JPH01209725A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH01209725A JPH01209725A JP63035980A JP3598088A JPH01209725A JP H01209725 A JPH01209725 A JP H01209725A JP 63035980 A JP63035980 A JP 63035980A JP 3598088 A JP3598088 A JP 3598088A JP H01209725 A JPH01209725 A JP H01209725A
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- etching
- gas
- resist
- aluminum
- dry etching
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Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はアルミニウムまたはアルミニウム合金膜のドラ
イエツチング方法に関する。
イエツチング方法に関する。
（従来の技術）
近年、電子デバイスの高密度化にともない配線パターン
が一層微細化されており、電子デバイスに対し高度の微
細加工が要求されている。このため、電子デバイスの製
造の際になされるアルミニウムあるいはアルミニウム合
金のエツチングにおいて、微細かつ良好な形状のエツチ
ング加工を可能にすることが求められている。
が一層微細化されており、電子デバイスに対し高度の微
細加工が要求されている。このため、電子デバイスの製
造の際になされるアルミニウムあるいはアルミニウム合
金のエツチングにおいて、微細かつ良好な形状のエツチ
ング加工を可能にすることが求められている。
また、マスクとしてのレジストも微細加工に対応してパ
ターンの解像度を向上させるため、レジストの膜厚はさ
らに薄くなる傾向にある。このようにレジストがより薄
くなる傾向にあることから。
ターンの解像度を向上させるため、レジストの膜厚はさ
らに薄くなる傾向にある。このようにレジストがより薄
くなる傾向にあることから。
レジストに対する選択比（レジストのエッチレート／ア
ルミニウムあるいはアルミニウム合金のエッチレート）
にはより高い値が要求されるようになっている。
ルミニウムあるいはアルミニウム合金のエッチレート）
にはより高い値が要求されるようになっている。
（発明が解決しようとする課題）
従来、アルミニウムあるいはアルミニウム合金のエツチ
ングガスとして用いられるものにＢＣｌｉとＣ１２の混
合ガスにＣＩＩＦ）を添加したもの、またはＢＣｈとＣ
１りの混合ガスにＣｌＩＣｌ３を添加したもの等がある
。しかしながら、これらのエツチングガスはレジストに
対する選択比が十分に高いとはいえず、また同時に下地
酸化膜に対する選択比が低いという問題点がある。
ングガスとして用いられるものにＢＣｌｉとＣ１２の混
合ガスにＣＩＩＦ）を添加したもの、またはＢＣｈとＣ
１りの混合ガスにＣｌＩＣｌ３を添加したもの等がある
。しかしながら、これらのエツチングガスはレジストに
対する選択比が十分に高いとはいえず、また同時に下地
酸化膜に対する選択比が低いという問題点がある。
そこで１本発明は上記問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、レジストおよび下地
酸化膜にたいする選択比を高くすることができ、アルミ
ニウムまたはアルミニウム合金膜を高速で良好な形状に
エツチング加工できるドライエツチング方法を提供する
にある。
であり、その目的とするところは、レジストおよび下地
酸化膜にたいする選択比を高くすることができ、アルミ
ニウムまたはアルミニウム合金膜を高速で良好な形状に
エツチング加工できるドライエツチング方法を提供する
にある。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するため、アルミニウムまたはアルミニ
ウム合金膜のドライエツチング方法において、塩素系の
ガスに窒素を添加したエツチングガスを用いることを特
徴とする。
ウム合金膜のドライエツチング方法において、塩素系の
ガスに窒素を添加したエツチングガスを用いることを特
徴とする。
（作用）
塩素系ガスに窒素を添加することにより、マスクである
レジストのエッチレートを低下させ、同時にアルミニウ
ムあるいはア、ルミニウム合金のエッチレートを低下さ
せないことによりレジストに対する選択比を向上させる
。また、エツチングガスにフッ素系のガスを含まないか
ら下地酸化膜にたいする選択比が向上できる。
レジストのエッチレートを低下させ、同時にアルミニウ
ムあるいはア、ルミニウム合金のエッチレートを低下さ
せないことによりレジストに対する選択比を向上させる
。また、エツチングガスにフッ素系のガスを含まないか
ら下地酸化膜にたいする選択比が向上できる。
（実施例）
以下本発明の好適な実施例を説明する。
〔実施例１〕
ドライエツチング装置として、周波数１３．５６ＭＨｚ
のヘキソード型リアクティブイオンエツチング装置を用
い、エツチングガスとして Ｃ１，： ５ｉＣ１，： Ｎ、 ＝６０： ２０： １
００の組成を有するガスを用いた。
のヘキソード型リアクティブイオンエツチング装置を用
い、エツチングガスとして Ｃ１，： ５ｉＣ１，： Ｎ、 ＝６０： ２０： １
００の組成を有するガスを用いた。
エツチング条件を、圧力４０ｍＴｏｒｒ 、ＤＣバイア
ス１８０Ｖ、高周波電力１０００ ｗとしてアルミニウ
ムーシリコン合金膜をエツチングした。
ス１８０Ｖ、高周波電力１０００ ｗとしてアルミニウ
ムーシリコン合金膜をエツチングした。
この結果、レジストに対する選択比５．０〜５．５、下
地酸化膜に対する選択比１２〜１５が得られた。
地酸化膜に対する選択比１２〜１５が得られた。
〔実施例２〕
実施例１で使用したと同様の装置を用い、エツチングガ
スとして Ｃ１ａ ： Ｎ＊ ＝６０： １２０ の組成を有するガスを用いた。
スとして Ｃ１ａ ： Ｎ＊ ＝６０： １２０ の組成を有するガスを用いた。
エツチング条件を、圧力４０ｍＴｏｒｒ 、 ＤＣバイ
アス１８０Ｖ、高周波電力１０００ Ｗとしてアルミニ
ウムーシリコン合金膜をエツチングした。
アス１８０Ｖ、高周波電力１０００ Ｗとしてアルミニ
ウムーシリコン合金膜をエツチングした。
この結果、レジストに対する選択比４．５〜５．０、下
地酸化膜に対する選択比１２〜１５が得られた。
地酸化膜に対する選択比１２〜１５が得られた。
【実施例３〕
第１図はエツチングガスとして５ｉＣ１ａとＮ２の混合
ガスを用いた場合の、５ｉＣ１４／Ｎｚの混合ガスの比
とレジストに対する選択比の関係を示すグラフである。
ガスを用いた場合の、５ｉＣ１４／Ｎｚの混合ガスの比
とレジストに対する選択比の関係を示すグラフである。
レジストの下地はアルミニウムーシリコン合金膜である
。グラフからレジストに対する選択比が４．０〜５．５
程度の範囲にあることがわかる。
。グラフからレジストに対する選択比が４．０〜５．５
程度の範囲にあることがわかる。
なお、上記実施例１〜３のいずれの場合も、エツチング
によって良好な異方性形状が得られる。
によって良好な異方性形状が得られる。
エツチングガスとして
ＢＣｌ３ ： Ｃ１ｔ ： ＣＩＩＦコ ＝１５０
： ６０： ２０の組成を有するガスを用い、上述
したと同様のドライエツチング装置によりアルミニウム
ーシリコン合金膜をエツチングした。
： ６０： ２０の組成を有するガスを用い、上述
したと同様のドライエツチング装置によりアルミニウム
ーシリコン合金膜をエツチングした。
エツチング条件は、圧力４０ｍＴｏｒｒ 、 ＤＣバイ
アス１８０Ｖ、高周波型カフ５０Ｗテある。
アス１８０Ｖ、高周波型カフ５０Ｗテある。
この場合のレジストに対する選択比は、２．５〜３．０
、下地酸化膜に対する選択比は８〜ｌＯであった。
、下地酸化膜に対する選択比は８〜ｌＯであった。
上述した実施例および比較例の結果から明らかなように
、本実施例のドライエツチング方法によれば、従来のエ
ツチング方法に比較してレジストおよび下地酸化膜にた
いする選択比を大幅に向上させることができる。
、本実施例のドライエツチング方法によれば、従来のエ
ツチング方法に比較してレジストおよび下地酸化膜にた
いする選択比を大幅に向上させることができる。
またこの他、本実施例のエツチング方法によればＡｌｙ
Ｎ、 、Ｓｉ＋ｎ Ｎ、等の反応生成物が側壁を保護
するように作用するので、側壁のエツチングが防止でき
て良好な形状に加工することができる。
Ｎ、 、Ｓｉ＋ｎ Ｎ、等の反応生成物が側壁を保護
するように作用するので、側壁のエツチングが防止でき
て良好な形状に加工することができる。
また、消費される高周波電力を低減させて効果的にエツ
チングでき、従来、大きな高周波電力を印加した際に発
生していたレジスト焼けの問題を回避することができる
。
チングでき、従来、大きな高周波電力を印加した際に発
生していたレジスト焼けの問題を回避することができる
。
さらに、窒素ガスはキャリーガスとしても作用するので
、従来に比べてエツチングガスの分布が均一となり、よ
り均一なエツチングが可能となるとともにエツチングレ
ートを向上することができる。
、従来に比べてエツチングガスの分布が均一となり、よ
り均一なエツチングが可能となるとともにエツチングレ
ートを向上することができる。
（発明の効果）
本発明のドライエツチング方法によれば、上述したよう
に、従来のドライエツチング方法と比較してレジストお
よび下地酸化膜に対する選択比を大幅に向上させること
ができる。これによって、より微細なドライエツチング
が可能となり、良好な形状にエツチング加工できる等の
著効を奏する。
に、従来のドライエツチング方法と比較してレジストお
よび下地酸化膜に対する選択比を大幅に向上させること
ができる。これによって、より微細なドライエツチング
が可能となり、良好な形状にエツチング加工できる等の
著効を奏する。
以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明し
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。
第１図はエツチングガスとして５ｉＣ１，とＮ、の混合
ガスを用いた場合の、５ｉＣ１＊ ／ Ｎ ２の混合ガ
スの比とレジストに対する選択比の関係を示すグラフで
ある。
ガスを用いた場合の、５ｉＣ１＊ ／ Ｎ ２の混合ガ
スの比とレジストに対する選択比の関係を示すグラフで
ある。
Claims (1)
- １、アルミニウムまたはアルミニウム合金膜のドライエ
ッチング方法において、塩素系のガスに窒素を添加した
エッチングガスを用いることを特徴とするドライエッチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035980A JPH01209725A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035980A JPH01209725A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01209725A true JPH01209725A (ja) | 1989-08-23 |
Family
ID=12457035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63035980A Pending JPH01209725A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01209725A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6184835A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミニウムおよびアルミニウム―シリコン合金の反応性イオンエッチング方法 |
| JPS61144026A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-01 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP63035980A patent/JPH01209725A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6184835A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミニウムおよびアルミニウム―シリコン合金の反応性イオンエッチング方法 |
| JPS61144026A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-01 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
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