JPH0119136B2 - - Google Patents

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JPH0119136B2
JPH0119136B2 JP1808980A JP1808980A JPH0119136B2 JP H0119136 B2 JPH0119136 B2 JP H0119136B2 JP 1808980 A JP1808980 A JP 1808980A JP 1808980 A JP1808980 A JP 1808980A JP H0119136 B2 JPH0119136 B2 JP H0119136B2
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JP
Japan
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photographic
layer
water
compound
compounds
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Expired
Application number
JP1808980A
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English (en)
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JPS56114944A (en
Inventor
Tetsuo Takeuchi
Yasuo Kuraki
Junji Minamizono
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP1808980A priority Critical patent/JPS56114944A/ja
Priority to US06/235,223 priority patent/US4347308A/en
Publication of JPS56114944A publication Critical patent/JPS56114944A/ja
Publication of JPH0119136B2 publication Critical patent/JPH0119136B2/ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/01Sulfonic acids
    • C07C309/02Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C309/03Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
    • C07C309/17Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing carboxyl groups bound to the carbon skeleton
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00Photosensitive materials
    • G03C1/005Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
    • G03C1/06Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein with non-macromolecular additives
    • G03C1/38Dispersants; Agents facilitating spreading
    • G03C1/385Dispersants; Agents facilitating spreading containing fluorine
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00Photosensitive materials
    • G03C1/76Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers
    • G03C1/85Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers characterised by antistatic additives or coatings

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、垯電防止性を改良した写真感光材料
に関するものであり、特に写真感光材料の少なく
ずも䞀局に、アルキルベタむン系界面掻性剀ず、
特定のフツ玠化されたアニオン系界面掻性剀ずを
含有せしめるこずによりすぐれた垯電防止性を付
䞎した写真感光材料に関するものである。 垯電防止性は、衚面抵抗及び垯電量ず関連があ
る。即ち衚面抵抗が䜎く、垯電量が少ないこずが
望たしい。たたこれらの特性の経時による倉化が
少ないこずが芁求される。 写真感光材料は䞀般に電気絶瞁性を有する支持
䜓および写真局から成぀おいるので写真感光材料
の補造工皋䞭ならびに䜿甚時に同皮たたは異皮物
質の衚面ずの間の接觊摩擊たたは剥離をうけるこ
ずによ぀お静電電荷が蓄積されるこずが倚い。こ
の蓄積された静電電荷は倚くの障害を匕起すが、
最も重倧な障害は珟像凊理前に蓄積された静電電
荷が攟電するこずによ぀お感光性乳剀局が感光し
写真フむルムを珟像凊理した際に点状スポツト又
は暹枝状や矜毛状の線斑を生ずるこずである。こ
れがいわゆるスタチツクマヌクず呌ばれおいるも
ので写真フむルムの商品䟡倀を著しく損ね、堎合
によ぀おは党く倱なわしめる。䟋えば医療甚又は
工業甚−レむフむルム等に珟われた堎合には非
垞に危険な刀断に぀ながるこずは容易に認識され
うるであろう。この珟像は珟像しおみお初めお明
らかになるもので非垞に厄介な問題の䞀぀であ
る。たたこれらの蓄積された静電電荷はフむルム
衚面ぞ塵埃が付着したり、塗垃が均䞀に行なえな
いなどの第次的な故障を誘起せしめる原因にも
なる。 かかる静電電荷は前述したように写真感光材料
の補造および䜿甚時にしばしば蓄積されるのであ
るが䟋えば補造工皋に斌おは写真フむルムずロヌ
ラヌずの接觊摩擊あるいは写真フむルムの巻取
り、巻戻し工皋䞭での支持䜓面ず乳剀面の分離等
によ぀お発生する。たた仕䞊り補品に斌おは写真
フむルムを巻取り切換えを行な぀た堎合のベヌス
面ず乳剀面ずの分離によ぀お、たたは−レむフ
むルムの自動撮圱機䞭での機械郚分あるいは螢光
増感玙ずの間の接觊分離等が原因ずな぀お発生す
る。その他包装材料ずの接觊などでも発生する。
かかる静電電荷の蓄積によ぀お誘起される写真感
光材料のスタチツクマヌクは写真感光材料の感床
の䞊昇および凊理速床の増加によ぀お顕著ずな
る。特に最近においおは、写真感光材料の高感床
化および高速塗垃、高速撮圱、高速自動凊理化等
の苛酷な取り扱いを受ける機䌚が倚くな぀たこず
によ぀お䞀局スタチツクマヌクの発生が出易くな
぀おいる。 これらの静電気による障害をなくすのに最も良
い方法は物質の電気䌝導性を䞊げお蓄積電荷が攟
電する前に静電荷を短時間に逞散せしめるように
するこずである。 したが぀お埓来から写真感光材料の支持䜓や各
皮塗垃衚面局の導電性を向䞊させる方法が考えら
れ皮々の吞湿性物質や氎溶性無機塩、ある皮の界
面掻性剀、ポリマヌ等の利甚が詊みられおきた。
䟋えば米囜特蚱第2882157号、同2972535号、同
3062785号、同3262807号、同3514291号、同
3615531号、同3753716号、同3938999号等に蚘茉
されおいるようなポリマヌ、䟋えば、米囜特蚱第
2982651号、同3428456号、同3457076号、同
3454625号、同3552972号、同3655387号等に蚘茉
されおいるような界面掻性剀、䟋えば米囜特蚱第
3062700号、同3245833号、同3525621号に蚘茉さ
れおいるような酞化亜鉛、半導䜓、コロむドシリ
カ等が知られおいる。 しかしながらこれら倚くの物質はフむルム支持
䜓の皮類や写真組成物の違いによ぀お特異性を瀺
し、ある特定のフむルム支持䜓および写真乳剀や
その他の写真構成芁玠には良い結果を䞎えるが他
の異な぀たフむルム支持䜓および写真構成芁玠で
は垯電防止に党く圹に立たないばかりでなく、写
真性にも悪圱響を及がす堎合がある。特に芪氎性
コロむド局に察する垯電防止は非垞に困難であ぀
お、䜎湿で衚面抵抗の䜎䞋が充分でなか぀たり、
高枩高湿においお写真感光材料同志たたは他の物
質ずの間で接着故障の生じる堎合がしばしばあ
る。 䞀方垯電防止効果は極めおすぐれおいるが写真
乳剀の感床、カブリ、粒状性、シダヌプネス等の
写真特性に悪圱響を及がすため䜿甚できないこず
もしばしばある。䟋えばポリ゚チレンオキサむド
系化合物は垯電防止効果を有するこずが䞀般に知
られおいるが、カブリの増加、枛感、粒状性の劣
化等の写真特性ぞの悪圱響をもたらすこずが倚
い。特に医療甚盎接−レむ感材のように支持䜓
の䞡面に写真乳剀が塗垃されおいる感材では写真
特性に悪圱響を䞎えないで垯電防止性を効果的に
付䞎する技術を確立するこずは困難であ぀た。 たた垯電防止を行぀おも経時により垯電防止性
が枛少しおしたうこずが倚く、安定した垯電防止
技術を確立するこずは特に困難であ぀た。 このように写真感光材料ぞ垯電防止剀を適甚す
るこずは、非垞に困難で䞔぀その甚途範囲が限定
されるこずが倚い。 本発明の第の目的は、垯電防止された写真感
光材料を提䟛するこずである。 本発明の第の目的は、䜎湿時25RH付
近に斌いおも衚面抵抗が䜎く垯電量の少ない写
真感光材料を提䟛するこずである。 本発明の第の目的は、これらの特性の経時に
よる倉化が少ない写真感光材料を提䟛するこずで
ある。 この目的は写真感光材料を構成する写真局の少
なくずも䞀局、特に奜たしくは、最倖局にアルキ
ルベタむン系界面掻性剀ず、䞋蚘䞀般匏で
衚わされるフツ玠化アニオン系界面掻性剀を含有
せしめるこずにより達成された。 䞀般匏 ここに、R1、R2のどちらか䞀方は眮換又は未
眮換のアルキル基又はアリヌル基を衚わし、他方
は、フツ玠眮換されたアルキル基を衚わす。 R1又はR2がアルキル基を衚わす堎合、アルキ
ル基ずしおは炭玠数〜30、特に〜20であるも
のが奜たしい。又、アルキル基の眮換基ずしお
は、䟋えばアルコキシ基、ハロゲン原子䟋えば
塩玠、フツ玠アリヌル基、アシルオキシ基、ア
リヌルオキシ基などを挙げるこずが出来る。 R1又はR2はアリヌル基を衚わす堎合は、プ
ニル基又はナフチル基が奜たしい。アリヌル基の
眮換基ずしおは、䟋えばアルキル基、アルコキシ
基、ハロゲン原子䟋えば塩玠、フツ玠などを
挙げるこずが出来る。 R1又はR2はフツ玠眮換されたアルキル基を衚
わすが、フツ玠眮換されたアルキル基ずしおは、
CH2oCnF2n+1、又はCH2oCF2n䜆し
、又は、〜12で衚わされるフツ
玠化アルキル基、CH2CH2Oo1CH2o
CmF2n+1䜆しn1〜、CH2CH2Oo1
CH2oCF2n、CH2o1NHCOCF2n又
はCH2o1NHCOCnF2n+1を挙げるこずが出来
る。はカチオンを衚わし、䟋えば氎玠原子、ア
ルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アンモ
ニりム、アミンなどを挙げるこずが出来る。特に
奜たしい䟋ずしおは、Na+、K+、Ca++、NH+ 4、
C2H5−H3、C2H53、H3CH2CH2OH
などを挙げるこずが出来る。 䞀般匏で衚わされる化合物の具䜓的化合
物䟋を以䞋に瀺すが本発明はこれに限定されるも
のではない。 化合物䟋 アルキルベタむン系界面掻性剀に぀いおは、ベ
ルギヌ特蚱第685501号、特公昭43−1027号、特公
昭50−5048号に蚘茉されおいるがこれらを各々単
独で添加しおも衚面抵抗は、ほずんど䜎䞋せず、
しかも垯電量が高い為、垯電防止剀ずしおは、䞍
適圓である。 又、埌でも述べるが、特公昭52−39291号に蚘
茉されおいる劂きフツ玠系界面掻性剀を䞊述のア
ルキルベタむン系界面掻性剀ず䜵甚しおも衚面抵
抗はほずんど䜎䞋せず、垯電系列の調敎も非垞に
困難で、垯電防止性の経時性も悪い為充分な垯電
防止効果が埗られない。 これに察しお本発明の䞀般匏で衚わされ
る化合物ず、アルキルベタむン系界面掻性剀ずを
䜵甚するず、䞊述の目的を充分満たした写真感光
材料が埗られる。本発明化合物ず䜵甚するアルキ
ルベタむン系化合物の内、特に䞋蚘の䞀般匏
又はで瀺される化合物が特に効果が
倧きい。 䞀般匏 䞀般匏 䞀般匏、においお、 炭玠数〜21の飜和たたは䞍飜和炭化氎玠 R1、R2炭玠数〜18のアルキル基、ハむドロ
オキシアルキル基、ポリアルキレンオキシド
基 R3、R4氎玠原子又は炭玠数〜のアルキル
基 以䞊 又は 䞀般匏、の化合物で、曎に奜たしい
ものは、炭玠数11〜17のアルキル基、R1、
R2炭玠数〜のアルキル基、R3、R4氎玠
原子、〜、又はの化合物であ
る。 これらの䞀般匏で衚わされる化合物の具䜓䟋ず
しおは、次の劂きものがある。 化合物䟋 次に、䞀般匏、及びで衚わさ
れる化合物の合成䟋を瀺す。 合成䟋 化合物䟋−−11の合成 むタコン酞130.1gずデシルアルコヌル150.4g及
び−トル゚ンスルホン酞1.5gをトル゚ン200ml
で加熱還流し、時間で氎9.1mlを陀去した。 反応埌冷华し析出した結晶をロ取し、氎、ヘキ
サンで良く掗浄し128.8g50.2gの収量でモノデ
シルむタコン酞゚ステルを埗た。 mp68.5〜69.5℃ 䞊蚘モノ゚ステル108.1gを五塩化リン83.3gず
宀枩で時間反応し副生した五塩化リンを枛圧䞋
に留去し、124gの残枣油分を埗た。 次にドデカフルオロヘプタノヌル75.7gずピリ
ゞン18g及びクロロホルム100mlに䞊蚘で埗られ
た゚ステル−酞クロラむドを60.1g、30℃以䞋で
滎䞋した。そしお4.5時間加熱還流し冷华埌、氎、
垌炭酞氎玠ナトリりム氎で掗浄した。クロロホル
ムを留去埌、枛圧蒞留し、沞点185〜195℃mm
Hgの留分78.3g64.4を埗た。 この゚ステル60.1gず亜硫酞氎玠ナトリりム
14.2gã‚’æ°Ž14.2g䞭で加熱還流し15時間反応終
了埌、氎を留去した。残枣を゚タノヌル300mlに
溶解し䞍溶分無機分を陀去しお目的ずする化
合物10を埗た。収量65.8gであ぀た。 合成䟋 化合物䟋−−12の合成 むタコン酞65.1g、ドデカフルオロヘプタノヌ
ル365.3g、−トル゚ンスルホン酞1g及びトル゚
ン100mlを加熱還流し、24時間で氎12mlを留去し
た。反応液を冷华しお析出した結晶をロ取し氎、
ヘキサンで掗浄した。収量106g 䞊蚘モノ゚ステル88.8gを五塩化リン41.7gで宀
枩にお反応させ、曎に55℃で時間反応させた
埌、枛圧䞋に副生するオキシ塩化リンを留去し
た。収量92.5gの油状物を埗た。 次に−゚チルヘキサノヌル26.0g、ピリゞン
15.8gを含むクロロホルム100ml溶液に䞊蚘で埗た
酞クロラむドを40℃以䞋で滎䞋した。曎に時間
加熱還流しお反応を完結した埌、氎、垌重曹氎、
氎で掗浄しおクロロホルムを留去した。残枣オむ
ルを枛圧蒞留しbp152〜160℃mmHgの油分
69gを埗た。 䞊蚘゚ステル64.0gを亜硫酞氎玠ナトリりム
13.2g、氎20mlず加熱還流13時間した埌、氎
を留去した。残留ワツクスをベンれン200mlに溶
解し䞍溶分をロ過埌目的物12を64.0g埗た。 合成䟋 化合物䟋−−の合成 むタコン酞35.5g、ドデカフルオロヘプタノヌ
ル230gず−トル゚ンスルホン酞2g、トル゚ン
100mlで加熱還流し、20時間埌に氎4.5mlを留去し
た。氎、垌カセむ゜ヌダ氎、氎で掗浄しトル゚ン
を留去埌、枛圧蒞留した。bp165〜172℃1.5mm
Hgで収量105gであ぀た。 䞊蚘゚ステル105gを亜硫酞氎玠ナトリりム15g
及び氎20ml䞭で加熱し時間埌に均䞀な氎可溶な
溶液を埗た。反応埌、氎を留去しお、゚タノヌル
に溶解し、䞍溶分を留去した埌゚タノヌルを留去
しお、無色なワツクスを埗た。 収量120g。 合成䟋 化合物䟋−−13の合成 むタコン酞260.2g、−゚チルヘキサノヌル
247.4g、−トル゚ンスルホン酞3g及びトル゚ン
300mlを甚いお8.5時間加熱還流し、氎38.4mlを脱
氎した。冷华埌䞍溶分をロ別し、ロ液を氎で掗浄
し、トル゚ンをロ別した。残枣油分を枛圧蒞留
し、bp158〜162℃mmHgで314g68.2のオ
むル分モノ゚ステルを埗た。 䞊蚘モノ゚ステル266.5gを五塩化リン229.1gで
反応宀枩させ、副生するオキシ塩化リンを枛
圧䞋に留去した。埗られた油状分はモノ゚ステル
モノカルボン酞クロラむドである。 次にノナフルオロヘキサノヌル58.1g、トリ゚
チルアミン22.3g及びクロロホルム100mlからなる
溶液に䞊蚘酞クロラむド57.1gを℃以䞋で滎䞋
した埌、宀枩で時間、70℃で時間反応させ
た。冷华埌、氎、垌カセむ゜ヌダ氎、氎で掗浄
し、クロロホルムを留去しお、枛圧蒞留した。
bp148〜154℃〜mmHg。収量27.1gであ぀
た。 続いお、䞊蚘゚ステル24.3g、亜硫酞氎玠ナト
リりム5.5g及び氎10mlを加えお100℃、時間反
応させた。冷华埌゚タノヌル10mlを加えお、ヘキ
サン50mlで回掗浄した。゚タノヌル、氎を留去
埌、゚タノヌル50mlに溶解しお䞍溶分をロ別し、
ロ液を枛圧也固しお目的ずする化合物13を
13.3g埗た。 合成䟋 化合物䟋−−の合成 反応容噚にトル゚ン78g、トリ゚チルアミン
5.4g、−ゞメチルプロピレンゞアミン6gを
加え、宀枩にお撹拌する。これに、ラりロむル酞
クロラむド11.5gずトル゚ン22gを混合した溶液を
50℃以䞋で滎䞋した。その埌反応枩床を60℃に䞊
げ30分撹拌を続けた。 加熱終了埌氎を加え、塩類を陀去、トル゚ン溶
液を濃瞮しお固䜓を取り出せば、収率99で、癜
色固䜓を埗た。融点37℃、同定は垞法により行な
぀た。これがC11H23CONHCH23NCH32であ
る。 次に䞊述の反応で埗た、䞭間䜓14.9gを、メタ
ノヌル7gず混合した溶液を぀くり、これずは別
に反応容噚にモノクロル酢酞5gず、メタノヌル
6gを加え撹拌しおおいた。この溶液にナトリり
ムメチラヌト28溶液10.3gを系内の枩床が40℃
を越えないように滎䞋した。さらに前述で調液し
た䞭間䜓メタノヌル溶液を滎䞋し、系内の枩床を
70℃に䞊げ時間加熱撹拌を続けた。その埌メタ
ノヌルを枛圧で陀去し、也固した埌メタノヌル
12.5gに溶解し、䞍溶解塩類を陀去し、アセトン
36gを添加、加熱ろ過しお冷华すれば癜色、氎可
溶性の化合物を埗た。也燥埌の収量は、15.2g85
であり、融点130〜135℃である。化合物の同
定は垞法に埓぀お行な぀た。 本発明に甚いられるフツ玠化アニオン系界面掻
性剀及びアルキルベタむン系界面掻性剀は、写真
感光材料の写真構成局、䟋えばハロゲン化銀乳剀
局、衚面保護局、䞭間局、バツク局、オヌバヌコ
ヌト局などの少なくずも局に含有せしめられる
が、特に衚面保護局、バツク局又はオヌバヌコヌ
ト局の劂き衚面局に含有せしめるのが奜たしい。 本発明の化合物を写真感光材料に適甚するに圓
぀おは、氎、あるいは、メタノヌル、む゜プロパ
ノヌル、アセトン等の有機溶媒、又はそれらの混
合溶媒に溶解埌、衚面保護局、バツク局等の塗垃
液に添加しデむツプコヌト、゚アヌナむフコヌ
ト、あるいは米囜特蚱2681294号に蚘茉のホツパ
ヌを䜿甚する゚クスルヌゞペンコヌトの方法によ
り塗垃するか、米囜特蚱3508947号、同2941898
号、同3526528号などに蚘茉の方法により皮又
はそれ以䞊の局を同時に塗垃するか、あるいは垯
電防止液䞭に浞挬する。又必芁に応じお保護局の
䞊に曎に本発明の化合物を含む垯電防止液を塗蚭
する。 本発明に甚いられるアルキルベタむン系界面掻
性剀、フツ玠化アニオン系界面掻性剀の䜿甚量
は、垯電防止効果を呈するに充分な量でよく該ア
ルキルベタむン系界面掻性剀の奜たしい䜿甚量は
10〜500mgm2で特に奜たしくは30〜100mgm2で
あり、フツ玠化アニオン系界面掻性剀の奜たしい
䜿甚量は〜100mgm2で特に奜たしくは20〜50
mgm2である。 䞊蚘の範囲は䜿甚する写真フむルムベヌスの皮
類、写真組成物圢態たたは塗垃方匏によ぀お異な
るこずは勿論である。 本発明の写真感光材料の支持䜓ずしお䜿甚され
るものは䟋えばセルロヌスナむトレヌトフむル
ム、セルロヌスアセテヌトフむルム、セルロヌス
アセテヌトブチレヌトフむルム、セルロヌスアセ
テヌトプロピオネヌトフむルム、ポリスチレンフ
むルム、ポリ゚チレンテレフタレヌトフむルム、
ポリカヌボネヌトフむルムその他これらの積局
物、等がある。曎に詳现にはバラむタ又はα−オ
レフむンポリマヌ特にポリ゚チレン、ポリプロピ
レン、゚チレン−ブテンコポリマヌ等炭玠原子
〜10個のα−オレフむンのポリマヌを塗垃たたは
ラミネヌトした玙、を挙げるこずが出来る。 本発明の写真感光材料においお各写真構成局は
たた次のようなバむンダヌを含むこずができる。
䟋えば芪氎性コロむドずしおれラチン、コロむド
状アルブミン、カれむンなどの蛋癜質カルボキ
シメチルセルロヌス、ヒドロキシ゚チルセルロヌ
ス等のセルロヌス化合物寒倩、アルギン酞゜ヌ
ダ、でんぷん誘導䜓等の糖誘導䜓合成芪氎性コ
ロむド䟋えばポリビニルアルコヌル、ポリ−−
ビニルピロリドン、ポリアクリル酞共重合䜓、ポ
リアクリルアミドたたはこれらの誘導䜓および郚
分加氎分解物等が挙げられる。必芁に応じおこれ
らのコロむドの二぀以䞊の混合物を䜿甚する。 この䞭で最も甚いられるのはれラチンであるが
ここに蚀うれラチンはいわゆる石灰凊理れラチ
ン、酞凊理れラチンおよび酞玠凊理れラチンを指
す。 本発明に甚いられる写真感光材料のハロゲン化
銀乳剀は通垞、氎溶性銀塩䟋えば硝酞銀溶液
ず氎溶性ハロゲン塩䟋えば臭化カリりム溶液
ずをれラチンの劂き氎溶性高分子溶液の存圚䞋で
混合しお぀くられる。このハロゲン化銀ずしおは
塩化銀、臭化銀のほかに混合ハロゲン化銀䟋えば
塩臭化銀、沃臭化銀、塩沃臭化銀等を甚いるこず
ができる。これらのハロゲン化銀粒子は公知、慣
甚の方法に埓぀お䜜られる。勿論いわゆるシング
ルゞ゚ツト法、ダブルゞ゚ツト法、コントロヌル
ダブルゞ゚ツト法等を甚いお䜜るこずも有甚であ
る。 たた本発明に甚いられる写真感光材料の写真乳
剀には感光材料の補造工皋、保存䞭あるいは凊理
䞭の感床䜎䞋やカブリの発生を防ぐために皮々の
化合物を添加するこずができる。それらの化合物
は−ヒドロキシ−−メチル−3a
−テトラザむンデン−−メチル−ベンゟチア
ゟヌル、−プニル−−メルカプトテトラゟ
ヌルをはじめ倚くの耇玠環化合物、含氎銀化合
物、メルカプト化合物、金属塩類など極めお倚く
の化合物が叀くから知られおいる。 ハロゲン化銀写真乳剀がカラヌ写真感光材料ず
しお甚いられる堎合にはカプラヌをハロゲン化銀
乳剀局䞭に含たせおもよい。この様なカプラヌは
圓量型のゞケトメチレン系む゚ロヌカプラヌ、
圓量型のゞケトメチレン系む゚ロヌカプラヌ、
䟋えば米囜特蚱第3277157号、同3408194号、同
3551155号、特開昭47−26133号、同48−66836号
等に蚘茉された化合物圓量型又は圓量型の
ピラゟロン系マれンタカプラヌやむンダゟロン系
マれンタカプラヌ䟋えば米囜特蚱第2600788号、
同3214437号、同3476560号、特開昭47−26133号
等に蚘茉された化合物α−ナフトヌル系シアン
カプラヌやプノヌル系シアンカプラヌ䟋えば米
囜特蚱第2474293号、同3311476号、同3481741号、
等に蚘茉された化合物などが甚いられる。そのほ
かに米囜特蚱第3227554号、同3253924号、同
3379529号、同3617291号、同3770436号等に蚘茉
された珟像抑制剀を攟出しうるカプラヌも䜿甚す
るこずができる。 本発明の写真感光材料におけるハロゲン化銀乳
剀局およびその他の芪氎性コロむド局は各皮の有
機たたは無機の硬化剀単独たたは組合せおに
より硬化されうる。 代衚的な䟋ずしおはムコクロル酞、ホルムアル
デヒド、トリメチロヌルメラミン、グリオキザヌ
ル、−ゞヒドロキシ−−ゞオキサ
ン、−ゞヒドロキシ−−メチル−
−ゞオキサン、サクシンアルデヒド、グルタルア
ルデヒドの劂きアルデヒド系化合物ゞビニルス
ルホン、メチレンビスマレむミド、−
トリアクリロむル−ヘキサヒドロ−−トリアゞ
ン、−トリビニルスルホニル−ヘキサ
ヒドロ−−トリアゞン、−ビスビニル
スルホニルメチルプロパノヌル−、ビスα
−ビニルスルホニルアセトアミド゚タンの劂き
掻性ビニル系化合物−ゞクロロ−−ヒ
ドロキシ−−トリアゞン・ナトリりム塩、
−ゞクロロ−−メトキシ−−トリアゞンの
劂き掻性ハロゲン化合物−トリ゚チ
レンむミノ−−トリアゞンの劂き゚チレンむミ
ン系化合物などを挙げるこずが出来る。 本発明の写真構成局には本発明の界面掻性剀以
倖に公知の界面掻性剀を甚いるこずも出来る。そ
れらは塗垃助剀ずしお甚いられるものであるが、
時ずしおその他の目的、䟋えば乳化分散、増感そ
の他の写真特性の改良、垯電列調敎等のためにも
適甚される。 これらの界面掻性剀はサポニン等の倩然界面掻
性剀、アルキレンオキシド系、グリセリン系、グ
リシドヌル系などのノニオン界面掻性剀、高玚ア
ルキルアミン類、第玚アンモニりム塩類、ピリ
ゞンその他の耇玠環類、ホスホニりムたたはスル
ホニりム類等のカチオン界面掻性剀カルボン
酞、スルホン酞、リン酞、硫酞゚ステル、リン酞
゚ステル等の酞性基を含むアニオン界面掻性剀、
アミノ酞類、アミノスルホン酞類、アミノアルコ
ヌルの硫酞たたはリン酞゚ステル類等の䞡性界面
掻性剀にわけられる。 これら䜿甚しうる界面掻性剀化合物䟋の䞀郚は
米囜特蚱第2271623号、同2240472号、同2288226
号、同2739891号、同3158484号、同3201253号、
同3294540号、同3415649号、同3441413号、同
3442654号、同3545974号、同3666478号、同
3507660号、英囜特蚱第1198450号明现曞等に蚘茉
されおいる。 又、本発明に斌おは、滑性化組成物、䟋えば米
囜特蚱第3079837号、同第3080317号、同第
3545970号、同第3294537号及び日本公開特蚱昭52
−129520号で瀺されるような倉性シリコヌン等を
写真構成局䞭に含むこずができる。 本発明の写真感光材料は写真構成局䞭に米囜特
蚱第3411911号、同3411912号、特公昭45−5331号
等に蚘茉のポリマヌラテツクスを、又マツト剀ず
しお䟋えばシリカ、硫酞ストロンチりム、硫酞バ
リりム、ポリメチルメタクリレヌト等を含むこず
ができる。 本発明の実斜によ぀お写真感光材料の補造工皋
䞭およびあるいは䜿甚時に起るスタチツクに起
因した故障が改善された。 䟋えば本発明の実斜により写真感光材料の乳剀
面ずバツク局ずの間の接觊、乳剀面ず乳剀面ずの
間の接觊および写真感光材料が䞀般によく接觊す
る物質䟋えばゎム、金属、プラスチツク及び螢光
増感玙等ずの接觊に起因するスタチツクマヌクの
発生は著しく枛少した。特に驚くべきこずには埌
述の実斜䟋に瀺すように本発明に䜿甚する化合物
矀を写真感光材料の少なくずも䞀局に適甚した堎
合に衚面抵抗率を著しく䜎䞋させるこずず、垯電
量を著しく䜎䞋させ䞔぀垯電列の調敎が容易にで
きるこずず、さらには、これらの特性の経時によ
る倉化が少ないこずである。特に䞀般匏に
おいおがの化合物の堎合には、これらの特性
の経時性良化に効果がある。 写真甚ずしお公知の垯電防止剀、䟋えば特公昭
52−39291号に蚘茉されおいる劂き化合物等は同
じように最倖局に適甚しおも衚面抵抗率はほずん
ど䜎䞋せず又垯電列の調敎も非垞に困難で垯電防
止性の経時安定性も悪い。 たた本発明に甚いられる化合物は写真フむルム
をカセツトに入れる堎合やカメラに装填する堎合
及び−レむフむルムのように自動撮圱機で高速
でしかも連続倚量に撮圱する堎合等で起る垯電を
䜎湿床においおも極めお有効に防止できしかも垯
電防止効果は経時や摩擊によ぀お䜎䞋しない。 次に本発明の効甚を実斜䟋を挙げお具䜓的に説
明するが本発明はこれに限定されるものではな
い。 実斜䟋  保護局、乳剀局、ポリ゚チレンテレフタレヌト
フむルム支持䜓、乳剀局及び保護局の順に重ねお
構成された詊料(1)〜(12)を垞法に埓぀お塗垃也燥し
お䜜぀た。各局の組成は以䞋に瀺されおいる。 乳剀局 バむンダヌれラチン2.5gm2 塗垃銀量5gm2 ハロゲン化銀組成Agl1.5モルAgBr98.5
モル 硬膜剀クロム明バン0.8g100gバむンダヌ カブリ抑制剀−プニル−−メルカプト
テトラゟヌル0.5gAg100g 保護局 バむンダヌれラチン1.7gm2 硬膜剀−ヒドロキシ−−ゞクロロ−
−トリアゞン・ナトリりム塩0.4g100gバむン
ダヌ マツト化剀ポリメチルメタアクリレヌト平
均粒埄5Ό25mgm2 第衚に瀺すようにアルキルベタむン系化合物
ず䞀般匏で衚わされるフツ玠化アニオン系
化合物䞊にタむプずしおサポニンを保護局に加え
お塗垃也燥した、これらの写真フむルムを25℃25
RHで時間調湿埌、䞋蚘の方法で衚面抵抗率
ず垯電量、スタチツクマヌク発生量を枬定した。 尚、比范の為特公昭52−39291号蚘茉フツ玠化
化合物を含んだ詊料を䜜補した。 (ã‚€) 衚面抵抗率の枬定 詊料片を電極間隔0.14cm長さ10cmのしんちゆ
う補電極詊料片ず接する郚分はステンレス䜿
甚にはさみ、タケダ理研補゚レクトロメヌタ
ヌTR−8651で分倀を読みオヌムの法則
に埓぀お衚面抵抗率を蚈算した。衚面抵抗率の
倀が小さいほど垯電防止性が良いこずを瀺す。 (ロ) 垯電量の枬定 cm×30cmの詊料片を加重Kg、速床
125mのゎムステンレスロヌラヌでロヌ
リングし、フアラデヌケヌゞで垯電量を枬定す
るこずにより評䟡した。 (ハ) スタチツクマヌク発生量の枬定 写真フむルム詊料の衚面ず癜色ゎム板ずを重
ね合せ、癜色ゎム板䞊をゎムロヌラヌで圧着
し、䞀定の摩擊を䞎えた埌、癜色ゎム板を取り
陀き珟像、定着、氎掗しおスタチツクマヌクの
発生量を調べた。 第衚に瀺した詊料に぀いお調べた結果は第
衚に瀺されおいる。
【衚】
【衚】  カツコ内の倀はケ月経時埌の枬定倀
スタチツクマヌク発生量の評䟡は スタチツクマヌクの発生が党く認められず  〃 少し発生する  〃 盞圓 〃  〃 著しく 〃  〃 党面に 〃 の段階に分けた。 第衚からアルキルベタむン系化合物ず本発明
フツ玠系界面掻性剀の双方を同時に保護局に添加
するず衚面抵抗及び垯電量が䜎䞋し著るしく垯電
防止性が良化する。又、これら垯電防止性の経時
性は良奜である。他方、特公昭蚘茉化物は、衚面
抵抗は党く䜎䞋せず、しかも添加量の埮量の倉化
で垯電列は倧きく倉化する。 実斜䟋  䞉酢酞セルロヌス支持䜓、ハレヌシペン防止
局、赀感光局、䞭間局、緑感光局、黄色フむルタ
ヌ局、青感光局および保護局の順に重ねお構成さ
れた詊料(1)、(2)、(3)及び(4)を垞法に埓぀お塗垃、
也燥しお぀く぀た。各局の組成は以䞋に瀺されお
いる。 ハレヌシペン防止局 バむンダヌれラチン4.4gm2 硬膜剀−ビスビニルスルホニル−
プロパノヌル− 1.2g100gバむンダヌ 塗垃助剀ドデシルベンれンスルホン酞ナトリ
りムmgm2 ハレヌシペン防止成分黒色コロむド銀0.4g
m2 赀感光局 バむンダヌれラチン7gm2 硬膜剀−ビスビニルスルホニル−
プロパノヌル− 1.2g100gバむンダヌ 塗垃助剀ドデシルベンれンスルホン酞ナトリ
りム10mgm2 塗垃銀量3.1gm2 ハロゲン化銀組成AgI2モルAgBr98モル
 カブリ抑制剀−ヒドロキシ−−メチル−
3a−テトラザむンデン0.9g
Ag100g 発色剀−ヒドロキシ−−−アセチル
プニルアゟ−−〔−−ゞ−tert−
アミノプノキシブチル〕−−ナフトアミド
38gAg100g 増感色玠アンヒドロ−5′−ゞクロロ−
−゚チル−3′−ゞ−スルホプロピルチ
アカルボシアニンヒドロキシド・ピリゞニりム塩
0.3gAg100g 䞭間局 バむンダヌれラチン2.6gm2 硬膜剀−ビスビニルスルホニル−
プロパノヌル− 1.2g100gバむンダヌ 塗垃助剀ドデシルベンれンスルホン酞ナトリ
りム12mgm2 緑感光局 バむンダヌれラチン6.4gm2 硬膜剀−ビスビニルスルホニル−
プロパノヌル− 1.2g100gバむンダヌ 塗垃助剀ドデシルベンれンスルホン酞ナトリ
りムmgm2 塗垃銀量2.2gm2 ハロゲン化銀組成AgI3.3モルAgBr96.7
モル 安定剀−ヒドロキシ−−メチル−
3a−テトラザむンデン0.6gAg100g 発色剀−−トリクロロプニ
ル−−−〔−ゞ−tert−アミノプ
ノキシアセトアミド−−−メトキシプ
ニルアゟ−−ピラゟロン37gAg100g 増感色玠アンヒドロ−5′−ゞプニル−
−゚チル−3′−ゞ−スルポチルオ
キサカルボシアニンヒドロキシド・ピリゞニりム
å¡©0.3gAg100g 黄色フむルタヌ局 バむンダヌれラチン2.3gm2 フむルタヌ成分黄色コロむド銀0.7gm2 硬膜剀−ビスビニルスルホニル−
プロパノヌル− 1.2g100gバむンダヌ 界面掻性剀−スルホナトコハク酞ビス
−゚チルヘキシル゚ステル・ナトリりム塩
mgm2 青感光局 バむンダヌれラチン7gm2 硬膜剀−ビスビニルスルホニル−
プロパノヌル− 1.2g100gバむンダヌ 塗垃助剀ドデシルベンれンスルホン酞ナトリ
りムmgm2 塗垃銀量2.2gm2 ハロゲン化銀組成AgI3.3モルAgBr96.7
モル 安定剀−ヒドロキシ−−メチル−
3a−テトラザむンデン0.4gAg100g 発色剀2′−クロロ−5′−〔−−ゞ−
tert−アミルプノキシブチルアミド〕−α−
5′−ゞメチル−ゞオキ゜−−オキ
サゟリルゞニル−α−−メトキシベンゟむ
ルアセトアニリド45gAg100g 保護局 バむンダヌれラチン2gm2 硬膜剀−ビスビニルスルホニル−
プロパノヌル− 1.2g100gバむンダヌ マツト化剀平均粒埄玄5Όのポリメチルメタ
アクリレヌト 20mgm2 塗垃助剀ゞオクチルスルホコハク酞ナトリり
ムmgm2 詊料21は䞊蚘組成のみから成り、詊料
22は詊料21の組成に加えお保護局に本発
明のアルキルベタむン系化合物−− 50mg
m2含み詊料23は化合物− 50mgm2及び
本発明の化合物−を40mgm2、詊料24は
本発明の化合物− 50mgm2、本発明の化合
物− 40mgm2含む。 詊料21〜24の垯電防止性を枬定した結
果は第衚に瀺されおいる。
【衚】 第衚の結果からアルキルベタむン系化合物ず
フツ玠化アニオン系界面掻性剀を保護局に添加す
るず垯電防止性が著るしく良化するこずが分か
る。 実斜䟋  䞋塗りを斜したポリ゚チレンテレフタレヌトフ
むルムベヌスにれラチン、沃臭化銀沃化銀
1.5モルを含むレントゲン写真甚高感床
乳剀に安定剀、硬膜剀等の添加剀を加えた写真乳
剀塗垃液ず衚面保護局ずしお垯電防止剀を含たな
いれラチンを䞻䜓ずする氎溶液を連続塗垃し也燥
した。各局の組成は第衚に瀺される。埗られ
たこの詊料を分けお第衚に瀺す化合物の各
氎溶液混合物の堎合は重量比で化合物−が
70、化合物−11が30ずし、党䜓でずな
るように調補䞭に別々に30秒間浞挬凊理した。
たた比范のためサポニンの氎溶液で同様に凊
理した。これらの写真フむルム詊料は25℃、25
RHで時間調湿しおから䞋蚘の方法で衚面抵抗
率を枬定した。たたこの写真フむルム詊料の衚面
ず癜色ゎム板ずを重ね合せ、25℃、40RHの条
件䞋で癜色ゎム板䞊をゎムロヌラヌで圧着し䞀定
の摩擊を䞎えた埌癜色ゎム板を取り陀き䞋に蚘し
た組成の珟像液で珟像埌定着し、スタチツクマヌ
クの発生量を調べた。 これらの結果を第衚に瀺す。 衚面抵抗率の枬定は詊料片を電極間隔0.14cm、
長さ10cmの真鍮補電極詊隓片ず接する郚分はス
テンレス䜿甚に挟み、タケダ理研補絶瞁蚈
MM−−型で分倀を枬定した。 珟像液組成 枩氎50℃ 700ml −メチル−−アミノプノヌル硫酞塩 4g 無氎亜硫酞ナトリりム 60g ハむドロキノン 10g 炭酞ナトリりム氎塩 53g 臭玠カリりム 25g 氎を加えお 
【衚】
【衚】 第衚からわかるように本発明化合物を䜵甚し
た氎溶液で凊理した写真フむルム詊料No.32、
33、34はスタチツクマヌクの発生が殆んど或い
は党く認められず衚面抵抗も著しく䜎䞋した。他
方アルキルベタむン系化合物−、サポニン
詊料31、35の堎合はスタチツクマヌク著しく
発生し、又衚面抵抗率も殆んど䜎䞋しなか぀た。
è©Šæ–™No.36は党面的にシミ状スタチツクマヌクが発
生した。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  少なくずも䞀局が䞋蚘䞀般匏で瀺され
    るフツ玠化アニオン系界面掻性剀及びアルキルベ
    タむン系界面掻性剀ずを含有するこずを特城ずす
    る写真感光材料。 䞀般匏 䞀般匏においお、R1、R2のいずれか䞀
    方は、眮換又は未眮換のアルキル基又はアリヌル
    基を衚わし他方は、フツ玠化アルキル基を衚わ
    す。はカチオンを衚わす。
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