JPH01201930A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01201930A JPH01201930A JP63025909A JP2590988A JPH01201930A JP H01201930 A JPH01201930 A JP H01201930A JP 63025909 A JP63025909 A JP 63025909A JP 2590988 A JP2590988 A JP 2590988A JP H01201930 A JPH01201930 A JP H01201930A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 9
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 description 1
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
化合物半導体基板に形成された光電変換素子とシリニ２
ン基十反に形成されたマルチブレクリな信邊処理装置と
を金属バンプで接続しまた半導体装置の製造方法に関し
、 前記半導体素子を形成した基板に転位が発生することな
く、かつ金属バンプに塑１′！ト変形を牛しることなく
金属バンプ同志か容易に接続されるのを目的とし、 一方の半導体基板に形成した半導体素子と、他方の半導
体基板に形成した半導体素子とを金属バンプて接続して
成る半導体装置の製造に於いて、前記相互の半導体素子
トに柱状の磁性体を形成後、該磁性体の表面に接続用金
属膜を被着して金属バンプを形成後、１）１１記もｄ外
体の先端部を互いに異なる磁極となるように磁化した後
、前記金属バンプの接続用金属膜同志を接触して前記磁
性体の磁力によって金属バンプ同志を接合することて構
成ずろ。
ン基十反に形成されたマルチブレクリな信邊処理装置と
を金属バンプで接続しまた半導体装置の製造方法に関し
、 前記半導体素子を形成した基板に転位が発生することな
く、かつ金属バンプに塑１′！ト変形を牛しることなく
金属バンプ同志か容易に接続されるのを目的とし、 一方の半導体基板に形成した半導体素子と、他方の半導
体基板に形成した半導体素子とを金属バンプて接続して
成る半導体装置の製造に於いて、前記相互の半導体素子
トに柱状の磁性体を形成後、該磁性体の表面に接続用金
属膜を被着して金属バンプを形成後、１）１１記もｄ外
体の先端部を互いに異なる磁極となるように磁化した後
、前記金属バンプの接続用金属膜同志を接触して前記磁
性体の磁力によって金属バンプ同志を接合することて構
成ずろ。
本発明は゛１′導体装置の製造方法に係り、特に金属バ
ンプを用いて一方の半導体基板である化合物半導体２．
！：板に形成した光電変換子と、他方の半導体基板であ
るシリコン基板Ｇこ形成したマルチプレクリ゛のような
半導体素子とを金属バンプを用いて接続形成して一体化
した半導体装置の製造方法に関する。
ンプを用いて一方の半導体基板である化合物半導体２．
！：板に形成した光電変換子と、他方の半導体基板であ
るシリコン基板Ｇこ形成したマルチプレクリ゛のような
半導体素子とを金属バンプを用いて接続形成して一体化
した半導体装置の製造方法に関する。
赤外線を高感度に検知する化合物半導体基板を用いて赤
外線検知素子のような光電変換素子を形成し、更にシリ
コン基板を用いて電荷結合素子のような信コ処理装置を
形成し、これ等の両者の素子をインゾウム（Ｉｎ）のよ
うな低融点金属柱て圧着接合して一体的に形成し、赤外
線検知素子で光電変換し７て得られた検知信号を、電荷
結合素子で信号処理する固体撮像素子のような半導体装
置は周知である。
外線検知素子のような光電変換素子を形成し、更にシリ
コン基板を用いて電荷結合素子のような信コ処理装置を
形成し、これ等の両者の素子をインゾウム（Ｉｎ）のよ
うな低融点金属柱て圧着接合して一体的に形成し、赤外
線検知素子で光電変換し７て得られた検知信号を、電荷
結合素子で信号処理する固体撮像素子のような半導体装
置は周知である。
〔従来の技ｉ・１・ｉ〕
このようへ半導体装置を形成する場合、例えば第３し１
に示すように、カトミウｌい（ＣｄＴｅ） 等よりなる
基板１にＰ型の水銀 力トウミラ１、・う−ルル（ｊｉ
ｇ、−ｘＣｄｘ Ｔｐ、）のエピクー１−シャル層２を
形成後、このエピタキシャル層２にＮ型の不純物原子を
イオン柱入法等の方法により導入してＮ型層３を形成し
、更にぞのセに硫化亜鉛（ＺｎＳ）の保護膜４を形成し
、Ｎ型層３−にを窓開きＵ７だ後、接続用電極５を形成
し′Ｃ赤外線検知素子６を形成する。
に示すように、カトミウｌい（ＣｄＴｅ） 等よりなる
基板１にＰ型の水銀 力トウミラ１、・う−ルル（ｊｉ
ｇ、−ｘＣｄｘ Ｔｐ、）のエピクー１−シャル層２を
形成後、このエピタキシャル層２にＮ型の不純物原子を
イオン柱入法等の方法により導入してＮ型層３を形成し
、更にぞのセに硫化亜鉛（ＺｎＳ）の保護膜４を形成し
、Ｎ型層３−にを窓開きＵ７だ後、接続用電極５を形成
し′Ｃ赤外線検知素子６を形成する。
−・力、Ｐ型の３１基板７Ｇこ５１０２膜８を形成し、
そのセには図示しないか、所定のパターンのφｊ、送電
極電極形成し、更にごのノ、（仮の所定の位置にＮ型層
９を設り、この電荷結合素子の信号入力部となる入力ダ
イオードを形成し７ている。
そのセには図示しないか、所定のパターンのφｊ、送電
極電極形成し、更にごのノ、（仮の所定の位置にＮ型層
９を設り、この電荷結合素子の信号入力部となる入力ダ
イオードを形成し７ている。
そしてＮ型層８上のＳ１０．膜７を窓開きして接続用電
極膜１０を形成して′電荷結合素子１１を形成し、赤外
線検知素子６のＮ型層３−１−と、電荷結合素子１１の
Ｎ型層９」−に、それぞれＩｎの金属バンプ１２を形成
し、該金属バンプ１２同志を押し潰して圧着接合するご
とて固体撮像装置のような：ｌ’ ４体装置を形成して
いる。
極膜１０を形成して′電荷結合素子１１を形成し、赤外
線検知素子６のＮ型層３−１−と、電荷結合素子１１の
Ｎ型層９」−に、それぞれＩｎの金属バンプ１２を形成
し、該金属バンプ１２同志を押し潰して圧着接合するご
とて固体撮像装置のような：ｌ’ ４体装置を形成して
いる。
そして赤外線検知素子６の底部より矢印に示すように導
入された赤外線は、エピタキシャル層２内のＰ−Ｎ接合
部で光電変換され、この光電変換された信号＋Ｊ： Ｉ
ｎ金属バンプ１２を介して電荷結合素子］１Ｑ）Ｎ型
層９０部分に入力され、この入力信号は電荷結合素子１
１の所定の転送電極に電圧を印加するごとて転送されて
信号処理される。
入された赤外線は、エピタキシャル層２内のＰ−Ｎ接合
部で光電変換され、この光電変換された信号＋Ｊ： Ｉ
ｎ金属バンプ１２を介して電荷結合素子］１Ｑ）Ｎ型
層９０部分に入力され、この入力信号は電荷結合素子１
１の所定の転送電極に電圧を印加するごとて転送されて
信号処理される。
〔発明が解決し７ようとする課題〕
然し、前記した金属バンプ同志を加圧接続する方法では
、金ＤＩバンプの加圧時に基板に歪が入る恐れがあり、
素子形成領域に転位や格子欠陥が発生ずる欠点かある。
、金ＤＩバンプの加圧時に基板に歪が入る恐れがあり、
素子形成領域に転位や格子欠陥が発生ずる欠点かある。
本発明はヒ記した問題点を除去し、金属バンプを同志を
圧接接合する必要かな（、容易に金属バンプ同志が接合
できる半導体装置の製造方法の提イ共を目的とする。
圧接接合する必要かな（、容易に金属バンプ同志が接合
できる半導体装置の製造方法の提イ共を目的とする。
本発明の方法は第１０に示すように、一方の半導体！。
（板２１に形成した半導体素子２２と、他方の半導体基
板２３に形成した半導体素子２４とを金属バンプ２５．
２６で接合して成る半導体装置の製造であって、前記＋
ｔｌ ＴＬの゛ｌ′、導体素了上に柱状の磁性体２７．
２８を形成後、該磁性体２７．２８の表面に接続用金属
膜２９．３０を被着して金属バンプ２５，２６を形成後
、前記磁性体２７．２８の先端部を互いに異なる磁極と
なるように磁化した後、前記金属バンプ２５，２６の接
続用金属膜２９．３０同志を接触して前記磁性体２７゜
２８の磁力によって金属バンプ２５，２６同志を接合す
ることで構成する。
板２３に形成した半導体素子２４とを金属バンプ２５．
２６で接合して成る半導体装置の製造であって、前記＋
ｔｌ ＴＬの゛ｌ′、導体素了上に柱状の磁性体２７．
２８を形成後、該磁性体２７．２８の表面に接続用金属
膜２９．３０を被着して金属バンプ２５，２６を形成後
、前記磁性体２７．２８の先端部を互いに異なる磁極と
なるように磁化した後、前記金属バンプ２５，２６の接
続用金属膜２９．３０同志を接触して前記磁性体２７゜
２８の磁力によって金属バンプ２５，２６同志を接合す
ることで構成する。
Ａ１互の半導体素子間を接続する金属バンプ２５，２６
を柱状のフェライトのよ・）な磁性体２７．２８で形成
し、その周囲を接続用金属膜２９．３０て被覆する。
を柱状のフェライトのよ・）な磁性体２７．２８で形成
し、その周囲を接続用金属膜２９．３０て被覆する。
そして４〃性体２７ 、２８の先々；ｉ；部を互いに異
なる磁極となるように磁化した後、金属バンプ２５．２
６同志を接着すると、磁極の異なる磁性体２７．２８の
磁力によって金属バンプ同志を加圧することなく容易に
接る゛（き、基板の素子形成領域に転位や歪が入らない
状態で接続できろ。
なる磁極となるように磁化した後、金属バンプ２５．２
６同志を接着すると、磁極の異なる磁性体２７．２８の
磁力によって金属バンプ同志を加圧することなく容易に
接る゛（き、基板の素子形成領域に転位や歪が入らない
状態で接続できろ。
〔実施例］
以下、開面を用いながら本発明の一実施例に付き詳細に
説明する。
説明する。
第２図（ａ）に示すように、一方の化合物半導体基板で
あるＣ ｄ ＴＬ！ 基＋ＩＸ ４１に設けたｌＩｇｌ
−ｘ、 Ｃｄｘ Ｔｅのエピタキシャル層４２＆こＮ型
層４３を形成し、該エピタキシャル層４２の表面をＺｎ
Ｓ膜のような保護膜４４で保護し、該Ｎ型層４３．１−
の保護膜４４を窓開きした後、該Ｎ型層７１３１１：目
ｎ等を筑着して形成した接続用金属膜４５を形成し、そ
の上に例えば直径かｌ Ｑ （１ｍで高さか１０１．ｔ
ｍの円柱状のフェライトより成る磁性体２７を茶着に
より形成する。
あるＣ ｄ ＴＬ！ 基＋ＩＸ ４１に設けたｌＩｇｌ
−ｘ、 Ｃｄｘ Ｔｅのエピタキシャル層４２＆こＮ型
層４３を形成し、該エピタキシャル層４２の表面をＺｎ
Ｓ膜のような保護膜４４で保護し、該Ｎ型層４３．１−
の保護膜４４を窓開きした後、該Ｎ型層７１３１１：目
ｎ等を筑着して形成した接続用金属膜４５を形成し、そ
の上に例えば直径かｌ Ｑ （１ｍで高さか１０１．ｔ
ｍの円柱状のフェライトより成る磁性体２７を茶着に
より形成する。
次いて磁性体２７の周囲をＩｈのような接続用金属１１
Ａ ２９て痰イ゛１またはスバンタ法を用いて被覆する
。
Ａ ２９て痰イ゛１またはスバンタ法を用いて被覆する
。
更に１″ｒ１１記Ｕ７た第２し１（ａ）に示すように一
方のＳｉ基板４６にＰ型層４７を形成後、その上を５ｉ
Ｏｚ膜４８で被照゛シフ、該［）型層４７Ｌの５ｉＯｚ
膜４８を窓開き後、接続用金属膜４９を形成した後、そ
の」−に前記したのと同様に例えは直径かｌＱ７１ｍで
高さが１０８ｍの円柱状のフェライ１〜よりなる磁性体
２８を形成後、その周囲に接続用金属膜３０を被着形成
する。
方のＳｉ基板４６にＰ型層４７を形成後、その上を５ｉ
Ｏｚ膜４８で被照゛シフ、該［）型層４７Ｌの５ｉＯｚ
膜４８を窓開き後、接続用金属膜４９を形成した後、そ
の」−に前記したのと同様に例えは直径かｌＱ７１ｍで
高さが１０８ｍの円柱状のフェライ１〜よりなる磁性体
２８を形成後、その周囲に接続用金属膜３０を被着形成
する。
次いで第２１ｍ（ｂ）に示すように、例えばＳｉ基板４
６に形成した磁性体２８の先端部２８八はＮ極となるよ
うに矢印へ方向より磁石等を用いて磁場を印加して磁（
ヒする。
６に形成した磁性体２８の先端部２８八はＮ極となるよ
うに矢印へ方向より磁石等を用いて磁場を印加して磁（
ヒする。
また図示しないがＣｄＴｅ基板４１に形成した磁性体２
７の先端部は、前記したＳｉｉ板４６に形成した磁性体
２８の先端部と逆方向のＳ極となるように磁場を印加す
る。
７の先端部は、前記したＳｉｉ板４６に形成した磁性体
２８の先端部と逆方向のＳ極となるように磁場を印加す
る。
次いで前記した第２図（ｂ）に示すように両者の基板４
１と４６に形成した金属バンプ２５と２６を接触させる
と、金属バンプ２５の磁性体２７の先端部と、金属バン
プ２６の磁性体２８とはそれぞれ逆方向の磁極に磁化さ
れているので容易に互いに吸引しあうのでその力によっ
て金属バンプ同志が容易に接合され、金属バンプ同志を
相互に圧着する必要かないので半導体素子形成領域に転
位や歪が発生しない状態て容易に金属バンプ同志が接続
でき、半導体素子形成領域に転位や歪を発生しない高信
頼度の半導体装置か４゛７られる。
１と４６に形成した金属バンプ２５と２６を接触させる
と、金属バンプ２５の磁性体２７の先端部と、金属バン
プ２６の磁性体２８とはそれぞれ逆方向の磁極に磁化さ
れているので容易に互いに吸引しあうのでその力によっ
て金属バンプ同志が容易に接合され、金属バンプ同志を
相互に圧着する必要かないので半導体素子形成領域に転
位や歪が発生しない状態て容易に金属バンプ同志が接続
でき、半導体素子形成領域に転位や歪を発生しない高信
頼度の半導体装置か４゛７られる。
（発明の効果Ｊ
以上の説明から明らかなように本発明によれば、Ｉｎ金
属バンプ同志が基板を加圧することなく容易に接続でき
るので、高信頼度の半導体装置が得られる効果かある。
属バンプ同志が基板を加圧することなく容易に接続でき
るので、高信頼度の半導体装置が得られる効果かある。
第１図は本発明の方法の原理図、
第２図（８）より第２図（ｂ）までは本発明の方法の一
実施例を示す断面図、 第３し１は従来の方法の説明図である。 図において、 ２１．２３は半゛Ｗ体基板、２２．２４は半導体素子、
２５゜２６は金属バンプ、２７．２８は磁性体、２８＾
は磁性体の族４部、２９．３０は接続用金属膜、４１は
ＣｄＴｅ基板、４２はエピタキシャル層、４３はＮ型層
、４４は保護膜、４５、４９は接続用金に膜、４６は３
１基板、４７ばＰ型層、４８はＳｉＯ□膜を示す。 −］ （１
実施例を示す断面図、 第３し１は従来の方法の説明図である。 図において、 ２１．２３は半゛Ｗ体基板、２２．２４は半導体素子、
２５゜２６は金属バンプ、２７．２８は磁性体、２８＾
は磁性体の族４部、２９．３０は接続用金属膜、４１は
ＣｄＴｅ基板、４２はエピタキシャル層、４３はＮ型層
、４４は保護膜、４５、４９は接続用金に膜、４６は３
１基板、４７ばＰ型層、４８はＳｉＯ□膜を示す。 −］ （１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一方の半導体基板（２１）に形成した半導体素子（２
２）と、他方の半導体基板（２３）に形成した半導体素
子（２４）とを金属バンプ（２５）で接続して成る半導
体装置の製造に於いて、 前記相互の半導体素子上に柱状の磁性体（２７、２８）
を形成後、該磁性体（２７、２８）の表面に接続用金属
膜（２９、３０）を被着して金属バンプ（２５、２６）
を形成後、前記磁性体（２７、２８）の先端部を互いに
異なる磁極となるように磁化した後、前記金属バンプ（
２５、２６）の接続用金属膜（２９、３０）同志を接触
して前記磁性体（２７、２８）の磁力によって金属バン
プ（２５、２６）同志を接合することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025909A JPH01201930A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025909A JPH01201930A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201930A true JPH01201930A (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12178905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63025909A Pending JPH01201930A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01201930A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0918197A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Nec Corp | プリント板ユニット |
| US9373609B2 (en) | 2012-10-18 | 2016-06-21 | Infineon Technologies Ag | Bump package and methods of formation thereof |
| JP2017539097A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-12-28 | ゴルテック．インク | マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、マイクロ発光ダイオード装置、及び電子機器 |
| JP2019062054A (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱電変換セル及び熱電変換モジュール |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63025909A patent/JPH01201930A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0918197A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Nec Corp | プリント板ユニット |
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