JPH01179240A - Magneto-optical recording medium - Google Patents

Magneto-optical recording medium

Info

Publication number
JPH01179240A
JPH01179240A JP62335553A JP33555387A JPH01179240A JP H01179240 A JPH01179240 A JP H01179240A JP 62335553 A JP62335553 A JP 62335553A JP 33555387 A JP33555387 A JP 33555387A JP H01179240 A JPH01179240 A JP H01179240A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
magneto
optical recording
recording medium
protective film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62335553A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kunihiko Mizumoto
邦彦 水本
Koichi Haruta
春田 浩一
Hiroichi Kajiura
梶浦 博一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Original Assignee
Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Petrochemical Industries Ltd filed Critical Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Priority to JP62335553A priority Critical patent/JPH01179240A/en
Priority to CA000585167A priority patent/CA1309770C/en
Priority to MYPI88001414A priority patent/MY103647A/en
Priority to EP88311685A priority patent/EP0320286A3/en
Priority to KR1019880016413A priority patent/KR920005480B1/en
Priority to CN88108562A priority patent/CN1035007A/en
Publication of JPH01179240A publication Critical patent/JPH01179240A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a recording medium having large coercive force and excellent optical characteristics by using an amorphous alloy consisting of specific components to form the recording film of the medium constituted by laminating a 1st protective film, magneto-optical recording film and 2nd protective film on a transparent substrate. CONSTITUTION:The 1st protective film 2, the magneto-optical recording film 3 and the 2nd protective film 4 are laminated on the transparent substrate 1 to form the magneto-optical recording medium. The film 3 is the thin amorphous alloy film which is expressed by the formula (RE is at least one kind of the elements selected from the group consisting of Nd, Sm, Pr, Ce, Eu, Gd, Tb, Dy, and Ho; TM is Fe and/or Co, and 0.2<x<0.7, 0.10<y<0.30) and has the axis of easy magnetization in the direction perpendicular to the film plane. The recording medium formed in such a manner has the large coercive force, large angle of Kerr rotation and angle of Faraday rotation, excellent oxidation resistance and the excellent characteristics that the coercive force and the angle of Kerr rotation are not deteriorated with age.

Description

【発明の詳細な説明】 発、咀0技歪分班 本発明は、優れた耐酸化性を有する光磁気記録媒体に関
し、さらに詳しくは、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有し、優れた耐酸化性を有する光磁気記録媒体に関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magneto-optical recording medium having excellent oxidation resistance, and more particularly, to a magneto-optical recording medium having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, The present invention relates to a magneto-optical recording medium having excellent oxidation resistance.

11の −′4:イI長″′貝・fらびCζ÷0劇進立
鉄、コバルトなどの遷移金1・篤と、テルビウム(”r
’b)、ガドリニウム(Gd)などの希土類元素との合
金からなる非晶質薄膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易
軸を有し、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化
方向とは逆向きの小さな反転磁区を形成することができ
ることが知られている。
11 -'4: I long'' shell, frab Cζ÷0 transition metals such as iron, cobalt, and terbium (''r
'b), an amorphous thin film made of an alloy with a rare earth element such as gadolinium (Gd) has an axis of easy magnetization in the direction perpendicular to the film surface, and the film surface is fully magnetized in one direction. It is known that it is possible to form small reversed magnetic domains that are oriented in the opposite direction.

この反転磁区の有無を11」、「0」に対応さぜること
によって、上記のような非晶質薄膜にデジタル信号を記
録させることが可能となる。
By making the presence or absence of this inverted magnetic domain correspond to "11" and "0", it becomes possible to record a digital signal on the amorphous thin film as described above.

このような光磁気記録媒体として用いられる遷移金属と
希土類元素とからなる非晶質薄膜としては、たとえば特
公昭57−20691号公報に15〜30原子%の′r
bを含むT b−F e系合金非晶質薄膜が開示されて
いる。またT b−F eに第3の金属を添加してなる
合金非晶質薄膜も光磁気記録媒体として用いられている
。さらに’rb−co系、’r”b−Fe−Co系など
の光磁気記録媒体も知られている。
For example, Japanese Patent Publication No. 57-20691 discloses that an amorphous thin film composed of a transition metal and a rare earth element used as such a magneto-optical recording medium has a concentration of 15 to 30 at.
An amorphous thin film of a Tb-Fe based alloy containing b is disclosed. Also, an alloy amorphous thin film made by adding a third metal to Tb-Fe is also used as a magneto-optical recording medium. Further, magneto-optical recording media such as 'rb-co type and 'r''b-Fe-Co type are also known.

これらの合金非晶質薄膜からなる光磁気記録媒体は、優
れた記録再生特性を有しているが、使用時にこの非晶質
薄膜は酸化を受けてその特性が経時的に変化してしまう
という実用上の大きな問題点があった。
Magneto-optical recording media made of these alloy amorphous thin films have excellent recording and reproducing properties, but during use, these amorphous thin films undergo oxidation and their properties change over time. There were major practical problems.

このような遷移金属と希土類元素とを含む合金非晶質薄
膜からなる光磁気記録媒体の酸化劣化のメカニズムは、
たとえば日本応用磁気学会誌第9巻、NO,2、第93
〜96頁で検討されており、以下のような3つのタイプ
があることが報告されている。
The mechanism of oxidative deterioration of magneto-optical recording media made of alloyed amorphous thin films containing transition metals and rare earth elements is as follows.
For example, Journal of the Japanese Society of Applied Magnetics, Vol. 9, No. 2, No. 93.
It has been discussed on pages 96 to 96, and it has been reported that there are three types as shown below.

イ)孔食 孔食とは合金非晶質薄膜にピンホールが発生することを
意味するが、この腐食は、主として高温雰囲気下で進行
し、たとえばTb−Fe系、Tl)−Co系などで著し
く進行する。
b) Pitting Pitting corrosion refers to the formation of pinholes in an amorphous thin film of an alloy. This corrosion mainly progresses in a high-temperature atmosphere, for example in Tb-Fe system, Tl)-Co system, etc. progresses significantly.

口)表面酸化 合金非晶質薄膜に表面酸化層が形成され、カー回転角θ
kが経時的に変化し、ついにはカー回転角θkが減少し
てしまう。
) A surface oxidation layer is formed on the amorphous thin film of the surface oxidation alloy, and the Kerr rotation angle θ
k changes over time, and the Kerr rotation angle θk eventually decreases.

ハ)希土類金属の選択酸化 合金非晶質薄膜中の希土類金属が選択的に酸化され、保
磁力I(Cが経時的に大きく変化してしまう。
c) Selective oxidation of rare earth metal The rare earth metal in the amorphous thin film is selectively oxidized, and the coercive force I(C) changes greatly over time.

上記のような合金非晶質薄膜の酸化劣化を防止するため
、従来、種々の方法が試みられている。
In order to prevent the oxidative deterioration of alloy amorphous thin films as described above, various methods have been tried in the past.

たとえば、合金非晶質薄膜を、Si3N4、Si○、S
iO2、AINなどの酸化防止保護膜でサンドイッチし
たような3層構造にする方法が検討されている。ところ
がこの保護膜を形成しても必ずしも合金非晶質薄膜の酸
化劣化を充分には防止することができないという問題点
があった。
For example, alloy amorphous thin films are made of Si3N4, Si○, S
A method of creating a three-layer structure sandwiched between oxidation-preventing protective films such as iO2 and AIN is being considered. However, even if this protective film is formed, there is a problem in that it is not always possible to sufficiently prevent oxidative deterioration of the alloy amorphous thin film.

すなわちもし上記のような酸化防止保護膜にとンホール
などが存在すると、このピンホールから合金非晶質薄膜
の酸化劣化が進行してしまうことを防止することはでき
なかった。
That is, if a pinhole or the like exists in the above-mentioned oxidation-preventing protective film, it is impossible to prevent the oxidative deterioration of the alloy amorphous thin film from progressing through the pinhole.

また、Tb−Fe系、Tb−co系などの合金非晶質薄
膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために、第3
の金属を添加する方法が種々試みられている。
In addition, in order to improve the oxidation resistance of the thin film, a third layer is added to the amorphous thin film of alloys such as Tb-Fe and Tb-co.
Various methods of adding metals have been attempted.

たとえば上述した日本応用磁気学会誌では、Tb−Fe
あるいはTb−Coに、Co、Ni、Pt、AI、Cr
’、Tiなどの第3金属を3.5原子%までの星で添加
することによって、’rb−Fc系あるいは’rb−c
o系の合金非晶質薄膜の耐酸化性を向上させる試みがな
されている。そしてTb−FeあるいはTb−CoにC
o、Ni、Ptを少量添加した場合には、表面酸化の防
止および孔食の防止には有効であるが、この合金非晶質
薄膜中の希土類金属であるTbの選択酸化の防止には効
果がないと報告されている。このことは、Tb−Fcあ
るいはr’b−Coに少量のCo 、Ni 、Ptを添
加した場合には、得られる合金非晶質薄膜では、Tbが
選択酸化されてしまい、保磁力Hcが経時的に大きく変
化してしまうことを意味している。したがってTb−F
eあるいはTb−Coに3.5原子%までの少量のCo
 、Ni 、Ptを添加しても、得られる合金非晶質薄
膜の耐酸化性は充分には改善されていない。
For example, in the journal of the Japanese Society of Applied Magnetics mentioned above, Tb-Fe
Or Tb-Co, Co, Ni, Pt, AI, Cr
'rb-Fc system or 'rb-c
Attempts have been made to improve the oxidation resistance of o-based alloy amorphous thin films. And C to Tb-Fe or Tb-Co
When small amounts of O, Ni, and Pt are added, it is effective in preventing surface oxidation and pitting corrosion, but it is not effective in preventing selective oxidation of Tb, a rare earth metal, in the amorphous thin film of this alloy. It is reported that there is no. This means that when a small amount of Co, Ni, or Pt is added to Tb-Fc or r'b-Co, Tb is selectively oxidized in the resulting amorphous alloy thin film, and the coercive force Hc decreases over time. This means that there will be a major change. Therefore Tb-F
e or a small amount of Co up to 3.5 at% in Tb-Co
, Ni, and Pt do not sufficiently improve the oxidation resistance of the resulting alloy amorphous thin film.

また第9回日本応用磁気学会学術講演概要集(1985
年11JI)の第209頁には、やはり合金非晶質薄膜
の耐酸化性を向上させる目的で、Tb−FeあるいはT
b−Fe−Coに、Pt 、AI、Cr 、Tiを10
原子%までの量で添加してなる合金非晶質薄膜が教示さ
れている。ところが’T’b−FcあるいはT b−F
 c−Coに10原子%までの量のPt、AI、Cr、
Tiを添加しても、表面酸化および孔食はかなり効果に
防止できるものの、得られる合金非晶質薄膜中のTbの
選択酸化に対する酸化防止性は充分ではなく、やはり時
間の経過とともに保磁力)I Cが大きく変化し、つい
には保磁力HCが大きく低下してしまうという問題点は
依然としてあった。
Also, the 9th Academic Lecture Summary of the Japanese Society of Applied Magnetics (1985)
On page 209 of 2011 JI), Tb-Fe or T
b-Fe-Co, Pt, AI, Cr, Ti 10
Alloy amorphous thin films are taught with additions of up to atomic percent. However, 'T'b-Fc or T b-F
c-Co in an amount of up to 10 atom % of Pt, AI, Cr,
Even if Ti is added, surface oxidation and pitting corrosion can be prevented quite effectively, but the oxidation prevention property against selective oxidation of Tb in the resulting amorphous alloy thin film is not sufficient, and the coercive force also decreases over time. There still remained the problem that IC changed significantly and eventually coercive force HC decreased significantly.

さらにまた、特開昭58−7806号公報には、pt 
coなる組成を有し、ptが10〜30原子%の量で含
まれている多結晶薄膜からなる磁気薄膜材料が開示され
ている。
Furthermore, in Japanese Patent Application Laid-open No. 58-7806, pt.
A magnetic thin film material comprising a polycrystalline thin film having a composition of Co and containing 10 to 30 at. % of pt is disclosed.

ところがこのpt coなる組成を有する多結晶薄膜は
、多結晶であるため、成膜後にアニール処理などの熱処
理が必要であり、また結晶間の粒界部分がノイズ信号と
して発生ずることがあり、さらにこの多結晶薄膜はキュ
リー点が高いという問題点があった。
However, since this polycrystalline thin film with a composition of ptco is polycrystalline, heat treatment such as annealing is required after film formation, and the grain boundaries between crystals may generate noise signals. This polycrystalline thin film had a problem in that it had a high Curie point.

介朋辺旦但 本発明は、上記のような問題点を解決しようとするもの
であって、保磁力が大きくかつカー回転角やファラデー
回転角が大きいなどの優れた光磁気光学特性を有し、し
かも耐酸化性に優れて、経時的に保磁力が変化したりあ
るいはカー回転角が変化することがないような光磁気記
録媒体を提供することを目的としている。
However, the present invention aims to solve the above problems, and has excellent magneto-optical properties such as a large coercive force and a large Kerr rotation angle and a large Faraday rotation angle. Moreover, it is an object of the present invention to provide a magneto-optical recording medium which has excellent oxidation resistance and whose coercive force or Kerr rotation angle does not change over time.

几叫ム概去 本発明に係る光磁気記録媒体は、透明基板上に、第1保
護膜と、光磁気記録膜と、第2保護膜とを、この順序で
順次積11りしてなり、 前記光磁気記録膜が、 (Ptおよび/またはPd)。
Overview of the present invention The magneto-optical recording medium according to the present invention includes a first protective film, a magneto-optical recording film, and a second protective film, which are sequentially laminated in this order on a transparent substrate. The magneto-optical recording film is (Pt and/or Pd).

[RE x ’1’ M 1−x ]  1−。[RE x '1' M 1-x] 1-.

(式中、REはNd、Sm、Pr、Ce、EIJ、Gd
 −Tb 、DVおよび)−10からなる群から選ばれ
た少なくとも1種の元素であり、TMはFeおよび/ま
たはCoであり、0.2<x<0.7.0.10<y<
0.30である)で表わされる膜面に垂直な磁化容易軸
を有する非晶質合金薄膜であることを特徴としている。
(In the formula, RE is Nd, Sm, Pr, Ce, EIJ, Gd
At least one element selected from the group consisting of -Tb, DV and )-10, TM is Fe and/or Co, and 0.2<x<0.7.0.10<y<
It is characterized by being an amorphous alloy thin film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface expressed by 0.30).

本発明に係る上記のような光磁気記録媒体は、保磁力が
大きくかつカー回転角やファラデー回転角が大きいなど
の優れた光磁気特性を有し、しかも耐酸化性に優れて、
経時的に保磁力が変化したりあるいはカー回転角が変化
したりすることがないという優れた特性を有している。
The above-mentioned magneto-optical recording medium according to the present invention has excellent magneto-optical properties such as a large coercive force and a large Kerr rotation angle and a large Faraday rotation angle, and has excellent oxidation resistance.
It has an excellent property that the coercive force or Kerr rotation angle does not change over time.

光用ヱυ■帽立証朋 以下本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説明
する。
EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the magneto-optical recording medium according to the present invention will be specifically explained.

本発明に係る光磁気記録媒体は、第1図に示すように透
明基板1上に、第1保護膜2と、光磁気記録膜3と、第
2保護膜4とを、この順序で順次積層してなり、 前記光磁気記録膜は、 (Ptおよび/またはPd ”)、 [REx’1’M1−x] 1−y (式中、REはNd、Sm、PI’、Ce、Ell、G
d 、Tb 、DVおよび)−I Oからなる群から選
ばれた少なくとも1種の元素であり、TMはFeおよび
/またはCoであり、0.2<x<0.7.0.10<
y<0.30である)で表わされる膜面に垂直な磁化容
易軸を有する非晶質合金薄膜である。
As shown in FIG. 1, the magneto-optical recording medium according to the present invention has a first protective film 2, a magneto-optical recording film 3, and a second protective film 4 laminated in this order on a transparent substrate 1. The magneto-optical recording film is composed of (Pt and/or Pd''), [REx'1'M1-x] 1-y (wherein, RE is Nd, Sm, PI', Ce, Ell, G
at least one element selected from the group consisting of d, Tb, DV, and )-IO, TM is Fe and/or Co, and 0.2<x<0.7.0.10<
It is an amorphous alloy thin film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, which is expressed by y<0.30.

透明基板1としては、従来透明基板として用いられてき
たものを広く用いることができるが、具体的には、ガラ
ス、ポリメチルメタクリレ−1・、ポリカーボネート、
ポリカーボネートとポリスチレンとのポリマーアロイ、
米国特許箱4,614゜778号明細書に示されるよう
な非晶質ポリオレフィン、ポリ4−メチル−1−ペンテ
ン、エポキシ樹月旨、ポリエーテルサルフォン′、ポリ
エーテlレイミド、エチレン・テ1〜ラシクロドデセン
共重合体などを用いることができる。
As the transparent substrate 1, a wide range of materials that have been conventionally used as transparent substrates can be used, but specifically, glass, polymethyl methacrylate-1, polycarbonate,
Polymer alloy of polycarbonate and polystyrene,
Amorphous polyolefins such as those shown in U.S. Pat. A lacyclododecene copolymer or the like can be used.

この透明基板1の厚さは、0.5〜2.5mm好ましく
は1.0〜1.5mm程度である。
The thickness of this transparent substrate 1 is about 0.5 to 2.5 mm, preferably about 1.0 to 1.5 mm.

上記のような透明基板1上に設けられる第1保護膜2と
しては、Si 3 N、1 、AI N、At Si 
N、BHなどの窒化物、S!02゜Tb−3i O2、
Mt+−8i 02 、AI 2 o3,5i02− 
AI 203 、M(]−8l 02− AI 203
、Tb−3i O−At  O、Ba−3i O2、B
a−AI 203、Ba−シリカアルミナ、T e−A
 I 203、M(1−Al2O2,TiO2、SiO
,Ti01ZnO,ZrO2、、Ta205、Nb2O
5、CeO2、SnO2、TeO2、インジウム−スズ
酸化物などの酸化物、Zn S、Cd Sなどの硫化物
、Zn Se 、Si C,Siなどが用いられる。
The first protective film 2 provided on the transparent substrate 1 as described above is made of Si 3 N,1, AI N, At Si
Nitrides such as N, BH, S! 02°Tb-3i O2,
Mt+-8i02, AI2o3,5i02-
AI 203 , M(]-8l 02- AI 203
, Tb-3i O-At O, Ba-3i O2, B
a-AI 203, Ba-silica alumina, T e-A
I 203, M(1-Al2O2, TiO2, SiO
, Ti01ZnO, ZrO2, , Ta205, Nb2O
5. Oxides such as CeO2, SnO2, TeO2, indium-tin oxide, sulfides such as ZnS, CdS, ZnSe, SiC, Si, etc. are used.

また第1保護膜2として、CH4、C82、テフロン等
のプラズマ重合膜または、UV硬化性の有機コート膜な
どの有機コート膜を用いることもできる。
Further, as the first protective film 2, a plasma polymerized film of CH4, C82, Teflon, etc., or an organic coat film such as a UV-curable organic coat film can also be used.

この第1保1pA2は、光磁気記録膜を酸化などから守
る保護膜として機能するとともに、エンハンス膜として
も機能する。
This first protection film 1pA2 functions as a protective film that protects the magneto-optical recording film from oxidation and the like, and also functions as an enhancement film.

このような第1保護膜2の膜厚は、50〜5000人好
ましくは100〜2000人程度である。
The thickness of the first protective film 2 is approximately 50 to 5,000, preferably 100 to 2,000.

このような第1保護股上に設けられる光磁気配5!膜は
、上記のような式で表わされる組成を有するが、以下に
この光磁気記録膜について具体的に説明する。
Such a magneto-optical arrangement 5 provided on the first protection rise! The film has a composition expressed by the above formula, and this magneto-optical recording film will be specifically explained below.

い)上記式においてTMは、FeまたはCoあるいはこ
の両者である。このようなTMは、光磁気記録膜を上記
式[I]で表わした場合に、1−X(ただし0.2<x
<0.7、好ましくは0.25<x<0.5さらに好ま
しくは0.3〈xo、5である)で示されるような量で
存在している。
b) In the above formula, TM is Fe or Co or both. In such a TM, when the magneto-optical recording film is expressed by the above formula [I], 1-X (however, 0.2<x
<0.7, preferably 0.25<x<0.5, more preferably 0.3<xo,5).

]Mとしては、FeとCoとがともに存在していること
が好ましく、とくにこのTMとしては、Feが100〜
35原子%の量で、そしてCoが0〜65原子%の量で
存在していることが好ましい。
] As M, it is preferable that both Fe and Co exist, and especially for this TM, Fe is 100~
Preferably Co is present in an amount of 35 atom % and Co in an amount of 0 to 65 atom %.

なおTMとして、5原子%以下好ましくは3原子%以下
のNiを含んでいてもよい。
Note that the TM may contain 5 at % or less, preferably 3 at % or less of Ni.

(ii)Ptおよび/またはPdは、光磁気記録膜に1
0〜15原子%の1で存在している。
(ii) Pt and/or Pd is added to the magneto-optical recording film at 1
It is present in an amount of 0 to 15 atomic %.

このPtおよび/またはPdの含有量が上記の範囲を下
まわると、得られる光磁気記録膜の耐酸化性が充分には
改善されず、たとえ保護膜を設けても、保護膜にピンホ
ールなどがあった場合に、光磁気記録膜が酸化されて経
時的に保磁力Hcが変化したりあるいはカー回転角θk
が減少したりするため好ましくない。
If the content of Pt and/or Pd is below the above range, the oxidation resistance of the resulting magneto-optical recording film will not be sufficiently improved, and even if a protective film is provided, pinholes may occur in the protective film. If the magneto-optical recording film is oxidized and the coercive force Hc changes over time, or the Kerr rotation angle θk
This is not desirable because it may cause a decrease in

ptまたはPdは、それぞれ単独で用いられてもよく、
また組合せて用いられてもよい。
pt or Pd may each be used alone,
They may also be used in combination.

(iii >本発明に係る光磁気記録膜は、上記(i>
および(ii >に加えて、少なくとも1種の希土類元
素(RE)を含んで構成されている。
(iii>The magneto-optical recording film according to the present invention has the above-mentioned (i>
In addition to (ii) and (ii), it contains at least one rare earth element (RE).

このREは、Nd 、Sm 、Pr 、Ce 、Etl
、Gd 、Tb 、DVおよびHoからなる群から選ば
れた少なくとも1種の元素である。好ましくはREの6
0原子%以上がTbであり、残部がDV、Nd 、Gd
 、Ce 、Eu 、Pr 、Hoまたはsmである。
This RE is Nd, Sm, Pr, Ce, Etl
, Gd 2 , Tb 2 , DV and Ho. Preferably RE 6
0 atomic % or more is Tb, the remainder is DV, Nd, Gd
, Ce, Eu, Pr, Ho or sm.

さらに好ましくは、REの80原子%以上特に好ましく
は90原子%以上がTbであり、残部がDy 、Nd 
、Gd 、Ce 、Eu 、Pr、Hoまたはsmであ
る。
More preferably, 80 atomic % or more of RE is Tb, particularly preferably 90 atomic % or more, and the remainder is Dy, Nd.
, Gd, Ce, Eu, Pr, Ho or sm.

」−記のような希土類元素REは、非晶質合金薄膜を上
記式[i]で表わした場合に、0.2<xく0.7好ま
しくは0.25<x<0.5さらに好ましくは0.3<
x<0.5であるような量で存在している。
”-, when the amorphous alloy thin film is represented by the above formula [i], the rare earth element RE is 0.2<x0.7, preferably 0.25<x<0.5, and more preferably is 0.3<
It is present in an amount such that x<0.5.

本発明では、上記のような膜面に垂直な磁化容易軸を有
する非晶質合金薄膜からなる光磁気記録膜の膜厚は、2
00〜2000人好ましくは200〜1000人程度て
゛ある。
In the present invention, the thickness of the magneto-optical recording film made of the amorphous alloy thin film having the axis of easy magnetization perpendicular to the film surface is 2.
00 to 2,000 people, preferably 200 to 1,000 people.

上記のような光磁気記録膜3上に設けられる第2保護J
l! 4としては、Si 3 H4、AI N、AI 
Si N、BNなどの窒化物、s r o2、”rb−
8i O2、M(]−5i O2、Te−Al 203
、Mg−Al 203 、Tb−8i 02− At 
203 、Ma−8i O2−Al 203、Ba−8
i 02、Ba−Al 203 、Ba−3t o2−
 AI 203 、TlO2、Si O,Ti O,Z
nO1Zr○2、’l’a 2 0s  、Nb 2 
05  、Ce 02  、Sri O2、TeO2、
インジウム−スズ酸化物などの酸化物、Zn s、Cd
 Sなどの硫化物、zn sc 、s* c、Siなど
が用いらノしる。
A second protection J provided on the magneto-optical recording film 3 as described above.
l! 4, Si 3 H4, AI N, AI
Nitride such as Si N, BN, s r o2, "rb-
8i O2, M(]-5i O2, Te-Al 203
, Mg-Al203, Tb-8i02-At
203, Ma-8i O2-Al 203, Ba-8
i02, Ba-Al203, Ba-3to2-
AI203, TlO2, SiO, TiO, Z
nO1Zr○2, 'l'a 2 0s, Nb 2
05, Ce 02 , Sri O2, TeO2,
Oxides such as indium-tin oxide, Zn s, Cd
Sulfides such as S, zn sc , s*c, Si, etc. are used.

また第2保護膜11として、I) を膜、PdJ模、T
i  771;%、  Cr I模、zr)模\ Nr
 fIA、Ni−Cr )模などの金属膜を用いること
もできる。
In addition, as the second protective film 11, a film of I), a PdJ model, a T
i 771;%, Cr I model, zr) model\Nr
A metal film such as fIA, Ni-Cr) or the like can also be used.

さらに第2保護膜として、CH4、cs2、テフロン等
のプラズマ重合膜またはUV硬化性の有機コート膜など
の有機コート膜を用いることもできる。
Further, as the second protective film, an organic coat film such as a plasma polymerized film of CH4, CS2, Teflon, etc. or a UV curable organic coat film can also be used.

この第2保IJI!4は、光磁気記録膜を酸化などから
守る保護膜として機能するとともに、反射膜としても機
能することもある。
This second protection IJI! 4 functions as a protective film that protects the magneto-optical recording film from oxidation and the like, and may also function as a reflective film.

このような第2保護M4の膜厚は、無機材料の場合は5
0〜5000人好ましくは100〜2000人程度であ
り、有機材料の場合は100人〜100μm好ましくは
300人〜500μm程度である。
The film thickness of such second protection M4 is 5 in the case of an inorganic material.
It is about 0 to 5,000 people, preferably about 100 to 2,000 people, and in the case of organic materials, it is about 100 to 100 μm, preferably about 300 to 500 μm.

上記のような構造を有する本発明に係る光磁気記録媒体
は、膜面に垂直な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒス
テリシスが良好な角形ループを示す。
The magneto-optical recording medium according to the present invention having the above-described structure has an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, and often exhibits a rectangular loop with good Kerr hysteresis.

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角(θに、)と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角(θに、>との比θ
に2/θに1が0.8以上であることを意味している。
In this specification, a square loop with good Kerr hysteresis means the saturated Kerr rotation angle (in θ), which is the Kerr rotation angle at the maximum external magnetic field, and the residual Kerr rotation, which is the Kerr rotation angle at zero external magnetic field. The ratio of the angle (to θ, >
This means that 1 in 2/θ is 0.8 or more.

また上記のような本発明に係る光磁気記録媒体は、優れ
た耐酸化性を有し、第2図に示すようにPL 13’l
’b3(>Fe 49cOaなる組成を有する非晶質合
金薄膜と、第1保護膜Si 3 N4と、第2保護pl
AS13N4とからなる光磁気記録媒体は、たとえば8
5℃、相対湿度85%の環境下に240時間以上保持し
ても、その保磁力はほとんど変化しない。これに対して
、Ptを含まないTbz5Co75あるいはT b 2
5 F Q 66Co9なる組成を有する非晶質合金薄
膜は、85℃、相対湿度85%の環境下に保持すると、
その保磁力は経時的に大きく変化してしまう。さらにこ
の環境試験を1000時間続けると、ptおよび/また
はPdを含有する系はやはりその保磁力がほとんど変化
しないのに対し、Ptおよびじ/′またはPdを含有し
ない系は保磁力がほとんど測定できない程度にまで低下
してしまう。
Furthermore, the magneto-optical recording medium according to the present invention as described above has excellent oxidation resistance, and as shown in FIG.
'b3(>Fe49cOa), a first protective film Si 3 N4, a second protective film
For example, a magneto-optical recording medium made of AS13N4 is 8
Even if it is kept in an environment of 5° C. and 85% relative humidity for more than 240 hours, its coercive force hardly changes. On the other hand, Tbz5Co75 or T b 2 which does not contain Pt
When an amorphous alloy thin film having a composition of 5 F Q 66Co9 is maintained in an environment of 85° C. and 85% relative humidity,
The coercive force changes greatly over time. Furthermore, when this environmental test was continued for 1000 hours, the coercive force of the system containing pt and/or Pd remained almost unchanged, whereas the coercive force of the system containing no Pt and/or Pd could hardly be measured. It will decrease to a certain extent.

また、後述する実験例から、ptおよび、/まなはPd
を含む非晶質合金薄膜を含む本発明に係る光磁気記録媒
体では1、゛なとに保護膜にビンポールなどがあっても
、環境試験後におけるθにの変化も小さいことから表面
酸−化が防止されていること、ならびに、顕微鏡による
膜表面の観察から孔食の発生も抑制されていることがわ
かる。
In addition, from the experimental examples described later, pt and /mana are Pd
In the magneto-optical recording medium according to the present invention, which includes an amorphous alloy thin film containing It can be seen from observation of the film surface using a microscope that pitting corrosion is also suppressed.

本発明においては、光磁気記録膜に、上記のような元素
以外の種々の元素を添加して、キュリー温度や補償温度
あるいはHCやθにの改善あるいは低コスト化を計って
もよい。これらの元素は、希土類元素に対してたとえば
50原子%未満の割合で置換可能である。
In the present invention, various elements other than those mentioned above may be added to the magneto-optical recording film to improve the Curie temperature, compensation temperature, HC and θ, or to reduce costs. These elements can be substituted, for example, at a rate of less than 50 atomic % with respect to the rare earth element.

併用できる他の元素の例としては、以下のような化合物
が用いられる。
Examples of other elements that can be used in combination include the following compounds.

(I)Fe、Co以外の3d遷移元素 具体的には、Sc、Ti、V、Cr、Mti、Ni、C
u、Znが用いられる。
(I) 3d transition elements other than Fe and Co, specifically Sc, Ti, V, Cr, Mti, Ni, C
u, Zn are used.

これらのうち、T; 、Ni 、cu 、znなどが好
ましく用いられる。
Among these, T;, Ni, cu, zn, etc. are preferably used.

(n)Pd以外の4d遷移元素 具体的には、Y、Zr 、Nb 、Mo 、Tc、Ru
 、Rh 、Ag、Cdが用いられる。
(n) 4d transition elements other than Pd, specifically Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru
, Rh, Ag, and Cd are used.

このうちZr 、Nbが好ましく用いられる。Among these, Zr and Nb are preferably used.

([1)Pt以外の5d遷移元素 具体的には、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir 、 
Au 、)−1gが用いられる。
([1) 5d transition elements other than Pt Specifically, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir,
Au,)-1g is used.

このうちTaが好ましく用いられる。。Among these, Ta is preferably used. .

(IV)IIIB族元素 具体的には、B、AI 、Ga 、In 、TIが用い
られる。
(IV) Group IIIB element Specifically, B, AI, Ga, In, and TI are used.

このうちB、AI 、Gaが好ましく用いられる。Among these, B, AI, and Ga are preferably used.

(V)IVB族元素 具体的には、C,Si 、Ge 、Sn、Pbが用いら
れる。
(V) IVB group element Specifically, C, Si, Ge, Sn, and Pb are used.

このうち、si、ae 、sn 、pbが好ましく用い
られる。
Among these, si, ae, sn, and pb are preferably used.

(Vl)VB族元素 具体的には、N、I)、AS、Sb、Biが用いられる
(Vl) VB group element Specifically, N, I), AS, Sb, and Bi are used.

このうちsbが好ましく用いられる。Among these, sb is preferably used.

(VII)VII3族元素 具体的には、S、Sc、Te、Poが用いられる。(VII) VII group 3 elements Specifically, S, Sc, Te, and Po are used.

このうちTeが好ましく用いられる。Among these, Te is preferably used.

次に、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法について
説明する。
Next, a method for manufacturing a magneto-optical recording medium according to the present invention will be explained.

まず、透明基板上に、第1保護膜を成膜させる。First, a first protective film is formed on a transparent substrate.

透明基板上に第1保護膜を成膜させるには、従来公知の
方法たとえば真空蒸着法、スパッタリング法あるいは電
子ビーム蒸着法、スピンコード法などを採用することが
できる。
To form the first protective film on the transparent substrate, a conventionally known method such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, an electron beam evaporation method, a spin code method, etc. can be employed.

次に透明基板上に設けられた第1保護股上に光磁気記録
膜を成膜するには、基板温度を室温程度に保ち、本発明
に係る光磁気記録膜を構成する各元素からなるチップを
所定割合で配置した複合ターゲットまたは所定割合の組
成を有する合金ターゲットを用い、スパッタリング法あ
るいは電子ビーム蒸着法などの従来公知の成膜条件を採
用して、この基板(基板は固定していてもよく、また自
転していてもよい)上に所定組成の光磁気記録膜を被着
させればよい。
Next, in order to form a magneto-optical recording film on the first protective ridge provided on the transparent substrate, the temperature of the substrate is kept at around room temperature, and chips made of each element constituting the magneto-optical recording film according to the present invention are deposited. Using a composite target or an alloy target having a composition of a predetermined ratio arranged at a predetermined ratio, conventionally known film forming conditions such as a sputtering method or an electron beam evaporation method are employed to deposit this substrate (the substrate may be fixed). , or may be rotating on its own axis), a magneto-optical recording film of a predetermined composition may be deposited thereon.

このように本発明に係る光磁気記録膜は、常温での成膜
が可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持たせるため
に成膜後にアニール処理などの熱処理をする必要がない
As described above, the magneto-optical recording film according to the present invention can be formed at room temperature, and there is no need to perform heat treatment such as annealing treatment after film formation in order to have an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface.

なお必要に応じては、基板温度を50〜600℃に加熱
しながらまたは一50℃まで冷却しながら、基板」二に
光磁気配5!膜を形成することもできる。
If necessary, the magneto-optical distribution may be applied to the substrate while heating the substrate temperature to 50 to 600°C or cooling it to -50°C. A film can also be formed.

またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲラ1
〜物質ばかりでなく成1摸されつつある垂直磁化膜をも
たたくことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得
られることがある。
Further, during sputtering, the substrate can be biased to a negative potential. In this way, ions of an inert gas such as argon accelerated by an electric field can be
~ Not only materials but also perpendicularly magnetized films, which are currently being formed, can be attacked, and a perpendicularly magnetized film with excellent properties may be obtained.

次に上記のようにして成膜された光磁気記録股上に、第
2保護膜を成膜するが、この際にも従来公知の方法たと
えば真空蒸着法、スパッタリング法あるいは電子ビーム
蒸着法などを採用することができる。
Next, a second protective film is formed on the magneto-optical recording layer formed as described above, and at this time, conventionally known methods such as vacuum evaporation, sputtering, or electron beam evaporation are used. can do.

本発明に係る光磁気記録媒体は、膜面に垂直な磁化容易
軸を有する垂直磁化膜であるとともに、多くの場合カー
・ヒステリシス・ループが角形性を有して、外部磁場の
ない状態下でのθkが最大外部磁場での飽和θにとほぼ
同一であり、保磁力HCも大きいので、光磁気記録膜と
して好適である。また、θkが良好であることは、θ「
も良好であることを意味し、よってカー効果利用型、フ
ァラデー効果利用型のいずれの方式に利用することがで
きる。
The magneto-optical recording medium according to the present invention is a perpendicularly magnetized film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, and in many cases, the Kerr hysteresis loop has a square shape, so that it can be easily magnetized in the absence of an external magnetic field. Since θk is almost the same as the saturation θ at the maximum external magnetic field and the coercive force HC is large, it is suitable as a magneto-optical recording film. Also, a good θk means that θ”
Therefore, it can be used in either the Kerr effect type or Faraday effect type.

本発明に係る光磁気記録媒体は、上記のような横道のみ
に限定されるものではなく、必要に応じて下地層、酸化
防止膜あるいは高透磁率軟磁性膜の積層などを行っても
よく、単板のばか貼合せて使用することも可能である。
The magneto-optical recording medium according to the present invention is not limited to the above-mentioned horizontal path, but may be laminated with an underlayer, an anti-oxidation film, or a high-permeability soft magnetic film, etc., as necessary. It is also possible to use it by laminating veneers together.

凡」囚公呈 本発明に係る光磁気記録媒体は、透明基板上に、第1保
護膜と、光磁気記録膜と、第2保護膜とを、この順序で
順次積層してなり、 前記光磁気記録膜が、 (Ptおよび/またはPd)V [RExTMl−x] 1−y (式中、I’(EはNd 、Sm 、Pr 、Ce 、
Eu、Gd 、Tb 、D)fおよびHoからなる群か
ら選ばれlコ少なくとも1種の元素であり、TMはFc
および/またはCoであり、0.2<x<0.7.0.
10<y<0.30である)で表わされる膜面に垂直な
磁化容易軸を有する非晶質合金′4Jliであるため、
保磁力が大きくかつカー回転角やファラデー回転角が大
きいなどの優れた光磁気特性を有し、しかも耐酸化性に
優れており、たとえ保護膜にピンポールなどがあっても
経時的に保磁力が変化したりあるいはカー回転角が変化
したりすることがないという優れた特性を有している。
The magneto-optical recording medium according to the present invention comprises a first protective film, a magneto-optical recording film and a second protective film, which are sequentially laminated in this order on a transparent substrate, The magnetic recording film is (Pt and/or Pd)V [RExTMl-x] 1-y (where I' (E is Nd, Sm, Pr, Ce,
TM is at least one element selected from the group consisting of Eu, Gd, Tb, D)f, and Ho, and TM is Fc
and/or Co, and 0.2<x<0.7.0.
Since it is an amorphous alloy '4Jli with an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface expressed as 10<y<0.30,
It has excellent magneto-optical properties such as a large coercive force and a large Kerr rotation angle and Faraday rotation angle, and has excellent oxidation resistance. It has an excellent characteristic of not changing or changing the Kerr rotation angle.

また本発明に係る光磁気記録膜を基板上に形成するに際
して、室温での成膜が可能であり、成膜後に熱処理をす
る必要もない。
Furthermore, when forming the magneto-optical recording film according to the present invention on a substrate, it is possible to form the film at room temperature, and there is no need for heat treatment after film formation.

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be explained below with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

二一パ  1〜8.     1〜5 ガラス基板の上に、第1保護膜、光磁気記録膜、。Part 21 1-8.     1~5 A first protective film, a magneto-optical recording film, on a glass substrate.

第2保護膜を順次スパッタリングにより、所定の膜厚だ
け成膜した。
A second protective film was sequentially formed to a predetermined thickness by sputtering.

保護膜として窒化物や酸化物などの誘電体膜を選んだ場
合は、それぞれの焼結体ターゲットをRFマグネトロン
スパッターした。一方、保護膜として、金属膜を選んだ
場合は、DCマグネトロンスパッターにより成膜した。
When a dielectric film of nitride or oxide was selected as the protective film, each sintered target was subjected to RF magnetron sputtering. On the other hand, when a metal film was selected as the protective film, it was formed by DC magnetron sputtering.

そして、光磁気記録膜については、ターゲットとして、
Feターゲット上またはFe 、Coターゲット上にp
tおよび/またはPdと、軽希土類金属と、重希土類金
属とのチップを所定割合で配置した複合ターゲットを用
いて、ガラス基板上に、基板を水冷により20〜30℃
の常温付近にコントロールしながらDCマグネトロンス
パッタリングにより、表1に示すような組成を有する非
晶質合金薄膜を成膜しな。成膜条件は、Ar圧5 rn
TOrr 、 Ar流t3secm、真空到達度5 x
 10−”Torr以下である。
As for the magneto-optical recording film, the target is
p on Fe target or on Fe, Co target
Using a composite target in which chips of T and/or Pd, light rare earth metals, and heavy rare earth metals are arranged at a predetermined ratio, the substrate is placed on a glass substrate at 20 to 30°C by water cooling.
An amorphous alloy thin film having a composition shown in Table 1 was formed by DC magnetron sputtering while controlling the temperature to be around room temperature. The film forming conditions were Ar pressure 5 rn
TOrr, Ar flow t3sec, vacuum attainment 5x
10-” Torr or less.

得られた合金3膜は、広角X線回折法により結晶状態を
測定するとともに、組成をICP発行分光分析によって
求めた。
The crystalline state of the obtained Alloy 3 film was measured by wide-angle X-ray diffraction, and the composition was determined by ICP spectroscopic analysis.

また、カー回転角はガラス基板側から測定した外部磁場
ゼロでの残留カー回転角を斜入射法(λ=633nm)
で測定した。斜入射法の具体的測定法および装置は、山
川相部監修「磁気材料の測定技術」 (昭和60年12
月25日トリケップス株式会社発行〉第261頁〜26
3頁に記載されている。
In addition, the Kerr rotation angle is the residual Kerr rotation angle measured from the glass substrate side with zero external magnetic field using the oblique incidence method (λ = 633 nm).
It was measured with Specific measurement methods and equipment for the oblique incidence method are available in "Measurement Techniques for Magnetic Materials" (December 1985) supervised by Aibe Yamakawa.
Published by Triceps Co., Ltd. on March 25th, pp. 261-26
It is described on page 3.

得られた非晶質合金薄膜のX値、および保磁力(f−1
co)を表1に示す。
The X value and coercive force (f-1) of the obtained amorphous alloy thin film
co) are shown in Table 1.

さらに、本発明の非晶質合金薄膜の耐酸化性を確認する
ため、ガラス基板上に成膜された条件そのままを85℃
、85%R,Hの高温高湿条件のオーブン中に放置する
環境試験を行い、240時間以上経過後のカー回転角(
θk)、保磁力(Hc)を測定し、それぞれの試験前の
初期値θko、Hcoと比較した。これらの結果を合せ
て表1に示す。
Furthermore, in order to confirm the oxidation resistance of the amorphous alloy thin film of the present invention, the conditions under which the film was formed on the glass substrate were maintained at 85°C.
An environmental test was conducted in which the oven was left in an oven under high temperature and high humidity conditions of 85% R and H, and the Kerr rotation angle (
θk) and coercive force (Hc) were measured and compared with the respective initial values θko and Hco before the test. These results are shown in Table 1.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係る光磁気記録媒体の断面図であり、
第2図は本発明に係る光磁気記録媒体の保磁力の変化お
よび比較例に係る’rb 25C075およびT b2
5 F e 66C09の保磁力の変化を示す図である
。 1・・・透明基板    2・・・第1保護膜3・・・
光磁気記録膜  4・・・第2保護膜代理人  弁理士
  鈴 木 俊一部 図面の浄書′内芥に変更な一フ 第  2  図 時    間 ()1r、) 手続補正日 昭和63年 4月26日 j 特許庁長官  小 川 邦 夫  殿 1、事件の表示 昭和62年 特 許 願 第335.553号2、発明
の名称 光磁気記録媒体 3、補正をする者 事件との関係   特許出願人 名  称  三井石油化学工業株式会社4、代 理 人
 (郵便番号141) 東京部品用区東五反田−丁目25番4号ニーエムビル4
階 [電話東京(444)3151 ] 昭和63年3月2日(発送臼:昭和63年3月29日)
6、補正の対象 7、補正の内容 (1)別紙の通り委任状を提出する。 (2)図面の第2図の浄書を別紙のとおり提出する(内
容に変更なし)。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a magneto-optical recording medium according to the present invention,
Figure 2 shows changes in the coercive force of the magneto-optical recording medium according to the present invention and 'rb 25C075 and T b2 according to comparative examples.
FIG. 5 is a diagram showing changes in coercive force of 5 Fe 66C09. 1... Transparent substrate 2... First protective film 3...
Magneto-optical recording film 4...Second protective film Agent Patent attorney Shun Suzuki Changes to engravings of some drawings Figure 2 Time () 1r, ) Procedure amendment date April 26, 1988 Japan Patent Office Commissioner Kunio Ogawa1, Indication of the case 1988 Patent Application No. 335.5532, Name of the invention Magneto-optical recording medium3, Relationship with the person making the amendment Patent applicant name Mitsui Petrochemical Industry Co., Ltd. 4, Agent (Postal code 141) N.M. Building 4, Higashigotanda-chome-25-4, Tokyo Parts Ward
Floor [Telephone Tokyo (444) 3151] March 2, 1988 (shipped: March 29, 1988)
6. Subject of amendment 7. Contents of amendment (1) Submit a power of attorney as shown in the attached sheet. (2) Submit an engraving of Figure 2 of the drawing as attached (no changes to the content).

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)透明基板上に、第1保護膜と、光磁気記録膜と、第
2保護膜とを、この順序で順次積層してなり、 前記光磁気記録膜が、 (Ptおよび/またはPd)_y [RE_xTM_1_−_x]_1_−_y(式中、R
EはNd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy
およびHoからなる群から選ばれた少なくとも1種の元
素であり、TMはFeおよび/またはCoであり、0.
2<x<0.7、0.10<y<0.30である)で表
わされる膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄
膜であることを特徴とする光磁気記録媒体。 2)0.25<x<0.5である特許請求の範囲第1項
に記載の光磁気記録媒体。 3)REの少なくとも60原子%以上がTbであり、残
部がDy,Sm,Pr、Ce、Eu、Gd、またはHo
である特許請求の範囲第1項に記載の光磁気記録媒体。
[Claims] 1) A first protective film, a magneto-optical recording film, and a second protective film are sequentially laminated in this order on a transparent substrate, and the magneto-optical recording film is made of (Pt and/or Pd)_y [RE_xTM_1_-_x]_1_-_y (where R
E is Nd, Sm, Pr, Ce, Eu, Gd, Tb, Dy
and Ho, TM is Fe and/or Co, and 0.
2<x<0.7, 0.10<y<0.30. 2) The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein 0.25<x<0.5. 3) At least 60 atomic % or more of RE is Tb, and the remainder is Dy, Sm, Pr, Ce, Eu, Gd, or Ho
A magneto-optical recording medium according to claim 1.
JP62335553A 1987-12-10 1987-12-28 Magneto-optical recording medium Pending JPH01179240A (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62335553A JPH01179240A (en) 1987-12-28 1987-12-28 Magneto-optical recording medium
CA000585167A CA1309770C (en) 1987-12-10 1988-12-07 Magnetooptical recording medium
MYPI88001414A MY103647A (en) 1987-12-10 1988-12-07 Magnetooptical recording medium
EP88311685A EP0320286A3 (en) 1987-12-10 1988-12-09 Magnetooptical recording medium
KR1019880016413A KR920005480B1 (en) 1987-12-10 1988-12-10 Magneto-optical recording medium
CN88108562A CN1035007A (en) 1987-12-10 1988-12-10 Magnetooptical recording media

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62335553A JPH01179240A (en) 1987-12-28 1987-12-28 Magneto-optical recording medium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01179240A true JPH01179240A (en) 1989-07-17

Family

ID=18289868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62335553A Pending JPH01179240A (en) 1987-12-10 1987-12-28 Magneto-optical recording medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01179240A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04167406A (en) Photomagnetic recording medium
KR950005036B1 (en) Magneto/optical recording medium &amp; system for use with short wavelength light
JPH0514407B2 (en)
US4995923A (en) Thin film of amorphous alloy
JPS62267944A (en) Magnetic recording medium
JPH03108144A (en) Photomagnetic recording medium
WO1988008192A1 (en) Photomagnetic recording membrane
JPH01179240A (en) Magneto-optical recording medium
JPH02107749A (en) Thin amorphous alloy film
JPS63262446A (en) Thin amorphous-alloy film
JPH01154334A (en) Magneto-optical recording medium
CN1042025A (en) Thin film of amorphous alloy
JPH057775B2 (en)
JPH01118244A (en) Magneto-optical recording film
JPH01136947A (en) Amorphous alloy thin film
JPS62232738A (en) Photomagnetic recording medium
JPH03157838A (en) Magneto-optical recording device
JPH01179241A (en) Magneto-optical recording medium
JPH02107748A (en) Thin amorphous alloy film
JP2620088B2 (en) Magneto-optical recording element and manufacturing method thereof
JPH02108256A (en) Magneto-optical recording medium
JPH01162257A (en) Magneto-optical recording medium
JPH0444649A (en) Magneto-optical recording medium
JPS63302443A (en) Magneto-optical recording film
JPH06325419A (en) Magneto-optical recording medium