JPH01166482A - シーズヒータ - Google Patents

シーズヒータ

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JPH01166482A
JPH01166482A JP32585887A JP32585887A JPH01166482A JP H01166482 A JPH01166482 A JP H01166482A JP 32585887 A JP32585887 A JP 32585887A JP 32585887 A JP32585887 A JP 32585887A JP H01166482 A JPH01166482 A JP H01166482A
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JP
Japan
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alumina sol
alumina
insulation resistance
powder
magnesia
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Hideyuki Ohashi
秀行 大橋
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、一般調理器具や暖房器具などの幅広い製品分
野における加熱源として応用されるシーズヒータに関し
、特に通電時の電気絶縁特性に優れた信頼性の高いシー
ズヒータに関するものである。
従来の技術 従来よりシーズヒータは簡便であると共に、安全性が高
く、かつ耐食性に優れているため、オープン、電子レン
ジ、電気コンロ、電気ストーブ等、□調理および暖房器
具の加熱源として幅広く使用されている。
このシーズヒータは、一般に、両端に端子棒を備えたコ
イル状の電熱線を金属パイプの中央部に挿入し、この金
属パイプに電気絶縁粉末を充填した後、圧延減径し、所
定の形状に曲げ加工して製造される。
このようなシーズヒータの電気絶縁粉末として従来より
電融マグネシアが用いられてきた。
これは電融マグネシアが電気絶縁性、熱伝導性に優れ、
また商業的に安価で、かつ安定して供給されているため
であった。
発明が解決しようとする問題点 シーズヒータには前述したように電気絶縁粉末として電
融マグネシアが用いられてきた。この電融マグネシアの
絶縁抵抗は温度上昇と共に低下し、半導体的性質を示す
。その関係は一般に次式で表わされる。
玉 、:AokT ここでρは固有抵抗、Eは活性化エネルギー、Tは絶対
温度、kはポルツマン定数、Aは定数である。
従って、電融マグネシアの絶縁抵抗はA及びEによって
決まシ、それぞれの値によって低温用から高温用のグレ
ードに分類される。
1000℃における固有抵抗は、低温用で1060傭程
度、高温用で107〜1o8Ω儂程度であるが、最近の
加熱温度の高温化や形状の短小化等の要望を満たすため
には、これらの絶縁抵抗では不十分であった。
一方、単結晶マグネシアは1000℃で1o8Ωα以上
の固有抵抗を示すが、コスト的には通常の電融マグネシ
アの約1000倍の価格であシ、非常ニ高価でシーズヒ
ータへの適用は難しかった。
本発明は前述した問題点を解決するもので、高い絶縁抵
抗を有する安価なシーズヒータを提供することを目的と
するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明は、電気絶縁粉末と
して、電融マグネシア粉末を使用し、アルミナゾルをア
ルミナ重量に換算して0.5〜15wf%添加し、45
0’(:以上の温度で加熱処理したものである。
作  用 シーズヒータの電気絶縁粉末に使用される電融マグネシ
アは一般に不純物を含有している。これらの不純物は1
価のアルカリ金属酸化物であるNa Oやに20.2価
のアルカリ土類金属酸化物テアルCao、3価の酸化物
テアルFe2o3ヤA12o3、B2O3,4価の酸化
物であるS 102やZ ro2等が主なものである。
これらの不純物の混入は、電融マグネシアの原材料が天
然マグネサイトや海水マグネシアクリンカであることか
ら不可避であるが、2価のMgO中に1価や3価、4価
の酸化物やイオン半径の異なる2価の酸化物が不純物と
して混入することにより、結晶内に欠陥を生じて半導体
的性質を付与する結果、絶縁抵抗が単結晶マグネシアに
比べて大きく低下することになる。通常、電融マグネシ
アはp型の半導体としての性質を有し、Mqと0の比は
、0が過剰でMqが不足していると考えられている。
本発明では、との電融マグネシア粉末にアルミナシμを
添加して吸着させた後、450℃以上の温度で加熱処理
して乾燥及び拡散処理することによシ、電融マグネシア
粉末の表面及び内部を改質して半導体的性質を押さえ、
絶縁抵抗を高めることができるものである。
電融マグネシア粉末にアルミナシ〜を添加して吸着させ
る工程としては、(1)粉末状態でアルミナゾルを添加
し、460℃以上の温度で加熱処理を行なった後、金属
パイプ内に充填してシーズヒータを形成する、(2)金
属パイプ内に電融マグネシア粉末を充填した後、アwミ
ナゾμを含浸し、圧延減径して450’C以上の温度で
加熱処理を行なってシーズヒータを形成する、(3)金
属パイプ内に電融マグネシア粉末を充填し、圧延減径し
た後、アルミナゾルを含浸し、460”C以上の温度で
加熱処理を行なってシーズヒータを形成する等、シーズ
ヒータの加工工程中のいずれの段階で行なっても効果を
有するものである。
アルミナゾルの添加量は、用いる電融マグネシアの半導
体的性質の程度や不純物量によって異なり、添加量が少
ないとp型半導体となシ、また添加量が多いとn型半導
体となって共に十分な絶縁抵抗が得られないが、一般に
アルミナ重量に換算して0.5〜15wt%の範囲内で
高い絶縁抵抗を得ることができる。
450’C以上の温度での加熱処理は、アルミナゾルに
含まれる水分を除去乾燥する目的と、アルミナ成分を電
融マグネシア中に拡散する目的を有している。乾燥のた
めには、化学吸着水を除去する必要があp4so’(:
以上の温度での加熱処理が必要となる。またアルミナ成
分の拡散については、電融マグネシアの内部まで十分に
拡散させるため釦は900’C以上の加熱処理が望まし
い。従って加熱処理の温度は、450℃以上、望ましく
は900℃以上が必要である。
実施例 以下、本発明の一実施例を第1図及び第2図にもとづい
て説明する。
まず、407−325メツシユに粉砕した電融マグネシ
アを、中心に直径3mm、長さ40咽のステンレス棒を
配置した内径8咽、外径10咽、長さ20mmのステン
レスパイプ内に充填し、アルミナ含有量20 wtq6
のアルミナゾルを任意の量だけ添加して含浸させた後、
13oKp/肩の圧力でプレスし、パイプ内に完全に充
填した。その後、パイプ及び中心のステンレス棒に直径
0.5 rtanのニクロム線をスポット溶接し、絶縁
測定用のリード線とした。サンプルは電気炉内に投入し
、1000℃で30分の加熱処理を施した。比較のため
、アルミナゾルを添加含浸しないサンプルも同様の処理
を施した。
以上のようにして作製したサンプルを電気炉中に吊るし
、約1時間かけて1000℃に昇温し、約10分間保持
した後、DClooVの絶縁計を用いて絶縁抵抗を測定
し、計算によシ固有抵抗を求めた。
2種の電融マグネシアを用いて測定を行なったが、用い
た電融マグネシアの組成を第1表K、得られた固有抵抗
とアルミナに換算したアルミナゾルの添加量の関係を第
1図に示す。
(バ下全I3) 第1図から明らかなように、比較的高純度の電融マグネ
シアAにおいては、デルミナに換算したアルミナゾルの
添加量が2〜4wt%で最大の固有抵抗を示し、さらに
添加量が増加すると逆に固有抵抗が低下した。一方、比
較的低純度の電融マグネシアBにおいては、同様に6〜
10wt%で最大の固有抵抗を示した。このことは、ア
ルミナゾルを添加した電融マグネシアの半導体的性質が
p型からn型へと添加量と共に変化することを意味して
いる。
また、固有抵抗の改良度合は低純度の電融マグネシアB
において著しく、固有抵抗の最大値はほぼ同等の値とな
った。このことは半導体的性質をなくすことKより一定
の固有抵抗が得られることを意味しており、工業的には
比較的低コストの低純度マグネシアを用いることが可能
となり、シーズヒータの材料コストを引き下げることが
できることを意味する。
次に、同様に第1表に示した2種類の電融マグネシアを
用いてシーズヒータを作製した。両端に端子棒を備えた
コイル状の電熱線を耐食耐熱超合金NCFsooからな
る金属パイプに挿入し、電気絶縁粉末として電融マグネ
シア粉末を金属パイプ内に充填した後、アルミナ含有量
20wt%のアルミナゾルを任意の量だけ添加して含浸
させ、圧延減径を施し、最高温度1050℃のトンネル
炉で加熱処理し、さらに0字状に曲げ加工およびプレス
加工を施して、外径6.6咽、全長500mmの0字状
のシーズヒータを作製した。
このシーズヒータを用いてAClooV、400Wで通
電を行ない、6分径安定状態になった時点でDC500
Vの絶縁計を用いて絶縁抵抗を測定した。測定は各条件
ごとに5本のシーズヒータについて行なった。そして得
られた絶縁抵抗とアルミナに換算したアルミナシμの添
加量の関係を第2図に示す。
第2図から明らかなように、シーズヒータの絶縁抵抗と
アルミナゾルの添加量の関係は、第1図に示した電融マ
グネシアの固有抵抗とアl ミナゾルの添加量の関係と
良い一致を示した。電融マグネシアAについてはアルミ
ナに換算して2wt%前後のアルミナゾルの添加で最大
の絶縁抵抗が得られ、電融マグネシアBについては同様
に7wt%前後のアルミナゾルの添加で最大の絶縁抵抗
が得られた。
このように本発明のシーズヒータは、従来の電融マグネ
シアのみを電気絶縁粉末として用いたシーズヒータと比
べて、通電時の絶縁抵抗を向上させることができると共
に、比較的低純度の電融マグネシアを用いて高い絶縁抵
抗のシーズヒータを提供できることがわかった。また絶
縁抵抗の向上によシ、シーズヒータの高温化が図れると
共に、全長を短かくしたり、外径を細くしたりするとい
う具合にシーズヒータのコンパクト化も図れるようにな
った。
発明の効果 上記実施例の説明から明らかなように本発明によれば、
電気絶縁粉末として、電融マグネシアを使用し、アルミ
ナゾルをアルミナ重量に換算して0.5〜15wt%添
加し、460℃以上の温度で加熱処理しているため、特
に通電時の電気絶縁特性に優れ、信頼性が高く、しかも
安価なシーズヒータを提供することができるものである
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例におけるシーズヒータの電融
マグネシアの固有抵抗とアルミナゾルの添加量の関係を
示すグラフ、第2図は同シーズヒータの絶縁抵抗とアル
ミナゾルの添加量の関係を示すグラフである。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 OS  IQ  /S アルミナC;換算l/タアルミナ ン)しの添力■量 W鼾2

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電気絶縁粉末として、電融マグネシア粉末を使用し、ア
    ルミナゾルをアルミナ重量に換算して0.5〜15wt
    %添加し、450℃以上の温度で加熱処理したことを特
    徴とするシーズヒータ。
JP32585887A 1987-12-23 1987-12-23 シーズヒータ Expired - Lifetime JPH0787113B2 (ja)

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JP32585887A JPH0787113B2 (ja) 1987-12-23 1987-12-23 シーズヒータ

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JPH01166482A true JPH01166482A (ja) 1989-06-30
JPH0787113B2 JPH0787113B2 (ja) 1995-09-20

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0284434A (ja) * 1988-06-28 1990-03-26 Amoco Corp 3,5‐ジアミノベンゾトリフルオライドを用いたポリイミドポリマーおよびコポリマー

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0284434A (ja) * 1988-06-28 1990-03-26 Amoco Corp 3,5‐ジアミノベンゾトリフルオライドを用いたポリイミドポリマーおよびコポリマー

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JPH0787113B2 (ja) 1995-09-20

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