JPH01212407A - 超電導セラミック回路素子 - Google Patents
超電導セラミック回路素子Info
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- JPH01212407A JPH01212407A JP63253606A JP25360688A JPH01212407A JP H01212407 A JPH01212407 A JP H01212407A JP 63253606 A JP63253606 A JP 63253606A JP 25360688 A JP25360688 A JP 25360688A JP H01212407 A JPH01212407 A JP H01212407A
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- ceramic material
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- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
- H10N60/203—Permanent superconducting devices comprising high-Tc ceramic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
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- Superconductive Dynamoelectric Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野”
本発明は、高温超電導セラミック材料表処理して電気回
路素子を形成することに関する。
路素子を形成することに関する。
本発明の説明上、高温超電導セラミック材料とは、液体
ヘリウム(4,0@K)より高い温度で超電導特性を示
すセラミック材料として定義する。
ヘリウム(4,0@K)より高い温度で超電導特性を示
すセラミック材料として定義する。
従来の技術
最近発見された高温超電導材料、例えば、YBa C
u O又はTmBa Cu Oは、2 39−δ
2 39−δもろいセラミックである。こ
れら材料は引っ張ったり丸めたりしてワイヤへと形成す
ることができないので、有用な電気回路素子を形成でき
ないが、粉末化した超電導セラミック材料を充填した可
鍛性金属のチューブのサイズを縮小することによう・て
ワイヤ状のものが形成されている。
u O又はTmBa Cu Oは、2 39−δ
2 39−δもろいセラミックである。こ
れら材料は引っ張ったり丸めたりしてワイヤへと形成す
ることができないので、有用な電気回路素子を形成でき
ないが、粉末化した超電導セラミック材料を充填した可
鍛性金属のチューブのサイズを縮小することによう・て
ワイヤ状のものが形成されている。
超電導セラミック材料は、高い温度から急激に冷却する
か又は酸素の欠乏する雰囲気中で加熱したときにその超
電導特性を失うことが知られている。
か又は酸素の欠乏する雰囲気中で加熱したときにその超
電導特性を失うことが知られている。
発明の構成
本発明によれば、前記した高温超電導セラミック材料か
ら電気回路素子を製造する方法において、超電導セラミ
ック材料の本体表面の領域にわたり、その超電導材料本
体の照射領域の温度を、そのセラミック材料の超電導特
性を永久的に破壊するに必要とされる以上のレベルまで
上昇させるに充分なエネルギ密度を有する放射ビームで
走査し、もはや超電導でないセラミック材料本体の領域
がまだ超電導である領域と共に散在して上記の電気回路
素子を形成するという作業より成る方法が提供される。
ら電気回路素子を製造する方法において、超電導セラミ
ック材料の本体表面の領域にわたり、その超電導材料本
体の照射領域の温度を、そのセラミック材料の超電導特
性を永久的に破壊するに必要とされる以上のレベルまで
上昇させるに充分なエネルギ密度を有する放射ビームで
走査し、もはや超電導でないセラミック材料本体の領域
がまだ超電導である領域と共に散在して上記の電気回路
素子を形成するという作業より成る方法が提供される。
超電導状態から永久的な非超電導状態への移行は、セラ
ミック材料本体の上記走査領域を急激に冷却するか、酸
素が欠乏した雰囲気又は真空中において作業を行なうか
又はその2つの作用を組み合わせることによって容易に
得ることができる。
ミック材料本体の上記走査領域を急激に冷却するか、酸
素が欠乏した雰囲気又は真空中において作業を行なうか
又はその2つの作用を組み合わせることによって容易に
得ることができる。
放射ビームはレーザによって形成され、ビームの直径、
出力密度及び走査速度は、特定の超電導セラミック材料
、その厚み及び所望の非超電導ライン巾に基づいて選択
される。
出力密度及び走査速度は、特定の超電導セラミック材料
、その厚み及び所望の非超電導ライン巾に基づいて選択
される。
実施例
以下、添付図面を参照し、本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
ミンク材料の円筒状本体1は、C02又はNd:YAg
レーザ4からの放射ビーム3の焦点2の下で図示されて
いない機構によって回転され並進移動される。その結果
、収束されたレーザビーム3が超電導セラミック材料の
円筒1上の螺旋経路5をたどるようになる。エネルギ密
度、焦点のサイズ及び追従速度は、螺旋経路5に沿った
円筒1の超電導セラミック材料の温度が、超電導でなく
なるような値まで上昇するように選択され、これにより
、螺旋状の超電導材料が残るようになる。超電導状態か
ら非超電導状態への移行は、レーザビーム3の焦点2の
すぐ後方の円筒1の面に冷却不活性ガスの噴射を当てる
か又は真空もしくは酸素の欠乏する雰囲気中で処理を実
行することによって容易に得ることができる。
レーザ4からの放射ビーム3の焦点2の下で図示されて
いない機構によって回転され並進移動される。その結果
、収束されたレーザビーム3が超電導セラミック材料の
円筒1上の螺旋経路5をたどるようになる。エネルギ密
度、焦点のサイズ及び追従速度は、螺旋経路5に沿った
円筒1の超電導セラミック材料の温度が、超電導でなく
なるような値まで上昇するように選択され、これにより
、螺旋状の超電導材料が残るようになる。超電導状態か
ら非超電導状態への移行は、レーザビーム3の焦点2の
すぐ後方の円筒1の面に冷却不活性ガスの噴射を当てる
か又は真空もしくは酸素の欠乏する雰囲気中で処理を実
行することによって容易に得ることができる。
第2図は、2本の平行な非超電導ライン24によって分
離された円筒21の領域23において非超電導経路5が
平坦な螺旋22を形成するように動かされる超電導セラ
ミック材料の別の円筒21を示している0円筒21の周
囲に沿って規則的な間隔でこの形状を繰り返すことによ
り、電気モータの界磁コイルとして用いるのに適したコ
イルを形成することができる。
離された円筒21の領域23において非超電導経路5が
平坦な螺旋22を形成するように動かされる超電導セラ
ミック材料の別の円筒21を示している0円筒21の周
囲に沿って規則的な間隔でこの形状を繰り返すことによ
り、電気モータの界磁コイルとして用いるのに適したコ
イルを形成することができる。
完全に効果的なものにするには、非超電導領域(1つ又
は複数)を超電導セラミック材料の本体に完全に貫通さ
せねばならない、ここで、処理されるラインの巾は、超
電導セラミック本体の厚みと同等でなければならない、
超電導セラミック本体の各側から同時に処理を行なうこ
とにより、必要とされる貫通の程度が実際上半分にされ
るので、ラインの巾を減少することができる。
は複数)を超電導セラミック材料の本体に完全に貫通さ
せねばならない、ここで、処理されるラインの巾は、超
電導セラミック本体の厚みと同等でなければならない、
超電導セラミック本体の各側から同時に処理を行なうこ
とにより、必要とされる貫通の程度が実際上半分にされ
るので、ラインの巾を減少することができる。
成る目的で、超電導セラミック材料の薄い層を使用する
ことが必要とされるが、これら自身は非常にもろいもの
である。この問題は、別の非超電導セラミック材料1例
えば、LaBa Cu0 又は(Y La
) Ba Cu Oの基9−δ xi−x
239−δ体上に超電導セラミック材料の層を形成
することによって克服することができる。第3図は、非
超電導セラミック材料の円筒31が超電導セラミック材
料32内に埋設された構成を示している。これにより1
種々の超電導及び非超電導パターンを中央の非超電導セ
ラミック材料の各側に書き込むことができる。
ことが必要とされるが、これら自身は非常にもろいもの
である。この問題は、別の非超電導セラミック材料1例
えば、LaBa Cu0 又は(Y La
) Ba Cu Oの基9−δ xi−x
239−δ体上に超電導セラミック材料の層を形成
することによって克服することができる。第3図は、非
超電導セラミック材料の円筒31が超電導セラミック材
料32内に埋設された構成を示している。これにより1
種々の超電導及び非超電導パターンを中央の非超電導セ
ラミック材料の各側に書き込むことができる。
熱衝撃によってクラックや他のダメージが生じるおそれ
を減少するために、永久的な非超電導状態への移行が生
じる温度(〜500℃)より若干低い温度まで超電導本
体を予熱するのが効果的である。
を減少するために、永久的な非超電導状態への移行が生
じる温度(〜500℃)より若干低い温度まで超電導本
体を予熱するのが効果的である。
第1図は、ソレノイドとして使用するのに適した螺旋状
の超電導構造体を製造する方法を示す概略図、 第2図は、電気モータの界磁コイルとして使用するのに
適したコイルの形成を示す図、そして第3図は、第1図
及び第2図の実施例に用いるのに適した円筒状の超電導
セラミック本体の縦断面図である。 1・・・高温超電導セラミック材料の円筒本体2・・・
ビームの焦点 3・・・ビーム 4・・・レーザ5・・・螺旋
経路 21・・・超電導セラミック材料の別の円筒22・・・
平坦な螺旋 24・・・非超電導ライン 、1
の超電導構造体を製造する方法を示す概略図、 第2図は、電気モータの界磁コイルとして使用するのに
適したコイルの形成を示す図、そして第3図は、第1図
及び第2図の実施例に用いるのに適した円筒状の超電導
セラミック本体の縦断面図である。 1・・・高温超電導セラミック材料の円筒本体2・・・
ビームの焦点 3・・・ビーム 4・・・レーザ5・・・螺旋
経路 21・・・超電導セラミック材料の別の円筒22・・・
平坦な螺旋 24・・・非超電導ライン 、1
Claims (6)
- (1)高温超電導セラミック材料から電気回路素子を製
造する方法において、超電導セラミック材料の本体表面
の領域にわたり、その超電導材料本体の照射領域の温度
を、そのセラミック材料の超電導特性を永久的に破壊す
るに必要とされる以上のレベルまで上昇させるに充分な
エネルギ密度を有する放射ビームで走査し、もはや超電
導となり得ないセラミック材料本体の領域がまだ超電導
となり得る領域と共に散在するようにして、電気回路素
子を形成する作業より成ることを特徴とする方法。 - (2)上記セラミック本体の加熱された領域を急速に冷
却する作業を含む請求項1に記載の方法。 - (3)上記セラミック材料本体の領域の加熱は、真空状
態のもとで行なう請求項1又は2に記載の方法。 - (4)上記セラミック材料本体の領域の加熱は、酸素の
欠乏した雰囲気中で行なう請求項1又は2に記載の方法
。 - (5)上記放射ビームはレーザによって発生する請求項
の前記いずれかに記載の方法。 - (6)請求項1ないし5のいずれかに記載の方法によっ
て製造された電気回路素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8723516 | 1987-10-07 | ||
GB878723516A GB8723516D0 (en) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | Superconducting ceramic circuit elements |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01212407A true JPH01212407A (ja) | 1989-08-25 |
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ID=10624905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63253606A Pending JPH01212407A (ja) | 1987-10-07 | 1988-10-07 | 超電導セラミック回路素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0311331A3 (ja) |
JP (1) | JPH01212407A (ja) |
GB (2) | GB8723516D0 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5026682A (en) * | 1987-04-13 | 1991-06-25 | International Business Machines Corporation | Devices using high Tc superconductors |
JPS6451685A (en) * | 1987-08-22 | 1989-02-27 | Sumitomo Electric Industries | Formation of superconducting circuit |
DE4038894C1 (ja) * | 1990-12-06 | 1992-06-25 | Dornier Gmbh, 7990 Friedrichshafen, De | |
GB9027803D0 (en) * | 1990-12-21 | 1991-02-13 | Ici Plc | Electromagnetic device |
FR2678419B1 (fr) * | 1991-06-27 | 1993-09-03 | Alsthom Gec | Piece en ceramique supraconductrice pour amenee de courant. |
CN109539977A (zh) * | 2017-09-22 | 2019-03-29 | 柳州博泽科技有限公司 | 一种高效防锈且基于计算机的农产品体积快速测量装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0282360B1 (en) * | 1987-03-12 | 1995-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing components of superconducting ceramic oxide materials |
EP0286106B1 (en) * | 1987-04-08 | 1995-08-02 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing a superconductive device |
US5252545A (en) * | 1987-07-14 | 1993-10-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Dense high temperature ceramic oxide superconductors |
JPS6451685A (en) * | 1987-08-22 | 1989-02-27 | Sumitomo Electric Industries | Formation of superconducting circuit |
-
1987
- 1987-10-07 GB GB878723516A patent/GB8723516D0/en active Pending
-
1988
- 1988-10-03 EP EP88309174A patent/EP0311331A3/en not_active Withdrawn
- 1988-10-03 GB GB8823126A patent/GB2210750A/en not_active Withdrawn
- 1988-10-07 JP JP63253606A patent/JPH01212407A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0311331A2 (en) | 1989-04-12 |
GB2210750A (en) | 1989-06-14 |
GB8823126D0 (en) | 1988-11-09 |
EP0311331A3 (en) | 1990-02-14 |
GB8723516D0 (en) | 1987-11-11 |
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