JPH01214189A - 半導体レーザー - Google Patents
半導体レーザーInfo
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- JPH01214189A JPH01214189A JP63039987A JP3998788A JPH01214189A JP H01214189 A JPH01214189 A JP H01214189A JP 63039987 A JP63039987 A JP 63039987A JP 3998788 A JP3998788 A JP 3998788A JP H01214189 A JPH01214189 A JP H01214189A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザー、特に高出力半導体レーザーに
関わる。
関わる。
本発明は、いわゆるブロードエリア構造によるストライ
プ状電流注入領域上にそれぞれ独立に制御可能な複数の
１！極を設けることによって、電流注入領域の各部にお
いて定電流状態を保持するようにして電流集中の回避を
図って高出力で出射端面で実質的に単一光（単一スポッ
ト）の発光をさせる。
プ状電流注入領域上にそれぞれ独立に制御可能な複数の
１！極を設けることによって、電流注入領域の各部にお
いて定電流状態を保持するようにして電流集中の回避を
図って高出力で出射端面で実質的に単一光（単一スポッ
ト）の発光をさせる。
従来の為出力半導体レーザーにおいては、その出射端面
のエネルギー密度がほぼＩ ＭＷ／ｃｄ （１０’Ｗ／
−）を超えると長期の信頼性に劣ることが知られている
。したがって、高出力半導体レーザーを構成する場合、
通常いわば複数のレーザーを集積したと同等の構成によ
るマルチストライプレーザーまたはレーザーアレイ構成
がとられる。これら半導体レーザーは、発光端面すなわ
ち出射端面での発光が複数個のスポットの配列によるい
わゆるマルチ光放出型によるものであり、この出射端面
での全体的発光部の幅が広いものであって、これをレン
ズで集光させる必要があるとか先導路の光ファイバーに
カップリングさせる隙に不都合が生じている。
のエネルギー密度がほぼＩ ＭＷ／ｃｄ （１０’Ｗ／
−）を超えると長期の信頼性に劣ることが知られている
。したがって、高出力半導体レーザーを構成する場合、
通常いわば複数のレーザーを集積したと同等の構成によ
るマルチストライプレーザーまたはレーザーアレイ構成
がとられる。これら半導体レーザーは、発光端面すなわ
ち出射端面での発光が複数個のスポットの配列によるい
わゆるマルチ光放出型によるものであり、この出射端面
での全体的発光部の幅が広いものであって、これをレン
ズで集光させる必要があるとか先導路の光ファイバーに
カップリングさせる隙に不都合が生じている。
これに対し昨今半導体製造技術の向上すなわちエピタキ
シーの均一性の向上に伴い２００μ■に及ぶ幅に渡って
一様に電流注入を行い、活性ｊ―の発振領域の全域に渡
って−様な利得分布を形成するようにしたいわゆるブロ
ードエリア構造による半導体レーザーの開発が盛んであ
る。第３図は、この種の従来の半導体レーザーの路線的
斜視図を示すもので、この例においてはｎ型の例えばＧ
ａＡｓ半導体半導体基板上１ｎ型の例えばＧａｊＶＡｓ
よりなる第１のクラフト層（２）と、例えばＧａＡｓよ
りなる活性＋＝ （３１と、さらにこれの上に第１のク
ラッドＩｌｌ ＋２）と異なる導電型の例えはｐ型のＧ
ａＡＱＡｓよりなる第２のクラッド層（４）と、これと
同導電型のＧａＡｓよりなるキャンプ層（５）を順次エ
ピタキシャル成長し、キャップ層（５）側よりその中央
部を幅Ｗを有するストライプ状に残して両側にプロトン
、ボロン等のイオン注入を選択的に行って例えば高比砥
抗の電流遮断領域（６）を形成する。またキャップ層（
５）上には、−方の電極（７）を、また基板＋１１の裏
面には他方の電極（８）を被着し、両者間に順方向電圧
を印加することによって電流遮断領域（６）が形成され
ていない中央ストライプ部に限定的に幅Ｗに対応する幅
をもって電流の注入が行われるストライプ状電流注入領
域（９）が形成される。すなわち、電流遮断領域（６）
の形成部下における活性層に対しては、非電流注入状態
を形成する。このような構成によれば活性層（３）の中
央にはストライブ状の導波路が形成され、その幅方向の
利得分布をほぼ全幅に渡って平坦な分布とし、この導波
路の端面すなわち光の出射端面において全体として単一
発光部すなわち単一スポット、言い換えればその発光部
の光分布がその全幅に渡って比較的平坦な単一スポット
光として出射端面から発光するようになされている。
シーの均一性の向上に伴い２００μ■に及ぶ幅に渡って
一様に電流注入を行い、活性ｊ―の発振領域の全域に渡
って−様な利得分布を形成するようにしたいわゆるブロ
ードエリア構造による半導体レーザーの開発が盛んであ
る。第３図は、この種の従来の半導体レーザーの路線的
斜視図を示すもので、この例においてはｎ型の例えばＧ
ａＡｓ半導体半導体基板上１ｎ型の例えばＧａｊＶＡｓ
よりなる第１のクラフト層（２）と、例えばＧａＡｓよ
りなる活性＋＝ （３１と、さらにこれの上に第１のク
ラッドＩｌｌ ＋２）と異なる導電型の例えはｐ型のＧ
ａＡＱＡｓよりなる第２のクラッド層（４）と、これと
同導電型のＧａＡｓよりなるキャンプ層（５）を順次エ
ピタキシャル成長し、キャップ層（５）側よりその中央
部を幅Ｗを有するストライプ状に残して両側にプロトン
、ボロン等のイオン注入を選択的に行って例えば高比砥
抗の電流遮断領域（６）を形成する。またキャップ層（
５）上には、−方の電極（７）を、また基板＋１１の裏
面には他方の電極（８）を被着し、両者間に順方向電圧
を印加することによって電流遮断領域（６）が形成され
ていない中央ストライプ部に限定的に幅Ｗに対応する幅
をもって電流の注入が行われるストライプ状電流注入領
域（９）が形成される。すなわち、電流遮断領域（６）
の形成部下における活性層に対しては、非電流注入状態
を形成する。このような構成によれば活性層（３）の中
央にはストライブ状の導波路が形成され、その幅方向の
利得分布をほぼ全幅に渡って平坦な分布とし、この導波
路の端面すなわち光の出射端面において全体として単一
発光部すなわち単一スポット、言い換えればその発光部
の光分布がその全幅に渡って比較的平坦な単一スポット
光として出射端面から発光するようになされている。
上述したブロードエリア構造による半導体レーザーにお
いて、より高出力化を図るにはそのストライプ状電流注
入領域の幅をより増大化する必要が生じてくる。ところ
が、このようにストライプ状電流注入領域の幅広化に伴
って、この電流注入領域における電流注入に不均一性の
問題が生じてくる。すなわち、大面積の半導体レーザー
ダイオードでは、例えばその中央部分の放熱が周辺部に
比して相対的に悪いためにその中心部分が周辺部分に比
してΔＴの温度上昇を生じ、それによって第４図に実線
で示す電流ｌ−電電圧時特性温度上昇Δ′ｌ゛によって
破線図示のようにその順方向電圧Ｖｆが、ΔＶＦ分低下
する。すなわち このΔＶＦ分だけ順方向電圧が低下した部分に、より電
流集中を来し、ますます温度の上昇、さらにこれによる
順方向電圧の低下が相乗的に生じ、これによって破壊あ
るいは発光の不均一性を招来するという課題がある。
いて、より高出力化を図るにはそのストライプ状電流注
入領域の幅をより増大化する必要が生じてくる。ところ
が、このようにストライプ状電流注入領域の幅広化に伴
って、この電流注入領域における電流注入に不均一性の
問題が生じてくる。すなわち、大面積の半導体レーザー
ダイオードでは、例えばその中央部分の放熱が周辺部に
比して相対的に悪いためにその中心部分が周辺部分に比
してΔＴの温度上昇を生じ、それによって第４図に実線
で示す電流ｌ−電電圧時特性温度上昇Δ′ｌ゛によって
破線図示のようにその順方向電圧Ｖｆが、ΔＶＦ分低下
する。すなわち このΔＶＦ分だけ順方向電圧が低下した部分に、より電
流集中を来し、ますます温度の上昇、さらにこれによる
順方向電圧の低下が相乗的に生じ、これによって破壊あ
るいは発光の不均一性を招来するという課題がある。
本発明は、このような電流集中例えば中央部での電流集
中あるいは結晶状態に依存する電流集中等を効果的に回
避することができ、長寿命化、長時間使用を可能にした
半導体レーザーを提供する。
中あるいは結晶状態に依存する電流集中等を効果的に回
避することができ、長寿命化、長時間使用を可能にした
半導体レーザーを提供する。
（課題を解決するための手段〕
本発明は、第１図にその拡大路線的斜視図を示すように
ストライプ状電流注入領域（９）を有し、出射端面から
実質的に単一光すなわち単一スポットとしてその発光が
なされるようにされた半導体レーザーにおいて、電流注
入領域（９）上にそれぞれ独立に制御可能な電極（７１
） （７２） （７３）・・・・を配列形成する。
ストライプ状電流注入領域（９）を有し、出射端面から
実質的に単一光すなわち単一スポットとしてその発光が
なされるようにされた半導体レーザーにおいて、電流注
入領域（９）上にそれぞれ独立に制御可能な電極（７１
） （７２） （７３）・・・・を配列形成する。
そして例えば各軍＠Ａ（７１）（７２） （７３）・
・・・に対向して共通の対向電極（８）を被着形成する
。
・・・に対向して共通の対向電極（８）を被着形成する
。
（作用）
上述の本発明構成によれば、電流注入領域（９）に対し
てその少くとも一方の電極が複数の電極（７１）（７２
） （７３）・・・・の互いに独立制御できる電極配
列構造としたことによって、第２図にその等価回路図を
示すように、各電極（７１） （７２）（７３）・・
・・（７ｎ）に関してそれぞれ独立に制御できる複数の
ダイオードｄ１．ｄ２＋ ｄｇ・・・・ｄｎが並列に配
置された構成がとられるので、例えばそれぞれに対して
定電流手段Ｉ Ｓ１＋、 Ｉ Ｓ２＋１３３・・・・１
ｓｎを配置することによって一部に結晶欠陥。
てその少くとも一方の電極が複数の電極（７１）（７２
） （７３）・・・・の互いに独立制御できる電極配
列構造としたことによって、第２図にその等価回路図を
示すように、各電極（７１） （７２）（７３）・・
・・（７ｎ）に関してそれぞれ独立に制御できる複数の
ダイオードｄ１．ｄ２＋ ｄｇ・・・・ｄｎが並列に配
置された構成がとられるので、例えばそれぞれに対して
定電流手段Ｉ Ｓ１＋、 Ｉ Ｓ２＋１３３・・・・１
ｓｎを配置することによって一部に結晶欠陥。
放熱効果の不均一性による温度上昇の不均一等によって
電流集中が生じんとする場合においても定電流手段１ｓ
ｔ＋ ＩＳ２＋ １３３・・・・ｌｓｎによってそ
れぞれの部分に適合した所定の電流に設定することがで
きることによって各部で最適の動作状態を得ることがで
き、また局部的電流集中を回避でき、この電流集中とそ
れによる発熱による相乗的電流集中の発生を効果的に回
避でき、半導体レーザーの破壊あるいは不均一な発光を
回避することができる。
電流集中が生じんとする場合においても定電流手段１ｓ
ｔ＋ ＩＳ２＋ １３３・・・・ｌｓｎによってそ
れぞれの部分に適合した所定の電流に設定することがで
きることによって各部で最適の動作状態を得ることがで
き、また局部的電流集中を回避でき、この電流集中とそ
れによる発熱による相乗的電流集中の発生を効果的に回
避でき、半導体レーザーの破壊あるいは不均一な発光を
回避することができる。
また、ある場合は各ダイオードｄｔ １ ｄ２１ ｄｘ
・・・・ａｎに関してそれぞれその例えば温度検出等を
行うようにしてこれによって電流集中を検出してこれら
ダイオードｄ１．ｄｔ 、ｄ３・・・・ｄｎすなわち電
極（７１）（７２）（７３） ・”・（’／ｎ）に対す
る電流制御を行ってその電流集中の発生を阻止する作用
を行わしめることもできる。
・・・・ａｎに関してそれぞれその例えば温度検出等を
行うようにしてこれによって電流集中を検出してこれら
ダイオードｄ１．ｄｔ 、ｄ３・・・・ｄｎすなわち電
極（７１）（７２）（７３） ・”・（’／ｎ）に対す
る電流制御を行ってその電流集中の発生を阻止する作用
を行わしめることもできる。
第１図に不すように、例えば第３図で説明たと同様に例
えばｎ型のＧａＡｓ半導体基板＋１）上に、これと同導
電型の例えばＧａＡ９ Ａｓよりなる第１のクラッド層
（２）と、例えばＧａＡｓよりなる活性層（３）と、第
１のクラフト層（２）とは異なるｎ型の例えばＧａＡＱ
Ａｓよりなる第２のクラブト層（４）と、これと同導電
型のＧａＡｓよりなるキャップｒｖ４ （５１を順次例
えば有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によってエピタ
キシャル成長させる。そして、例えばキャップ層（５）
側より中央部をストライプ状に残して両側にプロトン、
ボ１コン等のイオン注入を選択的に行って電流遮断領域
（６）を形成し、これら部下にストライプ状の？４ｉ注
入領域（９）を形成するが、更に例えばこれら電流遮断
領域（６）の形成と同時に、このストライプ状電流注入
領域（９１上に、その長平方向に沿って例えはその長手
方向の全域に亘って延在する１本以上（図示の例では３
本）の電流供給を阻止する非電流供給領域（１０）を、
プロトン、ボロン等の選択的イオン打ち込みによって形
成する。そして、キャップ層（５）上に、これら電流遮
断領域（６）及び非電流供給領域（１０）間においてそ
れぞれ電気的に独立する電極（７１）（７２） （７
３）・・・・をオーミクに被着する。
えばｎ型のＧａＡｓ半導体基板＋１）上に、これと同導
電型の例えばＧａＡ９ Ａｓよりなる第１のクラッド層
（２）と、例えばＧａＡｓよりなる活性層（３）と、第
１のクラフト層（２）とは異なるｎ型の例えばＧａＡＱ
Ａｓよりなる第２のクラブト層（４）と、これと同導電
型のＧａＡｓよりなるキャップｒｖ４ （５１を順次例
えば有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によってエピタ
キシャル成長させる。そして、例えばキャップ層（５）
側より中央部をストライプ状に残して両側にプロトン、
ボ１コン等のイオン注入を選択的に行って電流遮断領域
（６）を形成し、これら部下にストライプ状の？４ｉ注
入領域（９）を形成するが、更に例えばこれら電流遮断
領域（６）の形成と同時に、このストライプ状電流注入
領域（９１上に、その長平方向に沿って例えはその長手
方向の全域に亘って延在する１本以上（図示の例では３
本）の電流供給を阻止する非電流供給領域（１０）を、
プロトン、ボロン等の選択的イオン打ち込みによって形
成する。そして、キャップ層（５）上に、これら電流遮
断領域（６）及び非電流供給領域（１０）間においてそ
れぞれ電気的に独立する電極（７１）（７２） （７
３）・・・・をオーミクに被着する。
非電流供給領域（１０）は、例えば中央部において幅広
とされた紡錘状、楕円状等のパターンに形成し得、その
深さは、活性層（３）に至る深さ、あるいは活性Ｎ（３
）に至ることのない深さに選定し得る。
とされた紡錘状、楕円状等のパターンに形成し得、その
深さは、活性層（３）に至る深さ、あるいは活性Ｎ（３
）に至ることのない深さに選定し得る。
この場合、この非電流供給領域１１０）の各部の幅は、
これによって区分された電流注入領域の各部からの発光
が実質的に分離されることがなり単一スポットとして出
射端面から得られる幅にすなわち具体的には例えば注入
キャリアの拡散距離の２倍以下に選定される。
これによって区分された電流注入領域の各部からの発光
が実質的に分離されることがなり単一スポットとして出
射端面から得られる幅にすなわち具体的には例えば注入
キャリアの拡散距離の２倍以下に選定される。
一方、例えば基板（１１の裏面は例えば共通の電極＋８
）をオーミック被着し、電極（８）と各電極（７１）（
７２）（７３）・・・・間に第２図で説明したように独
立に電流制御によって例えばそれぞれの条件に応じて選
定された定電流下で各電極（７１）（７２）（’／３）
・・・・の被着部下に独立に形成した電流注入領域部分
にキャリアの注入を行う。このようにして、それぞれの
電流制御下での発振する発光によって全体として出射端
から単一スポットの発光を行わしめる。
）をオーミック被着し、電極（８）と各電極（７１）（
７２）（７３）・・・・間に第２図で説明したように独
立に電流制御によって例えばそれぞれの条件に応じて選
定された定電流下で各電極（７１）（７２）（’／３）
・・・・の被着部下に独立に形成した電流注入領域部分
にキャリアの注入を行う。このようにして、それぞれの
電流制御下での発振する発光によって全体として出射端
から単一スポットの発光を行わしめる。
尚、上述した例においてはプロトン、ポロン等の選択的
打ち込みによって電流遮断領域（６）及び非電流供給領
域（ｌＯ）を形成するようにした場合であるが、ある場
合はこれらをｐｎ接合によって形成するようにすること
もできるし、またこれら領１１３ｉ（６１（１０）に換
えてキャップ層（５）上に絶縁層を形成し、この、絶縁
層にストライプ状の窓開けを行って、ここに互いに独立
した電極（７ｒ ） （７２）（７３）・・・・を形
成するようにして独立した電流注入領域部分を形成する
こともできる。
打ち込みによって電流遮断領域（６）及び非電流供給領
域（ｌＯ）を形成するようにした場合であるが、ある場
合はこれらをｐｎ接合によって形成するようにすること
もできるし、またこれら領１１３ｉ（６１（１０）に換
えてキャップ層（５）上に絶縁層を形成し、この、絶縁
層にストライプ状の窓開けを行って、ここに互いに独立
した電極（７ｒ ） （７２）（７３）・・・・を形
成するようにして独立した電流注入領域部分を形成する
こともできる。
尚、本発明による半導体レーザーは、図示の構成による
半導体レーザーに限らず各■５の導電型を逆の導電型に
選定した半導体レーザーをはじめとしてＧａＡＱＡｓ系
レーザー以外の各種半導体レーザーに本発明を通用する
ことができる。
半導体レーザーに限らず各■５の導電型を逆の導電型に
選定した半導体レーザーをはじめとしてＧａＡＱＡｓ系
レーザー以外の各種半導体レーザーに本発明を通用する
ことができる。
上述したように本発明によれば実質的にブロードエリア
型半導体レーザー構造をとるものであるが、各部におけ
る電流注入領域部分を独立に制御し得るようにしたため
に各部で最適の動作状態を得ることができ、また局部的
に電流集中を生ずることが効果的に回避され、これによ
って半導体レーザーの破壊あるいは発光の不均一性等を
確実に回避することができ、より高出力化を図ることが
できその実用上の利益は大である。
型半導体レーザー構造をとるものであるが、各部におけ
る電流注入領域部分を独立に制御し得るようにしたため
に各部で最適の動作状態を得ることができ、また局部的
に電流集中を生ずることが効果的に回避され、これによ
って半導体レーザーの破壊あるいは発光の不均一性等を
確実に回避することができ、より高出力化を図ることが
できその実用上の利益は大である。
第１図は本発明による半導体レーザーの一例の路線的拡
大斜視図、第２図はその等価回路図、第３図は従来の半
導体レーザーの拡大斜視図、第４図はそのＩ−Ｖ特性図
である。 （１）は半導体基板、（２）及び（引は第１及び第２の
クラッド層、（３）は活性層、（９）はストライプ状電
流注入領域、（６）は電流遮断領域、（１０）は非電流
供給領域、（７１）（７２）（７３）・・・・及び（８
）は電極である。
大斜視図、第２図はその等価回路図、第３図は従来の半
導体レーザーの拡大斜視図、第４図はそのＩ−Ｖ特性図
である。 （１）は半導体基板、（２）及び（引は第１及び第２の
クラッド層、（３）は活性層、（９）はストライプ状電
流注入領域、（６）は電流遮断領域、（１０）は非電流
供給領域、（７１）（７２）（７３）・・・・及び（８
）は電極である。
Claims (1)
- ストライプ状電流注入領域を有し、単一光を発光するよ
うにされてなる半導体レーザーにおいて、上記電流注入
領域上にそれぞれ独立に制御可能な複数の電極が設けら
れて成ることを特徴とする半導体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63039987A JPH01214189A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63039987A JPH01214189A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214189A true JPH01214189A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12568293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63039987A Pending JPH01214189A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 半導体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01214189A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002164611A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Denso Corp | 半導体レーザ |
| US6480516B1 (en) | 1999-03-31 | 2002-11-12 | Japan As Represented By Secretary Of Agency Of Industrial Science And Technology | Surface semiconductor optical amplifier with transparent substrate |
| JP2006339450A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5339142A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Photo deflecting element |
| JPS6072286A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路結合形半導体発光装置 |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP63039987A patent/JPH01214189A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5339142A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Photo deflecting element |
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| US6480516B1 (en) | 1999-03-31 | 2002-11-12 | Japan As Represented By Secretary Of Agency Of Industrial Science And Technology | Surface semiconductor optical amplifier with transparent substrate |
| JP2002164611A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Denso Corp | 半導体レーザ |
| JP4710123B2 (ja) * | 2000-11-27 | 2011-06-29 | 株式会社デンソー | 半導体レーザ |
| JP2006339450A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
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