17. 전기적 기능을 갖는 물질상에 프린트한 후, 그로부터 유기 매질의 완전 휘발 및 유리 액상 소결을 달성하기 위해 소성시킨 제13항에 의한 조성물의 후막층으로 되는 캡슐화제 피복.
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