JPH01208884A - 波長可変単一軸モードレーザダイオード - Google Patents

波長可変単一軸モードレーザダイオード

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JPH01208884A
JPH01208884A JP3277488A JP3277488A JPH01208884A JP H01208884 A JPH01208884 A JP H01208884A JP 3277488 A JP3277488 A JP 3277488A JP 3277488 A JP3277488 A JP 3277488A JP H01208884 A JPH01208884 A JP H01208884A
Authority
JP
Japan
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crystal
laser diode
wavelength
diode
mode
Prior art date
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Pending
Application number
JP3277488A
Other languages
English (en)
Inventor
Narihiko Fujimori
藤森　也浜晃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH01208884A publication Critical patent/JPH01208884A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
    • H01S5/0651—Mode control
    • H01S5/0653—Mode suppression, e.g. specific multimode
    • H01S5/0654—Single longitudinal mode emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、単一軸モードレーザダイオードに関し、特に
光波長可変の単一軸モードレーザダイオードに関する。
〔従来の技術〕
従来、単一軸モードレーザダイオードとして。
分布帰還型（ＤＦＢ　）レーザダイオード、分布反射ｆ
ｉ　（ＤＢＲ）レーザダイオード及び複合共振器型レー
ザダイオード等が知られている。ＤＦＢレーザダイオー
ドは、導波路の上部あるいは下部に回折格子を設け、こ
れによって光波を帰還することによたは片側に設けて、
波長選択性をもたせ、単一波長の発振を得ている。この
２種の単一軸モードレーザダイオードの発振波長は双方
とも半導体内に設けられた回折格子の周期によって決ま
る様になっている。
複合共振器型レーザダイオードは、一部を共有する複数
の共振器の共振モードの重なシにより単一波長の発振を
得るもので２発振する波長は、共振器の組合せによって
決まる様になっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、上述した従来の単一軸モードレーザダイオー
ドは構造上発振波長を決定する因子が固定されているた
め、外部から発振波長を変化させられないという問題が
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の光波長可変単一軸モードレーザダイオードは、
レーザダイオードと、このレーザダイオードの一端に係
合された反射鏡と、レーザダイオードの他端に接合され
た電気光学結晶と、この電気工学結晶の屈折率を制御す
るだめの制御回路を有することを特徴としている。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図を参照して１本発明による波長可変単一軸モード
レーザダイオードでは、レーザダイオード１の両端それ
ぞれ反射鏡２及び電気光学結晶３が取り付けられておシ
、制御回路４によって電気光学結晶３の屈折率が変化す
るようになっている。
このレーザダイオード１の発振モードは２反射鏡２と電
気光学結晶３との接合面の光学的距離によって定まり、
波長と強度との関係は第２図Ｇ）で示される。一方、電
気光学績°晶３内部の発振モードは第２図（ｂ）に示さ
れる。この時導波路５内では。
レーザダイオード１の発振モードと電気光学結晶３の発
振モーＰが一致する様なモードＡが発振し；この結果、
レーザダイオード１から第２図（ｃ）に示す単一な波長
のレーデ光を取り出すことができる。
一方、第２図（、）に示す単一波長のレーザ光を取り出
すためには、制御回路４からの制御電圧を変えることに
より、電気光学結晶３の屈折率を変えて、電気光学結晶
３内部の発振モードを例えば第２図（ｄ）に示すように
変化させれば良い。
このように外部の制御回路４からの制御に依り。
種々の単一軸モードレーデ光を得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明では、電気光学結晶を用いて
この電気光学結晶の屈折率を外部から制御することによ
り、レーザの発振波長を変えられるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図（、
）〜（、）はレーザダイオード、電気光学結晶内の発振
モード、及びレーザの発振モードを説明するだめの図で
ある。 １・・・レーザダイオード、２−・・反射鏡、３・・・
電気光学結晶、４・・・制御回路、５・・・導波路。 ４・ｇ−８ 第１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、レーザダイオードと、該レーザダイオードの一端に
    接合された反射鏡と、前記レーザダイオードの他端に接
    合された電気光学結晶と、該電気光学結晶の屈折率を変
    化させるための制御回路とを有することを特徴とする波
    長可変単一軸モードレーザダイオード。
JP3277488A 1988-02-17 1988-02-17 波長可変単一軸モードレーザダイオード Pending JPH01208884A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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