JPH01206714A

JPH01206714A - 弾性表面波用ウエハ

Info

Publication number: JPH01206714A
Application number: JP3078488A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Yamada; 一博山田; Katsuji Kawaguchi; 川口　勝司
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1988-02-15
Filing date: 1988-02-15
Publication date: 1989-08-18
Anticipated expiration: 2013-08-27
Also published as: JP2790281B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は弾性表面波用ウェハに関する。

（従来の技術）今日、弾性表面波フィルタや弾性表面波共振子等の弾性
表面波デバイスは、一般にＴＶ、　ＶＴＲ，ポケッ１へ
ベル等に用いられ、その需要は年々増大傾向にある。

弾性表面波フィルタの基本構成は、例えば材質がＬｊＴ
ａＯ，、１ｊＮｂ０３．　Ｌｉ２Ｂ４０１．水晶等から
なる圧電基板と、この圧電基板主面」−に形成された弾
性表面波を励振する励振電極と、この励振された弾性表
面波を受信する受信電極とからなる。

ところで、この励振電極から励振された波は、主に圧電
基板主面を伝搬する弾性表面波となるが、その他に圧電
基板内部を伝搬し、基板裏面で反射する、いわゆるバル
ク波を生じることがあり、このバルク波が受信電極で受
信されると、不要信号の原因となる。

このため、圧電基板主面は鏡面であるが、裏面はバルク
波を防止するために、砥粒で粗したラップ面、または溝
、穴等を形成した粗面とすることが多い。特に関連した
技術として、実公昭５７−３３６７５号公報に記載され
ている。　この公報に記載された技術は、ウェハを切断
して得られたチップの裏面にくぼみが形成されているこ
とを特徴とする技術である。

また、弾性表面波フィルタは、年々小型化の傾向にあり
、それに伴ってチップの大きさか小さくなってきている
。

その大きさは、例えば′ａ３−４　ｎｏ　、横１−２　
ｎ＋ｎ＋　。

厚さ０．２〜０　、５　＋ｎｍ程度である。このように
、ウェハの厚さも薄く、かつウェハの大型化となってお
り、１枚のウェハから得られるチップの数も多くなって
きている。

従来のウェハは、第５図に示すように、弾性表面波ウェ
ハ（ハ）の裏面を全部Ａ′１１らして、粗面Ｇ）を形成
していた。

（発明か解決しようとする課題）上述の技術動向にある分目てば、ウェハの厚さば、その
ウェハから切断して得られるチップの厚さとほぼ同じと
なる。

従って、厚さの薄いウェハの裏面にくぼみ等を形成し、
チップを切断する際には、熱的２機械的なショックを受
け、かけ、υ・び９割れ等か発生し、チップの収率低下
のみな１らす、工程間の汚染、工作装置の一時停止、再
調゛啓に手間とり、特に量産ゴー程において、非常に好
ましくない１、また、ウェハの運搬時に割れてしまう可
能性が太きい。

本発明は、チップ作成！１；’ｌ’の熱的２機械的ショ
ックによるウェハのタラツク発生を少なくすることか可
能な弾性表面波用ウェハを提供することを目的とする、
。

〔発明の構成〕

（課題に侮−決するための手段）上記目的を達成するために、本発明の弾性表面波用ウェ
ハは、圧電性酸化物！ｉｉ結晶基板と、この基板上に形
成され弾性表面波を伝播させる主面と、前記」、シ板」
−でかつ前記主面に対向する裏面にくぼみが形成された
粗面とを少なくとも備え、前記裏面の周囲端部から前記
基板の厚さの２倍以上の距駈には、粗面か形成されてい
ないことを特徴とするものである。

（作　用）従来の１．！Ｉｊ性表［ｎ１波用ウエハのチップ作成工
程におけるかけ、ひび２割れ等の発生原因を鋭意検討し
たところ、ウェハの板厚と密接に関係している点に着眼
した３゜以下その理由について述へると従来のウェハは第５図に
示すように、裏面にくぼみを形成する際に、マイクロク
ランクが発生しており、チップ作成工程において、熱的
２機械的ショックがウェハにかかるとかけてしまい、ひ
び２割れ等の原因となる。また、ウェハ裏面のくぼめ作
成時にかけを生じると、チップ作成工程で同様にひび２
割れ等が起こるものと考えられる。また、他の形状、例
えは溝、砥粗で粗したラップ面においても同様にひび２
割れ等を生じる。

従って、ウェハの裏面にくぼみを形成する際に発生する
マイクロクラックは、防止困難であるため、従来のよう
にウェハの裏面全域を粗さずに、周辺部を基板の厚さの
２倍以上の範囲をもって周辺部以外を粗し、周辺部にお
いては、タラツク等の発生が起こりにくい状態にある。

（実施例）以下、１ｉＵａＯ，、とＬｉＮ１）０．、のウェハを用
いて、ひび９割れの発生率を調べてみた。ウェハは、第
１し１乃至第３図に示すように、弾性表面汲出ウェハ（
１）の周辺部（２１を残してイ１１らし、粗面（５）を
形成する。

実施例−１ＬｉＴａＯ，、、Ｘ　−ｃｕｔ　、直径３″、厚さ０　
、３７　ｍｍの弾性表面波ウェハにおいて、裏面周辺部
の幅０．８ｍｍを除き、全面に表面組さＲａ　２．０μ
ｎ１以上のランプ面に形１＆した。従来のウェハとして
、同一のウェハを用い、裏面全面を表面組さＲａ２．Ｏ
μｍ以」−のラップ面を形成した。本発明のウェハと、
従来のウェハを同一のチップ作成工程に流し、特に、ひ
び５割れ宿の発生、Ｉｉを比較した。その結果、従来の
ウェハのひび２割れ等の発生率か３％であったのに対し
、本発明のウェハば０％となった。

実施例−２Ｉ、ｊ、１’ａｏ３．　Ｘ−ｃｕｔ　、直径３″、厚さ
０．２８ｎｉｎの弾性表面波ウェハにおいて、裏面周辺
部の幅１ｍｍを除き、全面に表面組さＲａ　２　、０７
１ｍ以」二のラップ面を形成した。そして、本発明によ
るウェハと、裏面全面にくぼみを形成させた従来ウェハ
を実施例１と同様のチップ作成工程に流したところ、従
来ウェハのひび２割れ発生率が６％であったのに対し、
本発明のウェハは１％と少なくなった。

実施例−３Ｌｊ　ＮｂＯ３，１２８°’ｌ’　−ｃｕｔ　、直径３
“、厚さ０．５ｍｍのウェハを裏面周辺部の幅］、　、
　Ｏｎｍを除き、直径約０．５ｍｎ＋、　　深さ約０．
１０皿の一定の深さを有するくぼみを周期］、　、　５
　ｎｙ＋＋て形成した従来のウェハは、裏面全面に同様
のくぼみを形成した。そこで本発明のウェハと従来のウ
ェハとを同一のチップ作成工程でのひび２割れ等の発生
べくを比較したところ、従来のウェハが５％の発生率で
あったのに対し、本発明のウェハは１％であった。

また、周辺部の有効的な幅を決めるため、数点の幅の異
なるサンプルを作成し、チップ作成工程でのひび９割れ
等の発生状況を観察した結果を第４図に示した。この図
かられかるように、基板の厚さの２倍程度からひび２割
れ等の発生率が大幅に低くなっていることがわかる。

このように、ウェハの周辺を残してくぼみまたは溝との
少なくとも一方を形成し、チップ作成工程で受けるひび
２割れ等を大幅に改善することができる。

なお、本実施例では、ラップ面またはくぼみを個々に形
成したウェハを用いたが、一定の長さを有する連続した
くぼめまたは溝を形成したウェハてあってもよい。即ち
、第２図に示すように、複数の直線状の溝（６）が形成
されており、この溝のすべてが連続している如きウェハ
であっても良い。

さらに、ウェハの材質として、Ｌ　ｊ、Ｔ　ａ　Ｏ３お
よびＬ　ｉ　Ｎ　ｂ　Ｏ３をあげたが、その他Ｌ１２Ｂ
４Ｏ７や水晶等のウェハを用いても同様の効果が得られ
る。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の弾性表面波用ウェハによ
れば、チップ作成工程における熱的９機械的ショックに
耐え、クランク等の発生を少なくすることができ、チッ
プ作成の収率低下を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の弾性表面波用ウェハの一実施例を示す
概略図、第２図は本発明の他の実施例を示す概略図、第
３図（ａ）（ｂ）は本発明の実施例を示す要部拡大断面
図、第４図はひび９割れ発生ヰ（％）とウェハ周辺部の
幅との関係をグラフで示す図、第５図（ａ）（ｂ）は従
来の弾性表面波用ウェハを示す要部縦断面図である。 ■、■・・弾性表面波用ウェハ ■・・周辺部（３）、（イ）・・粗、而（６）・・溝代理人　弁理士　　則　近　憲　佑同　　　　　竹　花　喜久男第１図第２図

Claims

【特許請求の範囲】

圧電性酸化物単結晶基板と、この基板上に形成され弾性
表面波を伝播させる主面と、前記基板上でかつ前記主面
に対向する裏面にくぼみが形成された粗面とを少なくと
も備え、前記裏面の周囲端部から前記基板の厚さの２倍
以上の距離には、前記粗面が形成されていないことを特
徴とする弾性表面波用ウェハ。