JPH01206321A - エレクトロクロミック表示素子 - Google Patents
エレクトロクロミック表示素子Info
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- JPH01206321A JPH01206321A JP63031413A JP3141388A JPH01206321A JP H01206321 A JPH01206321 A JP H01206321A JP 63031413 A JP63031413 A JP 63031413A JP 3141388 A JP3141388 A JP 3141388A JP H01206321 A JPH01206321 A JP H01206321A
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Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
九匪立玖丘Mヱ
本発明は新規なエレクトロクロミック素子に関し、更に
詳しくは、多色表示の可能な耐久性に優れたエレクトロ
クロミック表示素子に関する。
詳しくは、多色表示の可能な耐久性に優れたエレクトロ
クロミック表示素子に関する。
口の ′自1貴tらびに の目粗−
エレクトロクロミック表示セルは、エレクトロクロミッ
ク物質が電極反応により可逆的に色の変化を起こす現象
を表示装置に応用して表示を行なっており、その表示の
鮮明性、低電圧駆動性、メモリー性等の特性が注目され
実用化が試みられている。特に既に広く汎用されている
液晶表示方式は視野角度の依存性が大きいために、屋外
表示用途に使用しにくい欠点を有するため、角度依存性
のないエレクトロクロミック表示方式への期待は非常に
大きい。
ク物質が電極反応により可逆的に色の変化を起こす現象
を表示装置に応用して表示を行なっており、その表示の
鮮明性、低電圧駆動性、メモリー性等の特性が注目され
実用化が試みられている。特に既に広く汎用されている
液晶表示方式は視野角度の依存性が大きいために、屋外
表示用途に使用しにくい欠点を有するため、角度依存性
のないエレクトロクロミック表示方式への期待は非常に
大きい。
このようなエレクトロクロミック材料層とじては、無機
物から有機物まで数多くの例が知られているが、表示色
の多様性から有機物のビオロゲン化合物、アントラキノ
ン化合物、フタロシアニン化合物などが有望である。そ
のうらフタロシアニン類は、電気化学的な酸化・還元反
応によって多色の表示が可能な材料として素子化の検討
が進められている。たとえば米国特許第4,184,7
51号明細書、または特開昭58−57,113号公報
等に記載されているように、希土類金属シフタロジアニ
ンが表示層として提案されている。
物から有機物まで数多くの例が知られているが、表示色
の多様性から有機物のビオロゲン化合物、アントラキノ
ン化合物、フタロシアニン化合物などが有望である。そ
のうらフタロシアニン類は、電気化学的な酸化・還元反
応によって多色の表示が可能な材料として素子化の検討
が進められている。たとえば米国特許第4,184,7
51号明細書、または特開昭58−57,113号公報
等に記載されているように、希土類金属シフタロジアニ
ンが表示層として提案されている。
さらには特開昭62−124,534号公報などにはラ
ングミュアブロジェット法で形成された無金属モノフタ
ロシアニンの表示素子として応用が試みられている。し
かし繰り返し耐久性の不足や膜形成プロセスの圃難さな
どからまだ実用化には至っていない。
ングミュアブロジェット法で形成された無金属モノフタ
ロシアニンの表示素子として応用が試みられている。し
かし繰り返し耐久性の不足や膜形成プロセスの圃難さな
どからまだ実用化には至っていない。
九匪血旦光
本発明者は、上記のような従来技術に伴うさまざまの問
題点を改良するために鋭意検討した結果本発明に達した
ものである。すなわち溶解性に泄れるため精製が容易で
あり、スピンコート法、蒸着法またはラングミュアブロ
ジェット法などさまざまの膜形成方法を採用することが
可能で、得られるエレクトロクロミック膜は非晶質な性
質を有するため、繰り返し駆動してもその表示特性か低
下しないような、希土類金属トリフタロシアニン表示素
子を提供することを目的としている。
題点を改良するために鋭意検討した結果本発明に達した
ものである。すなわち溶解性に泄れるため精製が容易で
あり、スピンコート法、蒸着法またはラングミュアブロ
ジェット法などさまざまの膜形成方法を採用することが
可能で、得られるエレクトロクロミック膜は非晶質な性
質を有するため、繰り返し駆動してもその表示特性か低
下しないような、希土類金属トリフタロシアニン表示素
子を提供することを目的としている。
九匪左且ヌ
本発明に係るエレン1〜ロクロミフ2表示素子は、希土
類金属トリフタロシアニン膜を表示層として有すること
を特徴とする。
類金属トリフタロシアニン膜を表示層として有すること
を特徴とする。
本発明に係るエレクトロクロミック表示素子は希土類金
属トリフタロシアニンを表示層としているため、先に引
用したフタロシアニン類もしくはシフタロジアニン類を
使用する従来のエレクトロクロミンク材料よりもさらに
高分子量であり、凝集・結晶化などの経時的な膜W4造
の変化か少なく、安定した素子を構成することができる
。さらに炭素数4以上の置換基を有する希土類金属I・
リフタロジアニン膜の場合は、実質的に非晶質の表示r
(iを形成できるため繰り返し便用してもエレクトロク
ロミック特性が低下せず、しかもスピンコート以外に真
空蒸着法によっても膜の形成が可能という代れた特性を
有している。
属トリフタロシアニンを表示層としているため、先に引
用したフタロシアニン類もしくはシフタロジアニン類を
使用する従来のエレクトロクロミンク材料よりもさらに
高分子量であり、凝集・結晶化などの経時的な膜W4造
の変化か少なく、安定した素子を構成することができる
。さらに炭素数4以上の置換基を有する希土類金属I・
リフタロジアニン膜の場合は、実質的に非晶質の表示r
(iを形成できるため繰り返し便用してもエレクトロク
ロミック特性が低下せず、しかもスピンコート以外に真
空蒸着法によっても膜の形成が可能という代れた特性を
有している。
日の旦 自<f=口
以下本発明に係るエレクトロクロミック表示素子につい
て具体的に説明する。
て具体的に説明する。
本発明に係るエレクトロクロミック表示素子は表示層と
して、希土類金属トリフタロシアニン膜を用いている。
して、希土類金属トリフタロシアニン膜を用いている。
このような希土類金属トリフタロシアニン膜は、式中、
Rは氷水または炭素数1以上の置換基であって、置換基
としては、具体的には、炭素:t1以上のアルキル基、
アルキルオキシ基またはアルキルオキシカルボニル基で
あり、Mは希土類金1属原子である。このうちRは、炭
素数4〜10のアルキル基、アルキルオキシ基またはア
ルキルオキシカルボニル基であることが好ましく、炭素
数71〜10の直鎖状または分岐状のアルキル基が好ま
しく、そのなかでらt−ブチル基が特に好ましい。
Rは氷水または炭素数1以上の置換基であって、置換基
としては、具体的には、炭素:t1以上のアルキル基、
アルキルオキシ基またはアルキルオキシカルボニル基で
あり、Mは希土類金1属原子である。このうちRは、炭
素数4〜10のアルキル基、アルキルオキシ基またはア
ルキルオキシカルボニル基であることが好ましく、炭素
数71〜10の直鎖状または分岐状のアルキル基が好ま
しく、そのなかでらt−ブチル基が特に好ましい。
Mは、上記のように希土類金属原子であり、具体的には
、Lu 、Er 、Pr 、Nd 、Sl′I、Eu、
Gd 、Tb 、DY 、Ce 、Ybなとのランタン
系希土類金属あるいはY、Scなどのトリフタロシアニ
ン構造でエレクトロクロミックを示す金属を挙げること
ができる。このうちLu 、sn 、Er、Ndなどが
好ましい。
、Lu 、Er 、Pr 、Nd 、Sl′I、Eu、
Gd 、Tb 、DY 、Ce 、Ybなとのランタン
系希土類金属あるいはY、Scなどのトリフタロシアニ
ン構造でエレクトロクロミックを示す金属を挙げること
ができる。このうちLu 、sn 、Er、Ndなどが
好ましい。
このような希土類金属トリフタロシアニン類は、溶液状
態もしくは薄膜状態では鮮明な青色ないし青緑色を呈し
ているが、電気化学的な酸化をおこなわしめることによ
って、赤色ないし赤紫色へ変化する性質を有することを
、本発明者らは見出して本発明に至った。なお、すでに
、フタロシアニンの有機骨格と金属とから構成される錯
体は数多くのものが知られており、春日らによって紹介
(Cordination CheIlistry R
eviews、 32 、 p。
態もしくは薄膜状態では鮮明な青色ないし青緑色を呈し
ているが、電気化学的な酸化をおこなわしめることによ
って、赤色ないし赤紫色へ変化する性質を有することを
、本発明者らは見出して本発明に至った。なお、すでに
、フタロシアニンの有機骨格と金属とから構成される錯
体は数多くのものが知られており、春日らによって紹介
(Cordination CheIlistry R
eviews、 32 、 p。
67−95.1980)されている、しかしそれらは、
一つの分子が1個のフタロシアニン環からなるモノフタ
ロシアニン類、2個のフタロシアニン環からなるシフタ
ロジアニン類がほとんどであり、3個のフタロシアニン
環からなるトリフタロドアニン類についてはまだ詳細な
知見は得られていなかった。しかるに最近、春日(Ch
enistryLatters D、 1095−10
98 、 1986 )らがトリフタロシアニンの合成
と構造の同定を発表しているが、このようなトリフタロ
シアニンがエレクトロクロミック表示素子として用いら
れるとの報告は全くなされていない。
一つの分子が1個のフタロシアニン環からなるモノフタ
ロシアニン類、2個のフタロシアニン環からなるシフタ
ロジアニン類がほとんどであり、3個のフタロシアニン
環からなるトリフタロドアニン類についてはまだ詳細な
知見は得られていなかった。しかるに最近、春日(Ch
enistryLatters D、 1095−10
98 、 1986 )らがトリフタロシアニンの合成
と構造の同定を発表しているが、このようなトリフタロ
シアニンがエレクトロクロミック表示素子として用いら
れるとの報告は全くなされていない。
上記のような希土類金属トリフタロシアニン類は、たと
えば上記の文献(Chenistry Let↑erS
D。
えば上記の文献(Chenistry Let↑erS
D。
1095−1098.1886)に記載されているよう
な方法にしたがって、置換基を有していてもよいオルト
フタロニトリルなどを原料として合成することができる
。特に炭素数4以上の置換基を有するオルトフタロニト
リルから得られる炭素数4以上の置換基を有する希土類
金属トリフタロシアニンは、クロロポルム、ジクロロメ
タン、テトラヒドロフラン、アセトニトリルをはじめと
する汎用の溶媒に溶解することができるため、精製が非
常に容易であり、素子の性能に影響を与える不純物の影
響を最大限に排除することができるため好適である。
な方法にしたがって、置換基を有していてもよいオルト
フタロニトリルなどを原料として合成することができる
。特に炭素数4以上の置換基を有するオルトフタロニト
リルから得られる炭素数4以上の置換基を有する希土類
金属トリフタロシアニンは、クロロポルム、ジクロロメ
タン、テトラヒドロフラン、アセトニトリルをはじめと
する汎用の溶媒に溶解することができるため、精製が非
常に容易であり、素子の性能に影響を与える不純物の影
響を最大限に排除することができるため好適である。
希土類金属トリフタロシアニンの製造法の1例を示すと
、置換基を有していてもよいオルトフタロニトリルと希
土類金属塙、好ましくはその塙化物ないしは酢酸塩を混
合して、融解しながら200°〜300°Cまで徐々に
加熱しながら反応させる方法を採用できる。反応当初は
ジフタロシ化は、薄相クロマトグラフィ等の方法により
容易に追跡することが可能である。
、置換基を有していてもよいオルトフタロニトリルと希
土類金属塙、好ましくはその塙化物ないしは酢酸塩を混
合して、融解しながら200°〜300°Cまで徐々に
加熱しながら反応させる方法を採用できる。反応当初は
ジフタロシ化は、薄相クロマトグラフィ等の方法により
容易に追跡することが可能である。
また炭素数4以上の置換基を有する希土類金属トリフタ
ロシアニンは、上記のように溶媒に可溶であるため、ス
ピンコート法、ディッピング法、ラングミュアブロジェ
ット法などの方法によって成膜する際に非常に有利であ
る。たとえはスピンコート法で希土類金属トリフタロシ
アニン膜を形成するには、置換基を有する希土類金属ト
リフタロシアニンを前述の有機溶媒に溶解させ、この溶
解液を電極上にスピンコートし、次いで得られた膜を減
圧下に乾燥するか、あるいは不活性ガス雰囲気下で加熱
するなどして乾燥すればよい。
ロシアニンは、上記のように溶媒に可溶であるため、ス
ピンコート法、ディッピング法、ラングミュアブロジェ
ット法などの方法によって成膜する際に非常に有利であ
る。たとえはスピンコート法で希土類金属トリフタロシ
アニン膜を形成するには、置換基を有する希土類金属ト
リフタロシアニンを前述の有機溶媒に溶解させ、この溶
解液を電極上にスピンコートし、次いで得られた膜を減
圧下に乾燥するか、あるいは不活性ガス雰囲気下で加熱
するなどして乾燥すればよい。
特に、置換基を有する希土類金属トリフタロシアニンは
、真空蒸着法により膜形成をおこなうことも可能であり
、これは無置換のトリフタロシアニン(弐工において、
Rがずべて1−Eである化合物)の真空蒸着が困難であ
るのに比べ大きな相違点でる。たとえばドデカt−ブチ
ル希土類金属トリフタロシアニンは、その無置換タイプ
にくらべ分子鼠が600以上も増加し2500程度と非
常に太きくなるにもかかわらず、400−470℃程度
の加熱温度で真空蒸着がTir能であり、プロセス時間
の短縮および劣化防止を図れて有利である。このような
加熱温度の違いは、崇高い置換基の導入によって、トリ
フタロシアニン分子同士の凝集力か低下したことが原因
であると考えられる。
、真空蒸着法により膜形成をおこなうことも可能であり
、これは無置換のトリフタロシアニン(弐工において、
Rがずべて1−Eである化合物)の真空蒸着が困難であ
るのに比べ大きな相違点でる。たとえばドデカt−ブチ
ル希土類金属トリフタロシアニンは、その無置換タイプ
にくらべ分子鼠が600以上も増加し2500程度と非
常に太きくなるにもかかわらず、400−470℃程度
の加熱温度で真空蒸着がTir能であり、プロセス時間
の短縮および劣化防止を図れて有利である。このような
加熱温度の違いは、崇高い置換基の導入によって、トリ
フタロシアニン分子同士の凝集力か低下したことが原因
であると考えられる。
またこのような崇高い置換基を有する希土類金属トリフ
タロシアニンから形成されるエレクトロクロミック膜は
、実質的に非晶質のpA膜構造有するため、エレクトロ
クロミック表示素子とし適している。すなわち希土類金
属トリフタロシアニン膜をエレクトロクロミック表示層
として用いる場合には、希土類金属トリフタロシアニン
膜と電極との間での電子の移動が効率よく行なわれると
ともに、該膜と電解質との間でのイオンの移動が効率よ
く緑つ返し行なわれることが必要であるが、このような
電子の移動およびイオンの移動は、希土類金属トリフタ
ロシアニン膜が非晶質の膜構造を有するため極めて容易
である。
タロシアニンから形成されるエレクトロクロミック膜は
、実質的に非晶質のpA膜構造有するため、エレクトロ
クロミック表示素子とし適している。すなわち希土類金
属トリフタロシアニン膜をエレクトロクロミック表示層
として用いる場合には、希土類金属トリフタロシアニン
膜と電極との間での電子の移動が効率よく行なわれると
ともに、該膜と電解質との間でのイオンの移動が効率よ
く緑つ返し行なわれることが必要であるが、このような
電子の移動およびイオンの移動は、希土類金属トリフタ
ロシアニン膜が非晶質の膜構造を有するため極めて容易
である。
上記のような希土類金属トリフタロシアニン膜の膜厚は
、通常0.02〜1μm、好ましくは0 、05〜0
、7μm’Z″ある。
、通常0.02〜1μm、好ましくは0 、05〜0
、7μm’Z″ある。
さらに本発明に係る置換基を有する希土類金属トリフタ
ロシアニンは溶媒に溶解することができるため、脱型の
表示層以外に、膜型の表示層として用いることもできる
。この除用いることのできる溶媒としては、希土類金属
トリフタロシアニンを溶解して表示に必要な光学密度を
得ることができ、しかも電気化学的な安定性を有するも
のであれば、特に限定されることはないが、アセトニト
リル、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート
、ジメトキシエタンなどの群から選ばれた?′8奴を例
示することができる。
ロシアニンは溶媒に溶解することができるため、脱型の
表示層以外に、膜型の表示層として用いることもできる
。この除用いることのできる溶媒としては、希土類金属
トリフタロシアニンを溶解して表示に必要な光学密度を
得ることができ、しかも電気化学的な安定性を有するも
のであれば、特に限定されることはないが、アセトニト
リル、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート
、ジメトキシエタンなどの群から選ばれた?′8奴を例
示することができる。
本発明に云う希土類金属トリフタロシアニン表示素子は
、例えば第1図に示すような構造を有している。第1図
において、1はガラス、透明プラスチツクなどの基板、
2は酸化スズ、酸化インジウム・スズなどの透明電極、
3は希土類金属トリフタロシアニン膜、4は塩化カリウ
ムあるいは塩化ナトリウムなどの水溶液を用いる液状電
解質もくしはPbF あるいはCaC1・LiFなど
の固体電解質、5は対向電極で2と同様の透明電極また
は金、銀などの金属電極を示す。
、例えば第1図に示すような構造を有している。第1図
において、1はガラス、透明プラスチツクなどの基板、
2は酸化スズ、酸化インジウム・スズなどの透明電極、
3は希土類金属トリフタロシアニン膜、4は塩化カリウ
ムあるいは塩化ナトリウムなどの水溶液を用いる液状電
解質もくしはPbF あるいはCaC1・LiFなど
の固体電解質、5は対向電極で2と同様の透明電極また
は金、銀などの金属電極を示す。
例示した表示素子を製造するには、例えば以下のような
方法を取ることができる。
方法を取ることができる。
(イ)基板1上に設けた表示電極2の上に希土類金属ト
リフタロシアニン膜3をスピンコート法、真空蒸着法な
どにより形成する。次にこの基板(エレクトロクロミッ
ク材料層)と、対向電極5を設けた基板1とをスペーサ
を介して対向させ、その内部に液状の電解質4を封入す
る。
リフタロシアニン膜3をスピンコート法、真空蒸着法な
どにより形成する。次にこの基板(エレクトロクロミッ
ク材料層)と、対向電極5を設けた基板1とをスペーサ
を介して対向させ、その内部に液状の電解質4を封入す
る。
(ロ)基板上に設けた表示電極2の上に希土類金属トリ
フタロシアニン膜3を形成し、次に固体状の電解質およ
び対向電極を真空蒸着法などによって順次積層する。
フタロシアニン膜3を形成し、次に固体状の電解質およ
び対向電極を真空蒸着法などによって順次積層する。
以下、本発明を実施例によって詳しく説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
11■ユ
コントラクタ−(J、C,S、 1314(1949)
)らの方法に従って合成した4−1−ブチルフタロニト
リルi、3’3gと、#酸すマリウム0.40gに触媒
としてモリブデン酸アンモニウム0.01gを加えて加
熱しながら溶解し、200°Cから280°Cまで1時
間かけて昇温しな。280〜290°Cで2時間撹拌し
たのち、室温まで冷却して固化した反応物を粉砕して、
シリカゲルカラム450g上にクロロホルムとn−ヘキ
サンの混合溶媒を用いて展開し、流出成分として緑色の
オクタt−ブチルサマリウムトリフタロシアニン0.4
6gを得た。
)らの方法に従って合成した4−1−ブチルフタロニト
リルi、3’3gと、#酸すマリウム0.40gに触媒
としてモリブデン酸アンモニウム0.01gを加えて加
熱しながら溶解し、200°Cから280°Cまで1時
間かけて昇温しな。280〜290°Cで2時間撹拌し
たのち、室温まで冷却して固化した反応物を粉砕して、
シリカゲルカラム450g上にクロロホルムとn−ヘキ
サンの混合溶媒を用いて展開し、流出成分として緑色の
オクタt−ブチルサマリウムトリフタロシアニン0.4
6gを得た。
このようなして得たトリフタロシアニンは液体クロマト
グラフィによる純度が98.5%であり、またこのトリ
フタロシアニンをFD法マススペクトル(日本電子天J
M S−1−I X−110)により解析したところ
、m/e=2512 (M” )およびm/e=125
6 (M2”)のピークが観察され、構造が確認された
(第2図)、クロロボルムに溶解したときの可視吸収ス
ペクトルは、646 r+nにピークを示しな(第3図
)。
グラフィによる純度が98.5%であり、またこのトリ
フタロシアニンをFD法マススペクトル(日本電子天J
M S−1−I X−110)により解析したところ
、m/e=2512 (M” )およびm/e=125
6 (M2”)のピークが観察され、構造が確認された
(第2図)、クロロボルムに溶解したときの可視吸収ス
ペクトルは、646 r+nにピークを示しな(第3図
)。
参考例2
参考例1と同様にして4−t−ブチルフタロニトリルと
酢酸ルテチウムを用いて、精製されたドデカt−ブチル
ルテチウムトリフタロシアニンを得た。
酢酸ルテチウムを用いて、精製されたドデカt−ブチル
ルテチウムトリフタロシアニンを得た。
このトリフタロシアニンをFD法マススペクトルで解析
したところ、m/e=2561 (M” )およびm/
e = 1281 (M2”) ノピークカWA’!
4すれ、構造が確認されたく第4図)。クロロホルムに
溶解したときの可視吸収スペクトルは、723n1およ
び637n1Mに吸収ピークを有し、鮮やがな青緑色を
呈しな(第5図)。
したところ、m/e=2561 (M” )およびm/
e = 1281 (M2”) ノピークカWA’!
4すれ、構造が確認されたく第4図)。クロロホルムに
溶解したときの可視吸収スペクトルは、723n1およ
び637n1Mに吸収ピークを有し、鮮やがな青緑色を
呈しな(第5図)。
11■ユ
参考例2で得たドデカt−ブチルルテチウムトリフタロ
シアニン23■をタングステンボート上に均一にセット
して、高真空下(3X10’)に加熱して、透明ガラス
上に設けた酸化インジウム・スズ電極上に蒸着膜を形成
した。加熱温度は450°Cで10分の後に30ooo
のトリ7タ0シアニン膜が得られ、可視吸収の極大は7
21 nlにおよび635nnで鮮明な青緑色の薄膜で
あった。
シアニン23■をタングステンボート上に均一にセット
して、高真空下(3X10’)に加熱して、透明ガラス
上に設けた酸化インジウム・スズ電極上に蒸着膜を形成
した。加熱温度は450°Cで10分の後に30ooo
のトリ7タ0シアニン膜が得られ、可視吸収の極大は7
21 nlにおよび635nnで鮮明な青緑色の薄膜で
あった。
またX線回折スペクトルを測定したところ、結晶性のピ
ークは観察されず非晶質膜が形成されていた6豊2ゴ引
ユ 参考例1で得たドデカt−ブチルサマリウムトリフタロ
シアニン23■をタングステンボート上に均一にセット
して、高真空下<4X10’)に加熱して、透明ガラス
上に設けた酸化インジウム・スズ電極上に蒸着膜を形成
しな。加熱温度は450°Cで11分のf&に350C
1(7)ト!J7タ0シアニン膜が得られ、可視吸収の
極大は639nlNで鮮明な青緑色の薄膜であった。ま
たX線回折スペクトルを測定したところ結晶のピークは
観察されず非晶質膜が形成されていた。
ークは観察されず非晶質膜が形成されていた6豊2ゴ引
ユ 参考例1で得たドデカt−ブチルサマリウムトリフタロ
シアニン23■をタングステンボート上に均一にセット
して、高真空下<4X10’)に加熱して、透明ガラス
上に設けた酸化インジウム・スズ電極上に蒸着膜を形成
しな。加熱温度は450°Cで11分のf&に350C
1(7)ト!J7タ0シアニン膜が得られ、可視吸収の
極大は639nlNで鮮明な青緑色の薄膜であった。ま
たX線回折スペクトルを測定したところ結晶のピークは
観察されず非晶質膜が形成されていた。
実施例1
参考例3で透明電極上に形成したドデカt−ブチルルテ
チウムトリフタロシアニン薄膜の表示層と白金よりなる
対向電極との間にIM−KCI水溶液からなる電解質層
を設けた。このセルを、対照電極に飽和カロメル電極を
用いて、501V/SeCで0■から1.2■までサイ
クリックポルタム法で走査した。その結果、635nl
の吸収極大位置の吸光度は1.48から0.21まで変
化し青および赤紫の鮮明な2色表示ができた。また、0
■と1.5VV)間を0.2l−(zの矩形波”C−M
続駆動した場合にも同様の表示か可能であり変色に必
要な通電量は0.8mC/−と極めて効率の良いことが
証明された。
チウムトリフタロシアニン薄膜の表示層と白金よりなる
対向電極との間にIM−KCI水溶液からなる電解質層
を設けた。このセルを、対照電極に飽和カロメル電極を
用いて、501V/SeCで0■から1.2■までサイ
クリックポルタム法で走査した。その結果、635nl
の吸収極大位置の吸光度は1.48から0.21まで変
化し青および赤紫の鮮明な2色表示ができた。また、0
■と1.5VV)間を0.2l−(zの矩形波”C−M
続駆動した場合にも同様の表示か可能であり変色に必
要な通電量は0.8mC/−と極めて効率の良いことが
証明された。
X里■ユ
参考例4で透明車外上に形成したドデカ1−ブチルサマ
リウムトリフタロシアニン薄膜の表示層と白金よりなる
対向電極との間にLM−K(l水溶液からなる電解質層
を設けた。このセルを、対照電極に飽和カロメル電極を
用いて、501IIV/secでOvから1.2Vまで
サイクリックポルタム法で走査した。その結果、639
nmの吸収極大位置の吸光度は1.54から0.17
まで変化し、青緑および赤紫の鮮明な2色表示ができた
。また、OVと1.5■の間を0.2Hzの矩形波で連
続駆動した場合にも同様の表示が可能であり、変色に必
要な通電量は0.75nC/ciと極めて効率の良いこ
とが証明された。
リウムトリフタロシアニン薄膜の表示層と白金よりなる
対向電極との間にLM−K(l水溶液からなる電解質層
を設けた。このセルを、対照電極に飽和カロメル電極を
用いて、501IIV/secでOvから1.2Vまで
サイクリックポルタム法で走査した。その結果、639
nmの吸収極大位置の吸光度は1.54から0.17
まで変化し、青緑および赤紫の鮮明な2色表示ができた
。また、OVと1.5■の間を0.2Hzの矩形波で連
続駆動した場合にも同様の表示が可能であり、変色に必
要な通電量は0.75nC/ciと極めて効率の良いこ
とが証明された。
尺土旦ユ
実施例1と全く同様にして構成したドデカt−ブチルル
テチウムトリフタロシアニン薄膜からなる表示セルに1
,2Vで3秒間の酸化電位を印加して青緑から赤緑へ変
色さぜな後、回路を開き放置したところ30分後でもそ
のままの色が保持され十分なメモリー性が得られた。
テチウムトリフタロシアニン薄膜からなる表示セルに1
,2Vで3秒間の酸化電位を印加して青緑から赤緑へ変
色さぜな後、回路を開き放置したところ30分後でもそ
のままの色が保持され十分なメモリー性が得られた。
第1図は、この発明によるエレクトロクロミック表示素
子の構造の1例を示す模式的な断面図である。 第2図および第4図はそれぞれ、合成したドデカt−ブ
チルサマリウムトリフタロシアニンおよびドデカt−ブ
チルルテチウムトリフタロシアニンのFD法マススペク
トルを示す。 第3図および第5図はそれぞれ、合成したドデカt−ブ
チルサマリウムトリフタロシアニンおよびドデカt−ブ
チルルテチウムトリフタロシアニンのクロロホルム溶液
中で測定した可視吸収スペクトルを示す。 1・・・基板 2・・・透明電極 3・・・希土類金属I−リフタロジアニン膜4・・・液
状電解質もしくは固体電解質5・・・金属電極 代理人 弁理士 銘木 俊一部
子の構造の1例を示す模式的な断面図である。 第2図および第4図はそれぞれ、合成したドデカt−ブ
チルサマリウムトリフタロシアニンおよびドデカt−ブ
チルルテチウムトリフタロシアニンのFD法マススペク
トルを示す。 第3図および第5図はそれぞれ、合成したドデカt−ブ
チルサマリウムトリフタロシアニンおよびドデカt−ブ
チルルテチウムトリフタロシアニンのクロロホルム溶液
中で測定した可視吸収スペクトルを示す。 1・・・基板 2・・・透明電極 3・・・希土類金属I−リフタロジアニン膜4・・・液
状電解質もしくは固体電解質5・・・金属電極 代理人 弁理士 銘木 俊一部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)希土類金属トリフタロシアニン類を表示層として有
することを特徴とするエレクトロクロミック表示素子。 2)炭素数4以上の置換基を有する実質的に非晶質な希
土類金属トリフタロシアニン膜を表示層とて有すること
を特徴とする請求項第1項に記載の表示素子。 3)炭素数4以上の置換基を有する希土類金属トリフタ
ロシアニン膜が蒸着法、スピンコート法またはラングミ
ュアブロジェット法により得られるものである請求項第
1項または第2項記載の表示素子。 4)希土類金属トリフタロシアニンの希土類金属が、ル
テチウム、エルビウム、プラセオジウム、ネオジウム、
サマリウム、ユウロピウム、ガドリウム、テルビウム、
ジスプロジウム、セリウム、イッテリビウムからなる群
より選ばれる請求項第1項〜第3項記載の素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63031413A JPH01206321A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | エレクトロクロミック表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63031413A JPH01206321A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | エレクトロクロミック表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01206321A true JPH01206321A (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=12330571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63031413A Pending JPH01206321A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | エレクトロクロミック表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01206321A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110333644A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-10-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩色光刻胶组合物 |
CN111045293A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-04-21 | Tcl华星光电技术有限公司 | 彩色光刻胶组合物及液晶显示面板 |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP63031413A patent/JPH01206321A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110333644A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-10-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩色光刻胶组合物 |
CN111045293A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-04-21 | Tcl华星光电技术有限公司 | 彩色光刻胶组合物及液晶显示面板 |
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