JPH01216666A - 密着型イメージセンサの構造 - Google Patents
密着型イメージセンサの構造Info
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- JPH01216666A JPH01216666A JP63041246A JP4124688A JPH01216666A JP H01216666 A JPH01216666 A JP H01216666A JP 63041246 A JP63041246 A JP 63041246A JP 4124688 A JP4124688 A JP 4124688A JP H01216666 A JPH01216666 A JP H01216666A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 8
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 1
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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-
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
本発明は、密着型イメージセンサのモジュール構造に関
する。
する。
従来、第２図に示すように、光強度を電気信号に変換す
る光センサーをセンサ基板１７上に複数個形成し、との
センサ基板上にセンサ駆動用ＩＣｌ３を接着し、ポンデ
ィングワイヤ５によってセンサ基板とセンサ駆動用ＩＣ
を電気的に接続し、センサ駆動用ＩＣとポンディングワ
イヤをモ°−ルド剤８によって封止し、センサ駆動用Ｉ
Ｃからの電気信号出力及び光センサとセンサ駆動用ＩＣ
へ供給する電源や入力信号等を制御する回路を実装した
回路ブロック１０と、前記センサ基板１７とを対応する
導電パターン同志を圧接して電気的に接続してセンサモ
ジュール１３を構成し、これにロフトレンズアレイ１４
と光源１５を組み合わせた構造の密着型イメージセンサ
が知られていた。
る光センサーをセンサ基板１７上に複数個形成し、との
センサ基板上にセンサ駆動用ＩＣｌ３を接着し、ポンデ
ィングワイヤ５によってセンサ基板とセンサ駆動用ＩＣ
を電気的に接続し、センサ駆動用ＩＣとポンディングワ
イヤをモ°−ルド剤８によって封止し、センサ駆動用Ｉ
Ｃからの電気信号出力及び光センサとセンサ駆動用ＩＣ
へ供給する電源や入力信号等を制御する回路を実装した
回路ブロック１０と、前記センサ基板１７とを対応する
導電パターン同志を圧接して電気的に接続してセンサモ
ジュール１３を構成し、これにロフトレンズアレイ１４
と光源１５を組み合わせた構造の密着型イメージセンサ
が知られていた。
しかし、前述の従来技術では、光センサ１を形成したセ
ンサ基板１７上に、センサ駆動用ＩＣｌ３を接着するた
めの面積が必要であり、しかもセンサ基板に形成した光
センサの表面から光が入射するために、光セ／すの保護
がセンサ表面に形成したごく薄い保Ｎ膜程度しかなく、
信頼性が不充分であるという問題点を有していた。
ンサ基板１７上に、センサ駆動用ＩＣｌ３を接着するた
めの面積が必要であり、しかもセンサ基板に形成した光
センサの表面から光が入射するために、光セ／すの保護
がセンサ表面に形成したごく薄い保Ｎ膜程度しかなく、
信頼性が不充分であるという問題点を有していた。
そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決するも
ので、その目的とするところは、より小型でしかも信頼
性にすぐれた密着型イメージセンサを提供することにあ
る。
ので、その目的とするところは、より小型でしかも信頼
性にすぐれた密着型イメージセンサを提供することにあ
る。
本発明の密着型イメージセンサの構造は、光をあてた原
稿面の照度情報をロフトレンズアレイによって空間上の
ある位置に結像させ、その位置に光の強貞を電気信号に
変換する光センサを一列に並べたセンサデバイスを配置
することで原稿面の照度を読み取る形式の密着型イメー
ジセンサにおいて、前記センサデバイスを、透明なガラ
ス基板に紫外線硬化性接着剤を用いて接合し、ワイヤボ
ンディングによってセンサデバイスとガラス基板の電気
的接続を行ない、ガラス基板に接着したモールド枠の内
側にセンサデバイスを覆うようにモールド剤を充填した
センサブロックと、光センサからの電気信号出力および
光センサへ供給するｆｆｌ源や入力信号等を制御する回
路ブロックとを、インタコネクタを圧接して電気的に接
続したセンサモジュールを構成したことを特徴とする。
稿面の照度情報をロフトレンズアレイによって空間上の
ある位置に結像させ、その位置に光の強貞を電気信号に
変換する光センサを一列に並べたセンサデバイスを配置
することで原稿面の照度を読み取る形式の密着型イメー
ジセンサにおいて、前記センサデバイスを、透明なガラ
ス基板に紫外線硬化性接着剤を用いて接合し、ワイヤボ
ンディングによってセンサデバイスとガラス基板の電気
的接続を行ない、ガラス基板に接着したモールド枠の内
側にセンサデバイスを覆うようにモールド剤を充填した
センサブロックと、光センサからの電気信号出力および
光センサへ供給するｆｆｌ源や入力信号等を制御する回
路ブロックとを、インタコネクタを圧接して電気的に接
続したセンサモジュールを構成したことを特徴とする。
第１図は本発明によるセンサモジュールを用いた密着型
イメージセンサの断面図である。ここで、光信号を電気
信号に変換する光センサ１を石英ガラス上に複数個形成
してセンサデバイス２とし、とのセンサデバイスを透明
なガラス基板３に透明な紫外ａ硬化性接着剤４で接合し
、ポンディングワイヤ５によってセンサデバイスとガラ
ス基板上の導電パターン６とを電気的に接続し、ガラス
基板にセンサデバイスを囲むようにモールド枠７を［１
し、モールド枠の内側にセンサデバイス及びポンディン
グワイヤを保護するために、例えばシリコン系のモール
ド剤８を充填し、上記の集合体をセンサブロック９とす
る。一方、センサデバイスを駆動するための電波及びク
ロックを供給し、かつセンサデバイスからの微弱電気信
号を増幅、整形するためのプリアンプ回路をｌ１ｌｔＥ
Ｌ、？：、プリント配線基板に回路素子を実装した回路
ブロック１０に、センサブロックのガラス基板上の導電
パターン６と一対一に対応する位置に導電パターン１１
を設けておく。ここで、導電部と絶縁部を導電パターン
６および１１の幅より充分細く繰り返し形成または積層
して得られる可とう性の電気的接続部品であるインタコ
ネクタ１２を、センサブロック９と回路ブロック１００
間にはさみ込んで圧接し、両者を電気的に接続して、こ
れをセンサモジュール１３とする。センサモジュール１
３と、ロフトレンズアレイ１４及びＬＥＤアレイによる
光源１５を組み合わせて、光源によって照射された原稿
面１６の照度をセンサモジュール１３中の光センサ１で
読み取る密着型イメージセンサを構成する。
イメージセンサの断面図である。ここで、光信号を電気
信号に変換する光センサ１を石英ガラス上に複数個形成
してセンサデバイス２とし、とのセンサデバイスを透明
なガラス基板３に透明な紫外ａ硬化性接着剤４で接合し
、ポンディングワイヤ５によってセンサデバイスとガラ
ス基板上の導電パターン６とを電気的に接続し、ガラス
基板にセンサデバイスを囲むようにモールド枠７を［１
し、モールド枠の内側にセンサデバイス及びポンディン
グワイヤを保護するために、例えばシリコン系のモール
ド剤８を充填し、上記の集合体をセンサブロック９とす
る。一方、センサデバイスを駆動するための電波及びク
ロックを供給し、かつセンサデバイスからの微弱電気信
号を増幅、整形するためのプリアンプ回路をｌ１ｌｔＥ
Ｌ、？：、プリント配線基板に回路素子を実装した回路
ブロック１０に、センサブロックのガラス基板上の導電
パターン６と一対一に対応する位置に導電パターン１１
を設けておく。ここで、導電部と絶縁部を導電パターン
６および１１の幅より充分細く繰り返し形成または積層
して得られる可とう性の電気的接続部品であるインタコ
ネクタ１２を、センサブロック９と回路ブロック１００
間にはさみ込んで圧接し、両者を電気的に接続して、こ
れをセンサモジュール１３とする。センサモジュール１
３と、ロフトレンズアレイ１４及びＬＥＤアレイによる
光源１５を組み合わせて、光源によって照射された原稿
面１６の照度をセンサモジュール１３中の光センサ１で
読み取る密着型イメージセンサを構成する。
ここで、ガラス基板３の長径方向の一辺と短径方向の一
辺の端面を、モールド枠７で覆わず露出して、基準面と
しておけば、センサモジュール１３を密着型イメージセ
ンサとして組み立てる際に、ロフトレンズアレイ１４及
び光源１５に対する光センサ１の位置が、正確にしかも
簡単に決定できる。また、センサデバイス２にセンサ駆
動用ＩＣの機能であるシフトレジスタ、スイッチ等を同
時に形成すれば、ポンディングワイヤ５の数が少なり、
シかも小型化が図れる。
辺の端面を、モールド枠７で覆わず露出して、基準面と
しておけば、センサモジュール１３を密着型イメージセ
ンサとして組み立てる際に、ロフトレンズアレイ１４及
び光源１５に対する光センサ１の位置が、正確にしかも
簡単に決定できる。また、センサデバイス２にセンサ駆
動用ＩＣの機能であるシフトレジスタ、スイッチ等を同
時に形成すれば、ポンディングワイヤ５の数が少なり、
シかも小型化が図れる。
以上述べたように、本発明によれば光は透明なガラス基
板及び紫外線硬化性接着剤を通して光センサに入射する
ので、センサデバイスの表面にモールド剤を充填でき、
信頼性に優れており、しかもモールド枠の上に回路ブロ
ックを実装できるために、より小型化した密着型イメー
ジセンサを構成することができる。
板及び紫外線硬化性接着剤を通して光センサに入射する
ので、センサデバイスの表面にモールド剤を充填でき、
信頼性に優れており、しかもモールド枠の上に回路ブロ
ックを実装できるために、より小型化した密着型イメー
ジセンサを構成することができる。
第１図は、本発明によるセンサモジュールを用いた密着
型イメージセンサの断面図。 第２図は、従来の密着型イメージセンサの断面図。 １・・・光七／す ２・・・センサデバイス ３・・・ガラス基板 ４・・・紫外線硬化性接着剤 ５・・・ポンディングワイヤ Ｂ・・・導電パターン ７・・・モールド枠 ８・・・モールド剤 ９・・・センサブロック １０・・・回路ブロック ！！・・・導電パターン １２・・・インタコネクタ １３・・・センサモジュール １４・・・ロッドレンズアレイ １５・・・光源 １６・・・原稿面 １７・・・センサ基板 １８・・・センサ駆動用ＩＣ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
型イメージセンサの断面図。 第２図は、従来の密着型イメージセンサの断面図。 １・・・光七／す ２・・・センサデバイス ３・・・ガラス基板 ４・・・紫外線硬化性接着剤 ５・・・ポンディングワイヤ Ｂ・・・導電パターン ７・・・モールド枠 ８・・・モールド剤 ９・・・センサブロック １０・・・回路ブロック ！！・・・導電パターン １２・・・インタコネクタ １３・・・センサモジュール １４・・・ロッドレンズアレイ １５・・・光源 １６・・・原稿面 １７・・・センサ基板 １８・・・センサ駆動用ＩＣ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 光をあてた原稿面の照度情報をロッドレンズアレイに
よって空間上のある位置に結像させ、その位置に光の強
度を電気信号に変換する光センサを一列に並べたセンサ
デバイスを配置することで原稿面の照度を読み取る形式
の密着性イメージセンサにおいて、前記センサデバイス
を、透明なガラス基板に紫外線硬化性接着剤を用いて接
合し、ワイヤボンディングによってセンサデバイスとガ
ラス基板の電気的接続を行ない、ガラス基板に接着した
モールド枠の内側にセンサデバイスを覆うようにモール
ド剤を充填したセンサブロックと、光センサからの電気
信号出力および光センサへ供給する電源や入力信号等を
制御する回路ブロックとを、インタコネクタを圧接して
電気的に接続したセンサモジユールを構成したことを特
徴とする密着型イメージセンサの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041246A JPH01216666A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 密着型イメージセンサの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63041246A JPH01216666A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 密着型イメージセンサの構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01216666A true JPH01216666A (ja) | 1989-08-30 |
Family
ID=12603081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63041246A Pending JPH01216666A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 密着型イメージセンサの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01216666A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0488129A2 (en) * | 1990-11-26 | 1992-06-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and information processing apparatus |
| US5281803A (en) * | 1990-11-26 | 1994-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and information processing apparatus |
| KR100497285B1 (ko) * | 2002-11-21 | 2005-07-22 | (주) 선양디엔티 | 와이어 본딩을 이용한 카메라 모듈의 제조장치 및 방법 |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP63041246A patent/JPH01216666A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0488129A2 (en) * | 1990-11-26 | 1992-06-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and information processing apparatus |
| US5281803A (en) * | 1990-11-26 | 1994-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and information processing apparatus |
| KR100497285B1 (ko) * | 2002-11-21 | 2005-07-22 | (주) 선양디엔티 | 와이어 본딩을 이용한 카메라 모듈의 제조장치 및 방법 |
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