JPH011725A - ポリカ−ボネ−トの製造方法 - Google Patents
ポリカ−ボネ−トの製造方法Info
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- JPH011725A JPH011725A JP62-156086A JP15608687A JPH011725A JP H011725 A JPH011725 A JP H011725A JP 15608687 A JP15608687 A JP 15608687A JP H011725 A JPH011725 A JP H011725A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ポリカーボネートの製造方法の改良に関する
ものである。さらに詳しくいえば、本発明は、成形時の
耐加水分解安定性及び長期耐熱性に優れ、かつ高分子量
のポリカーボネートを、ヒスフェノールAのジアルキル
ビスカーボネートとジフェニルカーボネートとの反応に
より、工業的に効率よく製造する方法に関するものであ
る。
ものである。さらに詳しくいえば、本発明は、成形時の
耐加水分解安定性及び長期耐熱性に優れ、かつ高分子量
のポリカーボネートを、ヒスフェノールAのジアルキル
ビスカーボネートとジフェニルカーボネートとの反応に
より、工業的に効率よく製造する方法に関するものであ
る。
従来の技術
近年、ポリカーボネートは、耐熱性、耐衝撃性、透明性
なとに優れたエンジニアリングプラスチノクとして、多
くの分野において幅広く用いられている。このポリカー
ボネートの製造方法については、従来種々の研究か行わ
れ、例えはヒスフェノールAとホスゲンとをアルカリの
存在下に界面重縮合させるホスゲン法、ビスフェノール
Aとジフェニルカーボネートとを溶融重縮合させるエス
テル交換法などが開発されている。
なとに優れたエンジニアリングプラスチノクとして、多
くの分野において幅広く用いられている。このポリカー
ボネートの製造方法については、従来種々の研究か行わ
れ、例えはヒスフェノールAとホスゲンとをアルカリの
存在下に界面重縮合させるホスゲン法、ビスフェノール
Aとジフェニルカーボネートとを溶融重縮合させるエス
テル交換法などが開発されている。
しかしなから、曲者のエステル交換法においては、無色
透明のポリカーボネートか得られるものの、有毒なホス
ゲンを使用しなけれはならない上、副生ずる塩化すトリ
ウムなどの無機塩の洗浄除去工程を必要とし、しかも、
溶媒を使用するために、反応液からのポリマーの取り出
しかやっかいで、かつ溶媒の回収工程が必要であるなと
操作の煩雑さを免れないという欠点を有している。
透明のポリカーボネートか得られるものの、有毒なホス
ゲンを使用しなけれはならない上、副生ずる塩化すトリ
ウムなどの無機塩の洗浄除去工程を必要とし、しかも、
溶媒を使用するために、反応液からのポリマーの取り出
しかやっかいで、かつ溶媒の回収工程が必要であるなと
操作の煩雑さを免れないという欠点を有している。
一方、エステル交換法においては、溶媒を用いる必要か
ないため、反応液からのポリマーの取り出しか容易で、
かつ工程も比較的簡単であるが、フェノール化合物を触
媒の存在下、高温で長時間反応させるために1、副反応
か起こり、生成したポリマーが着色する上、ポリマー中
に残存する触媒のために、該ポリマーは成形時の耐加水
分解安定性や長期耐熱性か十分でないなどの欠点がある
。
ないため、反応液からのポリマーの取り出しか容易で、
かつ工程も比較的簡単であるが、フェノール化合物を触
媒の存在下、高温で長時間反応させるために1、副反応
か起こり、生成したポリマーが着色する上、ポリマー中
に残存する触媒のために、該ポリマーは成形時の耐加水
分解安定性や長期耐熱性か十分でないなどの欠点がある
。
他方、ヒスフェノールAのヒスカーボネートと、これに
対して等モル以下のビスフェノールAとを縮合させる方
法か知られている(米国特許第2.916,766号明
細書)。しかしながら、この方法においても、触媒を使
用するために、前記のエステル交換法と同様な欠点を有
している。
対して等モル以下のビスフェノールAとを縮合させる方
法か知られている(米国特許第2.916,766号明
細書)。しかしながら、この方法においても、触媒を使
用するために、前記のエステル交換法と同様な欠点を有
している。
このように、着色がなく、かつ成形時の耐加水分解安定
性や長期耐熱性などに優れた高分子量のポリカーボネー
トを、簡単な工程で製造する方法(よ、これまで知られ
ていなかつt二。
性や長期耐熱性などに優れた高分子量のポリカーボネー
トを、簡単な工程で製造する方法(よ、これまで知られ
ていなかつt二。
発明か解決使用とする問題点
本発明は、着色がなく、成形時の耐加水分解安定性や長
期耐熱性などに優れた高分子量のポリカーポ不−1・を
簡単な工程で、効率よく製造する方法を提供することを
目的としてなされたものである。
期耐熱性などに優れた高分子量のポリカーポ不−1・を
簡単な工程で、効率よく製造する方法を提供することを
目的としてなされたものである。
問題点を解決するための手段
本発明者らは、重犯目的を達成するために鋭意研究ヲ重
ねた結果、ヒスフェノールAのジアルキルビスカーボネ
ートとジフェニルカーポ不−1・とを特定のモル比で用
い、これらを触媒の不在下に所定の温度で反応させるこ
とにより、その目的を達成しうろことを見出だし、この
知見に基づいて本発明を完成するに至った。
ねた結果、ヒスフェノールAのジアルキルビスカーボネ
ートとジフェニルカーポ不−1・とを特定のモル比で用
い、これらを触媒の不在下に所定の温度で反応させるこ
とにより、その目的を達成しうろことを見出だし、この
知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、一般式
(式中のR1及びR2はそれぞれ低級アルキル基である
) で表わされる2、2−ビス(p−ヒドロキシフェニル)
プロパン(ヒスフェノールA)のジアルキルビスカーボ
ネートと、該ジアルキルビスカーボネートに対し、少な
くとも等モルのジフェニルカーボネートとを、150〜
320°Cの温度において反応させることを特徴どする
ポリカーボネートの製造方法を提供するものである。
) で表わされる2、2−ビス(p−ヒドロキシフェニル)
プロパン(ヒスフェノールA)のジアルキルビスカーボ
ネートと、該ジアルキルビスカーボネートに対し、少な
くとも等モルのジフェニルカーボネートとを、150〜
320°Cの温度において反応させることを特徴どする
ポリカーボネートの製造方法を提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明方法において、原料の1つとして用いらR62,
2−ヒス(p−ヒドロキシフェニル)プロパン(ヒスフ
ェノールA)のジアルキルカーボネートは、前記一般式
(L)で表わされる構造を有するもので、例えば、ビス
フェノールA−ジメチルビスカーボネート及びビスフェ
ノールA−ジエチ免ボネートを挙けることができる。こ
れらの中では、ビスフェノールA−ジメチルビスカーボ
ネートが、高分子量のポリカーポ不−1・が得られる点
で特に好ましい。まt二、これらのヒスフェノールAの
・ジアルキルヒスカーボネートは単独で用いてもよいし
、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
2−ヒス(p−ヒドロキシフェニル)プロパン(ヒスフ
ェノールA)のジアルキルカーボネートは、前記一般式
(L)で表わされる構造を有するもので、例えば、ビス
フェノールA−ジメチルビスカーボネート及びビスフェ
ノールA−ジエチ免ボネートを挙けることができる。こ
れらの中では、ビスフェノールA−ジメチルビスカーボ
ネートが、高分子量のポリカーポ不−1・が得られる点
で特に好ましい。まt二、これらのヒスフェノールAの
・ジアルキルヒスカーボネートは単独で用いてもよいし
、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明方法においては、他の原料としてジフェニルカー
ボネートが用いられる。このジフェニルカーボネートは
、前記ビスフェノールAのジアルキルヒスカーボネート
に対し、等モル以上を使用することか必要である。この
量が等モル未満では高分子量のポリカーボネートか?与
られない。しかし、ジフェニルカーボネートの量が多す
ぎると重合最終段階で、高沸点のジフェニルカーポ不−
l・を反応系外に抜き出さなければならないので不利で
ある。したかって、ジフェニルカーボネートの使用量は
、ビスフェノールAのジアルキルヒスカーボネート1モ
ルに対し、1〜3モル、好ましくは1〜2モルの範囲で
選ぶのが望ましい。
ボネートが用いられる。このジフェニルカーボネートは
、前記ビスフェノールAのジアルキルヒスカーボネート
に対し、等モル以上を使用することか必要である。この
量が等モル未満では高分子量のポリカーボネートか?与
られない。しかし、ジフェニルカーボネートの量が多す
ぎると重合最終段階で、高沸点のジフェニルカーポ不−
l・を反応系外に抜き出さなければならないので不利で
ある。したかって、ジフェニルカーボネートの使用量は
、ビスフェノールAのジアルキルヒスカーボネート1モ
ルに対し、1〜3モル、好ましくは1〜2モルの範囲で
選ぶのが望ましい。
本発明における重合反応温度は150〜320°Cの範
囲で選ばれる。この温度が150°C未満では重合反応
の進行が遅くて実用的でないし、320℃を超えると副
反応が起こり、ポリマーが劣化するおそれかある。好ま
しい反応温度は、重合方式により異なり、例えば溶融重
合法の場合は、通常200〜300°Cの範囲で選はれ
、一方固相重合法の場合は180〜240°Cの範囲で
選ばれる。
囲で選ばれる。この温度が150°C未満では重合反応
の進行が遅くて実用的でないし、320℃を超えると副
反応が起こり、ポリマーが劣化するおそれかある。好ま
しい反応温度は、重合方式により異なり、例えば溶融重
合法の場合は、通常200〜300°Cの範囲で選はれ
、一方固相重合法の場合は180〜240°Cの範囲で
選ばれる。
本発明方法においては、所望に応じ、前記のビスフェノ
ールAのジアルキルビスカーボネートと共に、他の種々
のジヒドロキシ化合物〔例えば、「ブラスチンク材料講
座(5)(El刊工業社刊行)」ポリカーボネート樹脂
第18〜28ページに記載のものなと〕のジアルキルヒ
スカーボネートを使用し、共重合させてもよい。
ールAのジアルキルビスカーボネートと共に、他の種々
のジヒドロキシ化合物〔例えば、「ブラスチンク材料講
座(5)(El刊工業社刊行)」ポリカーボネート樹脂
第18〜28ページに記載のものなと〕のジアルキルヒ
スカーボネートを使用し、共重合させてもよい。
本発明方法においては、触媒を用いなくても高分子量の
ポリカーボネートが得られるが、さらに反応速度を上け
るために、所望に応じ触媒を用いることもできる。この
場合の触媒量はポリカーボネート中に残存する触媒が、
該ポリカーボネートの物性をそこなわない範囲の量にす
る必要がある。
ポリカーボネートが得られるが、さらに反応速度を上け
るために、所望に応じ触媒を用いることもできる。この
場合の触媒量はポリカーボネート中に残存する触媒が、
該ポリカーボネートの物性をそこなわない範囲の量にす
る必要がある。
次に、本発明の好適な実施態様の1例について説明する
。重合方式としては、溶融重合法と同相重合法とかあり
、いずれの方式も用いることができる。前者の溶融重合
法においては、まず、所要量のヒスフェノールAのジア
ルキルヒスカーポ不=1・及びジフェニルカーボネート
を反応器に仕込み、次いでこの混合物を、好ましくは、
窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気下で
加熱し、150〜320°C1好ましくは200〜30
0°Cの範囲の温度において反応を行う。次に、生成す
るフェニルアルキルカーボネートなどの低分子量カーボ
不−1・を系外に除去するために、前記と同し範囲の温
度において、不活性ガスを流通させるか、又は系内を減
圧にするが、高分子量のポリカルボ不−1・を得るため
には、不活性ガスを流通させたのち、系内を減圧にする
ことか好ましい。この重合方式では、反応は常に生成物
か溶融した状態で進行する。
。重合方式としては、溶融重合法と同相重合法とかあり
、いずれの方式も用いることができる。前者の溶融重合
法においては、まず、所要量のヒスフェノールAのジア
ルキルヒスカーポ不=1・及びジフェニルカーボネート
を反応器に仕込み、次いでこの混合物を、好ましくは、
窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気下で
加熱し、150〜320°C1好ましくは200〜30
0°Cの範囲の温度において反応を行う。次に、生成す
るフェニルアルキルカーボネートなどの低分子量カーボ
不−1・を系外に除去するために、前記と同し範囲の温
度において、不活性ガスを流通させるか、又は系内を減
圧にするが、高分子量のポリカルボ不−1・を得るため
には、不活性ガスを流通させたのち、系内を減圧にする
ことか好ましい。この重合方式では、反応は常に生成物
か溶融した状態で進行する。
一方、固相重合法においては、溶液結晶化なとの公知の
結晶化操作により、まず低重合度のポリカーボネートの
結晶固体を生成させたのち、不活性ガスの流通下又は減
圧下に、好ましくは180〜240°Cの範囲の温度に
おいて、固相重合を行う。
結晶化操作により、まず低重合度のポリカーボネートの
結晶固体を生成させたのち、不活性ガスの流通下又は減
圧下に、好ましくは180〜240°Cの範囲の温度に
おいて、固相重合を行う。
このような方法によって得られたポリカーボネートは、
着色のない高分子量のもので、成形時の耐加水分解安定
性及び長期耐熱性などに優れている。
着色のない高分子量のもので、成形時の耐加水分解安定
性及び長期耐熱性などに優れている。
発明の効果
本発明方法によると、従来のエステル交換法に比へて、
触媒を使用する必要がないために、成形時の耐加水分解
安定性及び長期耐熱性に優れた高分子量のポリカーボネ
ートを得ることができる。
触媒を使用する必要がないために、成形時の耐加水分解
安定性及び長期耐熱性に優れた高分子量のポリカーボネ
ートを得ることができる。
また、i得られるポリカーボネートは末端にヒドロキシ
基を宵していないために、着色が起こりにくいという特
徴かある。
基を宵していないために、着色が起こりにくいという特
徴かある。
さらに、本発明方法は、重合に際して、溶媒を使用しな
いために、従来のホスゲン法と比較して、工程が簡略化
されている。
いために、従来のホスゲン法と比較して、工程が簡略化
されている。
実施例
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明は、これらの例によってなんら限定されるもので
はない。
本発明は、これらの例によってなんら限定されるもので
はない。
なお、重合体の粘度平均分子蚤は次のようにして求めl
二。
二。
塩化メチレンを使用し、溶液100cm3当り重合体0
.59.0.759及び1.09を含む3種類の溶液を
調製し、その粘度を25°Cで測定し、式 %式% Eただし、77 relは相対粘度、Cは濃度(g/
100m1りであり、C−、Oのは(ηrel−1)バ
の値を濃度Cか0の点に外挿したことを意味する] を用いて、極限粘度[ワ]を求め、次に、式%式% から、粘度平均分子ffi(Mv)を算出した。
.59.0.759及び1.09を含む3種類の溶液を
調製し、その粘度を25°Cで測定し、式 %式% Eただし、77 relは相対粘度、Cは濃度(g/
100m1りであり、C−、Oのは(ηrel−1)バ
の値を濃度Cか0の点に外挿したことを意味する] を用いて、極限粘度[ワ]を求め、次に、式%式% から、粘度平均分子ffi(Mv)を算出した。
実施例1
かきまぜ機、温度計、窒素導入管を備えたセパラナルフ
ラスコに、ビスフェノールA−ジメチルヒスカーボネー
ト17.22g(50ミリモル)とジフェニルカーボネ
ート16.079(75ミリモル)を入れ、窒素で置換
したのち、1時間で280°Cに昇温し、1時間保持し
た。次いで、系内に窒素を流通させ、生成するメチルフ
ェニルカーボネートなどを留去しながら、同温度で2時
間保持した。さらに系を減圧(2mml1g)にし、5
時間反応させたのち、室温に冷却して透明の固体を得た
。得られたポリカーポ不−1・の収率は97%であり、
Myは22,300であっl:。
ラスコに、ビスフェノールA−ジメチルヒスカーボネー
ト17.22g(50ミリモル)とジフェニルカーボネ
ート16.079(75ミリモル)を入れ、窒素で置換
したのち、1時間で280°Cに昇温し、1時間保持し
た。次いで、系内に窒素を流通させ、生成するメチルフ
ェニルカーボネートなどを留去しながら、同温度で2時
間保持した。さらに系を減圧(2mml1g)にし、5
時間反応させたのち、室温に冷却して透明の固体を得た
。得られたポリカーポ不−1・の収率は97%であり、
Myは22,300であっl:。
実施例2
実施例1において、ジフェニルカーホ不−ト12.85
g(60ミリモル)を使用した以外は、実施例1と同様
にして、Myか18,500のポリカーボネートを1号
l二 。
g(60ミリモル)を使用した以外は、実施例1と同様
にして、Myか18,500のポリカーボネートを1号
l二 。
実施例3
実施例1において、ジフェニルカーボネート+9.H9
(90ミリモル)を使用した以外は、実施例1と同様に
して、Mvか23.tGoのポリカーボネートを得た。
(90ミリモル)を使用した以外は、実施例1と同様に
して、Mvか23.tGoのポリカーボネートを得た。
実施例4
実施例1において、減圧の時間を6時間にした以外は、
実施例1と同様にして、Mvが27,400のポリカー
ボネートを?与た。
実施例1と同様にして、Mvが27,400のポリカー
ボネートを?与た。
実施例5
実施例1と同様の装置を使用して、これにビスフェノー
ルA−ジエチルカーボネート18.629(50ミリモ
ル)、・ジフェニルカーポ不−h 16.079(75
ミリモル)を入れ、窒素で置換したのち、1時間で28
0°Cに昇温し、1時間保持した。次いで系内に置換を
流通させ、生成するエチルフェニルカーボネートなとを
留去しなから2時間保持した。
ルA−ジエチルカーボネート18.629(50ミリモ
ル)、・ジフェニルカーポ不−h 16.079(75
ミリモル)を入れ、窒素で置換したのち、1時間で28
0°Cに昇温し、1時間保持した。次いで系内に置換を
流通させ、生成するエチルフェニルカーボネートなとを
留去しなから2時間保持した。
さらに、系を減圧(2mmt1g)にして5時間保持し
、冷却して、Mvが20,900のポリカーポ不−l・
を得Iこ 。
、冷却して、Mvが20,900のポリカーポ不−l・
を得Iこ 。
実施例6
実施例1と同様の装置を使用し、これにヒスフェノール
へ−ジメチルビスカーボネート17.22g(50ミリ
モル)とジフェニルカーボネート16.07g(75ミ
リモル)を入れ、窒素で置換しj:のち、1時間で28
0℃に昇温し、1時間保持した。次いで系内に窒素を流
通させ生成するメチルフェニルカーボネートなどを留去
しながら2時間保持した。さらに系を減圧(2mmHg
)にし1時間保持したのち、放冷した。次に塩化メチレ
ン50mQを加え、重合体を溶解させて取り出し、この
溶液をロータリーエバポレーターで塩化メチレンを留去
し、白色の固体粉末を得た(Mv45GO)。
へ−ジメチルビスカーボネート17.22g(50ミリ
モル)とジフェニルカーボネート16.07g(75ミ
リモル)を入れ、窒素で置換しj:のち、1時間で28
0℃に昇温し、1時間保持した。次いで系内に窒素を流
通させ生成するメチルフェニルカーボネートなどを留去
しながら2時間保持した。さらに系を減圧(2mmHg
)にし1時間保持したのち、放冷した。次に塩化メチレ
ン50mQを加え、重合体を溶解させて取り出し、この
溶液をロータリーエバポレーターで塩化メチレンを留去
し、白色の固体粉末を得た(Mv45GO)。
この白色固体状態全、窒素の流通下、220℃で20時
間反応させて、Mv18,300の白色固体状態のポリ
カーボネートを得た。
間反応させて、Mv18,300の白色固体状態のポリ
カーボネートを得た。
特許出願人 旭化成工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のR^1及びR^2はそれぞれ低級アルキル基で
ある) で表わされる2、2−ビス(p−ヒドロキシフェニル)
プロパンのジアルキルビスカーボネートと、該ジアルキ
ルビスカーボネートに対し、少なくとも等モルのジフェ
ニルカーボネートとを、150〜320℃の温度におい
て反応させることを特徴とするポリカーボネートの製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15608687A JPH0826141B2 (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | ポリカ−ボネ−トの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15608687A JPH0826141B2 (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | ポリカ−ボネ−トの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH011725A true JPH011725A (ja) | 1989-01-06 |
JPS641725A JPS641725A (en) | 1989-01-06 |
JPH0826141B2 JPH0826141B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=15619995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15608687A Expired - Lifetime JPH0826141B2 (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | ポリカ−ボネ−トの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0826141B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE162832T1 (de) | 1988-12-27 | 1998-02-15 | Asahi Chemical Ind | Poröses kristallisiertes aromatisches polykarbonat-prepolymer, ein poröses kristallisiertes aromatisches polykarbonat und verfahren zur herstellung |
DE4139117C1 (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-09 | Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising, De |
-
1987
- 1987-06-23 JP JP15608687A patent/JPH0826141B2/ja not_active Expired - Lifetime
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