JPH01167004A - 誘導加熱式シール装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、たとえばプラスチック製またはガラス製の
瓶の口部に、アルミニウム箔の片面にヒートシール材層
が形成されてなるシール体を誘導加熱によりシールする
誘導加熱式シール装置に関する。

従来技術および発明の課題 第１２図および第１３図は、誘導加熱により、ガラス瓶
の口部にシール体をシールする方法を示している。ガラ
ス瓶（１）の口部上には、口部開口を閉鎖するように円
形のシール体（７）が載せられている。シール体（７）
の上にはクツション材（８）が載せられている。また、
口部には、ねじ嵌め式のキャップ（９）が取り付けられ
ており、シール体（７）は、キャップ（９）頂壁と口部
上端との間に、クツション材（８）を介して挾み止めら
れている。シール体（７）は、アルミニウム箔の下面に
、ヒートシール材層が形成されてなるものであって、そ
の下面周縁部が口部上端面に接触している。

キャップ（９）の上方位置には、加熱コイル（３Ａ）が
配されている。この加熱コイル（３Ａ）に高周波電流を
流すと、高周波磁束が生じる。この磁束は、シール体（
７）のアルミニウム箔内を通り、アルミニウム箔にうず
電流が発生し、ジュール熱によりアルミニウム箔が加熱
され、これに伴ってヒートシール材層が溶け、シール体
（７）周縁部が瓶（１）の口部上端面にシールされる。

従来の誘導加熱式シール装置では、加熱コイル（３Ａ）
として、平面からみて円環状の加熱コイルが用いられて
いる。このようなシール装置では、瓶（１）を静止させ
た状態で、シールを行なうのには適しているが、瓶（１
）を一定速度で搬送し、瓶（１）が移動している状態で
シールを行なう場合には次のような問題がある。すなわ
ちシール体（７）における瓶（１）の移動方向に平行で
かつシール体（７）の中心を通る直径上の周縁部分の温
度に比べて、シール体（７）における瓶（１）の移動方
向に直交しかつシール体（７）の中心を通る直径上の周
縁部分の温度が低くなり、シール体（７）周縁部全体を
、シールに適した温度に加熱できない。

第１４図は、瓶（１）の搬送経路上における円環状加熱
コイル（３Ａ）の中心に対応する点を基準位置とし、瓶
（１）の中心と基準位置との搬送方向距離に対するシー
ル体（７）の所要箇所の温度を示している。

加熱コイル（３Ａ）としては、その内径が１８〔Ｉ〕、
外径が５８〔■〕、コイル線の巻数が１４のものが用い
られ、シール体（７）としてはその外径が３８（ｍｍ）
で、そのアルミニウム箔の厚さが２０［贋）のものが用
いられている。

シール体（７）の温度測定箇所は、第１５図に示すよう
に、シール体（７）の中心を通りかつ瓶（１）の搬送方
向に平行な直径上の搬送先頭側縁部ａと、シール体（７
）の中心を通りかつ瓶（１）の搬送方向に直交する直径
上の縁部すである。

第１４図において、実線Ａは、シール体（７）の箇所ａ
の温度を、破線Ｂは、シール体（７）の箇所すの温度を
示している。このグラフかられかるように、箇所ａと箇
所すとは、最高温度が２０℃以上も異なっている。

この発明は、シール体周縁部を、はぼ同温度に加熱する
ことができる誘導加熱式シール装置を提供することを目
的とする。

課題を解決するだめの手段 この発明による誘導加熱式シール装置は、アルミニウム
箔の片面にヒートシール材層が形成されてなるシール体
を、誘導加熱により容器口部にシールする誘導加熱式シ
ール装置において、シール体が仮止めされた容器を搬送
する搬送装置、搬送経路上の所定のシール位置の上方に
配されかつシール体を誘導加熱するための加熱コイルお
よび加熱コイルに高周波電流を流すための加熱コイル駆
動回路を備え、加熱コイルが、平面からみて略中空楕円
形であり、その短軸方向が容器搬送方向に一致するよう
に配されていることを特徴とする。

加熱コイルは、常時駆動しておくよう１τしてもよいし
、シール位置を容器が通過する間のみ駆動するようにし
てもよい。シール位置を容器が通過する間のみ加熱コイ
ルを駆動する場合には、容器検出器がシール位置に配さ
れるとともミニ、容器検出器によって容器が検出されて
いるときに、加熱コイル駆動回路を駆動させる手段が設
けられる。

この発明の好ましい態様においては、上記加熱コイルの
中空部が、平面から見て加熱コイルの長軸方向に長い矩
形であり、中空部の容器搬送方向前側にある加熱コイル
部分および後側にある加熱コイル部分の上面に高透磁性
体がそれぞれ配されている。

この発明の他の好ましい態様においては、上記加熱コイ
ルの中空部が、平面から見て加熱コイルの長軸方向に長
い矩形であり、中空部の容器搬送方向前側にある加熱コ
イル部分の左右方向長さ中間部の前後両端面および上面
を連続的に覆うように高透磁性体が配されているととも
に、中空部の容器搬送方向後側にある加熱コイル部分の
左右方向長さ中間部の前後両端面および上面を連続的に
覆うように高透磁性体が配されている。

実施例 第１図および第２図は、誘導加熱式シール装置の概略構
成を示している。

以下の説明において、前とは、第１図左側を、後とは同
図右側を、左とは同図下側を、右とは同図上側をそれぞ
れいうものとする。瓶（１）が、一定速度で搬送される
搬送経路のシール位置には、瓶検出器（２）が配されて
いる。瓶検出器（２）は、搬送経路を挾む配置で設けら
れた投光器（２＾）および受光器（２Ｂ）からなる。搬
送経路のシール位置の真上には、加熱コイル（３）が配
されている。加熱コイル（３）は、平面からみて略中空
楕円形であり、その短軸方向が、瓶（１）の搬送方向（
矢印Ａで示す方向）に一致するように配されている。加
熱コイル（３）の中空部は、加熱コイル（３）の長軸方
向に長い矩形となっている。この加熱コイル（３）は、
ガラス繊維を含むエポキシ樹脂でつくられた支持板（４
）上面に固定されている。加熱コイル（３）の上方には
、冷却ファン（５）（第３図参照）が配されている。

また、加熱コイル（３）に近接して、温度センサ（６）
（第３図参照）が設けられている。

瓶（１）は、ガラス製であり、その口部上端に、口部開
口を閉鎖するように円形のシール体（７）が載せられて
いる。また、シール体（７）上には、クツション材（８
）が載せられている。そして、瓶（１）の口部には、ね
じ嵌め式のキャップ（９）が、取り付けられており、シ
ール体（７）は、このキャップ（９）の頂壁と、口部上
端との間に、クツション材（８）を介して挾み止められ
ている。

キャップ（９）は、ポリエチレン、ポリプロピレン等の
合成樹脂でつくられている。シール体（８）は、アルミ
ニウム箔の下面にヒートシール材層が形成されてなるも
のである。

第３図は、誘導加熱式シール装置の電気的構成を示して
いる。

交流入力端子（１１）（１２）間に、整流回路（１３）
、平滑用チョークコイル（１４）、加熱コイル（３）お
よびＭＯ８型ＦＥＴからなるスイッチング素子（１５）
が直列に接続されている。平滑用チョークコイル（１４
）と加熱コイル（３）との接続点と、交流入力端子（１
２）との間に平滑用コンデンサ（ＩＢ）が接続されてい
る。加熱コイル（３）には、共振用コンデンサ（１７）
が並列に接続されている。スイッチング素子（１５）に
は、フリーホイールダイオード（１８）が並列に接続さ
れている。

スイッチング素子（１５）は、そのゲートに接続された
高周波発振回路（１９）の出力によってオン、オフ制御
される。この発振回路（１９）の駆動は、瓶検出器（２
）の検出信号によって制御される。

冷却ファン（５）は、ファン駆動回路（２０）によりて
駆動される。温度センサ（６）の検出信号は、温度判定
回路（２１）に送られる。温度判定回路（２１）は、温
度センサ（８）の検出温度が所定の上限温度、たとえば
５５℃を越えたときに、異常表示灯（２２）に、駆動信
号を出力するとともに、発振回路（１９）に駆動停止信
号を出力する。

瓶（１）が、シール位置付近まで移動してきて、その前
端が瓶検出器（２）によって検出されると、発振回路（
１９）が駆動され、発振回路（１９）の高周波信号によ
って、スイッチング素子（１５）がオン、オフを繰り返
し、加熱コイル（３）に高周波電流が流れ、高周波磁束
が発生する。この磁束によって、シール体（７）のアル
ミニウム箔にうず電流が生じ、ジュール熱によってアル
ミニウム箔が加熱され、これに伴ってヒートシール層が
溶け、シール体（ア）周縁部が瓶（１）の口部上端面に
シールされる。瓶（１）の後端が、シール位置を通過し
、瓶検出器（２）によって瓶（１）が検出されなくなる
と、発信回路（１９）の駆動が停止され、スイッチング
素子（１５）は、常時オフの状態となる。

加熱コイル（３）に、高周波電流が流されているときに
、加熱コイル（３）の温度が上昇し、温度センサ（６）
の検出温度が所定の上限値を越えると、温度判定回路（
２１）によって異常表示灯（２２）が点灯されるととも
に、発振回路（１９）の駆動が停止される。

実施例の設計例を挙げると次の通りである。

・瓶の直径Ｄ：５１（ｍｍ） 争シール体 直径：３８［ａｖ） アルミニウム箔の厚さ：２０（／Ｊ） ・支持板下面とキャップ上面との間 の空隙間隔ｄ　：　２　Ｃａｍ） ・加熱コイル 長軸方向長さ（／　１）　　：　９０　（ａｍ）短軸方
向長さ（／　２）　　：　５５　Ｃａｍ）中空部の大き
さ：縦（／　３）　５０　（ａｍ）×横（／　４）　１
５　（ａｍ３ 線材：直径０．　３　（ａ＋ｍ）のエナメル線撚り線数
：２０ 巻数：１０ ・発振回路の発振周波数：　４３．　５　（ＫＨｚ　）
・加熱コイルへの印加電圧：４０［Ｖ）・無負荷電流　
：　１．０　（Ａ） ・最大負荷電流：　２．１　（Ａ） −瓶の搬送速度：　５０　（■）　１５．３　（ｓｅｅ
　）加熱コイル（３）の中空部の長軸方向長さ／３は、
シール体（７）の直径が３８（■）である場合において
、シール体（７）の直径より５〜１５Ｃａ＋ｓｌ長いこ
とが好ましく、特に、シール体（７）の直径より１０〜
１２（ｍｍ）長いことが望ましい。長さ／３が、シール
体（７）の直径より５（ａＶ）以上長くなければ、シー
ル体（７）の加熱温度のばらつきが大きくなり、長さ１
３がシール体（７）の直径より１５（ｍｓ）を越えて長
くなると、加熱効率が悪くなるからである。

ところで、従来の瓶口部へのシール体のシールに用いら
れている誘導加熱式シール装置では、加熱コイルに非常
に高い周波数、たとえば２５０　ＫＨｚの高周波電流を
流していた。このため、加熱コイル自体の発熱量が多く
、加熱コイルを冷却水を用、いて冷却しなければならず
、装置の構成が複雑であった。

この実施例では、加熱コイル（３）に比較的低い周波数
、約４０［ＫＨｚ）の高周波電流を流すようにして、加
熱コイル自体の発熱量を低減し、加熱コイルを冷却ファ
ンで十分に冷却できるようにしている。このため、構成
が簡単となっている。このように、加熱コイル（３）に
比較的低い周波数を流しても、シール体を充分に加熱で
きるのは次の理由による。

誘導加熱の基本理論によれば、加熱材中に誘導される電
流Ｉが、表面電流ＩＯの１　／　ｅとなる深さを浸透深
さδといい、次式で表わされる。

ここで、 ｅ：加熱材の抵抗率〔Ω−ｃｍ） μ：比透磁率 ｆ：電流の周波数（Ｈｚ） 加熱材の表皮抵抗Ｒｓを、Ｒｓ−ρ／δとすると、誘導
加熱によって吸収される電力Ｐは、周波数が数十ＫＨ程
度までの範囲では、次式で表わされる。

ｐｏ：　　ｐ　＊　Ｂ　ｅ　　　−（Ｎ　Ｉ）　２ｃｃ
Ｒｓ　・（Ｎ　Ｉ　）　２−（２）ここで、 Ｎ■：アンペアターン 第１表は、銅、アルミニウムおよび純鉄について、誘導
電流の周波数ｆが４０（ＫＨｚ）のときの、抵抗率ρ〔
Ω−ｃＩ〕、比透磁率μ、浸透深さδ〔ｃｌ〕および表
皮抵抗Ｒｓ　［Ω］を示している。

（以下余白） この表かられかるように、純鉄に対し、アルミニウムの
表皮抵抗は１／２０程度であり、したがって純鉄に比べ
てアルミニウムの加熱効率は、１／２０程度となる。し
たがって、アルミニウムを純鉄と同程度に加熱するには
、アンペアターンＮＩまたは周波数ｆを大きくしなけれ
ばならない。しかしながら、アンペアターンを大きくす
ると加熱コイル自体のジュール熱が増加する。また、周
波数を大きくすると、加熱コイルの抵抗値が大きくなる
。つまり、いずれにしても、加熱コイル自体の発熱量が
増加してしまう。

一方、加熱材の厚さが浸透深さより薄い場合には、その
表皮抵抗Ｒｓは、次式で表わされる。

Ｒｓりρ／ｌ　　　　　　　　　　　　　　　・・・（
３）ただし、 ｔ：加熱材の厚さ したがって、誘導電流の周波数が４０　（ＫＨｚ　）で
ある場合において、純鉄とほぼ同じ表皮抵抗をもつアル
ミニウムの厚さは２３切となる。

つまり、加熱材として、シール体のように、薄肉のアル
ミニウム箔を用いた場合には、比較的低い高周波電流を
用いても、純鉄と同様に十分な加熱が行なえる。このよ
うなことは、中空楕円形加熱コイルを用いた場合だけで
なく、円環状加熱コイルを用いた場合にもいえることで
あり、シ！二がって、静止している瓶にシール体をシー
ルするために円環状加熱コイルを用いる場合においても
、加熱コイルに４０（ＫＨｚ）程度の比較的低い高周波
電流を流して、シール体を加熱することができる。

第４図は、瓶（１）の搬送経路上における加熱コイル（
３）の中心に対応する点を基準位置とし、瓶（１）の中
心と基準位置との搬送方向距離に対するシール体（７）
の所要箇所の温度［”Ｃ）を示している。

加熱コイル（３）およびシール体（７）としては、上記
設計例として挙げられたものが用いられている。シール
体（７）の温度測定箇所は、第１５図に示すように、シ
ール体（７）の中心を通りかつ瓶（１）の搬送方向に平
行な直径上の搬送先頭縁部ａと、シール体（７）の中心
を通りかつ瓶（１）の搬送方向に直交する直径上の縁部
すである。

第４図において、実線Ａは、シール体（°７）の箇所ａ
の温度を、破線Ｂは、シール体（７）の箇所すの温度を
示している。このグラフかられかるように、箇所ａと箇
所すとの最高温度の差は、５℃程度であり、従来の円環
状加熱コイルを用いた場合（第１４図参照）に比べて非
常に小さくなっている。これは、加熱コイルとして中空
楕円形加熱コイル（３）を用い、その短軸方向が瓶（１
）の搬送方向に一致するように加熱コイル（３）を配置
したことによって、シール体（７）の左右方向長さにわ
たって、はぼ均一な磁界強度が得られたからと考えられ
る。このため、この誘導加熱式シール装置では、シール
体（７）の周縁部全体をほぼ同温度に加熱することがで
き、好適なシールを行なえる。

なお、上記実施例の加熱コイル（３）では、その中空部
内の中心部ｍと、両端部ｎとの磁界強度を比較すると、
両端部ｎは加熱コイル（３）の両端部の半円形部による
磁界の寄与を受けるため、両端部ｎの磁界強度が、中心
部ｍの磁界強度より若干大きくなる。

そこで、第５図に示すように、加熱コイル（３）の中空
部内の磁界強度を均一にするために、加熱コイル（３）
の中空部の前後の一対の直線部分上に、高透磁性体（２
３）を設けてもよい。このようにすると、シール体（７
）の周縁部全体の加熱温度をより一層均−化することが
できる。各高透磁性体（２３）の大きさは、長さ３０．
　　Ｏ（ａｖ）、巾１１．　　Ｏ（ａａ＋）　、高さ５
．　５　（ａｍ）である。

高透磁性体（２３）の材質としては、フェライト、軟鉄
等が用いられる。

第６図は、第５図とは異なる配置で高透磁性体が設けら
れた例を示している。この例では、加熱コイル（３）に
おける中空部の前側にある直線部分の左右方向長さ中間
部分に、その前後両端面および上面を連続的に覆うよう
に断面ｎ形の高透磁性体（２４）が嵌められているとと
もに、加熱コイル（３）における中空部の後側にある直
線部分の左右方向長さ中間部分に、その前後両端面およ
び上面を連続的に覆うように断面口形の高透磁性体（２
４）が嵌められている。両高透磁性体（２４）は同形同
大であり、その左右中中央が、加熱コイル（３）の左右
中中央を通る中心線の真上に位置している。また、前側
の高透磁性体（２４）の後面と後側の高透磁性体（２４
）の前面とは接触している。

加熱コイル（３）の各部寸法が上記設計例で示す寸法で
ある場合の、各高透磁性体（２４）の左右長さＷは２０
（＋ｅａ＋３〜４０（ａｍ３程度が好ましく、特に２５
［ｍａ＋）〜３５（＋ａｍ）が好ましい。

言い換えると、各高透磁性体（２４）の左右長さＷは、
加熱コイル（３）の中空部の長軸方向長さ（１３）の４
０〜８０％が好ましく、特に５０〜７０％が好ましい。

高透磁性体（２４）の材質としては、フェライト、軟鉄
等が用いられる。第６図においては、断面口形の２つの
高透磁性体が設けられているが、加熱コイル（３）にお
ける中空部前側および後側にある前後一対の直線部分そ
れぞれの左右方向長さ中間部分の前後両端面および上面
を連続的に覆うように配することができれば、高透磁性
体の形状および個数は上記のものに限らない。

第７図は、第６図に示すような配置で高透磁性体（２４
）が設けられている加熱コイル（３）によって、シール
体（７）を加熱した場合のシール体（７）の各部のシー
ル温度（”Ｃ）を示している。

折線ＣｔＯは各高透磁性体（２４）の左右長さＷが１０
〔■〕である場合のシール温度を、折線Ｃ３０はＷが３
０（ａｍ）である場合のシール温度を、折線Ｃ５０はＷ
が５０〔■腸〕である場合のシール温度を示している。

加熱コイル（３）自体、シール体（７）等は、上記設計
例で示したものが用いられている。シール体（７）の温
度測定点は、第８図に示すようにシール体（７）周縁部
の等間隔ごと離れた８つの点Ｐ１〜Ｐ８である。第８図
において、瓶（１）の搬送方向を矢印で示す。また、各
部Ｐ１〜Ｐ８のシール温度は、瓶（１）が加熱コイル（
３）を通過する過程での各部Ｐ１〜Ｐ８の最大温度であ
って、熱電対によって測定されている。

これらのグラフかられかるように、Ｗが１０〔Ｉ〕また
は５０（ａ＋ｇ）の場合には、シール体（７）各部のシ
ール温度のばらつきが大きく、Ｗが３０（ｉｓ）の場合
にばらつきが小さい。Ｗが１０（ａｍ）の場合には、シ
ール体（７）の左右中中央部が左右両側部に比べて強（
加熱され、Ｗが５０（ａｖ）の場合には、シール体（７
）の左右両側部が左右中中央部に比べて強く加熱されて
いる８このことから、高透磁性体（２４）の巾Ｗが狭す
ぎると、シール体（７）山中央部を通過する磁束強度が
シール体（７）両側部を通過する磁束強度より大きくな
り、高透磁性体（２４）の巾Ｗが広すぎると、シール体
（７）両側部を通過する磁束強度がシール体（７）山中
央部を通過する磁束強度より大きくなり、高透磁性体（
２４）の巾Ｗが３０（ａｍ）程度の場合にシール体（７
）の左右方向全長にわたって、それを通過する磁束強度
がほぼ均一になっていると考えられる。

第９図は、第５図に示す配置で高透磁性体（２３）が設
けられた加熱コイル（３）または第６図に示す配置で高
透磁性体（２４）が設けられた加熱コイル（３）を用い
、加熱コイル（３）の励磁周波数（発信回路（１９）の
発信周波数）　ｆ　［ＫＩｌｚ　）を変えて、シール体
（７）の所要箇所（この例ではＰｌ（第８図参照））の
温度が同一になるようにシール体（７）を加熱した場合
における加熱コイル（３）の励磁周波数ｆ（ＫＨｚ）に
対する加熱コイル（３）に流れる高周波電流１ｐ−ｐ　
　（Ａ）を示している。

第１０図は、上記と同様にシール体（ア）を加熱した場
合における励磁周波数ｆに対する加熱コイル（３）の抵
抗Ｒ［ｍΩ］を示している。

第１１図は、第９図および第１０図のグラフから求めら
れた励磁周波数ｆ（ＫＨｚ）に対する加熱コイル（３）
のジュール熱損失Ｐ（ｗ）を示している。

第９図〜第１１図においで、折線りは、第５図に示す配
置で高透磁性体（２３）が設けられた加熱コイル（３）
を用いた場合の特性を示している。

折線Ｃｌ０１Ｃ３０およびＣ５０は、第６図に示す配置
で高透磁性体（２４）が設けられた加熱コイル（３）を
用いた場合の特性であって、折線Ｃ１０は高透磁性体（
２４）の左右長さＷが１０（ｍｍ）である場合の特性を
、折線Ｃ３０はＷが３０〔ｍｍ）である場合の特性を、
折線Ｃ５０はＷが５０［ｉｖ）である場合の特性をそれ
ぞれ示している。加熱コイル（３）自体、シール体（７
）等は、上記設計例で示したものが用いられている。

第９図〜第１１図のグラフかられかるように、第６図に
示す配置で高透磁性体（２４）が設けられた加熱コイル
（３）を用いかつ高透磁性体（２４）の巾Ｗが３０（１
１１１１）の場合に、ジュール熱損失Ｐが最も少なくな
る。また、励磁周波数ｆが６０（Ｋｌｌｚ）以上になる
とジュール熱損失Ｐが急激に減少する。つまり、シール
体（７）を均一に加熱し、しかも加熱効率を高くするに
は、第６図に示すような配置で加熱コイル（３）に高透
磁性体（２４）を設け、高透磁性体（２４）の巾Ｗを３
０（＋ｕ＋）程度に設定し、加熱コイル（３）の励磁周
波数ｆを７０〜１００（ＫＨｚ）の間に設定すればよい
。

第６図に示すような配置で加熱コイル（３）に高透磁性
体く２４）を設けた場合には、加熱コイル（３）の損失
Ｐが非常に少なく、シール体（７）の有無によって直流
負荷電流値に明らかな差が生じるので、加熱コイル（３
）の負荷電流を監視することにより、シール位置に送ら
れてきた瓶（１）にシール体（７）が取付けられている
か否かを判別することができる。例えば、瓶（１）にシ
ール体（７）が取付けられているときの加熱コイル（３
）の負荷電流値は１．９　（Ａ）であり、瓶（１）にシ
ール体（７）が取付けられていないときの加熱コイル（
３）の負荷電流値は０．６　［Ａ）である。

上記実施例では、瓶（１）の搬送経路のシール位置に粗
検出器（２）が配置され、粗検出器（２）によって瓶（
１）が検出されている間、加熱コイル（３）が駆動され
ているが、加熱コイル（３）を常時駆動させておいても
よい。このようにすると、粗検出器（２）が不要となる
。特に、第６図に示すような配置で加熱コイル（３）に
高透磁性体（２４）を設けた場合には、加熱コイル（３
）の加熱効率がよく、加熱コイル（３）自体の発熱量が
少ないので、常時加熱コイル（３）を駆動していても加
熱コイル（３）自体の温度が高温にならず、加熱コイル
（３）の劣化を防止できるという利点がある。また、瓶
（１）の搬送速度を上げる場合には、加熱コイル（３）
を搬送方向に複数個並べればよい。

発明の効果 この発明による誘導加熱式シール装置では、アルミニウ
ム箔の片面にヒートシール材層が形成されてなるシール
体を、誘導加熱により容器口部にシールする誘導加熱式
シール装置において、シール体が仮止めされた容器を搬
送する搬送装置、搬送経路上の所定のシール位置の上方
に配されかつシール体を誘導加熱するための加熱コイル
、および加熱コイルに高周波電流を流すための加熱コイ
ル駆動回路を備え、加熱コイルが、平面からみて略中空
楕円形であり、その短軸方向が容器搬送方向に一致する
ように配されているので、連続的にシール体を容器口部
にシールできるとともに、シール体全体を均一に加熱す
ることとができ、シール体全体をシールに好適な温度に
加熱することができる。したがって、効率の高いシール
作業が行なえるとともに、良好なシールが行なえるよう
になる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１１図は、この発明の実施例を示し、第１図
は誘導加熱式シール装置の概略構成を示す平面図、第２
図は第１図の■−■線に沿う断面図、第３図は誘導加熱
式シール装置の電気的構成を示す電気回路図、第４図は
瓶の搬送経路上における加熱コイルの中心に対応する点
と瓶の中心との搬送方向距離に対するシール体の所要箇
所の温度を示すグラフ、第５図は加熱コイル上面に高透
磁性体を設けた例を示す斜視図、第６図は加熱コイル上
面に高透磁性体を設けた他の例を示す斜視図、第７図は
第６図に示すような配置で高透磁性体が設けられている
加熱コイルによって、シール体を加熱した場合のシール
体の各部のシール温度を示すグラフ、第８図はｆｆ１７
図のグラフにおけるシール体の温度測定箇所を示す平面
図、第９図は第５図に示す配置で高透磁性体が設けられ
た加熱コイルまたは第６図に示す配置で高透磁性体が設
けられた加熱コイルを用い、加熱コイルの励磁周波数ｆ
を変えて、シール体の所定箇所が同一温度になるように
シール体を加熱した場合における加熱コイルの励磁周波
数ｆに対する高周波電流１　ｐ−ｐを示すグラフ、第１
０図は励磁周波数ｆに対する加熱コイルの抵抗Ｒを示す
グラフ、第１１図は第９図および第１０図のグラフから
求められた励磁周波数ｆに対する加熱コイルのジュール
熱損失Ｐを示すグラフ、第１２図〜第１５図は従来例を
示し、第１２図は平面図、第１３図は縦断面図、第１４
図は瓶を一定速度で搬送させながら、従来の誘導加熱式
シール装置でシールを行なう場合において、瓶の搬送経
路上における加熱コイルの中心に対する点と瓶の中心と
の搬送方向距離に対するシール体の所要箇所の温度を示
すグラフ、第１５図はシール体の温度測定箇所を示す平
面図である。 （１）・・・瓶、（２）・・・瓶検出器、（３）・・・
加熱コイル、（７）・・・シール体、（１３）・・・整
流回路、（１５）・・・スイッチング素子、（１９）・
・・発振回路、（２（）　（２４）・・・高透磁性体。 以上 特許出願人　藤沢薬品工業株式会社 鴫−一搬送方向 第４図 第５図 第６図 一トー搬送方向 第８−４ 第７図 周波数ｆ（ｋ）ｌｚ） 第９１ 距離（ｍｍ） 一一一搬送方向 禰−一搬送方向

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）アルミニウム箔の片面にヒートシール材層が形成
   されてなるシール体を、誘導加熱により容器口部にシー
   ルする誘導加熱式シール装置において、 シール体が仮止めされた容器を搬送する搬送装置、 搬送経路上の所定のシール位置の上方に配されかつシー
   ル体を誘導加熱するための加熱コイル、および 加熱コイルに高周波電流を流すための加熱コイル駆動回
   路を備え、 加熱コイルが、平面からみて略中空楕円形であり、その
   短軸方向が容器搬送方向に一致するように配されている
   ことを特徴とする誘導加熱式シール装置。
2. （２）アルミニウム箔の片面にヒートシール材層が形成
   されてなるシール体を、誘導加熱により容器口部にシー
   ルする誘導加熱式シール装置において、 シール体が仮止めされた容器を搬送する搬送装置、 搬送経路上の所定のシール位置の上方に配されかつシー
   ル体を誘導加熱するための加熱コイル、 加熱コイルに高周波電流を流すための加熱コイル駆動回
   路、 シール位置に配された容器検出器、および 容器検出器によって容器が検出されているときに、加熱
   コイル駆動回路を駆動させる手段を備え、 加熱コイルが、平面からみて略中空楕円形であり、その
   短軸方向が容器搬送方向に一致するように配されている
   ことを特徴とする誘導加熱式シール装置。
3. （３）上記加熱コイルの中空部が、平面から見て加熱コ
   イルの長軸方向に長い矩形であり、中空部の容器搬送方
   向前側にある加熱コイル部分および後側にある加熱コイ
   ル部分の上面に高透磁性体がそれぞれ配されている請求
   項１または２記載の誘導加熱式シール装置。（４）上記
   加熱コイルの中空部が、平面から見て加熱コイルの長軸
   方向に長い矩形であり、中空部の容器搬送方向前側にあ
   る加熱コイル部分の左右方向長さ中間部の前後両端面お
   よび上面を連続的に覆うように高透磁性体が配されてい
   るとともに、中空部の容器搬送方向後側にある加熱コイ
   ル部分の左右方向長さ中間部の前後両端面および上面を
   連続的に覆うように高透磁性体が配されている請求項１
   または２記載の誘導加熱式シール装置。