JPH0117604B2 - - Google Patents
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- JPH0117604B2 JPH0117604B2 JP57093633A JP9363382A JPH0117604B2 JP H0117604 B2 JPH0117604 B2 JP H0117604B2 JP 57093633 A JP57093633 A JP 57093633A JP 9363382 A JP9363382 A JP 9363382A JP H0117604 B2 JPH0117604 B2 JP H0117604B2
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- JP
- Japan
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- transistors
- transistor
- collector
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- resistors
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
- H03B5/1215—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair the current source or degeneration circuit being in common to both transistors of the pair, e.g. a cross-coupled long-tailed pair
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
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- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/1256—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a variable inductance
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は位相同期ループに使用される電圧制御
発振器に関するものである。
発振器に関するものである。
第１図にその回路構成例を示す。この回路は電
流制御方式の電圧制御発振器（以下、VCOと略
す）と呼ばれるもので、集積回路で構成するのに
適した回路である。第１図においてトランジスタ
３，４が発振トランジスタで、その各々のコレク
タ間にタンク回路としてのコイル１とコンデンサ
２が接続され、コイル１により、発振周波数を調
整することができる。また各トランジスタのコレ
クタよりコンデンサ５，６により正帰還させ、発
振動作を行なつている。トランジスタ３，４のエ
ミツタには電流源トランジスタ１３が接続され、
さらにこのトランジスタ１３に並列に差動接続構
成のトランジスタ１５が接続されている。このト
ランジスタ１５のベース、即ちＡ点には位相検波
器からの検波電圧が入力され、この誤差検出電圧
に応じて発振トランジスタ３，４のエミツタ電流
を変化させ、VCOの発振周波数を変化させてい
る。またトランジスタ１５のコレクタ電流の変化
によつて発振トランジスタ３，４のコレクタ電圧
が変動するのを防止するため、トランジスタ３，
４の電源を、トランジスタ１６のコレクタとその
負荷抵抗３５の交点からトランジスタ２５を介し
て供給している。即ち、トランジスタ１５，１６
の差動構成により、トランジスタ１５の電流が△
Ｉ増加するとトランジスタ１６の電流は△Ｉ減少
し、抵抗２６，２７による電圧降下分をR35×△
Ｉで補つている。ここで、R35は抵抗３５の抵抗
値である。
流制御方式の電圧制御発振器（以下、VCOと略
す）と呼ばれるもので、集積回路で構成するのに
適した回路である。第１図においてトランジスタ
３，４が発振トランジスタで、その各々のコレク
タ間にタンク回路としてのコイル１とコンデンサ
２が接続され、コイル１により、発振周波数を調
整することができる。また各トランジスタのコレ
クタよりコンデンサ５，６により正帰還させ、発
振動作を行なつている。トランジスタ３，４のエ
ミツタには電流源トランジスタ１３が接続され、
さらにこのトランジスタ１３に並列に差動接続構
成のトランジスタ１５が接続されている。このト
ランジスタ１５のベース、即ちＡ点には位相検波
器からの検波電圧が入力され、この誤差検出電圧
に応じて発振トランジスタ３，４のエミツタ電流
を変化させ、VCOの発振周波数を変化させてい
る。またトランジスタ１５のコレクタ電流の変化
によつて発振トランジスタ３，４のコレクタ電圧
が変動するのを防止するため、トランジスタ３，
４の電源を、トランジスタ１６のコレクタとその
負荷抵抗３５の交点からトランジスタ２５を介し
て供給している。即ち、トランジスタ１５，１６
の差動構成により、トランジスタ１５の電流が△
Ｉ増加するとトランジスタ１６の電流は△Ｉ減少
し、抵抗２６，２７による電圧降下分をR35×△
Ｉで補つている。ここで、R35は抵抗３５の抵抗
値である。
また、トランジスタ３，４のコレクターベース
間電圧VCBを一定にするため、そのベースバイア
スは各コレクタから抵抗２８，２９を介し、トラ
ンジスタ３０のベースに加えられ、そのエミツタ
より抵抗３１を介し、各々のベースに抵抗１１，
１２を介して加えられている。またトランジスタ
３０のVBEと抵抗３１による電圧降下分は、トラ
ンジスタ３，４のコレクタに２個ずつ直列に接続
されたダイオード７，８，９，１０により補償さ
れている。したがつてトランジスコ３，４のコレ
クターベース間電圧VCBはほぼ零バイアス状態に
なつている。この様にVCBを一定にするのはVCB
の変動により発振周波数が変化するのを防止する
ためである。又トランジスタ３２は温度により発
振周波数が変動するのをトランジスタ３，４のベ
ースバイアスを温度で変化させることにより補償
するために挿入されている。
間電圧VCBを一定にするため、そのベースバイア
スは各コレクタから抵抗２８，２９を介し、トラ
ンジスタ３０のベースに加えられ、そのエミツタ
より抵抗３１を介し、各々のベースに抵抗１１，
１２を介して加えられている。またトランジスタ
３０のVBEと抵抗３１による電圧降下分は、トラ
ンジスタ３，４のコレクタに２個ずつ直列に接続
されたダイオード７，８，９，１０により補償さ
れている。したがつてトランジスコ３，４のコレ
クターベース間電圧VCBはほぼ零バイアス状態に
なつている。この様にVCBを一定にするのはVCB
の変動により発振周波数が変化するのを防止する
ためである。又トランジスタ３２は温度により発
振周波数が変動するのをトランジスタ３，４のベ
ースバイアスを温度で変化させることにより補償
するために挿入されている。
さて、このように構成されたVCO回路におい
てトランジスタ１５，１６よりなる差動増幅回路
のエミツタ抵抗１７，１８は同一値にするのが一
般的であり、例えば電流源トランジスタ２１に流
す電流を１ｍＡとすれば、トランジスタ１５のコ
レクタ電流I1のトランジスタ１６のコレクタ電流
I2は0.5ｍＡずつ流れる。従つてＡ点の電圧をコ
ントロールすることによりI1は、0.5ｍＡを中心
に０〜１ｍＡまで変化する。第２図に電流I1に対
する発振周波数の変化の状態を示す。
てトランジスタ１５，１６よりなる差動増幅回路
のエミツタ抵抗１７，１８は同一値にするのが一
般的であり、例えば電流源トランジスタ２１に流
す電流を１ｍＡとすれば、トランジスタ１５のコ
レクタ電流I1のトランジスタ１６のコレクタ電流
I2は0.5ｍＡずつ流れる。従つてＡ点の電圧をコ
ントロールすることによりI1は、0.5ｍＡを中心
に０〜１ｍＡまで変化する。第２図に電流I1に対
する発振周波数の変化の状態を示す。
第２図において本発明は発振周波数の変化の中
心を従来の(1)から(2)の位置にもつてくるように考
案したものである。即ちトランジスタ１５，１６
のエミツタ抵抗１７，１８の比をR17：R18＝
２：１とすれば、I1：I2＝１：２となり、センタ
ー1/3ｍＡを中心に０〜１ｍＡまで変化すること
になり第２図２の位置に中心点がくる。
心を従来の(1)から(2)の位置にもつてくるように考
案したものである。即ちトランジスタ１５，１６
のエミツタ抵抗１７，１８の比をR17：R18＝
２：１とすれば、I1：I2＝１：２となり、センタ
ー1/3ｍＡを中心に０〜１ｍＡまで変化すること
になり第２図２の位置に中心点がくる。
さて、上記のようにする目的について以下に述
べる。テレビの映像検波器として、位相同期方式
を用いた同期検波回路が考えられる。この場合チ
ユーナーの局部発振周波数ずれに対応してIFキ
ヤリヤもずれるが、もしVCOがこのずれに追従
しないとロツクはずれを起こし、正常な検波信号
が得られない。さてチユーナーの局部発振周波数
ずれに対し、どれ位の周波数範囲まで映像検波信
号が得られるかは、映像中間周波回路の選択度特
性で決まり、一般的には最良同調点より＋800K
Hz〜−1.8MHz位である。＋側（局部発振周波数の
高い方）は、隣接音声トラツプにより急激に映像
キヤリヤが減衰するため、映像信号のくずれが早
い。従つてチユーナーの局発変化に対しては＋
0.8〜−1.8MHz位追従できれば良く、従つてVCO
の可変範囲は＋1MHz〜2MHzあれば良い事にな
る。そこで前述の様に抵抗１７，１８の抵抗比を
２：１とし、第２図の２の位置にセンター値をも
つてくることによつて周波数の高い方に＋1MHz、
低い方に−2MHzの可変範囲を得ることができる。
当然１の状態においても電流源トランジスタ２１
の電流を増やせば（例えば１ｍＡ→1.5ｍＡ）±
2MHzの可変範囲を得る事は可能であるが、それ
だけ電流消費を伴ない、ICのPcの点からも好ま
しくない。従つて本構成により、実情に即した性
能を有し、かつ消費電力の少ない回路を実現でき
る。
べる。テレビの映像検波器として、位相同期方式
を用いた同期検波回路が考えられる。この場合チ
ユーナーの局部発振周波数ずれに対応してIFキ
ヤリヤもずれるが、もしVCOがこのずれに追従
しないとロツクはずれを起こし、正常な検波信号
が得られない。さてチユーナーの局部発振周波数
ずれに対し、どれ位の周波数範囲まで映像検波信
号が得られるかは、映像中間周波回路の選択度特
性で決まり、一般的には最良同調点より＋800K
Hz〜−1.8MHz位である。＋側（局部発振周波数の
高い方）は、隣接音声トラツプにより急激に映像
キヤリヤが減衰するため、映像信号のくずれが早
い。従つてチユーナーの局発変化に対しては＋
0.8〜−1.8MHz位追従できれば良く、従つてVCO
の可変範囲は＋1MHz〜2MHzあれば良い事にな
る。そこで前述の様に抵抗１７，１８の抵抗比を
２：１とし、第２図の２の位置にセンター値をも
つてくることによつて周波数の高い方に＋1MHz、
低い方に−2MHzの可変範囲を得ることができる。
当然１の状態においても電流源トランジスタ２１
の電流を増やせば（例えば１ｍＡ→1.5ｍＡ）±
2MHzの可変範囲を得る事は可能であるが、それ
だけ電流消費を伴ない、ICのPcの点からも好ま
しくない。従つて本構成により、実情に即した性
能を有し、かつ消費電力の少ない回路を実現でき
る。
以上説明したように本発明によれば、差動増幅
回路を構成するトランジスタのエミツタ抵抗の比
を変えて動作中心をずらせ発振周波数の可変範囲
を正負非対称とすることにより、現在のテレビジ
ヨン受像機の実情に即した性能で安価な電圧制御
発振回路を提供することができる。
回路を構成するトランジスタのエミツタ抵抗の比
を変えて動作中心をずらせ発振周波数の可変範囲
を正負非対称とすることにより、現在のテレビジ
ヨン受像機の実情に即した性能で安価な電圧制御
発振回路を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例における電圧制御発
振器の回路図、第２図は本発明の動作説明のため
の特性図である。 ３，４……発振トランジスタ、１５，１６……
差動増幅回路を構成するトランジスタ、１７，１
８……エミツタ抵抗。
振器の回路図、第２図は本発明の動作説明のため
の特性図である。 ３，４……発振トランジスタ、１５，１６……
差動増幅回路を構成するトランジスタ、１７，１
８……エミツタ抵抗。
Claims (1)
- １ 共通エミツタを定電流源に接続して差動増幅
回路を構成した第１、第２のトランジタ３，４の
コレクタ間にタンク回路１，２を接続し、この第
１、第２のトランジスタの各コレクタから互いに
他方のトランジスタのベースに正帰還用のコンデ
ンサ５，６を接続し、上記第１、第２のトランジ
スタのそれぞれのコレクタを負荷抵抗２６，２７
を通して第３のトランジスタ２５のエミツタに接
続し、この第３トランジスタのコレクタを電源に
接続し、そのベースを抵抗３５を介してバイアス
用電源３６に接続し、上記第１、第２トランジス
タの共通エミツタに差動接続構成した制御用の第
４、第５のトランジスタ１５，１６のうちの第４
のトランジスタ１５のコレクタを接続し、この第
４のトランジスタのベースＡに発振周波数制御用
の制御電圧を加え、上記第４、第５のトランジス
タのそれぞれのベースに共通のバイアス用電源２
４を接続し、上記第５のトランジスタのコレクタ
を上記第３のトランジスタのベースに接続し、上
記第４、第５のトランジススタのそれぞれのエミ
ツタに直列に抵抗１７，１８を接続しかつこれら
の抵抗の他端を共通に接続して定電流源２１に接
続し、上記第４、第５のトランジスタのエミツタ
に接続した２つの抵抗を、同一ベースバイアス時
における上記第４、第５のトランジスタのコレク
タ電流を非対称にして発振周波数の制御範囲を正
負非対称にするように非対称に設定したことを特
徴とする電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093633A JPS58210701A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093633A JPS58210701A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 電圧制御発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58210701A JPS58210701A (ja) | 1983-12-08 |
| JPH0117604B2 true JPH0117604B2 (ja) | 1989-03-31 |
Family
ID=14087735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57093633A Granted JPS58210701A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58210701A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60254805A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | 電圧制御発振回路 |
| JPH01160103A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発振回路 |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP57093633A patent/JPS58210701A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58210701A (ja) | 1983-12-08 |
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