JPH01171676A - 半導体ウェーハのワックス塗布方法 - Google Patents
半導体ウェーハのワックス塗布方法Info
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- JPH01171676A JPH01171676A JP33026087A JP33026087A JPH01171676A JP H01171676 A JPH01171676 A JP H01171676A JP 33026087 A JP33026087 A JP 33026087A JP 33026087 A JP33026087 A JP 33026087A JP H01171676 A JPH01171676 A JP H01171676A
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、ＬＳＩやＩＣ等の製造において基板として
使用される半導体ウェーハをワックスマウント法を適用
して研摩する際の前段階におけるワックス塗布方法に関
するものである。
使用される半導体ウェーハをワックスマウント法を適用
して研摩する際の前段階におけるワックス塗布方法に関
するものである。
（従来の技術）
半導体ウェーハの鏡面研摩工程であるポリッシングでは
、半導体ウェーハの片面のみを研摩する片面ポリッシン
グが現在量も一般的である。片面ポリッシングは具体的
に、研摩ブロックに複数枚のウェーハを貼付け、ここに
回転テーブルに接着させた人造皮革（研摩クロス）を作
用させるものであり、この際研摩液としてはＳｉＯ□を
主成分とするｐＨ９〜１２程度のアルカリ性コロイダル
シリカ研摩液が用いられる。研摩ブロックに半導体ウェ
ーハを貼付ける方法は大別するとウェーハをワックスで
貼付けるワックスマウント方式とワックスを用いないワ
ックスレスマウント方式の２通りがあり、ワックスレス
マウント方式においては、真空吸着法、テンプレート法
、摩擦力による方法、フレックスマウント法などが知ら
れている。
、半導体ウェーハの片面のみを研摩する片面ポリッシン
グが現在量も一般的である。片面ポリッシングは具体的
に、研摩ブロックに複数枚のウェーハを貼付け、ここに
回転テーブルに接着させた人造皮革（研摩クロス）を作
用させるものであり、この際研摩液としてはＳｉＯ□を
主成分とするｐＨ９〜１２程度のアルカリ性コロイダル
シリカ研摩液が用いられる。研摩ブロックに半導体ウェ
ーハを貼付ける方法は大別するとウェーハをワックスで
貼付けるワックスマウント方式とワックスを用いないワ
ックスレスマウント方式の２通りがあり、ワックスレス
マウント方式においては、真空吸着法、テンプレート法
、摩擦力による方法、フレックスマウント法などが知ら
れている。
上記２方式のうちワックスレス方式はワックスマウント
方式に比較して、ウェーハの貼付は作業や研摩後のウェ
ーハの洗浄などが容易で生産性及びコスト面で有利であ
る反面、ウェーハの平たん度、ウェーハ裏面への研摩液
の回り込みによる局部的なエツチングおよびスティンの
発生など品質面に問題を残していた。このため今のとこ
ろ日本国内ではワックスマウント方式が主に採用されて
いる。
方式に比較して、ウェーハの貼付は作業や研摩後のウェ
ーハの洗浄などが容易で生産性及びコスト面で有利であ
る反面、ウェーハの平たん度、ウェーハ裏面への研摩液
の回り込みによる局部的なエツチングおよびスティンの
発生など品質面に問題を残していた。このため今のとこ
ろ日本国内ではワックスマウント方式が主に採用されて
いる。
さて、ワックスマウント法を適用すべく半導体ウェーハ
にワックスを塗布するに当っては、従来手作業によって
行われてきたが製品品質が作業者の技量や塾練度に左右
され、かつ生産性が著しく低い等の問題があった。
にワックスを塗布するに当っては、従来手作業によって
行われてきたが製品品質が作業者の技量や塾練度に左右
され、かつ生産性が著しく低い等の問題があった。
この点、有機溶剤に溶したワックスをウェーハ上に滴下
したのち、該ウェーハの中心を・軸として高速回転させ
ることによりワックスをウェーハ全面に塗布するスピン
コード法が知られている（実践半導体技術特許便覧、サ
イエンスフォーラム社刊Ｐ、２４９参照）。
したのち、該ウェーハの中心を・軸として高速回転させ
ることによりワックスをウェーハ全面に塗布するスピン
コード法が知られている（実践半導体技術特許便覧、サ
イエンスフォーラム社刊Ｐ、２４９参照）。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら上記の方法を適用してもウェーハの中心部
と外周部では回転によって生じる遠心力の大きさが異な
るため、ウェーハの半径方向におけるワックス厚みが不
均一になる七いう問題があった。
と外周部では回転によって生じる遠心力の大きさが異な
るため、ウェーハの半径方向におけるワックス厚みが不
均一になる七いう問題があった。
上述した従来問題を解消できる新規なワックス塗布方法
を提案することがこの発明の目的である。
を提案することがこの発明の目的である。
（問題点を解決するための手段）
この発明は半導体ウェーハの少なくとも片面に研摩ブロ
ックへの貼付けを司るワックスを塗布するに当り、上記
半導体ウェーハにワックスを滴下し次いで酸ウェーハを
自転させつつ公転させることを特徴とする半導体ウェー
ハのワックス塗布方法である。
ックへの貼付けを司るワックスを塗布するに当り、上記
半導体ウェーハにワックスを滴下し次いで酸ウェーハを
自転させつつ公転させることを特徴とする半導体ウェー
ハのワックス塗布方法である。
（作 用）
半導体ウェーハを高速回転（以下自転という）さ−仕る
ことによりワックスを塗布する方法において、ウェーハ
の半径方向におけるワックス厚の不均一が生じるのは、
回転中心がウェーハ面内にあり、その部分には遠心力が
動かすウェーハに滴下したワックスが拡がらないためで
ある。そこでこの発明では、回転中心がウェーハ面外に
あるような第２の回転、すなわち公転を加える。
ことによりワックスを塗布する方法において、ウェーハ
の半径方向におけるワックス厚の不均一が生じるのは、
回転中心がウェーハ面内にあり、その部分には遠心力が
動かすウェーハに滴下したワックスが拡がらないためで
ある。そこでこの発明では、回転中心がウェーハ面外に
あるような第２の回転、すなわち公転を加える。
具体的には、有機溶剤に溶したワックスをまず塗布すべ
き半導体ウェーハの表面に滴下してからこのウェーハを
第１図に示すように速度Ｖ、で自転させつつ速度ｖ２で
公転させる。ウェーハ上のワックスにはウェーハの自転
による遠心力と公転による遠心力が同様に作用するので
、このため予め適切な自転速度ＶＩ、公転半径２、公転
速度ｖ２を設定すれば均一なワックス厚を得ることがで
きる。
き半導体ウェーハの表面に滴下してからこのウェーハを
第１図に示すように速度Ｖ、で自転させつつ速度ｖ２で
公転させる。ウェーハ上のワックスにはウェーハの自転
による遠心力と公転による遠心力が同様に作用するので
、このため予め適切な自転速度ＶＩ、公転半径２、公転
速度ｖ２を設定すれば均一なワックス厚を得ることがで
きる。
（実施例）
実施例１
第２図に示すワックス塗布装置を適用して直径１５０ｍ
ｍのシリコンウェーハ１００枚に下記の条件でワックス
をそれぞれ塗布したのち、ポリッシングプレートに貼付
けて片面ポリッシングを行った。
ｍのシリコンウェーハ１００枚に下記の条件でワックス
をそれぞれ塗布したのち、ポリッシングプレートに貼付
けて片面ポリッシングを行った。
ワックス塗布における自転速度Ｖ ＋ ： １０００
ｒｐｍワックス塗布における公転速度Ｖｚ ：
１００ ｒｐｍワックス塗布における公転半径１ ：
５００ ｍｍＪＩＳ ８０６１１で規定された
方法に従いウェーハの厚さむらを測定した結果、加工前
の平均厚みむらは５μｍであるのに対し、加工後では３
μｍであった。
ｒｐｍワックス塗布における公転速度Ｖｚ ：
１００ ｒｐｍワックス塗布における公転半径１ ：
５００ ｍｍＪＩＳ ８０６１１で規定された
方法に従いウェーハの厚さむらを測定した結果、加工前
の平均厚みむらは５μｍであるのに対し、加工後では３
μｍであった。
比較のため加工前における平均厚みむら５μｍのウェー
ハ１００枚を自転速度１１０００ｒｐに設定してワック
スを塗布した場合につき、片面ポリッシングを施したと
ころ加工後の平均厚みむらは４μｍであり、従って、こ
の発明を適用すれば、ワックス厚が均一なのでウェーハ
の平たん度を向上させることができる。
ハ１００枚を自転速度１１０００ｒｐに設定してワック
スを塗布した場合につき、片面ポリッシングを施したと
ころ加工後の平均厚みむらは４μｍであり、従って、こ
の発明を適用すれば、ワックス厚が均一なのでウェーハ
の平たん度を向上させることができる。
実施例２
直径１５０胴のシリコンウェーハ１００枚につき、ウェ
ーハの中心部にワックス（日化精工製スカイコー）ＧＦ
）３ｃｃを滴下した後、自転速度１１０００ｒｐ、公転
半径５００ ｍｍ、公転速度１１００ｒｐで回転させて
ワックスを塗布した。
ーハの中心部にワックス（日化精工製スカイコー）ＧＦ
）３ｃｃを滴下した後、自転速度１１０００ｒｐ、公転
半径５００ ｍｍ、公転速度１１００ｒｐで回転させて
ワックスを塗布した。
ＪＩＳ ＨＯ６１１で定められたシリコンウェーハの
厚みむらの測定と同じ場所（ウェーハ中心部１点と周辺
部４点の計５点）でワックスの厚みむらを測定したこと
ろ、１００枚の平均が１．２μｍであった。比較のため
別のウェーハ１００枚につき、同じくワックス（スカイ
コート０Ｆ）３ｃｃをその中心部に滴下した後、自転速
度１１０００ｒｐに設定してワックスを塗布した。これ
らのウエ−ハについて同様にワックスの厚みむらを測定
したところ１００枚の平均値が１．９μｍであった。し
たがってウェーハに公転を加えることにより、ワックス
厚の均一性が向上することが確かめられた。
厚みむらの測定と同じ場所（ウェーハ中心部１点と周辺
部４点の計５点）でワックスの厚みむらを測定したこと
ろ、１００枚の平均が１．２μｍであった。比較のため
別のウェーハ１００枚につき、同じくワックス（スカイ
コート０Ｆ）３ｃｃをその中心部に滴下した後、自転速
度１１０００ｒｐに設定してワックスを塗布した。これ
らのウエ−ハについて同様にワックスの厚みむらを測定
したところ１００枚の平均値が１．９μｍであった。し
たがってウェーハに公転を加えることにより、ワックス
厚の均一性が向上することが確かめられた。
（発明の効果）
この発明によれば、半導体ウェーハにワックスを均一に
塗布できるのでポリッシング後のウェーハの平たん度を
より一層向上させることが可能でＬＳＩやＩＣを製造す
る際の素子製造歩留りが極めて高い。
塗布できるのでポリッシング後のウェーハの平たん度を
より一層向上させることが可能でＬＳＩやＩＣを製造す
る際の素子製造歩留りが極めて高い。
第１図は、半導体ウェーハの回転状況を示した要部拡大
図、 第２図は、ワックス塗布装置の模式図である。 １・・・半導体ウェーハ ２・・・ウェーハ台３・・
・自転用モータ ４・・・公転用モータ５・・・ワ
ックスデイスペンサー 第１図
図、 第２図は、ワックス塗布装置の模式図である。 １・・・半導体ウェーハ ２・・・ウェーハ台３・・
・自転用モータ ４・・・公転用モータ５・・・ワ
ックスデイスペンサー 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェーハの少なくとも片面に研摩ブロックへ
の貼付けを司るワックスを塗布するに当り、 上記半導体ウェーハにワックスを滴下し次 いで該ウェーハを自転させつつ公転させることを特徴と
する半導体ウェーハのワックス塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33026087A JPH01171676A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体ウェーハのワックス塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33026087A JPH01171676A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体ウェーハのワックス塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01171676A true JPH01171676A (ja) | 1989-07-06 |
Family
ID=18230649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33026087A Pending JPH01171676A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体ウェーハのワックス塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01171676A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114310653A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-04-12 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺 |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP33026087A patent/JPH01171676A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114310653A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-04-12 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺 |
| CN114310653B (zh) * | 2021-11-29 | 2024-04-16 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺 |
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