JPH01203393A - 新規セフアロスポリン系化合物 - Google Patents
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Cephalosporin Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はβ−ラクタム系抗菌剤として有用な新規セファ
ロスポリン系化合物、並びにその医薬として許容される
塩及びエステル類に関する。さらに詳細には、本発明は
抗菌活性を有する新規なセファロスポリン系化合物及び
その医薬として許容される塩及びエステル、並びにその
製造法に関する。
ロスポリン系化合物、並びにその医薬として許容される
塩及びエステル類に関する。さらに詳細には、本発明は
抗菌活性を有する新規なセファロスポリン系化合物及び
その医薬として許容される塩及びエステル、並びにその
製造法に関する。
(従来の技術及び解決すべき問題点)
セファロスポリン系抗生物質はダラム陽性菌、ダラム陰
性菌に対し広い抗菌活性を示し、すでに種々の半合成セ
ファロスポリン系化合物が市販され、各種の感染性疾病
の治療剤として臨床的に用いられている。
性菌に対し広い抗菌活性を示し、すでに種々の半合成セ
ファロスポリン系化合物が市販され、各種の感染性疾病
の治療剤として臨床的に用いられている。
しかしながら、これらの化合物の中で緑膿菌や変形菌に
対して抗菌活性を示す治療剤は数少ない。
対して抗菌活性を示す治療剤は数少ない。
また、これらの化合物は耐性菌により産生されるβ−ラ
クタマーゼに対して不安定であり、現在臨床上問題とさ
れている耐性菌に対する抗菌活性が低い等の欠点がある
(W、E、Wick ”Cephalosporins
and Pen1cillins、Chemistry
and Biology” 、 E。
クタマーゼに対して不安定であり、現在臨床上問題とさ
れている耐性菌に対する抗菌活性が低い等の欠点がある
(W、E、Wick ”Cephalosporins
and Pen1cillins、Chemistry
and Biology” 、 E。
H,Flynn m+ Acaclemic Pres
s+ New York、 N、Y、。
s+ New York、 N、Y、。
1972、第11章)。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは後記の一般式(I)で示される新mセファ
ロスポリン系化合物を合成することに成功し、それらが
きわめて広範囲の抗菌スペクトルを有し、ダラム陽性菌
のみならず、ダラム陰性菌及びさらに耐性菌に対しても
強い抗菌活性を示すことを見い出して本発明を完成した
。
ロスポリン系化合物を合成することに成功し、それらが
きわめて広範囲の抗菌スペクトルを有し、ダラム陽性菌
のみならず、ダラム陰性菌及びさらに耐性菌に対しても
強い抗菌活性を示すことを見い出して本発明を完成した
。
すなわち、本発明は、次式(I)
〔式中、R1はアミノ基又は保護されたアミノ基であり
、ntは水素原子、塩生成カチオン又はカルボキシル基
保iI基であり、R3は基−C1ltY (式中、Yは
置換基を有していてもよい複素環チオ基である)を示す
〕で表わされる新規セファロスポリン系化合物、並びに
その医薬として許容される塩及びエステルを提供するも
のである。
、ntは水素原子、塩生成カチオン又はカルボキシル基
保iI基であり、R3は基−C1ltY (式中、Yは
置換基を有していてもよい複素環チオ基である)を示す
〕で表わされる新規セファロスポリン系化合物、並びに
その医薬として許容される塩及びエステルを提供するも
のである。
本明細書における用語の若干例について説明すると次の
とおりである。
とおりである。
「低級」なる語は、特にことわらない限り炭素原子1〜
6個を意味するものとする。
6個を意味するものとする。
アミノ基の保護基とは、第3級ブトキシカルボニル基の
ごときアルコキシカルボニル基又はホルミル基、クロロ
アセチル基、トリチル基のごときアシル基などであって
、酸加水分解等により容易に脱離できる通常のアミノ保
護基である。R2が塩生成カチオンである場合、式(I
)の化合物の塩類(カルボン酸塩)としては、アルカリ
金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩等が挙げ
られる。またRRがカルボキシル保護基である場合、か
−る保護基としては、アリール基、低級アルキル基、低
級アルコキシメチル基、低級アルキルチオメチル基、低
級アルカノイルオキシメチル基等、の通常、セファロス
ポリン類のカルボン酸基の保護に用いられるカルボキシ
ル保護基が挙げられる。
ごときアルコキシカルボニル基又はホルミル基、クロロ
アセチル基、トリチル基のごときアシル基などであって
、酸加水分解等により容易に脱離できる通常のアミノ保
護基である。R2が塩生成カチオンである場合、式(I
)の化合物の塩類(カルボン酸塩)としては、アルカリ
金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩等が挙げ
られる。またRRがカルボキシル保護基である場合、か
−る保護基としては、アリール基、低級アルキル基、低
級アルコキシメチル基、低級アルキルチオメチル基、低
級アルカノイルオキシメチル基等、の通常、セファロス
ポリン類のカルボン酸基の保護に用いられるカルボキシ
ル保護基が挙げられる。
さらに式(I)の化合物が舌ステルの形である場合には
、R2は生体内で加水分解して除去し得る代謝上不安定
なエステル形成基も包含して、種々な置換されたアルキ
ル基の型のカルボキシル保護基も含まれる。このような
保護基の例としては、低級アルコキシカルボニルオキシ
アルキル基、低級アルキルカルボニルオキシアルキル基
、及び置換基を有してもよい(2−オキソ−1,3−ジ
オキソレン−4−イル)メチル基などが挙げられる。
、R2は生体内で加水分解して除去し得る代謝上不安定
なエステル形成基も包含して、種々な置換されたアルキ
ル基の型のカルボキシル保護基も含まれる。このような
保護基の例としては、低級アルコキシカルボニルオキシ
アルキル基、低級アルキルカルボニルオキシアルキル基
、及び置換基を有してもよい(2−オキソ−1,3−ジ
オキソレン−4−イル)メチル基などが挙げられる。
R3が基−cozyである場合におけるYの「置換基を
有していてもよい複素環チオ基」の複素環基とは、O,
S又はNから選ばれた1〜4個の異種原子を含有する5
〜6員項であって、窒素原子はオキシド化されていても
よい。これらの複素環基としては、例えばピリジル基、
N−オキシドピリジル基、ピリダジニル基、N−オキシ
ドピリダジニル基、ピラゾリル基、ジアゾリル基、チア
ゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ト
リアゾリル基、テトラゾリル基等であり得る。又、これ
らの複素環基上には、例えば炭素数1〜3のアルキル基
、炭素数1〜3のアルコキシ基、ハロゲン原子、トリハ
ロゲノ置換低級アルキル基、ヒドロキシ基、メルカプト
基、アミン基、カルボキシル基、カルバモイル基、炭素
数1〜3のジアルキルアミノ低級アルキル基又はカルボ
キシメチル基などの置換基を有してもよい。複素環基に
これらの置換基が置換する場合、置換基の数は通常は1
〜2個である。
有していてもよい複素環チオ基」の複素環基とは、O,
S又はNから選ばれた1〜4個の異種原子を含有する5
〜6員項であって、窒素原子はオキシド化されていても
よい。これらの複素環基としては、例えばピリジル基、
N−オキシドピリジル基、ピリダジニル基、N−オキシ
ドピリダジニル基、ピラゾリル基、ジアゾリル基、チア
ゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ト
リアゾリル基、テトラゾリル基等であり得る。又、これ
らの複素環基上には、例えば炭素数1〜3のアルキル基
、炭素数1〜3のアルコキシ基、ハロゲン原子、トリハ
ロゲノ置換低級アルキル基、ヒドロキシ基、メルカプト
基、アミン基、カルボキシル基、カルバモイル基、炭素
数1〜3のジアルキルアミノ低級アルキル基又はカルボ
キシメチル基などの置換基を有してもよい。複素環基に
これらの置換基が置換する場合、置換基の数は通常は1
〜2個である。
本発明の化合物は例えばつぎの方法で製造し得る。
すなわち、次式(II)
〔式中、R2及びnjは前記と同じ意義である〕で示さ
れる化合物、もしくはそのアミノ基における反応性誘導
体又はそれらの塩に、すでに特願昭58−142588
号(特開昭60−34957号公報)に開示した次式(
I)の化合物又はその類似体である式(IV)の化合物
、すなわち 〔式中、R1は前記と同じ意義であり、R4は低級アル
キル基である〕で示される化合物、もしくはそのカルボ
キシル基における反応性誘導体又はそれらの塩を反応せ
しめ、次式(V)又は(Vl)CO□R1 〔式中、R1、R2、R3、R4は前記と同意義である
〕で示される化合物を夫々に生成し、基R1又はR2が
保護基を含む又はである場合には、各脱保護工程を行い
、その後に後記する炭酸水素ナトリウムの如き塩基を作
用せしめると、イミド形成の閉環反応が起り且つ同時に
基R4がアルコールR’011として脱離し、これによ
り本発明の次式(Ia)の化合物を製造できる。
れる化合物、もしくはそのアミノ基における反応性誘導
体又はそれらの塩に、すでに特願昭58−142588
号(特開昭60−34957号公報)に開示した次式(
I)の化合物又はその類似体である式(IV)の化合物
、すなわち 〔式中、R1は前記と同じ意義であり、R4は低級アル
キル基である〕で示される化合物、もしくはそのカルボ
キシル基における反応性誘導体又はそれらの塩を反応せ
しめ、次式(V)又は(Vl)CO□R1 〔式中、R1、R2、R3、R4は前記と同意義である
〕で示される化合物を夫々に生成し、基R1又はR2が
保護基を含む又はである場合には、各脱保護工程を行い
、その後に後記する炭酸水素ナトリウムの如き塩基を作
用せしめると、イミド形成の閉環反応が起り且つ同時に
基R4がアルコールR’011として脱離し、これによ
り本発明の次式(Ia)の化合物を製造できる。
上記の式(If)の化合物のアミノ基における反応性誘
導体の適当な例としては、化合物(■)とアルデヒド、
ケトンのなどのようなカルボニル化合物との反応によっ
て生成したシッフ塩基型のイミノ又はその互変異性であ
るエナミン型異性体;化合物(II)とビス(トリメチ
ルシリル)アセトアミドなどのようなシリル化合物との
反応によって得られたシリル誘導体;化合物(n)と三
塩化リン又はホスゲンとの反応によって生成した誘導体
などが挙げられる。
導体の適当な例としては、化合物(■)とアルデヒド、
ケトンのなどのようなカルボニル化合物との反応によっ
て生成したシッフ塩基型のイミノ又はその互変異性であ
るエナミン型異性体;化合物(II)とビス(トリメチ
ルシリル)アセトアミドなどのようなシリル化合物との
反応によって得られたシリル誘導体;化合物(n)と三
塩化リン又はホスゲンとの反応によって生成した誘導体
などが挙げられる。
式(III)又は(IV)の化合物のカルボキシル基に
おける反応性誘導体の適当な例としては、酸ハロゲン化
物、酸アジド、酸無水物、又は活性エステル、活性アミ
ド、などが挙げられる。この酸ハロゲン化物の例として
は、酸塩化物、酸臭化物が挙げられ、酸無水物の例とし
ては、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸、アルキル
炭酸ジアルキルリン酸、ジフェニルリン酸、メタンスル
ホン酸、p−トルエンスルホン酸等の混成酸無水物が挙
げられる。また、活性エステルの例としては、シアノメ
チルエステル、置換フェニルエステル、置換ベンジルエ
ステル、置換チエニルエステル等が挙げられ、活性アミ
ドの例としては、イミダゾール、4−置換イミダゾール
、ジメチルピラゾール、トリアゾール、テトラゾール等
の酸アミドが挙げられる。
おける反応性誘導体の適当な例としては、酸ハロゲン化
物、酸アジド、酸無水物、又は活性エステル、活性アミ
ド、などが挙げられる。この酸ハロゲン化物の例として
は、酸塩化物、酸臭化物が挙げられ、酸無水物の例とし
ては、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸、アルキル
炭酸ジアルキルリン酸、ジフェニルリン酸、メタンスル
ホン酸、p−トルエンスルホン酸等の混成酸無水物が挙
げられる。また、活性エステルの例としては、シアノメ
チルエステル、置換フェニルエステル、置換ベンジルエ
ステル、置換チエニルエステル等が挙げられ、活性アミ
ドの例としては、イミダゾール、4−置換イミダゾール
、ジメチルピラゾール、トリアゾール、テトラゾール等
の酸アミドが挙げられる。
上記の式([)の化合物と式(Iff)又は(IV)の
化合物との縮合反応は、通常、水、アセトン、ジオキサ
ン、アセトニトリル、クロロホルム、塩化メチレン、塩
化エチレン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、N、N
−ジメチルホルムアミド、ピリジンのような慣用溶媒又
はこの反応に悪影響を与えない他の有機溶媒中で行われ
る。これらの溶媒は水と混合して使用してもよい。この
反応において、化合物(III)又は(IV)を遊離酸
の形又は塩の形で使用する場合には、特に縮合剤の存在
下に反応を行うのが望ましい。この目的に適する縮合剤
としては、例えば、N、N’−ジシクロへキシルカルボ
ジイミド、N、N’−ジエチルカルボジイミド、N−シ
クロヘキシル−N′−モルホリノエチルカルボジイミド
N、N’−カルボニル(2−メチルイミダゾール)、オ
キシ塩化リン、三塩化リン、あるいはDMFと塩化チオ
ニル、ホスゲン又はオキシ塩化リンなどとの反応で得ら
れるいわゆるヴイルスマイヤー試薬、などが挙げられる
。
化合物との縮合反応は、通常、水、アセトン、ジオキサ
ン、アセトニトリル、クロロホルム、塩化メチレン、塩
化エチレン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、N、N
−ジメチルホルムアミド、ピリジンのような慣用溶媒又
はこの反応に悪影響を与えない他の有機溶媒中で行われ
る。これらの溶媒は水と混合して使用してもよい。この
反応において、化合物(III)又は(IV)を遊離酸
の形又は塩の形で使用する場合には、特に縮合剤の存在
下に反応を行うのが望ましい。この目的に適する縮合剤
としては、例えば、N、N’−ジシクロへキシルカルボ
ジイミド、N、N’−ジエチルカルボジイミド、N−シ
クロヘキシル−N′−モルホリノエチルカルボジイミド
N、N’−カルボニル(2−メチルイミダゾール)、オ
キシ塩化リン、三塩化リン、あるいはDMFと塩化チオ
ニル、ホスゲン又はオキシ塩化リンなどとの反応で得ら
れるいわゆるヴイルスマイヤー試薬、などが挙げられる
。
また式(V)又は(Vl)の化合物からの脱保護工程後
に行うべき閉環反応(イミド形成)に用いる前記の塩基
の例としては、炭酸水素アルカリ金属(たとえば炭酸水
素ナトリウム、炭酸水素カリウムなど)、炭酸アルカリ
金属(たとえば炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなど)、
炭酸アルカリ土類金属(たとえば炭酸カルシウムなど)
、トリ(低級)アルキルアミン(たとえばトリメチルア
ミン、トリエチルアミンなど)、ピリジン、N−(低級
)アルキルモルホリン、N、N−ジ(低級)アルキルベ
ンジルアミンなどが挙げられる。この際の反応の反応温
度は特に限定されず、反応は通常は冷却下ないし加温下
に行われる。
に行うべき閉環反応(イミド形成)に用いる前記の塩基
の例としては、炭酸水素アルカリ金属(たとえば炭酸水
素ナトリウム、炭酸水素カリウムなど)、炭酸アルカリ
金属(たとえば炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなど)、
炭酸アルカリ土類金属(たとえば炭酸カルシウムなど)
、トリ(低級)アルキルアミン(たとえばトリメチルア
ミン、トリエチルアミンなど)、ピリジン、N−(低級
)アルキルモルホリン、N、N−ジ(低級)アルキルベ
ンジルアミンなどが挙げられる。この際の反応の反応温
度は特に限定されず、反応は通常は冷却下ないし加温下
に行われる。
(発明の効果)
式(I)の本発明化合物はいずれも新規化合物であり、
そのうち、後記の実施例1で得た本発明化合物の最小発
育阻止濃度(MrC,mcg/m1) (寒天希釈法に
よって測定した)は第1表に示したとおりである。本発
明化合物は広範囲な菌に対して強力な抗菌活性を有して
おり、本発明の化合物は医薬として有用である。
そのうち、後記の実施例1で得た本発明化合物の最小発
育阻止濃度(MrC,mcg/m1) (寒天希釈法に
よって測定した)は第1表に示したとおりである。本発
明化合物は広範囲な菌に対して強力な抗菌活性を有して
おり、本発明の化合物は医薬として有用である。
一第1[
以下、原料化合物の調製を示す参考例と、本発明化合物
の製造を示す実施例とにより本発明を更に詳細に説明す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない、これ
らの例において、Tri はトリチル基を、またphは
フェニル基を表わす、なお、参考例及び実施例でNMR
は、日立社製R−908型の機器を使用し測定した。
の製造を示す実施例とにより本発明を更に詳細に説明す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない、これ
らの例において、Tri はトリチル基を、またphは
フェニル基を表わす、なお、参考例及び実施例でNMR
は、日立社製R−908型の機器を使用し測定した。
I主■上
2−オキソ−2−(2−)ジチルアミノチアゾール−4
−イル)酢酸アリルエステル2.26 gを塩化メチレ
ン20m2に溶解し、カルボエトキシメチレントリフェ
ニルホスホラン2.21 gを加えた。得られた混合物
を室温で20時間撹拌し濃縮乾固した。残渣をシリカゲ
ルクロマトグラフィーで分離精製した。2−(2−トリ
チルアミノチアゾール−4〜イル)−3−エトキシカル
ボニルアクリル酸アリルエステルのZ−異性体の960
mg及びE−異性体の1.23gを得た。
−イル)酢酸アリルエステル2.26 gを塩化メチレ
ン20m2に溶解し、カルボエトキシメチレントリフェ
ニルホスホラン2.21 gを加えた。得られた混合物
を室温で20時間撹拌し濃縮乾固した。残渣をシリカゲ
ルクロマトグラフィーで分離精製した。2−(2−トリ
チルアミノチアゾール−4〜イル)−3−エトキシカル
ボニルアクリル酸アリルエステルのZ−異性体の960
mg及びE−異性体の1.23gを得た。
(a) Z−異性体(NMR,δ値、 CDCl5)
: 1.25(3u。
: 1.25(3u。
t、 J=7.211z)、 4.16(211,q、
J=7.211z)、 4.75(211゜b、 d
)、 5.16〜5.45(211,m)、5.75〜
6.12(III、 s)。
J=7.211z)、 4.75(211゜b、 d
)、 5.16〜5.45(211,m)、5.75〜
6.12(III、 s)。
6.42(III、 s)、 6.52(III、 s
)、 6.69(III、 b、 s)。
)、 6.69(III、 b、 s)。
7.52(I511,b、5)
(b) E−異性体(Nl’lR,δ値、CDCh)
:1.25(311,t。
:1.25(311,t。
J=7.211z)、 4.16(211,q、 J=
7.2flz)、 4.69(2H,b。
7.2flz)、 4.69(2H,b。
d)、 5.12〜5.40(211,m)、5.70
〜6.12(III、 m)、6.45(III、 b
、 s)、 6.82(I8,s)+ 6.85(I1
!、 s)。
〜6.12(III、 m)、6.45(III、 b
、 s)、 6.82(I8,s)+ 6.85(I1
!、 s)。
7.30(I511,b、s)
炙豆災叉
2−(2−)ジチルアミノチアゾール−4−イル)−3
−エトキシカルボニルアクリル酸アリルエステル(Z−
異性体”) 524 mgを塩化メチレン20mに溶解
しテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)
50■を加えた。その混合物を室温で10分間撹拌する
。次に2−エチルへキサン酸ナトリウム塩200■を加
え室温で1時間撹拌する。水冷下に、5%塩酸でpo=
z、oに調整し有機層を水洗する。硫酸マグネシウムで
乾燥し濃縮乾固した。イソプロピルエーテルで結晶化し
、2−(2−1−ジチルアミノチアゾール−4−イル)
−3−エトキシカルボニルアクリル酸エステル(Z−異
性体)320■を得た。
−エトキシカルボニルアクリル酸アリルエステル(Z−
異性体”) 524 mgを塩化メチレン20mに溶解
しテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)
50■を加えた。その混合物を室温で10分間撹拌する
。次に2−エチルへキサン酸ナトリウム塩200■を加
え室温で1時間撹拌する。水冷下に、5%塩酸でpo=
z、oに調整し有機層を水洗する。硫酸マグネシウムで
乾燥し濃縮乾固した。イソプロピルエーテルで結晶化し
、2−(2−1−ジチルアミノチアゾール−4−イル)
−3−エトキシカルボニルアクリル酸エステル(Z−異
性体)320■を得た。
(NMR,δ値、CDC1z):1.20(3H,t、
J=7.2Hz)、 4.10(2H,Q+ J=7.
2Hz)、 6.55(I8,s)、 6.62(I)
1. s)+ 7.20(I6H,b、 s)交鬼炎ユ 参考例1と同様に反応及び処理を行なって2−オキソ−
2−(2−)ジチルアミノチアゾール−4−イル)酢酸
エチル4.3g及びアリルオキシカルボニルメチレント
リフェニルホスホラン5.3gより、3−(2−トリチ
ルアミノチアゾール−4−イル)〜3−エトキシカルボ
ニルアクリル酸アリルエステルのZ−異性体の2.3g
及びE−異性体の2.6gを得た。
J=7.2Hz)、 4.10(2H,Q+ J=7.
2Hz)、 6.55(I8,s)、 6.62(I)
1. s)+ 7.20(I6H,b、 s)交鬼炎ユ 参考例1と同様に反応及び処理を行なって2−オキソ−
2−(2−)ジチルアミノチアゾール−4−イル)酢酸
エチル4.3g及びアリルオキシカルボニルメチレント
リフェニルホスホラン5.3gより、3−(2−トリチ
ルアミノチアゾール−4−イル)〜3−エトキシカルボ
ニルアクリル酸アリルエステルのZ−異性体の2.3g
及びE−異性体の2.6gを得た。
(a) Z−異性体(Nト111.δ値、CDC1x
) : 1.30(3+1゜t、 J=7.211z
)、 4.30(211,q、 J=7.211z)、
4.60(211゜b、 d)、 5.12〜6.1
0(III、 m)、 6.42(III、 s)、6
.52(ltl、 s)、 6.60(I8,b、 s
)、 7.25(I511,b、 5)(b) E−
異性体(NMR,δ値、CDC13) :1.30(3
h、 t。
) : 1.30(3+1゜t、 J=7.211z
)、 4.30(211,q、 J=7.211z)、
4.60(211゜b、 d)、 5.12〜6.1
0(III、 m)、 6.42(III、 s)、6
.52(ltl、 s)、 6.60(I8,b、 s
)、 7.25(I511,b、 5)(b) E−
異性体(NMR,δ値、CDC13) :1.30(3
h、 t。
J=7.211z)、 4.22(2JI、 q、
J=7.211z)、 4.60(211,b。
J=7.211z)、 4.60(211,b。
d)、 5.00〜5.35(211,m)、5.65
〜6.20(III、 m)、6゜86(Ill、
s)、 6.87(ill、 s)+ 7.30(I
ll、 b、 s)貴IL先 参考例2と同様に反応及び処理を行なって3−(2−ト
リチルアミノチアゾール−4−イル)−3−エトキシカ
ルボニルアクリル酸アリルエステル(Z−異性体)52
4mgより、3−(2−1−ジチルアミノチアゾール−
4−イル)−3−エトキシカルボニルアクリル酸(Z−
異性体)410■を得た。
〜6.20(III、 m)、6゜86(Ill、
s)、 6.87(ill、 s)+ 7.30(I
ll、 b、 s)貴IL先 参考例2と同様に反応及び処理を行なって3−(2−ト
リチルアミノチアゾール−4−イル)−3−エトキシカ
ルボニルアクリル酸アリルエステル(Z−異性体)52
4mgより、3−(2−1−ジチルアミノチアゾール−
4−イル)−3−エトキシカルボニルアクリル酸(Z−
異性体)410■を得た。
(NMR,δ値、CDC1z):1.12(311,t
、 J□7.2Hz)、3.92(21f、 q+ J
=7.211z)、 6.40(III、 s)、6.
52(Ill、、b、 s)。
、 J□7.2Hz)、3.92(21f、 q+ J
=7.211z)、 6.40(III、 s)、6.
52(Ill、、b、 s)。
6.62 (IIl、 s)、 7.30(I511,
b、 s)(イ)縮合反応 参考例2で得られた2−(2−)ジチルアミノチアゾー
ル−4−イル)−3−エトキシカルボニルアクリル酸(
Z−異性体) 270 mg及び7−アミ/−3−(I
−メーF−ルーIH−テトラゾール−5−イル)チオメ
チル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエ
ステル372 mgを塩化メチレン20dに溶解し一2
0°Cに冷却した。
b、 s)(イ)縮合反応 参考例2で得られた2−(2−)ジチルアミノチアゾー
ル−4−イル)−3−エトキシカルボニルアクリル酸(
Z−異性体) 270 mg及び7−アミ/−3−(I
−メーF−ルーIH−テトラゾール−5−イル)チオメ
チル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエ
ステル372 mgを塩化メチレン20dに溶解し一2
0°Cに冷却した。
ピリジン0.21n1を加え、次に縮合剤としてオキシ
塩化リン130■を含む塩化メチレン2rR1溶液を滴
下した。
塩化リン130■を含む塩化メチレン2rR1溶液を滴
下した。
一20’C〜0°Cで2時間撹拌後、飽和食塩水洗浄、
硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去した後
に、残査をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し、7
−(2−(2−)ジチルアミノチアゾール−4−イル)
−3−エトキシカルボニルアクリルアミド〕−3−(I
−メチル−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステ
ル(Z−異性体)220■を得た。
硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去した後
に、残査をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し、7
−(2−(2−)ジチルアミノチアゾール−4−イル)
−3−エトキシカルボニルアクリルアミド〕−3−(I
−メチル−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステ
ル(Z−異性体)220■を得た。
(NMR,δ値、CDCl1) : 1.25(3H
,tt J=7.2Hz)+3.68 (2H,b、
s)、 3.78 (3H,s)、 4.15 (2H
,Q。
,tt J=7.2Hz)+3.68 (2H,b、
s)、 3.78 (3H,s)、 4.15 (2H
,Q。
J=7.2Hz)、4.20.4.32 (2M、 A
Bq、 J=14Hz)、 5.05(III、 d、
J=5.1Qlz)、 5.92 (IH,dd、
J=5.8Hz及びJ=9Hz)、 6.40 (IB
、 d、 J=9Hz)、 6.52 (I8,s)。
Bq、 J=14Hz)、 5.05(III、 d、
J=5.1Qlz)、 5.92 (IH,dd、
J=5.8Hz及びJ=9Hz)、 6.40 (IB
、 d、 J=9Hz)、 6.52 (I8,s)。
6.62 (IB、 s)、 7.25 (I5H,b
、 5)(D)脱係11及びイミド閉環反応 前項(イ)で得られた?−(2−(2−)ジチルアミノ
チアゾール−4−イル)−3−エトキシカルボニルアク
リルアミド)−3−(I−メチル−IH−テトラゾール
−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル(Z−異性体) 200 m
gをアニソール0 、2 mlに溶解し氷冷した。トリ
フロロ酢酸2rn1を加え同温度で1時間撹拌した(ト
リチル基の脱離反応)。
、 5)(D)脱係11及びイミド閉環反応 前項(イ)で得られた?−(2−(2−)ジチルアミノ
チアゾール−4−イル)−3−エトキシカルボニルアク
リルアミド)−3−(I−メチル−IH−テトラゾール
−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル(Z−異性体) 200 m
gをアニソール0 、2 mlに溶解し氷冷した。トリ
フロロ酢酸2rn1を加え同温度で1時間撹拌した(ト
リチル基の脱離反応)。
イソプロピルエーテル20m1を反応液に加え粉末化す
る。沈澱物を濾取しイソプロピルエーテルで洗浄する。
る。沈澱物を濾取しイソプロピルエーテルで洗浄する。
炭酸水素ナトリウム水で溶解しpH=7.5に調整して
反応を行なった(イミド閉環反応)。
反応を行なった(イミド閉環反応)。
ダイヤイオンHP −20を反応液に加えて吸着させる
。
。
吸着物を5%メタノール水で溶出液を凍結乾燥し7−(
2−アミノチアゾール−4−イルマレイミド)−3−(
I−メチル−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチ
ル−3=セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩の40
■を得た。
2−アミノチアゾール−4−イルマレイミド)−3−(
I−メチル−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチ
ル−3=セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩の40
■を得た。
(NMR,δ値、CDC1:I):3.40.3.62
(2H、ABq、J=17.2Hz)、 4.00(3
H,s)、 4.05.4.35(2H,ABq、 J
=14.0Hz)、 5.07 (IH,d 、J=5
.4Hz)、 5.69(IH,d 、J=5.4Hz
)、 5.62(IH,s)、7.56(IH,s)実
恭順Rよ 実施例1(イ)と同様な反応を行うことにより、3−(
2−)ジチルアミノチアゾール−4−イル)−3−エト
キシカルボニルアクリル酸(Z−異性体) 400 m
g及び7−アミノ−3−(I−メチル−IH−テトラゾ
ール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリルエステル274 mgより、?−
(3−(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル)−
3−エトキシカルボニルアクリルアミド)−3−(I−
メチル−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
(Z−異性体)330mgヲ得た。
(2H、ABq、J=17.2Hz)、 4.00(3
H,s)、 4.05.4.35(2H,ABq、 J
=14.0Hz)、 5.07 (IH,d 、J=5
.4Hz)、 5.69(IH,d 、J=5.4Hz
)、 5.62(IH,s)、7.56(IH,s)実
恭順Rよ 実施例1(イ)と同様な反応を行うことにより、3−(
2−)ジチルアミノチアゾール−4−イル)−3−エト
キシカルボニルアクリル酸(Z−異性体) 400 m
g及び7−アミノ−3−(I−メチル−IH−テトラゾ
ール−5−イル)チオメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリルエステル274 mgより、?−
(3−(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル)−
3−エトキシカルボニルアクリルアミド)−3−(I−
メチル−IH−テトラゾール−5−イル)チオメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
(Z−異性体)330mgヲ得た。
(NMR,δ値、CDCh):1.32(311,t
、J=7.6!Iz)、3.70(211,b、 s
)、 3.80 (311,s)、 4.22.
4.40(211,八Bq。
、J=7.6!Iz)、3.70(211,b、 s
)、 3.80 (311,s)、 4.22.
4.40(211,八Bq。
J=12.011z)、 4.35 (211,d、
J=7.611z)、 4.95 (III、d。
J=7.611z)、 4.95 (III、d。
J=5.211z)、 5.92 (ill、 dd、
J=9.811z及びJ□5.211z)。
J=9.811z及びJ□5.211z)。
6.32 (III、 d、 J=9.811z)、
6.42(lIl、 s)、 6.45(III。
6.42(lIl、 s)、 6.45(III。
s)、 6.72(ill、 b、 s)、 6.88
(I11,s)、 7.20 (I5H。
(I11,s)、 7.20 (I5H。
b、 5)
(U)脱保護及びイミド閉環反応
実施例1 (TI)と同様に反応することにより、前項
(イ)で得られた?−(3−(2−)ジチルアミノアゾ
ール−4−イル)−3−エトキシカルボニルアクリルア
ミド)−3−(I−メチル−IH−テトラゾール−5−
イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステル(Z−異性体)200■より、7−
(2−アミノチアゾール−4−イルマレイミド)−3
−(I−メチル−IH−テトラゾール−5−イル)チオ
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩3
2■を得た。
(イ)で得られた?−(3−(2−)ジチルアミノアゾ
ール−4−イル)−3−エトキシカルボニルアクリルア
ミド)−3−(I−メチル−IH−テトラゾール−5−
イル)チオメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステル(Z−異性体)200■より、7−
(2−アミノチアゾール−4−イルマレイミド)−3
−(I−メチル−IH−テトラゾール−5−イル)チオ
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩3
2■を得た。
この物の物性は実施例1 (+1)で得られた物質とす
べて一致した。
べて一致した。
手続ネ市正書(自発)
昭和63年 7月15日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、次式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R^1はアミノ基又は保護されたアミノ基であ
り、R^2は水素原子、塩生成カチオン又はカルボキシ
ル基保護基であり、R^3は基−CH_2Y(式中、Y
は置換基を有していてもよい複素環チオ基である)を示
す〕で表わされる新規セファロスポリン系化合物又はそ
の塩又はエステル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63025600A JPH01203393A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 新規セフアロスポリン系化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63025600A JPH01203393A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 新規セフアロスポリン系化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01203393A true JPH01203393A (ja) | 1989-08-16 |
Family
ID=12170400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63025600A Pending JPH01203393A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 新規セフアロスポリン系化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01203393A (ja) |
-
1988
- 1988-02-08 JP JP63025600A patent/JPH01203393A/ja active Pending
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