JPH01165195A - ハイブリッドic - Google Patents

ハイブリッドic

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JPH01165195A
JPH01165195A JP32438987A JP32438987A JPH01165195A JP H01165195 A JPH01165195 A JP H01165195A JP 32438987 A JP32438987 A JP 32438987A JP 32438987 A JP32438987 A JP 32438987A JP H01165195 A JPH01165195 A JP H01165195A
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JP
Japan
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resin
hybrid
hardness
resin layer
layer
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Pending
Application number
JP32438987A
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English (en)
Inventor
Nariyuki Kawazu
河津 成之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
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Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to JP32438987A priority Critical patent/JPH01165195A/ja
Publication of JPH01165195A publication Critical patent/JPH01165195A/ja
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  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、厚膜導体回路を形成した基板に、ICやチ
ップコンデンサなどの電子回路部品を実装しかつその全
体に樹脂コーティング?施して樹脂被覆層を形成したハ
ブリッドICに関し、特にその樹脂被覆層の構成に関す
るものである。
従来の技術 周知のようにハイブリッドICは、アルミナやSiCあ
るいはホーローなどからなる基板に、厚膜導体回路を形
成し、さらにICやチップコンデンサなどの電子回路部
品をはんだによって取付けたものであるが、耐湿性やi
4衝撃性などの信頼性を高めるために、全体を樹脂でコ
ーティングして封止するのが通常ある。このコーティン
グ用の樹脂としては、アクリル系、エポキシ系、シリコ
ーン系、フェノール系、ポリブタジェン系、ウレタン系
などの各種の樹脂が知られているが、ハイブリッドIC
用の樹脂としては低応力であることや防水および耐湿性
に優れていることなどの特性が要求され、そのため低応
力であるとの観点から前記の樹脂のうちシリコーン系樹
脂が優れている。シリコーン樹脂で被覆したハイブリッ
トICの例が、例えば特開昭62−4392号公報に記
載されている。
シリコーン樹脂で被覆する場合、該樹脂は熱硬化性であ
って、通常、浸漬法によってコーティングが行なわれて
いる。その例を簡単に説明すると、第4図および第5図
に示すように、厚膜導体回路1を形成した基板2にチッ
プ部品やDIP型IC4等の電子回路部品3をはんだ4
によって実装してなる半完成のハイブリッドIC5を、
槽6内のシリコーン樹脂液7に浸漬し、その結果付者し
たシリコーン樹脂8を硬化温度(80〜150℃)に加
熱して乾燥硬化させる方法である。なお第5図において
9は文字・記号等をマーキングしたインキである。
発明が解決すべき問題点 前述のようにシリコーン系樹脂をハイブリッドICのコ
ーティング用樹脂として用いる場合、耐久性の点からは
硬化後の樹脂の硬度が低い方が望ましいとされている。
これは、樹脂被覆層の硬度が低いほど熱応力が小さくな
り、温度変化の大きな使用条件下では耐久性の点から優
れているからである。
すなわち、コーティング樹脂とハイブリッドICの基板
の間に発生する熱応力は次のように計算される。
熱応力= (樹脂の弾性率)×((樹脂の熱膨張率)−
(アルミナ基板の熱膨張率))×(温度変化) ここで、市場に流通しているシリコーン系樹脂の熱膨張
率はほとんど差がなく、またアルミナ基板の熱膨張率も
一定であるから、シリコーン系樹脂でコーティングした
場合の温度変化による熱応力を小さくするためには、樹
脂の弾性率を小さくする必要がある。そして一般に樹脂
の弾性率と硬度との間には相関関係があるから、樹脂の
硬度をできる限り小さくすることが熱応力を小さくして
耐久性を向上させる手段となるのである。
このように耐久性の点からは硬度の小さい樹脂、すなわ
ち軟質な樹脂でコーティングすることが有利であるが、
軟質な樹脂をコーティング樹脂層として用いた場合、次
の(1)〜(3)に記すような問題が生じる。
(1)外部から加わる衝撃、特に突起物が当った場合の
衝撃は、コーティング樹脂が軟質であれば直接内部のハ
イブリッドICに伝わり、内部に実装されている回路素
子を破壊あるいは損傷させるおそれがある。(2)コー
テイング後のハイブリッドICを自動実装機(インサー
トマシン)によりプリント基板上に実装する場合、ハイ
ブリッドICのコーティング樹脂が柔らか過ぎて機械で
把持しにくく、また無理に把持しようとすれば前記同様
に内部の回路素子を破壊もしくは損傷させるおそれがあ
る。(3)コーチインク後の樹脂表面には、品名、品番
、ロフト番号、製造年・月日などの文字・記号をスクリ
ーン印刷法あるいはスタンピング法によりマーキング(
捺印)するのが通常であるが、この場合樹脂が柔らか過
ぎれば、マーキングが困難となる。具体的には、JIS
  K6301に規定されたスプリング硬さHs  (
JIS  A)にして、@s40以下の軟質な樹脂では
これらの問題(1)〜(3)が生じ易くなる。
このように、熱応力による耐久性の点からはコーティン
グ樹脂の硬度が低いことが望ましく、これに対し前記(
1)〜(3)の点からは逆に樹脂の硬度が高いことが望
ましいから、両者は樹脂の硬度の要求について相矛盾し
ているのが実情である。
そこで従来ハイブリッドIC上へのシリコーン樹脂コー
ティングにおいては、やむを得ず、熱応力と前記(1)
〜(3)の両者について大きな問題が発生しない程度の
硬度、例えば)(330〜60程度の樹脂で妥協せざる
を得なかったのである。そしてこのように妥協させてい
る関係上、逆に熱応力の点と前記(1)〜(3)のいず
れにおいても、充分に満足させることができなかったの
が実情である。
この発明は以上の事情を背景としてなされたもので、熱
応力を充分に小さくして耐久性を高めると同時に、前記
(1)〜(3)の問題の発生を確実に防止して、マーキ
ング性、耐衝撃性、自動実装性を充分に高めたハイブリ
ッドICを提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 この発明のハイブリッドICは、厚膜回路を形成した基
板に電子回路部品を実装したハイブリッドICの表面全
体が硬度の低い第1樹脂層によって被覆され、さらにそ
の第1樹脂層の全体を覆うように硬度の高い第2樹脂層
が被覆されていることを特徴とするものである。
作   用 この発明のハイブリッドICにおいては、内部の基板に
直接接している第1層樹脂としては、硬度の低い樹脂を
用いることから、熱応力を充分に小さくして、温度変化
に対する耐久性を充分に高めることができる。すなわち
、樹脂コーティングを施したハイブリッドICにおける
熱応力は、樹脂とアルミナ基板との界面において両者の
熱膨張率の差によって生じるが、アルミナ基板に直接接
する第1樹脂層の硬度は低く、したがってその弾性率も
低いから、既に示した式から明らかなように熱応力を小
さくすることができる。
一方、外部に露呈する第2樹脂層としては硬度の高い樹
脂が用いられているから、内部の回路素子を充分に保護
する役割を果たし、外部からの衝撃により内部の回路素
子を破損あるいは損傷させたりすることを確実に防止で
き、また文字・記号のマーキングも容易となり、さらに
自動実装機を用いる場合も把持が容易でかつ内部の回路
素子を損傷、破壊させたりすることを確実に防止できる
このように、この発明のハイブリッドICは、コーティ
ング樹脂層を2層構造とし、しかも2層の樹脂層の硬度
を異ならしめて、内側の第1層は低硬度、外側の第2層
は高硬度とすることによって、熱応力を充分に小さくす
ると同時に、k4衝撃性、マーキング性、自動実装性を
充分に高めることが可能となったのである。
実施例 以下にこの発明の実施例をより具体的に説明する。
第1図〜第3図はこの発明のハイブリッドICを製造す
るにあたって樹脂コーティングを施す状況の一例を段階
的に示すものである。
第1図は、樹脂コーティングを施J前の状態の半完成品
のハイブリッドIC20を示し、そのハイブリッドIC
20は、アルミナ等からなるセラミック基板21上に厚
膜回路として厚膜導体回路パターン22と抵抗体パター
ン23とが形成され、かつその上にDIP型ICやその
他のチップ部品からなる電子回路部品24が実装されて
、図示しないはんだによって取付けられている。
第2図は前述のハイブリッドIC20の全面に、熱硬化
性樹脂のコーティング層として、第1樹脂層25を被覆
した状態を示す。この第1樹脂層25の熱硬化性樹脂ど
しては、硬化後の硬度の低いもの、具体的には好ましく
は硬化後の硬度Hsが25以下のものを用いる。このよ
うな第1樹脂層25を被覆するにあたっては、前述のハ
イブリッドIC20を熱硬化性樹脂の樹脂液中に浸漬し
て引上げることにより全体にその樹脂液を付着させ、そ
の後、樹脂の硬化温度より低い温度(例えば50〜80
℃)で30分〜1時間程度乾燥させ、指触乾燥状態とす
れば良い。すなわち、第1樹脂層25のみを形成した状
態では樹脂の完全硬化まで至らせない。
第3図は、上述のようにして形成した第1樹脂層25の
上に、別の熱硬化性樹脂からなる第2樹脂層26を被覆
した状態を示す。この第2樹脂層26の熱硬化性樹脂と
しては、硬化後の硬度の高いもの、具体的には、好まし
くは硬化後の硬さH8が40以上でかつ第1樹脂層25
の硬化後の硬さとの差が1−1sで20以上あるものを
用いる。このような第2樹脂層26を形成するにあたっ
ては、前述のように第1樹脂層25を形成した後のハイ
ブリッドICを第2樹脂層用の樹脂液中に浸漬して引上
げることにより第1樹脂層25の外側全体に樹脂液を付
着させ、その後第1樹脂層25の樹脂、第2樹脂喘26
の樹脂のいずれの硬化温度よりも高い温度、例えば12
0〜150°CでIR間程度加熱して、各層25.26
の樹脂を同時に完全硬化させれば良い。このようにして
第1樹脂層25、第2樹脂層26の両層が硬化したこの
発明のハイブリッドtCが得られる。
ここで、上述のように第1樹脂層25を形成しただけの
段階では第1樹脂層25を完全硬化には至らせずに指触
乾燥状態にとどめ、その後第2樹脂層26を形成した後
に、両樹脂層25.26を同時に硬化させることによっ
て、両樹脂層間の富者性が良好で両樹脂層間の層間剥離
のおそれのないハイブリッドICを得ることができる。
次にこの光明のハイブリッドICを実際に製造した例お
よびその調査結果を記す。
第1樹脂層25の樹脂としては、熱硬化性シリコーン樹
脂であって硬化後の硬度がHs=23のものを用い、第
2樹脂層26の樹脂としては、熱硬化性シリコーン樹脂
であって硬化後の硬度がl−1s=48のものを用いた
。そして樹脂コーティング前のハイブリッドtCを第1
樹脂層用の樹脂液中に浸漬して引上げ、続いて70℃で
1時間乾燥させて指触乾燥状態とし、次いで第2樹脂層
用の樹脂液中に浸漬して引上げ、再び70℃で1時間乾
燥させて、第2層も指触乾燥状態とした。次いで全体を
150 ”Cで1時間加熱し、第1樹脂層25および第
2樹脂層26の両者を完全に硬化させた。
このようにして青られたハイブリッドICの断面を観察
した結果、第1樹脂層25と第2樹脂層26は合計で平
均膜厚0.5mmとなっており、信頼性の上から求めら
れる膜厚を達成していることが確認された。また第1樹
脂層25と第2樹脂層26は一体化して硬化しており、
両層の間には隙間の発生が全く認められなかった。
さらに、ハイブリッドICの表面、すなわち第2樹脂層
の表側から硬度を測定したところ、H3=40を越える
高硬度が確保されていることが確認された。したがって
、得られたハイブリッドICは、下層(第1樹脂層)と
して)(s=23の軟質なものを用いて熱応力を充分に
小さくし、しかも外側の表面硬さは充分に硬くして良好
なマーキング性、耐衝撃性、自動実装性が得られている
ことが明らかである。
発明の効果 この発明のハイブリッドICによれば、コーティング樹
脂層を2層M造とし、内側の第1樹脂層として硬度の低
い樹脂を用いることにより熱応力を小さくして耐久性を
高めると同時に、外側の第2樹脂層として硬度の高い樹
脂を用いることによりrI4衝撃性、マーキング性、自
動実装性を充分に確保することが可能となった。すなわ
ち、従来のハイブリッドICでは、熱応力を小さくする
要求と、rI4衝撃性、マーキング性、自動実装性を高
める要求とが、コーティング樹脂の硬度の点から相反す
るために両者の妥協点の硬さの樹脂を用いざるを得なか
ったのに対し、この発明のハイブリッドICでは、樹脂
層を2層構造として各樹脂層にそれぞれの要求特性に応
じた最適の硬度の樹脂を使用することによって、両者の
要求をともに充分に満足させることが可能となったので
ある。
なおこの発明のハイブリッドICの製造にあたっては、
従来の装置、設備をそのまま使用することができ、また
その手順にも大幅な変更を加えることがないから、特に
大幅なコスト上昇を招くおそれはない。
【図面の簡単な説明】
第1図から第3図まではこの発明のハイブリッドIGを
製造するにあたって樹脂コーティングを施す工程の一例
を段階的に示すものであって、第1図は樹脂コーティン
グ前の状態の一例を示す断面図、第2図は第1樹脂層を
形成した状態の一例を示す断面図、第3図は第2樹脂層
を形成した状態の一例、すなわちこの発明のハイブリッ
ドICの一例を示す断面図である。第4図は従来のハイ
ブリッドICにおける樹脂コーティングの手順を示す略
解図、第5図は従来のハイブリッドICの一例を示す断
面図である。 21・・・セラミック基板、 22・・・厚膜導体回路
パターン、 23・・・抵抗体パターン、 24・・・
電子回路部品、 25・・・第1樹脂層、 26・・・
第2樹脂層。 出願人  トヨタ自動車株式会社 代理人  弁理士 登 1)武 久 (ばか1名) 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  厚膜回路を形成した基板に電子回路部品を実装したハ
    イブリッドICの表面全体が硬度の低い第1樹脂層によ
    つて被覆され、さらにその第1樹脂層の全体を覆うよう
    に硬度の高い第2樹脂層が被覆されていることを特徴と
    するハイブリッドIC。
JP32438987A 1987-12-22 1987-12-22 ハイブリッドic Pending JPH01165195A (ja)

Priority Applications (1)

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JP32438987A JPH01165195A (ja) 1987-12-22 1987-12-22 ハイブリッドic

Applications Claiming Priority (1)

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JP32438987A JPH01165195A (ja) 1987-12-22 1987-12-22 ハイブリッドic

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JPH01165195A true JPH01165195A (ja) 1989-06-29

Family

ID=18165244

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JP32438987A Pending JPH01165195A (ja) 1987-12-22 1987-12-22 ハイブリッドic

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JP (1) JPH01165195A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010034550A (ja) * 2008-07-02 2010-02-12 Panasonic Corp 2層防湿コート電子部品実装構造体およびその製造方法
KR20190031300A (ko) * 2016-08-09 2019-03-25 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 V2x 메시지 송신 방법, 장치 및 시스템

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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