JPH01199642A - 流体用遠赤外線照射装置 - Google Patents

流体用遠赤外線照射装置

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JPH01199642A
JPH01199642A JP2345488A JP2345488A JPH01199642A JP H01199642 A JPH01199642 A JP H01199642A JP 2345488 A JP2345488 A JP 2345488A JP 2345488 A JP2345488 A JP 2345488A JP H01199642 A JPH01199642 A JP H01199642A
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JP
Japan
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fluid
far
radiation
tube
radiation tube
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Pending
Application number
JP2345488A
Other languages
English (en)
Inventor
Hikoichi Nishimura
西村 彦一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHIN NIPPON GIKEN KOGYO KK
Original Assignee
SHIN NIPPON GIKEN KOGYO KK
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/12Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
    • B01J19/122Incoherent waves
    • B01J19/128Infrared light

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Water Treatments (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は水や空気等の流体の流通路に設置して、流体
に遠赤外線を照射せしめる流体用遠赤外線照射装置に関
する。
く従来の技術〉 近時遠赤外線の医学、化学、生物学等における効用が見
出されるに伴い、食品製造や医療、養殖及び垂物飼訂の
分野等における洗浄用、消毒用、材料用等としての水や
空気等の流体に遠赤外線を照射する方法が一般に知られ
ている。そして、これらの流体への遠赤外線照射に際し
て、パネル状のある種のセラミック材、あるいは内外周
面にセラミックコーティングした遠赤外線放射管を用い
ることも公知である。
特に流体流路に放射管を配置してその内部及び外周付近
を流通する流体に遠赤外線を照射する装置にあっては、
放射管内部に遠赤外線を放射するセラミック粒(10〜
15mm径)を充填して内部を流通する流体の滞留時間
を長くすることによって少しでも高密度に遠赤外線照射
を行わせる方法が採用されていた。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかし上記方法で放射管を用いたものでは、セラミック
粒体を多量に必要とし且つセラミック流体を放射管内に
保持するためにステンレス針金で結束する等の保持構造
を得るための材料費及び製造手数が多くかがり、非常に
コスト高となっていた。
また放射管内のセラミック粒体が流体流通の妨げとなっ
て流体抵抗が大きくなるので高い供給圧力を必要とする
とともに、それに伴うケーシング強度等を高める必要が
あり、さらに管内を流れる流体量が相対的に少なくなる
上に放射管内では遠赤外線の照射方向が軸芯方向である
のに流体がセラミック流体の隙間に沿って乱流するため
に遠赤外線の照射効率もきわめて低いという問題がある
その他前記のような従来の61造では全体として遠赤外
線の照射効率が低く且つ放射管の内周と外周を流れる水
の遠赤外線の照射量が不均一である。
〈問題点を解決するための手段〉 上記のような問題点を解消するための本発明の装置の1
つは、流体の上流側と下流側の両端に開口部を有し、内
部を流通する流体に遠赤外線を照射する放射管6を流体
の流通方向に沿って流体流通路内に配置した装置におい
て、上記放射管6の内部にらせん体7を挿入設置して流
通する流体を旋回させる構造とした流体用遠赤外線照射
装置。
またもう1つの発明は、遠赤外線放射管の装置内での保
持構造に関し内部にらせん体7を収容した前記遠赤外線
照射用の放射#r!6を、流体の流通路を形成する筒状
のケーシング1内に複数段配置し、隣接する各段の放射
1rf6の軸芯位置をずらして配置し、流体が該放射管
6の内部と外周部を交互に旋回して流通する機構とした
ことを特徴としている。
く作用〉 図面に示す本発明の装置によれば、継手3を通じてケー
シング1内に流入した流体は一部が放射管6の外部を下
流方向に流れて放射管6の外周より放射される遠赤外線
の電磁場内を通過し、遠赤外線の照射を受ける。また残
りの流体は放射管6内をらせん体7に案内されて旋回し
ながらより高密度の電磁場内を下流方向に流通し、遠赤
外線の照射を受ける。また放射管6がケーシング1内で
複数段設けられている場合、各段の放射W6の軸芯のず
れによって二番口の段階では一段目の放射管6の外周部
から送られたものが二段目の放射管6の内部に送られて
旋回し、−段目で放射管6の内部を通過した流体は二段
目の放射′l?6の外周部で旋回流を形成しながら下流
方向へ流れる。以下放射管6の段数に応じてこれらの段
動は繰り返される。
〈実施例〉 以下図示する実施例につき詳述すると図面は本発明の装
置の断面図で、両端が開放端をなす円筒状のケーシング
1の両端には7ランシ2.2が各容着され、各7ランノ
2には7ランノ付の接続継手3が取り付けられて矢印方
向に流体(水)の流路を形成している。
ケーシング1の上流側及び下流側端部とその中間には一
定間隔の円形の仕切板(放射管6の支持部材)4が水流
と直交する方向に収容され、三段目の遠赤外線照射室5
8〜5cを形成している。仕切板4はステンレス鋼製等
のパンチングメタル又は銅状物等一定の剛性と通水性を
有する部材からなり、内部を流通する流体に侵されない
材質が選ばれている。各照射室5a〜5c内にはケーシ
ング1と同軸方向(水の流路方向)に沿って遠赤外線放
射(照射)用の放射管6が各2本づつ取付支持されてい
る。
各放射管6は両端が開口した素焼の土器管の内周面及び
外周面に遠赤外線を放射させる薬液をコーティングした
公知の陶器製のものからなり、全材質をセラミック部材
にて構成されたものでも良い。また上記マーティング材
としては金属酸化物、炭化物、硅石、粘度等の公知の材
料を使用している6本実施例ではPt51図に示すよう
に上記放射管6内にその内径より僅かに小径をなし放射
管6と略同艮のステンレス薄鋼板からなるらせん体7を
挿入している。
該らせん体7は両端に取付孔8.8を穿設してステンレ
ス鋼製の針金又はその他のクリップ等の取付具9で、前
記仕切板4に取付固定され、放射管6は該らせん体7に
支持される構造となっており、らせん体7内体を遠赤外
線を放射させるセラミック部材又はセラミックコーティ
ング部材とすることも可能であり、そのことにより、よ
り高密度の遠赤外線照射効果が得られる。
そしてPt52図、第3図に示すように各照射室58〜
5cにおいては、2本の放射管6.6がケーシング1の
断面の中心線X又はY上の略対称位置に振り分けて取付
けられ、中心線X、Yは交互に90゜位相がずらされて
いるため、各段における放射管6の軸芯位置も交互にず
れた状態になっている。
上記PIl構においては、上流側からケーシング1内に
送られて米だ水は最初の照射室5aでは放射管6の内部
を流れる水と外部を流れる水とに分かれ、内部を流れる
水はらせん体7によって放射管6内を旋回する。
この結果水は放射管6内においては軸芯方向に放射され
ている高密度の遠赤外線の電束と交差する方向に、しか
も旋回によってより長時間(又は艮い流路)にわたって
照射を受けながら下流方向に流れることとなり、ここで
は水は直進方向に流れるより、より多くの遠赤外線照射
を均一に受けることなる。この時水流はらせん体7によ
り大きな抵抗を受けることなく、比較的スムースに流れ
る。
他方、照射室5a内で放射管6の外周を流れる水は比較
的低密度の遠赤外線の電磁場内を略直心するが、第二段
目の照射室5b内では相当部分の水が放射tr!6内に
流入して旋回し、前記同様高密度の遠赤外線照射を受け
る。また前段の照射室5a内から放出した水は二段目の
照射室5b内では前段で形成された旋回流を残し乍ら放
射管6の外周で水を旋回させる結果、ここでも全体が均
一に遠赤外線照射を受けることとなる。第三段目の照射
室5Cにおていも同様な作用が繰り返えされ、ケーシン
グ1内を流れる水は全体が高密度の遠赤外線照射を受け
る。
12図、第3図では各段における放射管6を2本配置し
たものを示したが、流体に対する遠赤外線の照射量は放
射管6の配置本数が多い程多く、且つ軸芯を各段で交互
に、又は順次ずらす程度に応じて照射効率も変化するが
、円弧状の面から法線状に放射される遠赤外線の光線に
対して流体の流れがより90°に近く且つ多量に交差す
る調和点に各部の設計値を求めることが望ましい。
ちなみに、11図に示すvI造(但し、放射管6の管径
36+n++++全艮105vn)のものを従来のセラ
ミック粒充填型のものと比較した結果、コスト的には約
半額(単体テ約12,0OOF1対約6,000円)テ
アルホか、性能的には同量の放射管を用いて同一流量で
遠赤外線照射した水を切花の蘇生効果で数例比較した処
、従来のものが蘇生に約24時開票したのに対し、本発
明のものではいずれも約6時間前後で蘇生した。
〈発明の効果〉 本発明の装置は以上の如く構成される結果、放射管内に
らせん体を設けるものでは、従来のように内部にセラミ
ック粒を充填するものに比し、流体流に対する抵抗量が
着しく減少し且つ高い効率で多量の遠赤外線照射を流体
に受けさせることができ、コスト的にも者しい低減効果
がある。
また、放射管の配置に関する発明ではさらにケーシング
内を流通する流体に多量の且つ均一に遠赤外線を効率良
く照射する効果がある。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示し、f51図は本発明の遠赤
外線放射管とらせん管の組み合わせ構造を示す断面図、
第2図、第3図は本発明装置の全体断面図及びPt52
図A−A断面図である。 1: ケーシング  6: 放射管 7: らせん体

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)流体の上流側と下流側の両端に開口部を有し、内部
    を流通する流体に遠赤外線を照射する放射管(6)を流
    体の流通方向に沿って流体流通路内に配置した装置にお
    いて、上記放射管(6)の内部にらせん体(7)を挿入
    設置して流通する流体を旋回させる構造とした流体用遠
    赤外線照射装置。 2)内部にらせん体(7)を収容した特許請求の範囲第
    1項に記載の遠赤外線照射用の放射管(6)を、流体の
    流通路を形成する筒状のケーシング(1)内に複数段配
    置し、隣接する各段の放射管(6)の軸芯位置をずらし
    て配置し、流体が該放射管(6)の内部と外周部を交互
    に旋回して流通する機構とした流体用遠赤外線照射装置
JP2345488A 1988-02-03 1988-02-03 流体用遠赤外線照射装置 Pending JPH01199642A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07204664A (ja) * 1994-01-21 1995-08-08 Mitsubishi Constr Co Ltd 上質水製造媒体及び上質水製造装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5336182A (en) * 1976-09-16 1978-04-04 Hitachi Ltd Thin semiconductor single crystal film forming insulation substrate
JPS61259796A (ja) * 1985-05-11 1986-11-18 Toshio Fukazawa 浄水装置

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