JPH01205106A - グレーティングレンズ - Google Patents
グレーティングレンズInfo
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- JPH01205106A JPH01205106A JP2958788A JP2958788A JPH01205106A JP H01205106 A JPH01205106 A JP H01205106A JP 2958788 A JP2958788 A JP 2958788A JP 2958788 A JP2958788 A JP 2958788A JP H01205106 A JPH01205106 A JP H01205106A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- NHWNVPNZGGXQQV-UHFFFAOYSA-J [Si+4].[O-]N=O.[O-]N=O.[O-]N=O.[O-]N=O Chemical compound [Si+4].[O-]N=O.[O-]N=O.[O-]N=O.[O-]N=O NHWNVPNZGGXQQV-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101150110330 CRAT gene Proteins 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- HPGPEWYJWRWDTP-UHFFFAOYSA-N lithium peroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][O-] HPGPEWYJWRWDTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
- G02B6/1245—Geodesic lenses
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ブレーナ型光導波路中を伝搬する光を前記導
波路内の一点に集光させるグレーティングレンズに関す
る。
波路内の一点に集光させるグレーティングレンズに関す
る。
[従来の技術]
不等間隔回折格子を利用してプレーナ型光導波路内を伝
搬する光を、導波路内の一点に集光させる従来のグレー
ティングレンズに関しては、例えば、アイ・イー・イー
・イー、ジャーナル・オブ・ライトウェーブテクノロジ
ーのVol、LT−2、No、4(1984)の第50
3頁から第511頁(IEEE、Journal of
l、ightwave Technology、Vol
、LT−2、No、4 (1984)PP503−51
1)において論じられており、それは、第3図のような
構成となっている。すなわち、第3図に示すグレーティ
ングレンズは、基板31上の導波路32上に形成された
不等間隔回折格子33を用い、導波光34を焦点35に
集光するものである。ただしレンズ上部は何も覆われて
おらず、クラッド層として空気(屈折率nc= 1.0
0)を用いていた。
搬する光を、導波路内の一点に集光させる従来のグレー
ティングレンズに関しては、例えば、アイ・イー・イー
・イー、ジャーナル・オブ・ライトウェーブテクノロジ
ーのVol、LT−2、No、4(1984)の第50
3頁から第511頁(IEEE、Journal of
l、ightwave Technology、Vol
、LT−2、No、4 (1984)PP503−51
1)において論じられており、それは、第3図のような
構成となっている。すなわち、第3図に示すグレーティ
ングレンズは、基板31上の導波路32上に形成された
不等間隔回折格子33を用い、導波光34を焦点35に
集光するものである。ただしレンズ上部は何も覆われて
おらず、クラッド層として空気(屈折率nc= 1.0
0)を用いていた。
[発明が解決しようとする課題]
上記したように上部クラッド層を屈折率が小さい空気と
すると、たとえばLiNb0.のような屈折率の高い導
波路材料を用いた場合、導波路を伝搬する光の電場の回
折格子部へのしみ出しが少ない。
すると、たとえばLiNb0.のような屈折率の高い導
波路材料を用いた場合、導波路を伝搬する光の電場の回
折格子部へのしみ出しが少ない。
このため、効率のよいグレーティングレンズを作製する
には、回折格子の材料の屈折率n、を大きくするか、あ
るいはグレーティングレンズの光軸方向の厚みdを厚く
する必要かあった。ところが、口、が大きいと、前記文
献に示されているように、導波路の屈折率n(と基板の
屈折率口。が接近しているとき、入射光かレンズ部に入
射する際、急激な屈折率の変化が生じ、光が基板に漏れ
、効率が低下する。
には、回折格子の材料の屈折率n、を大きくするか、あ
るいはグレーティングレンズの光軸方向の厚みdを厚く
する必要かあった。ところが、口、が大きいと、前記文
献に示されているように、導波路の屈折率n(と基板の
屈折率口。が接近しているとき、入射光かレンズ部に入
射する際、急激な屈折率の変化が生じ、光が基板に漏れ
、効率が低下する。
一方、レンズの厚みdを厚くすると、前記文献における
d=200gmのレンズのように効率は80〜85%と
高いものの、入射光の光軸からのずれに対する光強度の
半値全幅△θか僅か1.5°しがなくなり、実用上大き
な障害となる。
d=200gmのレンズのように効率は80〜85%と
高いものの、入射光の光軸からのずれに対する光強度の
半値全幅△θか僅か1.5°しがなくなり、実用上大き
な障害となる。
本発明の目的は、nl、dを大きくせず、基板への漏洩
光か少なくでき、かつ、入射角度ずれに対する許容度の
大きいグレーティングレンズを提供することにある。
光か少なくでき、かつ、入射角度ずれに対する許容度の
大きいグレーティングレンズを提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的は、屈折率n、の基板表面に形成された屈折率
n((n(> ng)の光導波層と、該屈折率n、の材
料で作製した不等間隔回折格子で構成されたグレーティ
ングレンズにおいて、 前記レンズを、回折格子が回折格子層に占める体積の割
合なaとして、屈折率が次式で表わされるnないしこれ
より小さい値を持つ保護膜で覆うことを特徴とするグレ
ーティングレンズ。
n((n(> ng)の光導波層と、該屈折率n、の材
料で作製した不等間隔回折格子で構成されたグレーティ
ングレンズにおいて、 前記レンズを、回折格子が回折格子層に占める体積の割
合なaとして、屈折率が次式で表わされるnないしこれ
より小さい値を持つ保護膜で覆うことを特徴とするグレ
ーティングレンズ。
上記グレーティングレンズを構成する材料としては種々
あるが、好ましいものとしては、上記基板として二オツ
酸リチウム、光導波層としてTiの熱拡散層を、回折格
子材料として酸化チタンを、保護膜としてシリコンナイ
トライドを用いるものかある。
あるが、好ましいものとしては、上記基板として二オツ
酸リチウム、光導波層としてTiの熱拡散層を、回折格
子材料として酸化チタンを、保護膜としてシリコンナイ
トライドを用いるものかある。
[作用]
従来のように空気層をクラット層として用いると、第4
図に示すように、伝搬光の電場41の回折格子層)3へ
のしみ出し量は小さい。このしみ出しの長さhcは、は
ぼ次式て表わされる。
図に示すように、伝搬光の電場41の回折格子層)3へ
のしみ出し量は小さい。このしみ出しの長さhcは、は
ぼ次式て表わされる。
たたし;Nは導波光の等価屈折率
00′は次式の通り
n8゜′=仄丁刀=〒7石]7・・・(3)そこて、ク
ラット層の屈折率n、、をnc= nとすれば、 となり、第4図に示すように、光電場42のクラット部
14へのしみ出し量か大きくなり、11.の値をそれほ
ど大きくせず、かつ、レンズ厚さdを大きくせずとも、
効率よく光を回折させ集光することができる。
ラット層の屈折率n、、をnc= nとすれば、 となり、第4図に示すように、光電場42のクラット部
14へのしみ出し量か大きくなり、11.の値をそれほ
ど大きくせず、かつ、レンズ厚さdを大きくせずとも、
効率よく光を回折させ集光することができる。
[実施例]
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。なお1本実施例は、基板としてYカットLiNbO3
単結晶を用いた例である。
。なお1本実施例は、基板としてYカットLiNbO3
単結晶を用いた例である。
第1図は本発明の実施例であるグレーティングレンズの
概略を示し、第2図はそのYZ平面上の断面を表わす。
概略を示し、第2図はそのYZ平面上の断面を表わす。
第1図および第2図において、本実施例は、基板11上
に光導波層12が設けられ、その上に、グレーティング
レンズ13を設け、さらに、これらの上面をクラッド層
14で覆って構成される。
に光導波層12が設けられ、その上に、グレーティング
レンズ13を設け、さらに、これらの上面をクラッド層
14で覆って構成される。
本実施例では、基板11として、異常屈折率n、=2.
20のLiNb03Yカツト基板を用いる。光導波層1
2は、Tiの熱拡散で作製する。基板ll上に電子ビー
ム蒸着により膜厚24nmのTi薄膜を成膜し、これを
石英管に入れ、雰囲気ガスとしてArを2時間、続いて
02を0.75時間流しながら1000℃で熱拡散を行
なう。これにより、導波層の表面屈折率はnf=2.2
2となる。波長λ=0.6328JL11のHe−Me
レーザ光を囲いプリズムカップラにより導波光を励振し
たところ伝搬光はTE、モードのみでありその等価屈折
率N = 2.209であった。
20のLiNb03Yカツト基板を用いる。光導波層1
2は、Tiの熱拡散で作製する。基板ll上に電子ビー
ム蒸着により膜厚24nmのTi薄膜を成膜し、これを
石英管に入れ、雰囲気ガスとしてArを2時間、続いて
02を0.75時間流しながら1000℃で熱拡散を行
なう。これにより、導波層の表面屈折率はnf=2.2
2となる。波長λ=0.6328JL11のHe−Me
レーザ光を囲いプリズムカップラにより導波光を励振し
たところ伝搬光はTE、モードのみでありその等価屈折
率N = 2.209であった。
次に、光導波層12上に02を用いた反応性スパッタリ
ングを用い、TiO□を0.IJLm成膜した。成膜条
件は、圧力0jPaてあり、02とArの流量比0.7
である。形成されたTiO□の屈折率n、は、n、=
2.40であった。
ングを用い、TiO□を0.IJLm成膜した。成膜条
件は、圧力0jPaてあり、02とArの流量比0.7
である。形成されたTiO□の屈折率n、は、n、=
2.40であった。
その後、通常のフォト工程により、フォトレジストを回
折格子13の第1図C示すパターンにパターニングした
。ついで、CF、を用いた反応性イオンエツチングでフ
ォトレジストパターンをTiO□膜に転写した。
折格子13の第1図C示すパターンにパターニングした
。ついで、CF、を用いた反応性イオンエツチングでフ
ォトレジストパターンをTiO□膜に転写した。
なお、回折格子13の幅は1回折格子13の周期をΔと
し、回折格子13が回折格子層に占める体積の割合なa
とすると、回折格子13の厚さが一定であれば、第2図
に示すように、aΔで与えられる。
し、回折格子13が回折格子層に占める体積の割合なa
とすると、回折格子13の厚さが一定であれば、第2図
に示すように、aΔで与えられる。
最後に、クラッド層14として、原料ガスとしてSiH
4,N2. NH3を用イルプラズマCvDにより5i
N−H膜を約0.5JLm成膜した。5iN−H膜の屈
折率nは、上記(1)式でa=0.5として得られる値
がnc=1.98となるように、平行平板型装置で基板
温度zoolcて行った。
4,N2. NH3を用イルプラズマCvDにより5i
N−H膜を約0.5JLm成膜した。5iN−H膜の屈
折率nは、上記(1)式でa=0.5として得られる値
がnc=1.98となるように、平行平板型装置で基板
温度zoolcて行った。
このような構成において、レンズの厚さd=501L1
1と薄くしたときも、80%以上の効率が得られ、かつ
、角度ずれによる光強度の半値全幅も3.3°となり、
前記従来例の2倍以上となった。
1と薄くしたときも、80%以上の効率が得られ、かつ
、角度ずれによる光強度の半値全幅も3.3°となり、
前記従来例の2倍以上となった。
本発明は、上記実施例の材料に限らず他の材料によって
も構成できる。その例を挙げると次の通りである。
も構成できる。その例を挙げると次の通りである。
■基板:タンタル酸リチウム(nf−2,18)光導波
路:液相エキタビシャル成長させたニオブ酸リチウム(
nf−2,20)回折格子+ 7iQ2 (n、−2,
40)クラット:シリコンナイトライト(n=1.93
)■基板:タンタル酸リチウム(口、−2,18)光導
波路:液相エキタピシャル成長させたニオブ酸リチウム
(nr−2,20) 回折格子:カルコゲナイトガラス(ng−2,36)ク
ラッド:シリコンナイトライト(n=1.98)■基板
:タンタル酸リチウム(n、=2.18)光導波路:液
相エキタビシャル成長させたニオブ酸リチウム(nr−
2,20) 回折格子:シリコンナイトライト(n=2.01)クラ
ッド:フォトレジスト(スピンコード後ベークするn=
1.62) 以上の例で基板なニオブ酸リチウムとし光導波路をT、
拡散またはプロトン交換で作成したものでもすべて可能
である。
路:液相エキタビシャル成長させたニオブ酸リチウム(
nf−2,20)回折格子+ 7iQ2 (n、−2,
40)クラット:シリコンナイトライト(n=1.93
)■基板:タンタル酸リチウム(口、−2,18)光導
波路:液相エキタピシャル成長させたニオブ酸リチウム
(nr−2,20) 回折格子:カルコゲナイトガラス(ng−2,36)ク
ラッド:シリコンナイトライト(n=1.98)■基板
:タンタル酸リチウム(n、=2.18)光導波路:液
相エキタビシャル成長させたニオブ酸リチウム(nr−
2,20) 回折格子:シリコンナイトライト(n=2.01)クラ
ッド:フォトレジスト(スピンコード後ベークするn=
1.62) 以上の例で基板なニオブ酸リチウムとし光導波路をT、
拡散またはプロトン交換で作成したものでもすべて可能
である。
[発明の効果]
以上のように本発明によれば、LiNbO3のような高
い屈折率を持つ基板上に、高い効率を持ちかつ角度ずれ
に対する許容度を従来の2倍以上にできるグレーティン
グレンズを作製できるので、グレーティングレンズの応
用範囲の拡大に大きな効果がある。
い屈折率を持つ基板上に、高い効率を持ちかつ角度ずれ
に対する許容度を従来の2倍以上にできるグレーティン
グレンズを作製できるので、グレーティングレンズの応
用範囲の拡大に大きな効果がある。
第1図は本発明によるグレーティングレンズの概略を示
す斜視図、第2図は第1図のグレーティングレンズのY
Z平面上の断面図、第3図は従来のグレーティングレン
ズの概略を示す斜視図、第4図は光導波路中を伝搬する
光電場強度を表わす説明図である。 11・・・基板 12・・・光導波層 13・・・回折格子 14−・・クラッド層 41・・・従来の構造の光導波層中を伝搬する光の電場 42・・・本発明の構造の光導波層中を伝搬する光の電
場
す斜視図、第2図は第1図のグレーティングレンズのY
Z平面上の断面図、第3図は従来のグレーティングレン
ズの概略を示す斜視図、第4図は光導波路中を伝搬する
光電場強度を表わす説明図である。 11・・・基板 12・・・光導波層 13・・・回折格子 14−・・クラッド層 41・・・従来の構造の光導波層中を伝搬する光の電場 42・・・本発明の構造の光導波層中を伝搬する光の電
場
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、屈折率n_sの基板表面に形成された屈折率n_f
(n_f>n_s)の光導波層と、該光導波層上に屈折
率n_sの材料で作製した不等間隔回折格子で構成され
たグレーティングレンズにおいて、 前記レンズを、回折格子が回折格子層に占める体積の割
合をaとして、屈折率が次式で表わされるnないしこれ
より小さい値を持つ保護膜で覆うことを特徴とするグレ
ーティングレンズ。 n=[(n_s^2−an_f^2)/(1−a)]^
1^/^22、上記基板としてニオブ酸リチウム、光導
波層としてT_iの熱拡散層を、回折格子材料として酸
化チタンを、保護膜としてシリコンナイトライトを用い
た請求項1記載のグレーティングレンズ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2958788A JPH01205106A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | グレーティングレンズ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2958788A JPH01205106A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | グレーティングレンズ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01205106A true JPH01205106A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12280207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2958788A Pending JPH01205106A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | グレーティングレンズ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01205106A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210080628A1 (en) * | 2018-03-28 | 2021-03-18 | Dispelix Oy | Diffractive grating |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2958788A patent/JPH01205106A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210080628A1 (en) * | 2018-03-28 | 2021-03-18 | Dispelix Oy | Diffractive grating |
US12032182B2 (en) * | 2018-03-28 | 2024-07-09 | Dispelix Oy | Diffractive grating |
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