JPH01118244A - Magneto-optical recording film - Google Patents

Magneto-optical recording film

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JPH01118244A
JPH01118244A JP9285388A JP9285388A JPH01118244A JP H01118244 A JPH01118244 A JP H01118244A JP 9285388 A JP9285388 A JP 9285388A JP 9285388 A JP9285388 A JP 9285388A JP H01118244 A JPH01118244 A JP H01118244A
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JP
Japan
Prior art keywords
magneto
optical recording
recording film
atomic
ratio
Prior art date
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Pending
Application number
JP9285388A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kunihiko Mizumoto
邦彦 水本
Koichi Haruta
春田 浩一
Hiroichi Kajiura
梶浦 博一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Original Assignee
Mitsui Petrochemical Industries Ltd
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Publication date
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Priority to JP9285388A priority Critical patent/JPH01118244A/en
Publication of JPH01118244A publication Critical patent/JPH01118244A/en
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  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a recording film having excellent oxidation resistance, large C/N ratio and excellent dependency on bias magnetic fields by specifying the contents of Pt and/or Pd, Fe and/or Co and incorporating a rare earth element into said film. CONSTITUTION:The Pt and/or Pd is incorporated at 10-30atom.% into the magneto-optical recording film. The Fe and/or Co is incorporated at 40-70atom.% therein and the Co/(Fe+Co) ratio [atomic ratio] is specified to 0-0.3. Nd, Sm, Pr, Ce, Eu, Gd, Tb, Dy or Ho is used for the rare earth element. The magneto-optical recording film having such compsn. has the excellent oxidation resistance and is free from pitting corrosion even after long-term use. The film has the large C/N ratio and the excellent dependency on bias magnetic fields.

Description

【発明の詳細な説明】 i匪旦及土豆1 本発明は、優れた耐酸化性および光磁気記録特性を有す
る光磁気記録膜に関し、さらに詳しくは、膜面に垂直な
方向に磁化容易軸を有し、優れた耐酸化性および光磁気
記録特性を有する光磁気記録膜に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magneto-optical recording film having excellent oxidation resistance and magneto-optical recording properties. The present invention relates to a magneto-optical recording film having excellent oxidation resistance and magneto-optical recording properties.

口の ′自U士tらびに の目題 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム(Tb)、
カドリニウム(Gd)などの希土類元素との合金からな
る光磁気記録膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有
し、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向と
は逆向きの小さな反転磁区を形成することができること
が知られている。
Transition metals such as iron and cobalt, terbium (Tb),
A magneto-optical recording film made of an alloy with a rare earth element such as cadrinium (Gd) has an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to the film surface, and a film surface that is entirely magnetized in one direction is opposite to this direction of magnetization. It is known that it is possible to form magnetic domains with small orientation reversals.

この反転磁区の有無を「1」、「0」に対応させること
によって、上記のような光磁気記録膜にデジタル信号を
記録させることが可能となる。
By associating the presence or absence of this inverted magnetic domain with "1" and "0", it becomes possible to record digital signals on the magneto-optical recording film as described above.

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜としては、たとえば特公昭57−20691号公報に
15〜30原子%のTbを含む’rb−r;’e系光磁
気記録膜系間磁気記録膜る。またTb−Feに第3の金
属を添加してなる光磁気記録膜も用いられている。さら
にT b−Co系、Tl1−F e−Co系などの光磁
気記録膜も知られている。
As a magneto-optical recording film made of such a transition metal and a rare earth element, for example, a 'rb-r;'e-based magneto-optical recording film containing 15 to 30 atom % of Tb is disclosed in Japanese Patent Publication No. 57-20691. Magnetic recording film. Also, a magneto-optical recording film made of Tb-Fe added with a third metal is also used. Furthermore, magneto-optical recording films such as Tb-Co and Tl1-Fe-Co are also known.

これらの光磁気記録膜は、優れた記録再生特性を有して
いるが、使用時にこの光磁気記録膜は酸化を受けてその
特性が経時的に変化してしまうという実用上の大きな問
題点があった。
These magneto-optical recording films have excellent recording and reproducing properties, but there is a major practical problem in that the magneto-optical recording film undergoes oxidation during use and its properties change over time. there were.

このような遷移金属と希土類元素とを含む光磁気記録膜
の酸化劣化のメカニズムは、たとえば日本応用磁気学会
誌第9巻、NO,2、第93〜96頁で検討されており
、以下のような3つのタイプがあることが報告されてい
る。
The mechanism of oxidative deterioration of magneto-optical recording films containing transition metals and rare earth elements is discussed, for example, in the Journal of the Japan Society of Applied Magnetics, Vol. 9, No. 2, pp. 93-96, and is as follows. It has been reported that there are three types.

イ)孔食 孔食とは光磁気記録膜にピンホールが発生することを意
味するが、この腐食は、主として高湿雰囲気下で進行し
、たとえばTb−F’c系、T b−C。
b) Pitting corrosion Pitting corrosion refers to the formation of pinholes in the magneto-optical recording film, and this corrosion mainly progresses in a high humidity atmosphere, such as Tb-F'c system, Tb-C system.

系などで著しく進行する。The disease progresses markedly in some systems.

口)表面酸化 光磁気記録膜に表面酸化層が形成され、カー回転角θk
が経時的に変化し、ついにはカー回転角θkが減少して
しまう。
(a) A surface oxidation layer is formed on the surface oxidized magneto-optical recording film, and the Kerr rotation angle θk
changes over time, and eventually the Kerr rotation angle θk decreases.

ハ)希土類金属の選択酸化 光磁気記録膜中の希土類金属が選択的に酸化され、保磁
力Hoが経時的に大きく変化してしまう。
c) Selective oxidation of rare earth metal The rare earth metal in the magneto-optical recording film is selectively oxidized, and the coercive force Ho changes significantly over time.

上記のような光磁気記録膜の酸化劣化を防止するため、
従来、種々の方法が試みられている。たとえば、光磁気
記録膜を、Si3N4.5iO2S i 02 、A 
I Nなどの酸化防止保護膜でサンド −イヅチしたよ
うな3層構造にする方法が検討されている。ところがこ
の酸化防止保護膜は高価であるとともに形成するのに手
間がかかり、またこの保護膜を形成しても必ずしも光磁
気記録膜の酸化劣化を充分には防止することができない
という問題点があった。
In order to prevent the oxidative deterioration of the magneto-optical recording film as described above,
Conventionally, various methods have been tried. For example, the magneto-optical recording film is made of Si3N4.5iO2S i 02 , A
A method of creating a three-layer structure sandwiched with an oxidation-preventing protective film such as IN is being considered. However, this oxidation-preventing protective film is expensive and time-consuming to form, and there is also the problem that even if this protective film is formed, it is not always possible to sufficiently prevent oxidative deterioration of the magneto-optical recording film. Ta.

また、Tb−Fe系、T b−Co系などの光磁気配!
aWA中に、このR膜の耐酸化性を向上させるなめに、
第3の金属を添加する方法が種々試みられている。
Also, magneto-optical systems such as Tb-Fe system and Tb-Co system!
In order to improve the oxidation resistance of this R film during aWA,
Various methods of adding a third metal have been attempted.

たとえば上述した日本応用磁気学会誌では、Tb−Fe
あるいは T b−Coに、Co 、Ni、Pt 、A
I 、Cr 、Ti 、Pdなどの第3金属を3.5原
子%までの量で添加することによって、Tb−Fe系あ
るいは’r”b−Co系の光磁気記録膜のii1酸化性
を向上させる試みがなされている。そしてTb−Feあ
るいは’rb−coにCo、Ni、Ptを少量添加した
場合には、表面酸化の防止および孔食の防止には有効で
あるが、この光磁気記録膜中の希土類金属であるTbの
選択酸化の防止には効果がないと報告されている。この
ことは、Tb−FcあるいはT b−Coに少量のCo
 、 Ni 、Ptを添加した場合には、得られる光磁
気記録膜では、Tbが選択酸化されてしまい、保磁力H
oが経時的に大きく変化してしまうことを意味している
For example, in the journal of the Japanese Society of Applied Magnetics mentioned above, Tb-Fe
Or Tb-Co, Co, Ni, Pt, A
By adding a third metal such as I, Cr, Ti, or Pd in an amount of up to 3.5 at. Attempts have been made to add a small amount of Co, Ni, or Pt to Tb-Fe or 'rb-co, which is effective in preventing surface oxidation and pitting corrosion. It has been reported that there is no effect in preventing selective oxidation of Tb, which is a rare earth metal in the film.This indicates that a small amount of Co in Tb-Fc or Tb-Co
, Ni, and Pt, Tb is selectively oxidized in the resulting magneto-optical recording film, and the coercive force H
This means that o changes significantly over time.

したがってTb−FeあるいはTb−Coに3,5原子
%までの少量のCo、Ni、Ptを添加しても、得られ
る光磁気記録膜の耐酸化性は充分には改′11rされて
いない。
Therefore, even if a small amount of Co, Ni, or Pt (up to 3.5 atomic %) is added to Tb--Fe or Tb--Co, the oxidation resistance of the resulting magneto-optical recording film is not sufficiently improved.

また第9回日本応用磁気学会学術謁演目要集(1985
年11月)の第209頁には、やはり光磁気記録膜の耐
酸化性を向上させる目的で、’rb−r;’eあるいは
Tb−Fe−Coに、Pt 、AI、Cr 、Tiを1
0原子%までの量で添加してなる光磁気記録膜が教示さ
れている。ところがTb−FeあるいはT b−F a
−Coに10原子%までの量のPt 、AI 、Cr 
、Tiを添加しても、表面酸化および孔食はかなり効果
的に防止できるものの、得られる光磁気記録膜中のTb
の選択酸化に対する酸化防止性は充分ではなく、やはり
時間の経過とともに保磁力Hcが大きく変化し、ついに
は保磁力Hoが大きく低下してしまうという問題点は依
然としてあった。
Also, the summary of the 9th Academic Audience Program of the Japanese Society of Applied Magnetics (1985)
(November 2013), p. 209, for the purpose of improving the oxidation resistance of the magneto-optical recording film, Pt, AI, Cr, and Ti are added to 'rb-r;'e or Tb-Fe-Co.
Magneto-optical recording films doped with up to 0 atomic percent have been taught. However, Tb-Fe or T b-F a
-Co with amounts of Pt, AI, Cr up to 10 at%
Although surface oxidation and pitting corrosion can be prevented quite effectively even if Ti is added, Tb in the resulting magneto-optical recording film is
The oxidation prevention property against selective oxidation of is not sufficient, and there still remains the problem that the coercive force Hc changes greatly over time, and eventually the coercive force Ho decreases significantly.

また特開昭61−255546号公報には、希土類元素
と遷移死水とからなる光磁気記録膜に、Pt、Au、A
a、Ru、Rh、’Pd、Os、Irなどの貴金属元素
を再生に必要なカー回転角が得られる範囲内で添加して
なる耐酸化性が向上された光磁気記録膜が開示されてい
る。
Furthermore, Japanese Patent Application Laid-open No. 61-255546 discloses that a magneto-optical recording film made of rare earth elements and transition dead water is coated with Pt, Au, and Al.
A magneto-optical recording film with improved oxidation resistance is disclosed in which noble metal elements such as a, Ru, Rh, 'Pd, Os, and Ir are added within a range that provides the Kerr rotation angle necessary for reproduction. .

さらにまた、特開昭58−7806号公報には、Pt 
Coなる組成を有し、Ptが10〜3o原子%の量で含
まれている多結晶薄膜からなる光磁気記録膜が開示され
ている。
Furthermore, in JP-A-58-7806, Pt
A magneto-optical recording film comprising a polycrystalline thin film having a composition of Co and containing Pt in an amount of 10 to 30 atomic % is disclosed.

ところがこのPt coなる組成を有する多結晶薄膜は
、多結晶であるなめ、成膜後にアニール処理などの熱処
理が必要であり、また結晶間の粒界部分がノイズ信号と
して発生することがあり、さらにこの多結晶薄膜はキュ
リー点が高いという問題点があった。
However, since this polycrystalline thin film having a composition of Pt co is polycrystalline, it requires heat treatment such as annealing after film formation, and the grain boundaries between crystals may generate noise signals. This polycrystalline thin film had a problem in that it had a high Curie point.

このように従来Tb−PaあるいはT b−Coに、C
o 、Ni 、Pt 、AN 、Cr 、Ti 、Pd
などの第3金属が添加されてなる光磁気記録膜は知られ
ているが、従来知られている光磁気記録膜は、耐酸化性
が充分でなく、C/N比が小さく、ノイズレベルが高く
、かつ大きなバイアス磁界をかけなければ高いC/N比
を得ることができない(バイアス磁界依存性に劣る)な
どのいずれがの問題点があった。
In this way, in the conventional Tb-Pa or Tb-Co, C
o, Ni, Pt, AN, Cr, Ti, Pd
Magneto-optical recording films doped with third metals, such as Both of these problems include the fact that a high C/N ratio cannot be obtained unless a high and large bias magnetic field is applied (poor bias magnetic field dependence).

本発明者らは、耐酸化性に優れ、長期間にわたって使用
することができ、しかもC/N比が大きく、かつノイズ
レベルが低く、その上小さなバイアス磁界で充分高いC
/N比が得られるというバイアス磁界依存性に優れた光
磁気記録膜を提供することを目的として鋭意研究したと
ころ、Ptおよび/またはPdを特定量で含み、かっF
eおよび/またはCoを特定量で含み、しかもTbなど
の希土類元素を含む光磁気記録膜が優れた諸特性を有し
ていることを見出して、本発明を完成するに至った。
The present inventors have discovered that the C
As a result of intensive research aimed at providing a magneto-optical recording film with excellent bias magnetic field dependence that can obtain a /N ratio, it was found that
The present invention was completed based on the discovery that a magneto-optical recording film containing a specific amount of e and/or Co and also containing a rare earth element such as Tb has excellent properties.

1肌曵ユ囮 本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題点を解決
しようとするものであって、耐酸化性に優れ、長期間に
わたって使用することができ、しかもC/N比が大きく
、かつノイズレベルが低く、その上小さなバイアス磁界
で充分高いC/N比が得られるというバイアス磁界依存
性に優れた光磁気記録膜を提供することを目的としてい
る。
The present invention aims to solve the problems associated with the prior art as described above, and has excellent oxidation resistance, can be used for a long period of time, and has a low C/N ratio. It is an object of the present invention to provide a magneto-optical recording film having excellent bias magnetic field dependence, which has a large ratio, a low noise level, and can obtain a sufficiently high C/N ratio even with a small bias magnetic field.

几匪立且ヱ 本発明に係る光磁気記録膜は、 (i)Ptおよび/またはPd (11)希土類元素(RE)  および(ii)Fcお
よび/またはCoを含み、Ptおよび/またはPdは、
10原子%を超えて3o原子%以下の量で存在し、 Feおよび/またはCoは、40原子%以上で70原子
%以下の量で存在し、かっCo/(PcモCo)比[J
jX子比コが0〜0.3であることを特徴としている。
The magneto-optical recording film according to the present invention contains (i) Pt and/or Pd (11) rare earth element (RE) and (ii) Fc and/or Co, Pt and/or Pd is
Fe and/or Co are present in an amount of more than 10 atom % and less than 3o atom %, and Fe and/or Co are present in an amount of more than 40 atom % and less than 70 atom %, and the Co/(PcmoCo) ratio [J
It is characterized in that the jX ratio is 0 to 0.3.

本発明に係る光磁気記録膜は、上記のように、Ptおよ
び/またはPdを特定量で含み、かっFcおよびy′j
、たはCoを特定量で含み、しかもTbなとの希土類元
素を含んでいるので、耐酸化性に低れ、長期間にわたっ
て使用することができ、しかもC/N比が大きく、かつ
ノイズレベルが低く、その上バイアス磁界依存性に優れ
ている。
As described above, the magneto-optical recording film according to the present invention contains a specific amount of Pt and/or Pd, and contains Fc and y'j.
, or Co in a specific amount, and rare earth elements such as Tb, it has low oxidation resistance, can be used for a long period of time, has a high C/N ratio, and has a low noise level. is low, and has excellent bias magnetic field dependence.

九匪立匹生皿五」 以下本発明に係る光磁気記録膜について、具体的に説明
する。
The magneto-optical recording film according to the present invention will be specifically described below.

本発明に係る光磁気記録膜は、下記成分(i)Ptおよ
び/またはPd (ii )希土類元素 (iii)Feおよび/、またはCo を必須成分として含んでいる。また本発明の光磁気記録
膜は、広角X線回折法により側室した場合、実質的に非
晶質であることが好ましい。
The magneto-optical recording film according to the present invention contains the following components (i) Pt and/or Pd (ii) rare earth elements (iii) Fe and/or Co as essential components. Further, the magneto-optical recording film of the present invention is preferably substantially amorphous when analyzed by wide-angle X-ray diffraction.

i Ptおよび まt・はPd 本発明に係る光磁気記録膜中には、PtまたはPdある
いはこの両者が含まれており、Ptおよび/よたはPd
は、光磁気記録膜中に10原子%を超えて30原子%以
下、好ましくは10原子%を超えて20原子%未満、さ
らに好ましくは11原子%以上19WL子%以下の量で
存在している。
i Pt and/or Pd The magneto-optical recording film according to the present invention contains Pt and/or Pd.
is present in the magneto-optical recording film in an amount of more than 10 atomic % and less than 30 atomic %, preferably more than 10 atomic % and less than 20 atomic %, and more preferably 11 atomic % and less than 19 atomic %. .

光磁気記録膜中のPtおよび/″&たはPdの址が10
原子%を超えて存在すると、光磁気記録膜の耐酸化性に
優れ、長期間使用しても孔食が発生せず、C/N比も劣
化しないという利点を有する。
The amount of Pt and /''& or Pd in the magneto-optical recording film is 10
When present in an amount exceeding atomic %, the magneto-optical recording film has excellent oxidation resistance, and has the advantage that pitting corrosion does not occur even after long-term use, and the C/N ratio does not deteriorate.

第1図に光磁気記録膜中におけるPtおよび/またはP
d含有址と、光磁気記録膜を相対湿度85%、80°C
の環境下に1000時間保持した場合のへ〇/N比との
関係を示す。
Figure 1 shows Pt and/or P in the magneto-optical recording film.
The d-containing material and magneto-optical recording film were heated at 85% relative humidity and 80°C.
The relationship with the He/N ratio when maintained for 1000 hours under the following environment is shown.

この第1図から、光磁気記録膜中のPtおよび/または
Pdの量が10Ei子%を超えている場合には、光磁気
記録膜のW4酸化性か向上し、長期間使用しても孔食が
発生せず、C/ N比が劣化することがないことがわか
る。
From FIG. 1, it can be seen that when the amount of Pt and/or Pd in the magneto-optical recording film exceeds 10 Ei%, the W4 oxidation property of the magneto-optical recording film improves and pores remain even after long-term use. It can be seen that no eclipse occurs and the C/N ratio does not deteriorate.

たとえばP j 13T b 2s F C5ac O
9あるいはP d 12T b 28 F e s3C
07で示される組成を存する本発明に係る光磁気記録膜
は、相対湿度85%、80℃の環境下に1000時間保
持しても、C/N比は全く変化しない。これに対してP
tまたはPdを含まないT b25 F G as C
o7で示される組成を有する光磁気記録膜は、相対湿度
85%、80℃の環境下に1000時間保持すると、C
/N比は大・きく低下する。
For example, P j 13T b 2s F C5ac O
9 or P d 12T b 28 F e s3C
In the magneto-optical recording film according to the present invention having the composition shown by 07, the C/N ratio does not change at all even if it is kept in an environment of 85% relative humidity and 80° C. for 1000 hours. On the other hand, P
T b25 F G as C that does not contain t or Pd
When a magneto-optical recording film having the composition shown by o7 is kept in an environment of 85% relative humidity and 80°C for 1000 hours, it becomes C
/N ratio decreases greatly.

また光磁気記録膜中にPtおよび/またはPdを上記の
ような範囲の量で添加することにより、光磁気記録膜に
情報を記録したりあるいは情報を読出す際に、小さなバ
イアス磁界で充分に高いC/N比が得られる。小さなバ
イアス磁界で充分に高いC/N比が得られると、バイア
ス磁界発生用のマグネットを小さくすることができ、し
かもマグネットからの発熱も押えることができるため、
光磁気配DBを有する光ディスクのドライブ装置を簡素
化することができる。しかも小さなバイアス磁界で充分
に大きなC/N比が得られるため、オーバーライド可能
な磁界変調記録用のマグネットの設計も容易となる。
Furthermore, by adding Pt and/or Pd in the above-mentioned range to the magneto-optical recording film, a small bias magnetic field is sufficient when recording or reading information from the magneto-optical recording film. A high C/N ratio can be obtained. If a sufficiently high C/N ratio can be obtained with a small bias magnetic field, the magnet for generating the bias magnetic field can be made smaller, and heat generation from the magnet can also be suppressed.
An optical disk drive device having a magneto-optical DB can be simplified. Moreover, since a sufficiently large C/N ratio can be obtained with a small bias magnetic field, it becomes easy to design a magnet for magnetic field modulation recording that can be overridden.

第2図にP j 13T b 28 F e soCo
9で示される組成を有する本発明に係る光磁気記録膜お
よびTb25Fe68Co□で示される組成を有する光
磁気記録膜のバイアス磁界依存性と、C/N比(dB)
との関係を示す。
In Figure 2, P j 13T b 28 F e soCo
Bias magnetic field dependence and C/N ratio (dB) of the magneto-optical recording film according to the present invention having the composition shown by 9 and the magneto-optical recording film having the composition shown by Tb25Fe68Co□
Indicates the relationship between

この第2図より、従来公知のTb25F068Co□で
示される光磁気記録膜では、2500s以上のバイアス
磁界を印加しないとC/N比は飽和しないのに対し、本
発明に係るP t 13T b 28F e 50Co
gで示される光磁気記録膜では、小さなバイアス磁界で
も充分に記録可能であり、12000以上でC/N比は
飽和していることがわかる。なお以下に示す実施例およ
び比較例では、表中に各光磁気記録膜について、C/N
比が飽和するのに必要な最小バイアス磁界Hsatの値
を示す、このEfi Hsatが小さいほど、小さなバ
イアス磁界でC/N比が飽和することになる。
From FIG. 2, it can be seen that in the conventionally known magneto-optical recording film shown by Tb25F068Co□, the C/N ratio does not saturate unless a bias magnetic field of 2500 seconds or more is applied, whereas the P t 13T b 28F e according to the present invention 50Co
It can be seen that in the magneto-optical recording film indicated by g, sufficient recording is possible even with a small bias magnetic field, and the C/N ratio is saturated at 12,000 or more. In the Examples and Comparative Examples shown below, the C/N of each magneto-optical recording film is shown in the table.
The smaller Efi Hsat, which indicates the value of the minimum bias magnetic field Hsat necessary for the ratio to be saturated, means that the C/N ratio will be saturated with a smaller bias magnetic field.

また第3図に、Pt Tb Fe Co系光磁気記録膜
およびPd :Tb Fe Co系光磁気記録膜におけ
るPtおよび/またはPdの含有量と、最小バイアス磁
界(Hsat、 (Oe))との関係を示す。
Furthermore, FIG. 3 shows the relationship between the content of Pt and/or Pd in the Pt Tb Fe Co-based magneto-optical recording film and the Pd:Tb Fe Co-based magneto-optical recording film and the minimum bias magnetic field (Hsat, (Oe)). shows.

この第3図より、P【および/またはPdの含有量が1
0原子%を超えると、最小バイアス磁界Hsatが充分
に小さくなることがわかる。
From this Figure 3, it can be seen that the content of P [and/or Pd is 1
It can be seen that when it exceeds 0 atomic %, the minimum bias magnetic field Hsat becomes sufficiently small.

:i   “−U 本発明に係る光磁気記録膜中には、希土類元素(RE 
)が含まれており、この希土類元素としては、Nd 、
 Sn+ 、Pr 、 Ce 、 Eu 、 Gd 、
 Tb 。
:i "-U The magneto-optical recording film according to the present invention contains a rare earth element (RE
), and these rare earth elements include Nd,
Sn+, Pr, Ce, Eu, Gd,
Tb.

D’/またはHoが用いられる。D'/or Ho is used.

これらの中では、Nd 、Pr 、Gd 、Tb、Dy
が好ましく用いられ、特にTbが好ましい。
Among these, Nd, Pr, Gd, Tb, Dy
are preferably used, and Tb is particularly preferred.

また希土類元素は2種以上併用してもよく、この場合に
Tbを50原子%以上含有していることが好ましい。
Further, two or more kinds of rare earth elements may be used in combination, and in this case, it is preferable that Tb is contained in an amount of 50 atomic % or more.

この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
った光磁気を得るという点からRE/(RE+Fe +
Co )比[原子比]をXで表わした場合に、0.25
≦X≦0.45好ましくは0.3≦X≦0.4であるよ
うな量で光磁気記録膜中に存在していることが望ましい
This rare earth element has the advantage of providing magnetism with an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, so that RE/(RE+Fe +
Co ) ratio [atomic ratio] is expressed as X, 0.25
It is desirable that it be present in the magneto-optical recording film in an amount such that ≦X≦0.45, preferably 0.3≦X≦0.4.

(iii)Feおよび/またはCo 本発明に係る光磁気記録膜中には、FeまたはCoある
いはこの両者が含まれており、Feおよび/またはCo
は、40原子%以上70原子%以下好ましくは40原子
%以上60原子%未満さらに好ましくは40原子%以上
59原子%以下の量で存在していることが望ましい。
(iii) Fe and/or Co The magneto-optical recording film according to the present invention contains Fe and/or Co.
is present in an amount of 40 atomic % or more and 70 atomic % or less, preferably 40 atomic % or more and less than 60 atomic %, and more preferably 40 atomic % or more and 59 atomic % or less.

さらにFeおよび/またはCoは、Co/(FQ +C
o)比[原子比]が0以上0.3以下好ましくは0以上
0.2以下さらに好ましくは0.01以上0.2以下で
あるような量で、光磁気記録膜中に存在していることが
望ましい。
Furthermore, Fe and/or Co are Co/(FQ +C
o) Present in the magneto-optical recording film in such an amount that the ratio [atomic ratio] is 0 or more and 0.3 or less, preferably 0 or more and 0.2 or less, and more preferably 0.01 or more and 0.2 or less. This is desirable.

Feおよび/またはCoの量が40原子%以上で70原
子%以下の範囲にあると、耐酸化性に優れ、かつ膜面に
垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得られ
るという利点を有する。
When the amount of Fe and/or Co is in the range of 40 atomic % or more and 70 atomic % or less, a magneto-optical recording film with excellent oxidation resistance and an axis of easy magnetization in the direction perpendicular to the film surface can be obtained. It has the advantage of

ところで光磁気記録膜中に、Coを添加すると、(イ)
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し、また(口)カー回
転角(θk)が大きくなるという現象が認められ、その
結果、Coの添加量により、光磁気記録膜の記録感度を
調整することができ、しかもCoの添加により、再生信
号のキャリアレベルを増加することができる。しかしな
がら本発明者らの検討によれば、Coを光磁気配jM4
膜に添加しすぎると、再生信号のノイズレベルが上昇し
、C/N比が低下してしまうことが見出された。したが
って本発明に係る光磁気記録膜では、Co/(Fe +
Co )比[原子比コは0以上0.3以下好ましくは0
以上0.2以下さらに好ましくは0.01以上0.2以
下であることが望ましい。
By the way, when Co is added to the magneto-optical recording film, (a)
It has been observed that the Curie point of the magneto-optical recording film increases and the Kerr rotation angle (θk) increases, and as a result, the recording sensitivity of the magneto-optical recording film can be adjusted by adjusting the amount of Co added. Moreover, by adding Co, the carrier level of the reproduced signal can be increased. However, according to the study by the present inventors, Co is magneto-optical with jM4
It has been found that if too much is added to the film, the noise level of the reproduced signal increases and the C/N ratio decreases. Therefore, in the magneto-optical recording film according to the present invention, Co/(Fe +
Co ) ratio [atomic ratio Co is 0 or more and 0.3 or less, preferably 0
It is desirable that the range is 0.01 or more and 0.2 or less, more preferably 0.01 or more and 0.2 or less.

第4図にPt Tb Fe Co系光磁気記録膜におけ
るCo / (Co +−Fe )比[原子比コとノイ
ズレベル(dBn)との関係を示し、また第5図にPd
 Tb Fe Co系光磁気記録膜におけるCo/(C
o +Fe )比「原子比コとノイズレベル(dBn+
)との関係を示す。
Figure 4 shows the relationship between the Co/(Co+-Fe) ratio [atomic ratio ko] and the noise level (dBn) in a PtTbFeCo-based magneto-optical recording film, and Figure 5
Co/(C
o +Fe) ratio atomic ratio and noise level (dBn+
).

具体的には、P j 13T b 28 F e sa
c O9で示される組成を有する本発明に係る光磁気記
録膜(Co / (Fe +Co )比[原子比]:0
.15)は、ノイズレベルが一56dlllであるのに
対し、P j 13T b 28 F e 3ec 0
23で示される組成を有する光磁気配SAM (Co 
/ (Fe +Co )比[原子比] :0.39)は
、ノイズレベルが一50dBnであり、大きなノイズレ
ベルとなっている。
Specifically, P j 13T b 28 Fe sa
A magneto-optical recording film according to the present invention having a composition represented by cO9 (Co/(Fe +Co) ratio [atomic ratio]: 0
.. 15), the noise level is 156dlll, while P j 13T b 28 F e 3ec 0
Magneto-optical SAM (Co
/ (Fe + Co ) ratio [atomic ratio]: 0.39) has a noise level of 150 dBn, which is a large noise level.

またP d 14T b 27 F 1352Co7で
示される組成を有する本発明に係る光磁気記録膜(Co
/(Fe÷Co)比[原子比コニ0.12)は、ノイズ
レベルが一55dBlであるのに対して、P d 14
Tb27Fe41Co18で示される組成を有する光磁
気配SAW (Co / (Fe −t−Co )比[
原子比]:0.31)は、ノイズレベルが一51dBn
+であり、大きなノイズレベルとなっている。
Further, the magneto-optical recording film (Co
/(Fe÷Co) ratio [atomic ratio Koni 0.12], while the noise level is 155 dBl, P d 14
Magneto-optical distribution SAW (Co/(Fe-t-Co) ratio [
Atomic ratio]: 0.31) has a noise level of 151 dBn
+, indicating a large noise level.

またco / (Fe +cO)比[原子比]が0.3
を超えると、光磁気記録膜に消去劣化が認められる。す
なわち光磁気記録膜中のCo/(Fe −+−Co )
比[原子比コが0,3より厳しくは0.2を超えている
と、−たん光磁気記録膜に記録された情報を消去する際
に光磁気記録膜に照射するエネルギーを大きくすると、
光磁気配3jt、FAが変質することがあるため好まし
くない。
Also, the co / (Fe + cO) ratio [atomic ratio] is 0.3
If it exceeds this, erasing deterioration will be observed in the magneto-optical recording film. That is, Co/(Fe −+−Co ) in the magneto-optical recording film
If the ratio (atomic ratio) is more than 0.3, more precisely, more than 0.2, - when the energy irradiated to the magneto-optical recording film is increased when erasing information recorded on the magneto-optical recording film,
This is not preferable because the magneto-optical arrangement 3jt and FA may be altered in quality.

第6図にPt Tb Fe CoあるいはPd TbP
a Coで示される組成を有する光磁気記録膜における
Co / (Fe +Co )比[原子比]と消去劣化
(ΔC/N比(dB))との関係を示す。
Figure 6 shows Pt Tb Fe Co or Pd TbP.
The relationship between the Co/(Fe +Co) ratio [atomic ratio] and erasure deterioration (ΔC/N ratio (dB)) in a magneto-optical recording film having a composition represented by a Co is shown.

具体的には、本発明に係るP j 13T b 28F
 F3 s。
Specifically, P j 13T b 28F according to the present invention
F3s.

Co9なる組成を有する光磁気記録11m (Co /
(Fe +Co )比し原子比] :0.155>に、
−たん記録された情報を消去する際、膜に照射するエネ
ルギーを大きくしても改変質は全く起こらず、新たな情
報も、C/N比の値としては、消去前のと同じ値の記録
ができる。これに対して、CoをCo / (Fe +
Co )比[原子比]で0.3より多く含むr’ t1
3T b 28F 04oc O19あるいはP i 
13T b 28F O3eC023なる組成を有する
光磁気記録膜は、必要以上に大きなエネルギーで消去し
た場合、改変質を起こして光磁気特性が低下してしまい
、新たに記録した情報のC/N比も、消去前のC/N比
よりも小さくなってしまう。
Magneto-optical recording 11m having a composition of Co9 (Co/
(Fe + Co) atomic ratio]: 0.155>,
- When erasing recorded information, no alteration occurs even if the energy irradiated to the film is increased, and the new information has the same C/N ratio value as before erasing. Can be done. On the other hand, Co is Co / (Fe +
Co ) ratio [atomic ratio] containing more than 0.3 r' t1
3T b 28F 04oc O19 or Pi
If a magneto-optical recording film having a composition of 13T b 28F O3eC023 is erased with more energy than necessary, it will cause alteration and the magneto-optical properties will deteriorate, and the C/N ratio of newly recorded information will also decrease. The C/N ratio becomes smaller than the one before erasing.

さらに本発明に係る光磁気記録膜は、記録および消去を
繰り返し行なっても、改変質が生ずることはない、たと
えば本発明に係るP t 13T b 28F e s
ac O9なる組成を有する光磁気記録膜は、10万回
の記録および消去を繰り返し行なってもC/N比の低下
は認められない。
Furthermore, the magneto-optical recording film according to the present invention does not cause any altered quality even after repeated recording and erasing, for example, the P t 13T b 28F e s
A magneto-optical recording film having a composition of ac O9 shows no decrease in C/N ratio even after 100,000 recording and erasing operations are repeated.

本発明においては、光磁気記録膜に種々の元素を少量添
加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Hcや
カー回転角θにの改善あるいは低コスト化を計ることも
できる。これらの元素は、記録膜を構成する全原子数に
対してたとえば10原子%未満の割合で用いることがで
きる。
In the present invention, small amounts of various elements may be added to the magneto-optical recording film to improve the Curie temperature, compensation temperature, coercive force Hc, Kerr rotation angle θ, or to reduce costs. These elements can be used in a proportion of, for example, less than 10 atomic % based on the total number of atoms constituting the recording film.

併用できる他の元素の例としては、以下のような元素が
挙げられる。
Examples of other elements that can be used in combination include the following elements.

(I)Fe 、Co以外の3dEI移元素具体的には、
Sc、Ti、V、Cr 、Mn、Ni 、Cu 、Zn
が用いられる。
(I) 3dEI transfer elements other than Fe and Co Specifically,
Sc, Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu, Zn
is used.

これらのうち、Ti 、Ni 、Cu 、Znなどが好
ましく用いられる。
Among these, Ti, Ni, Cu, Zn, etc. are preferably used.

(ff)Pd以外の4d遷移元素 具体的には、Y、Zr 、Nb 、Mo 、Tc、Ru
 、Rh 、Ag、Cdが用いられる。
(ff) 4d transition elements other than Pd, specifically Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru
, Rh, Ag, and Cd are used.

このうちZr 、Nbが好ましく用いられる。Among these, Zr and Nb are preferably used.

(■)Pt以外の5d遷移元素 具体的には、Hf 、Ta 、W、Re 、Os、Ir
、Au、HiJが用いられる。
(■) 5d transition elements other than Pt Specifically, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir
, Au, and HiJ are used.

このうちTaが好ましく用いられる。Among these, Ta is preferably used.

(IV)IIIB族元素 具体的には、B、AI 、Ga、In、TIが用いられ
る。
(IV) Group IIIB element Specifically, B, AI, Ga, In, and TI are used.

このうちB、AI 、Gaが好ましく用いられる。Among these, B, AI, and Ga are preferably used.

(V)IVB族元素 具体的には、C,Si 、Ge 、Sn 、Pbが用い
られる。
(V) IVB group element Specifically, C, Si, Ge, Sn, and Pb are used.

このうち、Si 、Ga、Sm、Pbが好ましく用いら
れる。
Among these, Si, Ga, Sm, and Pb are preferably used.

(Vl)VB族元素 具体的には、N、P、As 、Sb 、Biが用いられ
る。
(Vl) VB group element Specifically, N, P, As, Sb, and Bi are used.

このうちsbが好ましく用いられる。Among these, sb is preferably used.

(■)VIB族元素 具体的には、S−Sa 、Ta 、Paが用いられる。(■) VIB group elements Specifically, S-Sa, Ta, and Pa are used.

このうちTaが好ましく用いられる。Among these, Ta is preferably used.

次に、本発明に係る光磁気記録膜の製造方法について説
明する。
Next, a method for manufacturing a magneto-optical recording film according to the present invention will be explained.

基板温度を室温程度に保ち、本発明に係る光磁気記録膜
を構成する各元素からなるチップを所定割合で配置した
複合ターゲットまたは所定割合の組成を有する合金ター
ゲットを用い、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸
着法などの従来公知の成膜条件を採用してこの基板(基
板は固定していてもよく、また自転、あるいは自公転し
ていてもよい)上に所定組成の光磁気記録膜を被着させ
ることにより、本発明に係る光磁気記録膜を形成するこ
とができる。
Sputtering or electron beam evaporation is performed by keeping the substrate temperature at about room temperature and using a composite target or an alloy target having a predetermined composition, in which chips made of each element constituting the magneto-optical recording film according to the present invention are arranged in a predetermined ratio. A magneto-optical recording film of a predetermined composition is deposited on this substrate (the substrate may be fixed, or may be rotating or revolving around its axis) using conventionally known film-forming conditions such as the method By this, the magneto-optical recording film according to the present invention can be formed.

このような本発明に係る光磁気記録膜は、常温での成膜
が可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持たせるため
に成膜後にアニール処理などの熱処理をする必要が必ず
しもない。
Such a magneto-optical recording film according to the present invention can be formed at room temperature, and it is not necessarily necessary to perform heat treatment such as annealing treatment after film formation in order to have an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface. .

なお必要に応じては、基板温度を50〜600℃に加熱
しながらまたは一50℃まで冷却しながら、基板上に非
晶質合金J膜を形成することもできる。
Note that, if necessary, the amorphous alloy J film can be formed on the substrate while heating the substrate temperature to 50 to 600°C or cooling it to -50°C.

またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつある光磁気記録膜をもた
たくことになり、殴れた特性を有する光磁気記録膜が得
られることがある。
Further, during sputtering, the substrate can be biased to a negative potential. In this way, the ions of an inert gas such as argon accelerated by the electric field will hit not only the target material but also the magneto-optical recording film that is being formed, resulting in a magneto-optical recording film with the characteristics of being beaten. It may happen.

本発明に係る光磁気記録膜に+lA造する際に用いられ
る合金ターゲットは、(i)Ptおよび/またはPd、
(ii )希土類元素および(iii)Feおよび/ま
たはCoを含み、Ptおよび/またはPdは、5原子%
を超えて40JfX子%以下の量で存在し、Feおよび
/:&たはCoは30HX子%以上で80W、子%以下
の量で存在し、かつCo/(Fe 十Co )比[原子
比Jは0〜0.4である。
The alloy target used for forming +1A on the magneto-optical recording film according to the present invention includes (i) Pt and/or Pd;
(ii) contains rare earth elements and (iii) Fe and/or Co, Pt and/or Pd is 5 at.%
Fe and /:& or Co are present in an amount exceeding 30HX% and below 80W%, and the Co/(Fe + Co) ratio [atomic ratio J is 0 to 0.4.

このような合金ターゲットは、上記のような各金属を用
いて溶融法あるいは焼結法のいずれかの方法で作成する
ことができる。
Such an alloy target can be created using each of the metals mentioned above by either a melting method or a sintering method.

溶融法は、低周波溶融炉で各金属を溶かして鋳造する方
法であって、カルシするつぼなどを用いて酸素等の不純
物を除去すれば、さらに良好な合金ターゲットが得られ
る。
The melting method is a method in which metals are melted and cast in a low-frequency melting furnace, and a better alloy target can be obtained by removing impurities such as oxygen using a calcining pot or the like.

一方焼結法は、各金属の粉末を焼結する方法であって、
各成分金属単体のそれぞれの粉末を焼結するか各成分の
合金粉末を焼結するか、あるいは数種の金属の合金粉末
と金属単体との混合物を焼結することにより、合金ター
ゲットが得られる。
On the other hand, the sintering method is a method of sintering powders of various metals,
An alloy target can be obtained by sintering individual powders of each elemental metal, sintering alloy powders of each element, or sintering a mixture of alloy powders of several metals and elemental metals. .

このような本発明で用いられる合金ターゲットは、Tb
 Fe Co合金ターゲットと比較して、耐酸化性に優
れ、しかも靭性に優れ、鋳造・加工後に合金ターゲット
が割れることが防止される。したがって本発明で用いら
れる合金ターゲットは、従来用いられてきたTb Fe
 Co合金ターゲットのようにプリスパッタする必要は
必ずしもない。
The alloy target used in the present invention is Tb
Compared to Fe-Co alloy targets, it has excellent oxidation resistance and toughness, and the alloy target is prevented from cracking after casting and processing. Therefore, the alloy target used in the present invention is Tb Fe, which has been conventionally used.
It is not necessarily necessary to perform pre-sputtering as with a Co alloy target.

また本発明のターゲットでは、ターゲットの透磁率も小
さくなり、従来のTb Fe Coに比べてターゲット
の厚さを厚くでき、ターゲットの利用効率も高められる
In addition, in the target of the present invention, the magnetic permeability of the target is also reduced, the thickness of the target can be increased compared to the conventional Tb Fe Co, and the utilization efficiency of the target can be improved.

なお一般に合金ターゲットの組成と、この合金ターゲッ
トから得られる膜組成とは、スパッタ条件によって最大
10原子%程度のずれが生ずる。
In general, the composition of an alloy target and the composition of a film obtained from this alloy target differ by a maximum of about 10 atomic percent depending on sputtering conditions.

このため膜組成およびスパッタ条件に応じて合金ターゲ
ットの組成は決定される。
Therefore, the composition of the alloy target is determined depending on the film composition and sputtering conditions.

本発明の光磁気記録膜は、膜面に垂直な磁化容易軸を有
しているので、垂直磁気記録膜、磁気バブルメモリーあ
るいは光磁気記録膜といっな磁気記録材料分野、磁気光
学効果を利用した光変調器といった各種の分野に応用で
きる。
Since the magneto-optical recording film of the present invention has an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, it can be used in the field of magnetic recording materials such as perpendicular magnetic recording films, magnetic bubble memories, or magneto-optical recording films, and utilizes the magneto-optic effect. It can be applied to various fields such as optical modulators.

上記のような組成を有する本発明に係る光磁気記録膜は
、膜面に垂直な磁化容易軸を有し、カー・ヒステリシス
が良好な角形ループを示す。
The magneto-optical recording film according to the present invention having the composition as described above has an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface and exhibits a rectangular loop with good Kerr hysteresis.

なお本明Allにおいて、カー・ヒステリシスが良好な
角形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転
角である飽和カー回転角(θに1)と外部磁場ゼロにお
けるカー回転角である残留カー回転角(θk )との比
θに2/θに1が0.8以上であることを意味している
In the present invention, a rectangular loop with good Kerr hysteresis means a saturated Kerr rotation angle (1 for θ), which is the Kerr rotation angle at the maximum external magnetic field, and a residual Kerr rotation, which is the Kerr rotation angle at zero external magnetic field. This means that the ratio θ of 2/θ of 1 to the angle (θk) is 0.8 or more.

本発明では、光磁気記録膜の膜厚は、20人〜5μm好
ましくは50〜5000人さらに好ましくは100〜3
000人程度であるこ鹿島望ましい。
In the present invention, the film thickness of the magneto-optical recording film is 20 to 5 μm, preferably 50 to 5,000 μm, and more preferably 100 to 3 μm.
Kashima is desirable because it has about 1,000 people.

本発明の光磁気記録膜を光磁気ディスクの記録膜として
応用した場合について以下に説明する。
A case where the magneto-optical recording film of the present invention is applied as a recording film of a magneto-optical disk will be described below.

本発明の光磁気記録膜は、膜面に垂直な磁化容易軸を有
する垂直磁化膜であるとともに、多くの場合カー・ヒス
テリシス・ループが角形性を有して、外部磁場のない状
態下でのθkが最大外部磁場での飽和θにとほぼ同一で
あり、保磁力Hcも大きいので、光磁気記録膜として好
適である。また、θkが良好であることは、θfも良好
であることを意味し、よってカー効果利用型、ファラデ
ー効果利用型のいずれの方式に利用することができる。
The magneto-optical recording film of the present invention is a perpendicularly magnetized film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, and in many cases, the Kerr hysteresis loop has a rectangular shape, so that it can be easily magnetized in the absence of an external magnetic field. Since θk is almost the same as the saturation θ at the maximum external magnetic field and the coercive force Hc is large, it is suitable as a magneto-optical recording film. Furthermore, a good value of θk means a good value of θf, and therefore it can be used in either the Kerr effect type or the Faraday effect type.

また、本発明の光磁気記録膜は、耐酸化性に優れるため
、従来のTb−Fe −Tb−Fc−Co等の重希土類
−3d遷移金属合金薄膜の場合のような酸化防止のため
の保護膜を用いる必要は必ずしらない。
In addition, since the magneto-optical recording film of the present invention has excellent oxidation resistance, it can be protected against oxidation as in the case of conventional heavy rare earth-3d transition metal alloy thin films such as Tb-Fe-Tb-Fc-Co. It is not necessarily necessary to use a membrane.

また、記録膜に接する基板や他の機能性膜(たとえばエ
ンハンス膜、反射膜)あるいは貼合せのための接着層等
にも酸化防止性の材料を必ずしも用いなくてもよい。
Furthermore, it is not necessary to use anti-oxidant materials for the substrate, other functional films (for example, enhancement film, reflective film), adhesive layers for bonding, etc. that are in contact with the recording film.

さらに、エンハンス膜、反射膜等を成膜するに際しても
、真空蒸着やスパッタリングなどの乾式hi成膜法他に
、従来では行えなかったスピンコード法やスプレー法な
どの湿式成膜を行なうこともできる。
Furthermore, when forming enhancement films, reflective films, etc., in addition to dry HI film formation methods such as vacuum evaporation and sputtering, wet film formation methods such as spin code and spray methods, which could not be performed conventionally, can also be used. .

したがって、本発明の光磁気記録膜を記録膜とした光磁
気ディスクの構造としては、 N)基板/記録膜 (ii )基板/エンハンス膜/記録膜(i)基板/記
録膜/反射膜 (IV )基板/エンハンス[/記録M/反射膜(V)
基板/エンハンスJLQ/記録plA/エンハンス膜/
反射膜が挙げられ、また光磁気ディスクとしてこれらの
記録膜側の最外層に耐傷性あるいは耐酸化性を付与する
ための保護膜または保護ラベルを形成したようなti4
mとすることもできる。
Therefore, the structure of a magneto-optical disk using the magneto-optical recording film of the present invention as a recording film is as follows: N) Substrate/recording film (ii) Substrate/enhancement film/recording film (i) Substrate/recording film/reflection film (IV ) Substrate/Enhancement [/Recording M/Reflection film (V)
Substrate/enhanced JLQ/recording plA/enhanced film/
A reflective film is mentioned, and TI4, which is a magneto-optical disk, has a protective film or protective label formed on the outermost layer on the side of the recording film to provide scratch resistance or oxidation resistance.
It can also be set to m.

エンハンス膜としては、その屈折率が基板の屈折率より
も大きいものであればよく、有機あるいは無機のいずれ
の材料であってもよい。
The enhancement film may be made of any organic or inorganic material as long as its refractive index is greater than the refractive index of the substrate.

基板としては、ガラスあるいはアルミニウム等の無機材
料、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポ
リカーボネートとポリスチレンのポリマーアロイ、米国
特許筒4,614,778号明Mgで示されるような非
晶質ポリオレフィン、ポリ4−メチル−1−ペンテン、
エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフオン、ポリサルフオ
ン、ポリエーテルイミド等の有機材料を用いることがで
きる。
Substrates include inorganic materials such as glass or aluminum, polymethyl methacrylate, polycarbonate, polymer alloys of polycarbonate and polystyrene, amorphous polyolefins such as those shown in U.S. Pat. No. 4,614,778, and poly(4-methyl). -1-pentene,
Organic materials such as epoxy resin, polyether sulfon, polysulfon, and polyetherimide can be used.

反射膜としては一反射率が50%以上であればいづれの
材料であってもよい。
The reflective film may be made of any material as long as it has a reflectance of 50% or more.

さらに、光磁気ディスクの構成は、前述の(1)〜(V
)の構成にのみ限定されるものではなく、必要に応じて
下地層、酸化防止膜あるいは高透磁率軟磁性膜の積層な
どを行ってもよく、単板のほか結合せて使用することも
可能である。
Furthermore, the configuration of the magneto-optical disk is as follows (1) to (V
) The structure is not limited to the structure shown in (), but may be laminated with a base layer, an oxidation prevention film, or a high permeability soft magnetic film as necessary, and it is also possible to use them in combination in addition to a single plate. It is.

また基板上に2reJの光磁気記録膜を設けて光磁気配
SAMとすることもでき、その場合には、第1光磁気記
録膜の保磁力をHclとし、キュリー温度をTClとし
、第2光磁気記録膜の保磁力を11C2とし、キュリー
温度をTC2としたときに、Hc  1>Hc2であり
、かつTClくTC2となす、さらに少なくとも外層(
基板と反対側の層すなわち、第2光磁気記録膜層)は本
発明で特定するような光磁気記録膜とすることが好まし
い。
It is also possible to form a magneto-optical SAM by providing a 2reJ magneto-optical recording film on the substrate. In that case, the coercive force of the first magneto-optical recording film is Hcl, the Curie temperature is TCl, and the second optical When the coercive force of the magnetic recording film is 11C2 and the Curie temperature is TC2, Hc1>Hc2 and TCl<TC2, and at least the outer layer (
The layer on the side opposite to the substrate (ie, the second magneto-optical recording film layer) is preferably a magneto-optical recording film as specified in the present invention.

このような2RjJ横遺の光磁気記録膜は、オーバーラ
イドすることができる。このような2層構造の光磁気記
録膜にオーバーライドする場合の記録方法について説明
する。
Such a 2RjJ side magneto-optical recording film can be overridden. A recording method for overriding such a two-layered magneto-optical recording film will be described.

光磁気記録装置は、レーザ光を照射するヘッドの直下に
書き込み用の上向き磁界(または下向き磁界)を発生す
る磁場(Ho )を有し、該磁場の前方すなわち上流側
にHCl〉Hb>Hc2なる関係を有する下向き磁界(
または上向き磁界)を発生する磁場(1−tb)を有す
る。
A magneto-optical recording device has a magnetic field (Ho) that generates an upward magnetic field (or downward magnetic field) for writing directly below a head that irradiates a laser beam, and in front of the magnetic field, that is, on the upstream side, there is a magnetic field HCl>Hb>Hc2. A downward magnetic field with the relationship (
It has a magnetic field (1-tb) that generates an upward magnetic field).

光磁気記録膜は、まずHb上を通過することにより第2
光磁気記録膜の磁化の向きが下向き(または上向き)に
そろえられる、この時第1光磁気記録膜の磁化の向きは
、Hc 1> Hbの関係から変化しない0次にHo上
を通過する際に、情報信号に対応して高レベルまたは低
レベルにレベル変調したレーザ光を光磁気記録膜に照射
する。高レベルレーザ光は、第2光磁気記録膜のキュリ
ー温度TC2以上に光磁気記録膜を加熱するため、弱い
外部磁場Hoによって第1光磁気記録膜および第2光磁
気記録膜ともに外部磁場の磁界方向つまり上向き(また
は下向き)に磁化の向きがそろえられる。一方、低レベ
ルのレーザ光は、第1光磁気記5j、膜のキュリー温度
TC1以上でTC2未満にしか光磁気記録膜を加熱しな
いため、Hoによって磁化されるのは第1光磁気記録膜
だけであり、第2光磁気記録膜の磁化の向きは下向き(
または上向き)のままである。よって、第1光磁気記録
膜の磁化方向はHo通過後室温にもどる過程で第2光磁
気記録膜の磁化方向に反転し下向き(または上向き)と
なる。したがって、書き込み用レーザ光のエネルギーレ
ベルを変調することによって、光磁気記録膜にオーバー
ライドすることができる。
The magneto-optical recording film first passes over Hb to form a second
The direction of magnetization of the magneto-optical recording film is aligned downward (or upward). At this time, the direction of magnetization of the first magneto-optical recording film does not change from the relationship Hc 1 > Hb when passing over the 0th order Ho. First, the magneto-optical recording film is irradiated with laser light whose level is modulated to a high level or a low level in accordance with the information signal. Since the high-level laser beam heats the magneto-optical recording film to a temperature higher than the Curie temperature TC2 of the second magneto-optical recording film, the weak external magnetic field Ho causes both the first magneto-optical recording film and the second magneto-optical recording film to be exposed to the magnetic field of the external magnetic field. The direction of magnetization is aligned upward (or downward). On the other hand, since the low-level laser beam only heats the first magneto-optical recording film 5j to a temperature higher than the Curie temperature TC1 and less than TC2 of the film, only the first magneto-optical recording film is magnetized by Ho. The direction of magnetization of the second magneto-optical recording film is downward (
or upward). Therefore, the magnetization direction of the first magneto-optical recording film is reversed to the magnetization direction of the second magneto-optical recording film in the process of returning to room temperature after passing through Ho, and becomes downward (or upward). Therefore, by modulating the energy level of the writing laser beam, it is possible to override the magneto-optical recording film.

また上記のものとは別に2層構造からなる光磁気記録膜
であって、第1光磁気記録膜層(内IU )の保磁力が
第2光磁気記録膜層(外層)の保磁力よりも小さく、さ
らに少なくとも外層(基板と反対側の層)となる側の光
磁気記録膜が本発明の光磁気記録膜である場合には、C
/N比の高い長期信顆性にすぐれた光磁気配ih膜が得
られる。すなわち、記録感度は外層のキュリー点に依存
し、外層へ記録された情報は、保磁力が小さく、カー回
転角の大きな内層に転写され、それを読み出すと、高い
C/N比が得られるのである。この場合、高いC/N比
を得るためには内層のカー回転角が0.25dcg以上
、好ましくは0.3deg以上、保磁力は3KO8以下
、好ましくは2KOe以下であり、また(B)屑の保磁
力は3KOe以上、好ましくは4KOa以上、かつ(B
)層のキュリー点は100〜300°Cであることが望
ましい。
In addition to the above, there is also a magneto-optical recording film having a two-layer structure, in which the coercive force of the first magneto-optical recording film layer (inner IU) is higher than the coercive force of the second magneto-optical recording film layer (outer layer). If the magneto-optical recording film of the present invention is small, and at least the outer layer (layer opposite to the substrate) is the magneto-optical recording film of the present invention, C.
A magneto-optical IH film with a high /N ratio and excellent long-term reliability can be obtained. In other words, the recording sensitivity depends on the Curie point of the outer layer, and the information recorded on the outer layer is transferred to the inner layer, which has a small coercive force and a large Kerr rotation angle, and when it is read out, a high C/N ratio can be obtained. be. In this case, in order to obtain a high C/N ratio, the Kerr rotation angle of the inner layer is 0.25 dcg or more, preferably 0.3 deg or more, the coercive force is 3KO8 or less, preferably 2KOe or less, and (B) the The coercive force is 3 KOe or more, preferably 4 KOa or more, and (B
) The Curie point of the layer is preferably 100 to 300°C.

このような光磁気記録膜では、記録感度は第2光磁気記
録膜のキュリー点に依存し、第1光磁気記録膜に記録さ
れた情報は、保磁力が小さいなめカー回転角の大きな第
2光磁気記録層へ転写され、この情報を読出すと高いC
/N比が得られる。
In such a magneto-optical recording film, the recording sensitivity depends on the Curie point of the second magneto-optical recording film, and the information recorded on the first magneto-optical recording film is stored in the second film, which has a small coercive force and a large Kerr rotation angle. When this information is transferred to the magneto-optical recording layer and read out, a high C
/N ratio is obtained.

几匪立蓋玉 本発明では、 (i)Ptおよび/またはPd (ii)希土類元素(RE)  および(iii)Fe
および/またはCoを含み、Ptおよび/またはPdは
、10原子%を超えて3o原子%以下の量で存在し、 Feおよび/またはCoは、4o原子%以上で70原子
%以下の量で存在し、かつCo / (Fe+Co )
比[原子比コが0〜0.3であることを特徴とする光磁
気記録膜が提供される。
In the present invention, (i) Pt and/or Pd (ii) rare earth elements (RE) and (iii) Fe
and/or Co, Pt and/or Pd is present in an amount greater than 10 atom % and less than or equal to 3 o atom %, and Fe and/or Co is present in an amount of greater than or equal to 4 o atom % and less than or equal to 70 atom %. And Co/(Fe+Co)
There is provided a magneto-optical recording film characterized in that the ratio [atomic ratio ko] is 0 to 0.3.

この光磁気記録膜は、耐酸化性に優れ、長期間にわたっ
て使用することができ、しかもC/N比が大きく、かつ
ノイズレベルが低く、その上バイアス磁界依存性にも優
れている。
This magneto-optical recording film has excellent oxidation resistance, can be used for a long period of time, has a large C/N ratio, has a low noise level, and has excellent bias magnetic field dependence.

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be explained below with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

−′ 1〜25および   1〜19 ターゲツトとして、Fcツタ−ゲット上たはFe 、C
oターゲット上に、Ptおよび/またはPdと、希土類
金属とのチップを所定割合で配置した複合ターゲットを
用いて、ガラス基板上に、20〜50°CでDCマグネ
トロンスパッタリングにより、表1に示すような組成を
有する光磁気記録膜を成膜した。成膜条件は、Ar圧5
mTOrr、Ar流Ji 35CCI、真空到達度5 
x 1O−6Torr以下であり、合金薄膜の膜厚は1
000人とした。
-' 1 to 25 and 1 to 19 As targets, on Fc target or Fe, C
o Using a composite target in which chips of Pt and/or Pd and rare earth metals are arranged at a predetermined ratio on the target, sputtering was performed on a glass substrate by DC magnetron sputtering at 20 to 50°C as shown in Table 1. A magneto-optical recording film having a composition was formed. The film forming conditions were Ar pressure 5
mTOrr, Ar flow Ji 35CCI, vacuum attainment level 5
x 1O-6 Torr or less, and the thickness of the alloy thin film is 1
000 people.

得られた光磁気記録膜は、広角X線回折法により測定し
た結果、すべて非晶質であった。なお組成を102発光
分光分析によって求めた。
The obtained magneto-optical recording film was entirely amorphous as measured by wide-angle X-ray diffraction. The composition was determined by 102 emission spectrometry.

また、カー回転角はガラス基板側から測定した外部感場
ゼロでの残留カー回転角を斜入射法(λ=780nn)
で測定した。斜入射法の具体的測定法および装置は、山
川相部監修「磁性材料の測定技術」 (昭和60年12
月25日トリケッブス株式会社発行)第261頁〜26
3頁に記載されている。
In addition, the Kerr rotation angle is the residual Kerr rotation angle measured from the glass substrate side with zero external sensing field using the oblique incidence method (λ = 780nn).
It was measured with Specific measurement methods and equipment for the oblique incidence method are available in "Measurement Techniques for Magnetic Materials" (December 1985) supervised by Aibe Yamakawa.
Published by Trikebbs Co., Ltd. on March 25th) pp. 261-26
It is described on page 3.

得られた光磁気記録膜のX値、Fe fCo址(原子%
)、Co/ (Fe +cO)比[原子比]、カー回転
角(θk)および保磁力(Hc)を表1に示す。
X value of the obtained magneto-optical recording film, Fe fCo mass (atomic%
), Co/(Fe +cO) ratio [atomic ratio], Kerr rotation angle (θk), and coercive force (Hc) are shown in Table 1.

また、非品性のエチレン−テトラシクロドデセン共重合
体からなる基板上に、DCマグネトロンスパッタ法によ
り所定の組成の光磁気記録膜を成膜して単層1000人
の光磁気ディスクを作成した。
In addition, a magneto-optical recording film of a predetermined composition was formed on a substrate made of a non-quality ethylene-tetracyclododecene copolymer by DC magnetron sputtering to create a single-layer magneto-optical disk with a capacity of 1,000 people. .

得られた光磁気ディスクは、直径130市であり、この
光磁気ディスクをドライブ装置(ナカミチ0MS−40
00)を使用して、記録周波数1MH2(Du ty比
50%)、線速11.1m/S、書込み時のバイアス磁
界2000e、読出レーザーパワー1.0mWの条件で
記録、再生を行った。
The obtained magneto-optical disk had a diameter of 130 cm, and the magneto-optical disk was driven by a drive device (Nakamichi 0MS-40
00), recording and reproduction were performed under the conditions of a recording frequency of 1 MH2 (duty ratio 50%), a linear velocity of 11.1 m/s, a bias magnetic field of 2000 e during writing, and a read laser power of 1.0 mW.

そして、表1にはスペクトラムアナライザーで2次高調
波のレベルが最小となる記録パワー(最適記録パワー)
で記録した時の信号対雑音比(C/N比)とノイズレベ
ルをも示す。
Table 1 shows the recording power (optimal recording power) at which the level of the second harmonic is minimized by the spectrum analyzer.
It also shows the signal-to-noise ratio (C/N ratio) and noise level when recorded.

そして、この情報を最適記録パワーより3.0mW大き
なパワーで消去し、新たな情報の記録を行った。この操
作を10回行なって、この消去前後でのC/N比の差を
へ〇/N比として表わした。
Then, this information was erased with a power 3.0 mW higher than the optimum recording power, and new information was recorded. This operation was repeated 10 times, and the difference in the C/N ratio before and after erasing was expressed as the 0/N ratio.

バイアス磁界依存性については、上記の条件でバイアス
磁界依存性については、上記の条件でバイアス磁界を5
0〜5000cまで変化させた場合のC/N比の変化よ
りHsat、を求めた。
Regarding the bias magnetic field dependence, the bias magnetic field dependence was set under the above conditions.
Hsat was determined from the change in C/N ratio when changing from 0 to 5000c.

さらに、長期信顆性を調べることを口約に、得られた光
磁気ディスクを80°C1相対湿度85%の高温高温条
件のオーブン中に1000時間放置するライフ・テスト
を行ない、1000時間経過後のC/N比を測定し、表
1に示す。
Furthermore, with the promise of investigating long-term reliability, we conducted a life test in which the resulting magneto-optical disk was left in an oven at a high temperature of 80°C and 85% relative humidity for 1,000 hours. The C/N ratio was measured and shown in Table 1.

X丑」LL旦 非品性ポリオレフィン基板上に、DCマグネトロンスバ
ヅタ法によって、第1光磁気記録膜としてP j 13
T b 28F OssCo4膜および第2光磁気記録
膜としてP j 13T b 3o F e 4ac 
09膜を、外層が第2光磁気記録膜となるように形成し
た。この時、第1光磁気記録膜の保磁力は第2光磁気記
録膜の保磁力よりも大きく、かつ、第1光磁気記j、&
膜のキュリー温度は第2光磁気記録膜のキュリー温度よ
りも小さい関係を有していた。
P j 13 was deposited on a non-quality polyolefin substrate as a first magneto-optical recording film by a DC magnetron splatter method.
T b 28F OssCo4 film and P j 13T b 3o F e 4ac as the second magneto-optical recording film
09 film was formed so that the outer layer was the second magneto-optical recording film. At this time, the coercive force of the first magneto-optical recording film is larger than the coercive force of the second magneto-optical recording film, and the coercive force of the first magneto-optical recording film j, &
The Curie temperature of the film had a smaller relationship than the Curie temperature of the second magneto-optical recording film.

次に、書き込み用の上向き磁界<0.2KOa )と該
磁場の上流側に隣設された第2光磁気記録膜の保磁力よ
り大きく第1光磁気記録膜の保磁力より小さな下向き磁
界(5KOa)とを有するディスクドライブに、上記の
光磁気ディスクを線速11m/s、低レベルレーザパワ
ー4mW、高いレベルレーザパワー6mWの条件で単一
ビーム変調によってオーバーライドを行なったところ、
オーバーライド可能であった。
Next, an upward magnetic field for writing (<0.2 KOa) and a downward magnetic field (5 KOa) which is larger than the coercive force of the second magneto-optical recording film and smaller than the coercive force of the first magneto-optical recording film adjacent to the upstream side of the magnetic field are applied. ), the magneto-optical disk described above was overridden by single beam modulation at a linear velocity of 11 m/s, a low level laser power of 4 mW, and a high level laser power of 6 mW.
It could be overridden.

また、この光磁気ディスクを80℃、相対湿度85%の
条件下で1000時間放置のライフ・テストを行なった
ところ、記録特性に変化がみられなかった。
Further, when this magneto-optical disk was subjected to a life test under conditions of 80° C. and 85% relative humidity for 1000 hours, no change was observed in the recording characteristics.

火1」[L旦 実施例25と同様にして、第1光磁気記録膜としてPt
 Tb20Fe6oCo15膜を30OAの膜厚で設け
、第2光磁気記録膜(外層)としてPt13Tb28F
c519o8Wiを800人のII5!厚で設けた。
Pt was used as the first magneto-optical recording film in the same manner as in Example 25.
A Tb20Fe6oCo15 film is provided with a film thickness of 30OA, and a Pt13Tb28F film is provided as a second magneto-optical recording film (outer layer).
c519o8Wi to 800 II5! It was set thick.

この第1光磁気記録膜は、θkが0.40°であり、H
cは1.2KOeであり、Tcは270℃であった。ま
た第2光磁気記録膜は、θkが0624°であり、Hc
は8゜3KOaであり、Tcは170℃であった。
This first magneto-optical recording film has θk of 0.40° and H
c was 1.2KOe, and Tc was 270°C. Further, the second magneto-optical recording film has θk of 0624° and Hc
was 8°3KOa, and Tc was 170°C.

この光磁気記録膜のC/N比は55dBであった。The C/N ratio of this magneto-optical recording film was 55 dB.

またこの光磁気ディスクを80℃、相対湿度85%の条
件下で1000時間放置するライフ・テストを行なった
ところ、記録特性に変化はみられなかった。
Further, when a life test was carried out in which this magneto-optical disk was left for 1000 hours under conditions of 80° C. and 85% relative humidity, no change was observed in the recording characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、光磁気記録膜中のPtおよび/またはPdの
含有量(原子%)と耐酸化性(へC/N比)との関係を
示す図である。第2図は、光磁気記録膜のバイアス磁界
(Oe)とC/N比との関係を示す図である。第3図は
、光磁気記録膜中のPtおよび/まなはPdの含有量(
原子%)と最小バイアス磁界(Hsat、 (Oe))
との関係を示す図である。第4図は、P【を含有する光
磁気記録膜中のCo / (Fe +Co )比[原子
比]とノイズレベル(dll)との関係を示す図である
。第5図は、Pdを含有する光磁気記録膜中のCo/(
Fe 十Co )比[原子比]とノイズレベル(dBn
)との関係を示す図である。第6図は、光磁気記録膜中
のCo / (FI3 +Co)比[原子比コと消去劣
化(へC/N比(dB))との関係を示す図である。 なお、第1図〜第6図の光磁気ディスクはすべて単層1
000人の構成のものである。 第2図 バイアス磁界(Oe) 第3図 9士またはPd含有量(原子%) 第4図 0、 I       02      0.3   
   0.4Co/(Fe+Col比〔原子比〕 第5図 co/(Few(:6 )比〔原子比〕第6図 □       Q、I      O,20,3Q4
(’/cFeeCol比〔原子比〕 (註)Q印は、0印と・印ヒφ?融していることを示す
FIG. 1 is a diagram showing the relationship between the content (atomic %) of Pt and/or Pd in the magneto-optical recording film and the oxidation resistance (C/N ratio). FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the bias magnetic field (Oe) of the magneto-optical recording film and the C/N ratio. Figure 3 shows the content of Pt and/or Pd in the magneto-optical recording film (
atomic%) and minimum bias magnetic field (Hsat, (Oe))
FIG. FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the Co/(Fe +Co) ratio [atomic ratio] in a magneto-optical recording film containing P and the noise level (dll). FIG. 5 shows Co/(
Fe + Co) ratio [atomic ratio] and noise level (dBn
) is a diagram showing the relationship between FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the Co/(FI3+Co) ratio [atomic ratio Co] and erase deterioration (to C/N ratio (dB)) in the magneto-optical recording film. Note that all the magneto-optical disks in Figures 1 to 6 are single-layer 1
It is made up of 000 people. Figure 2 Bias magnetic field (Oe) Figure 3 Pd content (atomic %) Figure 4 0, I 02 0.3
0.4Co/(Fe+Col ratio [atomic ratio] Fig. 5 co/(Few (:6) ratio [atomic ratio] Fig. 6 □ Q, I O, 20, 3Q4
('/cFeeCol ratio [atomic ratio]) (Note) The Q symbol indicates that the 0 symbol and the 0 symbol are fused.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)(i)Ptおよび/またはPd (ii)希土類元素(RE)および (iii)Feおよび/またはCoを含み、Ptおよび
/またはPdは、10原子%を超 えて30原子%以下の量で存在し、 Feおよび/またはCoは、40原子%以上で70原子
%以下の量で存在し、かつCo/(Fe+Co)比[原
子比]が0〜0.3であることを特徴とする光磁気記録
膜。 2)光磁気記録膜の結晶状態が、実質的に非晶質である
請求項第1項に記載の光磁気記録膜。 3)Ptおよび/またはPdが、10原子%を超えて2
0原子%未満の量で存在する請求項第1項または第2項
に記載の光磁気記録膜。 4)Ptおよび/またはPdが、11原子%〜19原子
%量で存在する請求項第1項または第2項に記載の光磁
気記録膜。 5)Feおよび/またはCoが、40原子%以上で60
原子%未満の量で存在する請求項第1項または第2項に
記載の光磁気記録膜。 6)Co/( Fe+Co)比[原子比]が、0以上0
.2以下である請求項第1項または第2項に記載の光磁
気記録膜。 7)Co/(Fe+Co)比[原子比]が 0.01〜0.2である請求項第1項または第2項に記
載の光磁気記録膜。 8)希土類元素が、Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、G
d、Tb、DyまたHoである請求項第1項または第2
項に記載の光磁気記録膜。 9)光磁気記録膜が2層構造であり、第1光磁気記録膜
の保磁力をHc_1とし、キュリー温度をTc_1とし
、第2光磁気記録膜の保磁力をHc_2とし、キュリー
温度をTc_2としたときに、Hc_1>Hc_2であ
り、かつTc_1<Tc_2となり、さらに少なくとも
外層(基板と反対側の層すなわち第2光磁気記録膜)が
、 (i)Ptおよび/またはPd (ii)希土類元素(RE)および (iii)Feおよび/またはCoを含み、Ptおよび
/またはPdは、10原子%を超えて30原子%以下の
量で存在し、 Fcおよび/またはCoは、40原子%以上で70原子
%以下の量で存在し、かつCo/(Fe+Co)比[原
子比]が0〜0.3であることを特徴とする光磁気記録
膜。 10)第2光磁気記録膜の結晶状態が、実質的に非晶質
である請求項第9項に記載の光磁気記録膜。 11)第2光磁気記録膜において、Ptおよび/または
Pdが、10原子%を超えて20原子%未満の量で存在
する請求項第9項または第10項に記載の光磁気記録膜
。 12)第2光磁気記録膜において、Ptおよび/または
Pdが、11原子%〜19原子%量で存在する請求項第
9項または第10項に記載の光磁気記録膜。 13)第2光磁気記録膜において、Feおよび/または
Coが、40原子%以上で60原子%未満の量で存在す
る請求項第9項または第10項に記載の光磁気記録膜。 14)第2光磁気記録膜において、Co/(Fe+Co
)比[原子比]が、0以上0.2以下である請求項第9
項または第10項に記載の光磁気記録膜。 15)第2光磁気記録膜において、Co/(Fe+Co
)比[原子比]が0.01〜0.2である請求項第9項
または第10項に記載の光磁気記録膜。 16)第2光磁気記録膜において、希土類元素が、Nd
、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、DyまたHo
である請求項第9項または第10項に記載の光磁気記録
膜。 17)光磁気記録膜が2層構造であり、第1光磁気記録
膜(内層)の保磁力が第2光磁気記録膜(外層)の保磁
力よりも小さく、さらに少なくとも外層(基板と反対側
の層)が、 (i)Ptおよび/またはPd (ii)希土類元素(RE)および (iii)Feおよび/またはCoを含み、Ptおよび
/またはPdは、10原子%を超えて30原子%以下の
量で存在し、 Feおよび/またはCoは、40原子%以上で70原子
%以下の量で存在し、かつCo/(Fe+Co)比[原
子比]が0〜0.3であることを特徴とする光磁気記録
膜。 18)第2光磁気記録膜の結晶状態が、実質的に非晶質
である請求項第17項に記載の光磁気記録膜。 19)第2光磁気記録膜において、Ptおよび/または
Pdが、10原子%を超えて20原子%未満の量で存在
する請求項第17項または第18項に記載の光磁気記録
膜。 20)第2光磁気記録膜において、Ptおよび/または
Pdが、11原子%〜19原子%量で存在する請求項第
17項または第18項に記載の光磁気記録膜。 21)第2光磁気記録膜において、Feおよび/または
Coが、40原子%以上で60原子%未満の量で存在す
る請求項第17項または第18項に記載の光磁気記録膜
。 22)第2光磁気記録膜において、Co/(Fe+Co
)比[原子比]が、0以上0.2以下である請求項第1
7項または第18項に記載の光磁気記録膜。 23)第2光磁気記録膜において、Co/(Fe+Co
)比[原子比]が0.01〜0.2である請求項第17
項または第18項に記載の光磁気記録膜。 24)第2光磁気記録膜において、希土類元素が、Nd
、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、DyまたHo
である請求項第17項または第18項に記載の光磁気記
録膜。 25)(i)Ptおよび/またはPd、(ii)希土類
元素および(iii)Feおよび/またはCoを含み、
Ptおよび/またはPdは、5原子%を超えて40原子
%以下の量で存在し、Feおよび/またはCoは30原
子%以上で80原子%以下の量で存在し、かつCo/(
Fe+Co)比[原子比]が0〜0.4である合金ター
ゲット。
[Claims] 1) Contains (i) Pt and/or Pd (ii) rare earth element (RE) and (iii) Fe and/or Co, in which Pt and/or Pd exceeds 10 atomic % and 30 Fe and/or Co are present in an amount of 40 atomic % or more and 70 atomic % or less, and the Co/(Fe + Co) ratio [atomic ratio] is 0 to 0.3. A magneto-optical recording film characterized by: 2) The magneto-optical recording film according to claim 1, wherein the crystalline state of the magneto-optical recording film is substantially amorphous. 3) Pt and/or Pd exceeds 10 atomic %2
3. The magneto-optical recording film according to claim 1, wherein the magneto-optical recording film is present in an amount of less than 0 atomic %. 4) The magneto-optical recording film according to claim 1 or 2, wherein Pt and/or Pd are present in an amount of 11 atomic % to 19 atomic %. 5) Fe and/or Co is 40 atomic % or more and 60
3. The magneto-optical recording film according to claim 1, wherein the magneto-optical recording film is present in an amount of less than atomic percent. 6) Co/(Fe+Co) ratio [atomic ratio] is 0 or more
.. 2. The magneto-optical recording film according to claim 1 or 2, wherein the magneto-optical recording film is 2 or less. 7) The magneto-optical recording film according to claim 1 or 2, wherein the Co/(Fe+Co) ratio [atomic ratio] is 0.01 to 0.2. 8) Rare earth elements are Nd, Sm, Pr, Ce, Eu, G
d, Tb, Dy or Ho.
The magneto-optical recording film described in . 9) The magneto-optical recording film has a two-layer structure, the coercive force of the first magneto-optical recording film is Hc_1, the Curie temperature is Tc_1, the coercive force of the second magneto-optical recording film is Hc_2, and the Curie temperature is Tc_2. Then, Hc_1>Hc_2 and Tc_1<Tc_2, and furthermore, at least the outer layer (the layer on the opposite side of the substrate, ie, the second magneto-optical recording film) contains (i) Pt and/or Pd (ii) rare earth elements ( RE) and (iii) Fe and/or Co, Pt and/or Pd is present in an amount of more than 10 atom % and less than 30 atom %, Fc and/or Co is present in an amount of more than 40 atom % and 70 atom % A magneto-optical recording film characterized by being present in an amount of at most atomic % and having a Co/(Fe+Co) ratio [atomic ratio] of 0 to 0.3. 10) The magneto-optical recording film according to claim 9, wherein the crystalline state of the second magneto-optical recording film is substantially amorphous. 11) The magneto-optical recording film according to claim 9 or 10, wherein in the second magneto-optical recording film, Pt and/or Pd are present in an amount of more than 10 atomic % and less than 20 atomic %. 12) The magneto-optical recording film according to claim 9 or 10, wherein in the second magneto-optical recording film, Pt and/or Pd are present in an amount of 11 atomic % to 19 atomic %. 13) The magneto-optical recording film according to claim 9 or 10, wherein in the second magneto-optical recording film, Fe and/or Co are present in an amount of 40 atomic % or more and less than 60 atomic %. 14) In the second magneto-optical recording film, Co/(Fe+Co
) ratio [atomic ratio] is 0 or more and 0.2 or less
The magneto-optical recording film according to item 1 or item 10. 15) In the second magneto-optical recording film, Co/(Fe+Co
) ratio [atomic ratio] is 0.01 to 0.2. The magneto-optical recording film according to claim 9 or 10. 16) In the second magneto-optical recording film, the rare earth element is Nd
, Sm, Pr, Ce, Eu, Gd, Tb, Dy and Ho
The magneto-optical recording film according to claim 9 or 10. 17) The magneto-optical recording film has a two-layer structure, the coercive force of the first magneto-optical recording film (inner layer) is smaller than the coercive force of the second magneto-optical recording film (outer layer), and at least the outer layer (on the side opposite to the substrate (i) Pt and/or Pd (ii) rare earth element (RE) and (iii) Fe and/or Co, Pt and/or Pd is more than 10 atomic % and 30 atomic % or less Fe and/or Co are present in an amount of 40 atomic % or more and 70 atomic % or less, and the Co/(Fe + Co) ratio [atomic ratio] is 0 to 0.3. magneto-optical recording film. 18) The magneto-optical recording film according to claim 17, wherein the crystalline state of the second magneto-optical recording film is substantially amorphous. 19) The magneto-optical recording film according to claim 17 or 18, wherein in the second magneto-optical recording film, Pt and/or Pd are present in an amount of more than 10 atomic % and less than 20 atomic %. 20) The magneto-optical recording film according to claim 17 or 18, wherein in the second magneto-optical recording film, Pt and/or Pd are present in an amount of 11 atomic % to 19 atomic %. 21) The magneto-optical recording film according to claim 17 or 18, wherein in the second magneto-optical recording film, Fe and/or Co are present in an amount of 40 atomic % or more and less than 60 atomic %. 22) In the second magneto-optical recording film, Co/(Fe+Co
) ratio [atomic ratio] is 0 or more and 0.2 or less
The magneto-optical recording film according to item 7 or 18. 23) In the second magneto-optical recording film, Co/(Fe+Co
) ratio [atomic ratio] is 0.01 to 0.2. Claim 17
19. The magneto-optical recording film according to item 1 or 18. 24) In the second magneto-optical recording film, the rare earth element is Nd
, Sm, Pr, Ce, Eu, Gd, Tb, Dy and Ho
The magneto-optical recording film according to claim 17 or 18. 25) Contains (i) Pt and/or Pd, (ii) rare earth elements and (iii) Fe and/or Co,
Pt and/or Pd is present in an amount of more than 5 atom % and less than 40 atom %, Fe and/or Co is present in an amount of more than 30 atom % and less than 80 atom %, and Co/(
An alloy target having an Fe+Co) ratio [atomic ratio] of 0 to 0.4.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5242762A (en) * 1991-02-19 1993-09-07 Sony Corporation Magnetic recording medium having an underlayer and a thin film magnetic layer which consists of a specified cobalt-platinum-palladium alloy
TWI627286B (en) * 2013-02-18 2018-06-21 Sanyo Special Steel Co Ltd CoFe-based alloy for soft magnetic film layer and sputtering target for perpendicular magnetic recording medium

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