JPH01165769A - Sputtering device for forming superconducting thin film - Google Patents
Sputtering device for forming superconducting thin filmInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、超電導セラミックス薄膜をスパンクリング
法により作成するためのスパッタリング装置に関し、特
にそのターゲット構造に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a sputtering apparatus for producing a superconducting ceramic thin film by a spankling method, and particularly to a target structure thereof.
最近、臨界温度Ｔｃが液体窒素温度以上の高温超電導セ
ラミックス材料の開発がさかんに行われるとともに、こ
の超電導セラミックスを利用して実現できる機器、素子
等の研究が行われている。Recently, high-temperature superconducting ceramic materials whose critical temperature Tc is higher than the liquid nitrogen temperature have been actively developed, and research is being conducted on devices, elements, etc. that can be realized using these superconducting ceramics.
そのうちの１つとして、例えば次世代の超高速コンピュ
ータの演算素子として注目されているジョセフソン素子
があげられる。このジョセフソン素子は、きわめて薄い
絶縁膜を２つの超電導体で挟んだ素子で構成されている
が、この素子における超電導薄膜を形成する方法として
は、現在、スパッタリング法が最も良い方法である。そ
して、このスパッタリングにおけるターゲット、即ち超
電導セラミックス材料としては、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系
の酸化物セラミックスがよく用いられている。One example of such devices is the Josephson device, which is attracting attention as an arithmetic device for next-generation ultra-high-speed computers. This Josephson device consists of an extremely thin insulating film sandwiched between two superconductors, and sputtering is currently the best method for forming the superconducting thin film in this device. As a target in this sputtering, that is, a superconducting ceramic material, Y-Ba-Cu-0 based oxide ceramics are often used.
ところで、前記Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸化物セラミック
スにおいては、超電導になる薄膜の組成は、Ｙ＋Ｂａ＊
ＣｕｚＯｘであるが、この組成のターゲットを用いてス
パッタリング法により製膜を行うと、銅（Ｃｕ）の量が
減少し、ターゲット組成と製膜された膜組成とは大幅に
異なってしまうということが一般に知られている。従っ
て前記のような、超電導になる所望の組成の薄膜を得よ
うとする場合は、ターゲットしては予めＣｕの量を補充
しておく必要がある。ところが、どれだけＣｕの量を補
充してお（べきかば、使用する装置。By the way, in the Y-Ba-Cu-0 based oxide ceramics, the composition of the thin film that becomes superconducting is Y+Ba*
CuzOx, but if a film is formed by sputtering using a target with this composition, the amount of copper (Cu) will decrease and the target composition will be significantly different from the film composition. generally known. Therefore, in order to obtain a thin film having a desired composition that becomes superconducting as described above, it is necessary to supplement the target with an amount of Cu in advance. However, it is difficult to know how much Cu should be replenished and the equipment used.
ガス圧等の使用条件等によって異なり、個々に条件出し
を行う必要がある。即ち、前記のような所望の組成の薄
膜を得ようとする場合、セラミックス材料のＣｕの量を
少しずつ変化させながら製膜された薄膜を分析し、この
結果によりＣｕＯ量を調整するといったようなトライア
ンドエラーによって製膜を行う必要があり、各種の組成
のセラミックス材料を用意しなければならないし、また
その作業は非常に面倒なものであった。It varies depending on usage conditions such as gas pressure, and it is necessary to set the conditions individually. That is, when trying to obtain a thin film with the desired composition as described above, the thin film formed is analyzed while gradually changing the amount of Cu in the ceramic material, and the amount of CuO is adjusted based on the results. Film formation had to be carried out by trial and error, ceramic materials of various compositions had to be prepared, and the work was extremely troublesome.
この発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、超電導
薄膜をスパッタリング法で形成する際、製膜される薄膜
中の不足する銅の量を容易に補償することのできる超電
導薄膜形成用のスパッタリング装置を得ることを目的と
する。This invention has been made in view of the above points, and is a sputtering method for forming a superconducting thin film that can easily compensate for the insufficient amount of copper in the thin film being formed when a superconducting thin film is formed by sputtering. The purpose is to obtain equipment.
この発明に係る超電導薄膜形成用のスパッタリング装置
は、銅を含む酸化物セラミックスをターゲットとして超
電導薄膜を形成する際、ターゲット部に、前記鋼を含む
酸化物セラミックスからなるターゲット及び製膜される
薄膜中の銅の比率を補償するための銅板を設け、これら
のターゲット及び銅板にスパッタリング電圧を印加する
ようにしたものである。In the sputtering apparatus for forming a superconducting thin film according to the present invention, when forming a superconducting thin film using an oxide ceramic containing copper as a target, the target portion includes a target made of the oxide ceramic containing steel and a thin film to be formed. A copper plate is provided to compensate for the copper ratio, and a sputtering voltage is applied to these targets and the copper plate.
この発明においては、ある固定した組成のターゲットと
は別に、製膜時に不足する銅を補償するための銅板を設
け、これを前記ターゲットとともにスパッタリングする
から、例えば開口径が可変のシャッタ等により前記銅板
の基板に対向する部分の表面積を変更するだけで、製膜
される薄膜における銅成分の比率を変化させることがで
き、容易に不足する銅を補償して所望の組成の超電導薄
膜を形成することが可能となる。In this invention, apart from a target having a fixed composition, a copper plate is provided to compensate for the copper shortage during film formation, and this is sputtered together with the target. By simply changing the surface area of the part facing the substrate, the ratio of copper components in the thin film to be formed can be changed, easily compensating for insufficient copper and forming a superconducting thin film with the desired composition. becomes possible.
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.
第１図は本発明の第１の実施例によるスパッタリング装
置におけるターゲット構造の概略構成を示す。なお、ス
パッタリング装置全体の構成は従来と同様であるので、
ここではターゲット部の構成のみを示すこととする。タ
ーゲット部１０は、バッキングプレートｌ及びターゲッ
ト２からなり、前記バッキングプレートｌは１ｍ（Ｃｕ
）で形成され、その中央部には凹部１ａが形成されてい
る。FIG. 1 shows a schematic configuration of a target structure in a sputtering apparatus according to a first embodiment of the present invention. Note that the overall configuration of the sputtering equipment is the same as the conventional one, so
Here, only the configuration of the target section will be shown. The target section 10 consists of a backing plate l and a target 2, and the backing plate l has a length of 1 m (Cu
), and a recess 1a is formed in the center thereof.
そしてこのバッキングプレート１の凹部１ａ内にターゲ
ット２がボンディングされており、このターゲット２が
前記バンキングプレート１の凹部１ａ内に埋設された状
態では、ターゲット部１０の表面が面一になっている。A target 2 is bonded into the recess 1a of the backing plate 1, and when the target 2 is embedded in the recess 1a of the banking plate 1, the surface of the target portion 10 is flush.
なお、前記ターゲット１はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸化物
セラミツクスで形成されており、前述のように、超電導
になる薄膜の組成がＹ 、Ｂ ａ ｚ Ｃｕ ｓ Ｏ買
であることから、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ：＝１：２：３の比率
となっている。また前記ターゲット部１０と対向して、
薄膜を形成すべき基板３が配置されており、この基板３
は基板ホルダ４に支持されている。前記ターゲット部１
０と基板３との間には、まず前記バッキングプレート１
の周辺部を覆うようにターゲットカバー５が設けられ、
このターゲットカバー５の上方には、その開口径ｄが図
示しない機構により変更可能なシャッタ６が配設されて
いる。第２図、にシャッタ６の斜視図を示す、そして、
前記ターゲット部１０に高周波電源等のスパッタリング
電源７が接続されるとともに、基板ホルダ４及びターゲ
ットカバー５はアースに接続されている。The target 1 is made of Y-Ba-Cu-0 based oxide ceramics, and as mentioned above, since the composition of the thin film that becomes superconducting is Y, B az Cu s O, Y :Ba:Cu:=1:2:3 ratio. Further, facing the target section 10,
A substrate 3 on which a thin film is to be formed is arranged, and this substrate 3
is supported by the substrate holder 4. The target section 1
0 and the substrate 3, there is first the backing plate 1
A target cover 5 is provided to cover the peripheral area of the
A shutter 6 whose opening diameter d can be changed by a mechanism not shown is disposed above the target cover 5. FIG. 2 shows a perspective view of the shutter 6, and
A sputtering power source 7 such as a high frequency power source is connected to the target section 10, and the substrate holder 4 and target cover 5 are connected to ground.
次に作用について説明する。Next, the effect will be explained.
スパッタリングの動作は従来同様の動作で行われ、これ
によりターゲット２を構成するＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸
化物セラミツクスの蒸発物と、バッキングプレート１を
構成するＣｕの蒸発物とが基板３に付着する。このとき
、バッキングプレート１を含まないターゲット２自身の
スパッタリングについて考えてみ墨と、前述のように超
電導になるｍ１ＩＩの組成に従って、前記酸化物セラミ
ックスは、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ−１：２：３の組成で形成さ
れているが、このターゲット２のＣｕはスパッタリング
中に減少し、前記のような比率で膜形成されない。The sputtering operation is performed in the same manner as in the conventional method, and as a result, the evaporated material of the Y-Ba-Cu-0 based oxide ceramics forming the target 2 and the evaporated material of Cu forming the backing plate 1 are transferred to the substrate 3. adhere to. At this time, considering the sputtering of the target 2 itself that does not include the backing plate 1, and according to the composition of m1II which becomes superconducting as described above, the oxide ceramic is Y:Ba:Cu-1:2:3 However, Cu in this target 2 is reduced during sputtering, and the film is not formed at the above ratio.
そこで、このターゲット２におけるＣｕの減少分をバッ
キングプレート１からスパッタリングされたＣｕで補償
する。Ｃｕの減少がどの程度であるかは装置、その他の
条件で決定されるので、これらにあわせてシャッタ６の
開口径ｄを変更する。Therefore, the decrease in Cu in the target 2 is compensated for by Cu sputtered from the backing plate 1. Since the degree of reduction in Cu is determined by the apparatus and other conditions, the aperture diameter d of the shutter 6 is changed in accordance with these factors.
このシャッタ６の開口径ｄを変化させることにより、バ
ッキングプレートｌの基板３と対向する部分の表面積、
即ち、スパッタリングされて基板３上に付着するＣｕの
量に関与するバッキングプレート１の表面積を変化させ
ることができ、結果的に基板３上に製膜される薄膜のＣ
ｕの組成を調整することができる。By changing the opening diameter d of this shutter 6, the surface area of the portion of the backing plate l facing the substrate 3,
That is, it is possible to change the surface area of the backing plate 1, which affects the amount of Cu deposited on the substrate 3 by sputtering, and as a result, the C of the thin film formed on the substrate 3 can be changed.
The composition of u can be adjusted.
このような本実施例では、バッキングプレートｌを銅で
形成し、しかもこのバッキングプレートの基板３と対向
する部分の表面積をシャッタ６により変更可能としたの
で、不足するＣｕの量をシャッタ６の開口径の変更によ
り容易に調整することができ、従来のように各種の組成
のセラミックスを準備する必要がな（、所望の超電Ｓ薄
膜を容易に形成することができる。In this embodiment, the backing plate l is made of copper, and the surface area of the part of the backing plate facing the substrate 3 can be changed by the shutter 6. It can be easily adjusted by changing the aperture diameter, and there is no need to prepare ceramics of various compositions as in the past (it is possible to easily form a desired superelectric S thin film).
また、この実施例ではバッキングプレートｌの凹部１ａ
内にターゲット２を埋設し、それらの表面が面一になる
ようにしているので、スパッタリング時の異常放電等を
防止することができる。In addition, in this embodiment, the recess 1a of the backing plate l
Since the targets 2 are buried within the sputtering chamber so that their surfaces are flush with each other, it is possible to prevent abnormal discharge during sputtering.
第３図は本発明の第２の実施例を示し、この実施例は前
記実施例におけるシャッタ６の機能をターゲットカバー
で行おうとするものである。FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention, in which the function of the shutter 6 in the previous embodiment is performed by a target cover.
即ち第３図において、ターゲットカバー５０は、ターゲ
ット部１０の周囲を囲むように配設されたベース部５１
と、このベース部５１に着脱自在に設けられたカバー部
５２とから構成され、このカバー部５２にはその中央部
に開口部５２ａが形成されている。そして、カバー部５
２については、種々のサイズの開口部を有するものを用
意しておき、前述のような補償するＣｕの調整、即ちバ
ッキングプレートｌの基板３と対向する部分の表面積の
調整を、前記カバー部５２を変更することにより行う。That is, in FIG. 3, the target cover 50 includes a base portion 51 disposed so as to surround the target portion 10.
and a cover section 52 that is removably provided on the base section 51, and the cover section 52 has an opening section 52a formed in its center. And cover part 5
Regarding No. 2, those having openings of various sizes are prepared, and the compensation Cu adjustment as described above, that is, the adjustment of the surface area of the portion of the backing plate l facing the substrate 3 is performed using the cover portion 52. This is done by changing the .
このような実施例においても、組成の調整は従来に比し
非常に容易となり、超電導薄膜を容易に形成することが
できる。Even in such an embodiment, the composition can be adjusted much more easily than in the past, and a superconducting thin film can be easily formed.
また、第４図は本発明の第３の実施例を示し、この実施
例では、ターゲットカバー５の開口部５ａのサイズを変
更することにより補償するＣｕの量の調整を行っている
。Further, FIG. 4 shows a third embodiment of the present invention, in which the amount of Cu to be compensated for is adjusted by changing the size of the opening 5a of the target cover 5.
ここで、この第４図に示す例における超電導薄膜形成時
の望ましいスパッタリング条件等の値を示すと、まず、
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系セラミツクス粉末（Ｙ：Ｂａ：Ｃ
ｕ−１＝２：３）をプレス成形し、９００℃、３時間の
焼成により直径？６．５ｍｗ。Here, the desirable sputtering conditions and other values for forming a superconducting thin film in the example shown in FIG. 4 are as follows:
Y-Ba-Cu-0 ceramic powder (Y:Ba:C
u-1=2:3) was press-molded and baked at 900°C for 3 hours to reduce the diameter to ? 6.5 mw.
厚さ５−のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸化物セラミツクス円
盤２を作成する。これを前記各実施例のように、凹部を
有するパッキングプレートエ内にボンディングし、第４
図に示すような高周波スパッタリング装置内でスパッタ
リングを行う、このときのスパッタリングの主な条件は
、
ガス：アルゴン
ガス圧： ２ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒ高周波電源パワ
ー＝２００Ｗ
基板：イツトリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）スパッタ
リング後のアニール：９５０°Ｃ，３時間。A Y-Ba-Cu-0 based oxide ceramic disk 2 having a thickness of 5 mm is prepared. As in each of the above embodiments, this is bonded into a packing plate having a concave portion, and the fourth
Sputtering is performed in a high-frequency sputtering device as shown in the figure.The main conditions for sputtering are: Gas: Argon gas pressure: 2 X 10-” Torr High-frequency power supply power = 200 W Substrate: Ittria stabilized zirconia (YSZ) Annealing after sputtering: 950°C, 3 hours.
酸素雰囲気 とする。oxygen atmosphere shall be.
このような条件下では、第４図中のターゲットカバー５
の開口部５ａの径は、８５ｍ程度にすれば、所望の、即
ちＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：２：３の組成の超電導薄膜が得
られると思われるが、これを６０閣程度とすれば、Ｃｕ
の比率は前記比率よりも低くなると考えられる。なお、
形成された薄膜は、高周波誘導結合プラズマ発光分析装
置（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｒａｄ
ｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）で
分析を行うことが可能である。Under such conditions, the target cover 5 in FIG.
It seems that if the diameter of the opening 5a is set to about 85 m, a superconducting thin film with the desired composition of Y:Ba:Cu=1:2:3 can be obtained, but if this is set to about 60 m, then , Cu
The ratio is considered to be lower than the above ratio. In addition,
The formed thin film was analyzed using a high frequency inductively coupled plasma emission spectrometer (Inductively Coupled Rad).
io Frequency Plasma: ICP).
このような実施例によっても、従来のように種々の組成
のセラミックスをスパッタリングする場合に比し、作業
は非常に容易となる。This embodiment also makes the work much easier than the conventional sputtering of ceramics of various compositions.
なお、前記各実施例ではバッキングプレート１を銅で形
成し、その凹部１ａにターゲット２をボンディングする
ようにしたが、第５図の第４の実施例に示すように、Ｙ
−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸化物セラミツクスでターゲット２
°を形成するとともに、そのターゲット２′の上に例え
ば円環状の銅製リング１”をボンディングして構成して
もよ（、この場合は、銅製リング１°の幅Ｕを調整して
、補償するＣｕの量を変更することが可能となる。In each of the embodiments described above, the backing plate 1 is made of copper and the target 2 is bonded to the recessed portion 1a of the backing plate 1, but as shown in the fourth embodiment of FIG.
- Target 2 with Ba-Cu-0 based oxide ceramics
For example, an annular copper ring 1'' may be bonded onto the target 2' (in this case, the width U of the copper ring 1° may be adjusted to compensate). It becomes possible to change the amount of Cu.
また、ターゲットはバッキングプレートの凹部に埋設さ
れる構成に限定されるものではなく、平面状のバッキン
グプレート上にターゲットをボンディングしてもよいの
はもちろんである。Furthermore, the target is not limited to the configuration in which it is buried in the recess of the backing plate, and it goes without saying that the target may be bonded onto a flat backing plate.
さらに、上記各実施例では超電導セラミックス材料とし
てＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸化物セラミツクスを用いた場
合について説明したが、本発明は銅を含む全ての超電導
セラミックス材料のスパッタリングに対して適用でき、
例えば前記Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸化物セラミックスの
Ｙ（イツトリウム）をランタノイド系のもので置換した
ものについても適用できるのはもちろんである。Further, in each of the above embodiments, the case where Y-Ba-Cu-0 based oxide ceramics were used as the superconducting ceramic material was explained, but the present invention can be applied to sputtering of all superconducting ceramic materials including copper.
For example, it is of course applicable to the Y--Ba--Cu--0 based oxide ceramics in which Y (yttrium) is replaced with a lanthanide-based material.
以上のように、この発明によれば、銅を含む酸化物セラ
ミックスをターゲットとして、スパッタリングにより超
電導薄膜を形成する際、ターゲット部に、形成される薄
膜中の銅を補償するための銅板を設け、これをターゲッ
トとともににスパッタリングするようにしたので、前記
銅板の基板と対向する部分の表面積を変更するだけで、
製膜される薄膜における銅成分の比率を変化させること
ができ、簡単な操作で不足する銅を補償して、容易に所
望の超電導薄膜を形成することができる効果がある。As described above, according to the present invention, when a superconducting thin film is formed by sputtering using an oxide ceramic containing copper as a target, a copper plate is provided in the target portion to compensate for copper in the formed thin film, Since this was sputtered together with the target, just by changing the surface area of the part of the copper plate facing the substrate,
The ratio of the copper component in the thin film to be formed can be changed, and the lack of copper can be compensated for with a simple operation, making it possible to easily form a desired superconducting thin film.
第１図は本発明の第１の実施例による超電導薄膜形成用
のスパッタリング装置の要部構成図、第２図はそのシャ
ッタを示す斜視図、第３図は本発明の第２の実施例によ
るスパッタリング装置のターゲット構造を示す概略構成
図、第４図は本発明の第３の実施例によるスパッタリン
グ装置のターゲット構造を示す概略構成図、第５図は本
発明の第４の実施例によるスパッタリング装置のターゲ
ット構造の要部を示す図である。
１．１°・・・バッキングプレート、ｌａ・・・凹部、
２．２′・・・ターゲット、３・・・基板、５，５０・
・・ターゲットカバー、５１・・・ベース部、５２・・
・カバー部、５ａ、５２ａ・・・ターゲットカバーの開
口部、６・・・シャッタ、７・・・スパッタリング電源
。
第１図
７２図
節３図
：、Ｈｓ ｔ、図FIG. 1 is a block diagram of main parts of a sputtering apparatus for forming a superconducting thin film according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing a shutter thereof, and FIG. 3 is a diagram according to a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a target structure of a sputtering device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a target structure of a sputtering device according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing the main part of the target structure. 1.1°...backing plate, la...recess,
2.2'...Target, 3...Substrate, 5,50.
...Target cover, 51...Base part, 52...
- Cover part, 5a, 52a... Opening of target cover, 6... Shutter, 7... Sputtering power supply. Figure 1 Figure 72 Section 3 Figure:, Hs t, Figure
Claims (5)
、スパッタリング法により基板上に超電導薄膜を形成す
るための超電導薄膜形成用のスパッタリング装置であっ
て、ターゲット部に、前記銅を含む酸化物セラミックス
からなるターゲット及び形成される薄膜の銅成分を補償
するための銅板が装着され、これらのターゲット及び銅
板に対してスパッタリングを行うようにしたことを特徴
とする超電導薄膜形成用のスパッタリング装置。(1) A sputtering device for forming a superconducting thin film on a substrate by a sputtering method using an oxide ceramic containing copper as a target, the target portion being made of the oxide ceramic containing copper. A sputtering apparatus for forming a superconducting thin film, characterized in that a target and a copper plate for compensating the copper component of the thin film to be formed are attached, and sputtering is performed on the target and the copper plate.
が可変のシャッタが設けられ、このシャッタの開口径を
変化させて前記銅板の基板に対向する部分の表面積を変
化させるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の超電導薄膜形成用のスパッタリング装置。(2) A shutter with a variable opening diameter is provided above the target and the copper plate, and by changing the opening diameter of the shutter, the surface area of the portion of the copper plate facing the substrate is changed. A sputtering apparatus for forming a superconducting thin film according to claim 1.
開口部を有するカバー部と、このカバー部が着脱自在に
取り付けられるベース部とからなるターゲットカバーが
設けられ、前記カバー部を変更して前記銅板の基板に対
向する部分の表面積を変化させるようにしたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の超電導薄膜形成用の
スパッタリング装置。(3) Above the target and the copper plate, there is provided a target cover consisting of a cover part having an opening in the center and a base part to which this cover part is detachably attached, and the cover part is changed. 2. The sputtering apparatus for forming a superconducting thin film according to claim 1, wherein the surface area of the portion of the copper plate facing the substrate is changed.
るバッキングプレートであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の超電導薄
膜形成用のスパッタリング装置。(4) The sputtering apparatus for forming a superconducting thin film according to any one of claims 1 to 3, wherein the copper plate is a backing plate to which the target is bonded.
記ターゲットはこのバッキングプレートの凹部に埋設さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の
超電導薄膜形成用のスパッタリング装置。(5) The sputtering apparatus for forming a superconducting thin film according to claim 4, wherein a recess is formed in the backing plate, and the target is embedded in the recess of the backing plate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62326040A JPH01165769A (en) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | Sputtering device for forming superconducting thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62326040A JPH01165769A (en) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | Sputtering device for forming superconducting thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165769A true JPH01165769A (en) | 1989-06-29 |
Family
ID=18183431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62326040A Pending JPH01165769A (en) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | Sputtering device for forming superconducting thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01165769A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110198033A1 (en) * | 2010-02-16 | 2011-08-18 | Canon Anelva Corporation | Shutter device and vacuum processing apparatus |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP62326040A patent/JPH01165769A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110198033A1 (en) * | 2010-02-16 | 2011-08-18 | Canon Anelva Corporation | Shutter device and vacuum processing apparatus |
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