JPH0116032B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0116032B2 JPH0116032B2 JP53084987A JP8498778A JPH0116032B2 JP H0116032 B2 JPH0116032 B2 JP H0116032B2 JP 53084987 A JP53084987 A JP 53084987A JP 8498778 A JP8498778 A JP 8498778A JP H0116032 B2 JPH0116032 B2 JP H0116032B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive element
- difference detector
- magnetoresistive
- control part
- magnet
- Prior art date
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- Expired
Links
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C10/00—Adjustable resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Adjustable Resistors (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は制御部分により発生され磁気抵抗素子
を貫通する磁界が連続的に変えられる無接触式回
転ポテンシヨメータに関する。
を貫通する磁界が連続的に変えられる無接触式回
転ポテンシヨメータに関する。
現在製造されている磁気抵抗素子ポテンシヨメ
ータにおいては、磁気的な制御法に関し２つの異
なつた原理が用いられている。
ータにおいては、磁気的な制御法に関し２つの異
なつた原理が用いられている。
ａ） 共通の中間端子を持つ２つの帯状磁気抵抗
素子が使用され、これらの上を通つて高い均等
磁界の領域が動かされる。各磁気抵抗素子の磁
界中にある部分は、この場合高い固有抵抗を持
ち、他方磁界外の部分は低抵抗である。磁界の
加わる領域が移動することにより一方の磁気抵
抗素子の抵抗は直線的に増大し、他方の磁気抵
抗素子の抵抗はほぼ直線的に低下する。
素子が使用され、これらの上を通つて高い均等
磁界の領域が動かされる。各磁気抵抗素子の磁
界中にある部分は、この場合高い固有抵抗を持
ち、他方磁界外の部分は低抵抗である。磁界の
加わる領域が移動することにより一方の磁気抵
抗素子の抵抗は直線的に増大し、他方の磁気抵
抗素子の抵抗はほぼ直線的に低下する。
ｂ） ２つの磁気抵抗素子を貫通する磁束を連続
的に変化させるために制御円板が用いられる。
この円板はそれが回転すると両磁気抵抗素子の
前の制御軌道を動かし、その姿勢に応じてこれ
らの素子を通る磁束を分配する。開放磁気回路
としての構成に応じて、この場合費用が僅かで
すむが、直線性および精度が幾分損われる。
的に変化させるために制御円板が用いられる。
この円板はそれが回転すると両磁気抵抗素子の
前の制御軌道を動かし、その姿勢に応じてこれ
らの素子を通る磁束を分配する。開放磁気回路
としての構成に応じて、この場合費用が僅かで
すむが、直線性および精度が幾分損われる。
この他に、磁気抵抗素子の温度依存性を補償す
るための回路装置も公知である（ドイツ連邦共和
国特許出願公開第2515812号明細書参照）。この公
知の回路装置においては、磁気抵抗素子の抵抗値
の変化量が、素子に作用する磁界の関数として、
温度の上昇と共に低下することを利用している。
従つてまた、磁気抵抗素子の出力信号も、温度の
上昇に伴い低下する。しかし同時に、抵抗値もま
た温度の上昇に伴い低下する。
るための回路装置も公知である（ドイツ連邦共和
国特許出願公開第2515812号明細書参照）。この公
知の回路装置においては、磁気抵抗素子の抵抗値
の変化量が、素子に作用する磁界の関数として、
温度の上昇と共に低下することを利用している。
従つてまた、磁気抵抗素子の出力信号も、温度の
上昇に伴い低下する。しかし同時に、抵抗値もま
た温度の上昇に伴い低下する。
この公知の回路装置の場合、少なくとも１つの
磁気抵抗素子に入力抵抗零の負荷が結合される。
磁気抵抗素子に入力抵抗零の負荷が結合される。
本発明の目的は、できるだけ直線的な特性曲線
を持つ、最初に述べた形式の無接触式回転ポテン
シヨメータを提供することにある。
を持つ、最初に述べた形式の無接触式回転ポテン
シヨメータを提供することにある。
この目的は本発明によれば、磁気抵抗素子―差
検出器と、磁気抵抗素子―差検出器の端面に垂直
な回転軸上で回転し磁気抵抗素子―差検出器を貫
通する連続的に変化する磁界を発生する磁石から
なる制御部分と、制御部分の磁石のほかに設けら
れたもう一つの磁石とを備え、磁気抵抗素子―差
検出器は制御部分ともう一つの磁石との間の一平
面内に配置した２つの縦長の磁気抵抗素子を有
し、両磁気抵抗素子の両長手軸は互いに平行に向
いており、制御部分の回転軸は磁気抵抗素子―差
検出器の両磁気抵抗素子の両長手軸間の中心に配
置され、制御部分は磁気抵抗素子―差検出器の平
面を上から見て半円形状の外面を有し、しかも制
御部分の運動方向は制御部分の側面に垂直に向か
つていることによつて達成される。
検出器と、磁気抵抗素子―差検出器の端面に垂直
な回転軸上で回転し磁気抵抗素子―差検出器を貫
通する連続的に変化する磁界を発生する磁石から
なる制御部分と、制御部分の磁石のほかに設けら
れたもう一つの磁石とを備え、磁気抵抗素子―差
検出器は制御部分ともう一つの磁石との間の一平
面内に配置した２つの縦長の磁気抵抗素子を有
し、両磁気抵抗素子の両長手軸は互いに平行に向
いており、制御部分の回転軸は磁気抵抗素子―差
検出器の両磁気抵抗素子の両長手軸間の中心に配
置され、制御部分は磁気抵抗素子―差検出器の平
面を上から見て半円形状の外面を有し、しかも制
御部分の運動方向は制御部分の側面に垂直に向か
つていることによつて達成される。
本発明に使用される磁気抵抗素子―差検出器
は、シーメンスデータブツク（Siemens
Datenbuch）EP212 L100、1976／77、「磁界依存
性半導体（Magnetfeldabha¨ngige Halbleiter）」
第56〜57ページに記載されており、この検出器が
持つ、例えば信頼性、強固な構成および安価な費
用などの好適な特質を利用するものである。端面
が回転する制御部分による制御は、理論的に、回
転角の正接に比例する出力電圧の変化を与える。
しかし磁気抵抗素子の非直線性により引起される
特性曲線の湾曲は、理論的に正接形の変化との相
互作用により、90゜の角度範囲にわたり直線性に
優れる特性曲線を与える。
は、シーメンスデータブツク（Siemens
Datenbuch）EP212 L100、1976／77、「磁界依存
性半導体（Magnetfeldabha¨ngige Halbleiter）」
第56〜57ページに記載されており、この検出器が
持つ、例えば信頼性、強固な構成および安価な費
用などの好適な特質を利用するものである。端面
が回転する制御部分による制御は、理論的に、回
転角の正接に比例する出力電圧の変化を与える。
しかし磁気抵抗素子の非直線性により引起される
特性曲線の湾曲は、理論的に正接形の変化との相
互作用により、90゜の角度範囲にわたり直線性に
優れる特性曲線を与える。
以下本発明を図示の実施例により詳しく説明す
る。
る。
図において、回転軸７を持ち半円形状の制御部
分２（磁石）は、空隙４を介して磁気抵抗素子１
の上方に直接設けられている。これにより磁気抵
抗素子―差検出器１を高密度の磁束が通過し、信
号の振幅は直線範囲内において動作電圧の60％に
達する。直線性からの偏りは、全振幅の約±２％
であり、いかなる場合でも誤差が±５％を越える
ことはない。
分２（磁石）は、空隙４を介して磁気抵抗素子１
の上方に直接設けられている。これにより磁気抵
抗素子―差検出器１を高密度の磁束が通過し、信
号の振幅は直線範囲内において動作電圧の60％に
達する。直線性からの偏りは、全振幅の約±２％
であり、いかなる場合でも誤差が±５％を越える
ことはない。
磁気抵抗素子―差検出器１の下方にあるもう一
つの磁石１０が設けられ、それによりポテンシヨ
メータの出力電圧の幅は増大する。
つの磁石１０が設けられ、それによりポテンシヨ
メータの出力電圧の幅は増大する。
制御部分２の制御磁石の側面６が機械的に汚染
していても特性曲線が細かな段階状になることは
ない。というのは、移動方向が磁石の側面６に対
して垂直だからである。
していても特性曲線が細かな段階状になることは
ない。というのは、移動方向が磁石の側面６に対
して垂直だからである。
磁気抵抗素子―差検出器１と制御部分２とを図
示のように配置することにより、この構成は、機
械的部品の公差に対し左程臨界的でない。回転軸
７が磁気抵抗素子１の幾何学的中心から僅か外
れ、空隙４の幅が変わつても、出力信号レベルが
幾分か影響を受けるだけで、特性曲線の直線性に
は影響がない。
示のように配置することにより、この構成は、機
械的部品の公差に対し左程臨界的でない。回転軸
７が磁気抵抗素子１の幾何学的中心から僅か外
れ、空隙４の幅が変わつても、出力信号レベルが
幾分か影響を受けるだけで、特性曲線の直線性に
は影響がない。
本発明によれば磁気抵抗素子を用いたポテンシ
ヨメータを簡単に製造でき、この装置は摩耗部分
がなくそして安価であることにより合計で±５％
の精度が許容されるような場合に特に有効に使用
される。
ヨメータを簡単に製造でき、この装置は摩耗部分
がなくそして安価であることにより合計で±５％
の精度が許容されるような場合に特に有効に使用
される。
最初に述べた温度保償法（ドイツ連邦共和国特
許出願公開第2515812号明細書）を、本発明にお
いても有効に利用できる。この方法は、温度依存
性の補償と並んで、さらに特性曲線の直線範囲を
幾分か拡大する働きがあるからである。
許出願公開第2515812号明細書）を、本発明にお
いても有効に利用できる。この方法は、温度依存
性の補償と並んで、さらに特性曲線の直線範囲を
幾分か拡大する働きがあるからである。
第１図ないし第３図は本発明実施例のそれぞれ
平面図、正面図、斜視図である。 １…磁気抵抗素子―差検出器、２…制御部分、
４…空隙、１０…磁石。
平面図、正面図、斜視図である。 １…磁気抵抗素子―差検出器、２…制御部分、
４…空隙、１０…磁石。
Claims (1)
- １ 磁気抵抗素子―差検出器１と、磁気抵抗素子
―差検出器１の端面に垂直な回転軸上で回転し磁
気抵抗素子―差検出器１を貫通する連続的に変化
する磁界を発生する磁石からなる制御部分２と、
制御部分２の磁石のほかに設けられたもう一つの
磁石１０とを備え、磁気抵抗素子―差検出器１は
制御部分２ともう一つの磁石１０との間の一平面
内に配置した２つの縦長の磁気抵抗素子を有し、
両磁気抵抗素子の両長手軸は互いに平行に向いて
おり、制御部分２の回転軸７は磁気抵抗素子―差
検出器１の両磁気抵抗素子の両長手軸間の中心に
配置され、制御部分２は磁気抵抗素子―差検出器
１の平面を上から見て半円形状の外面を有し、し
かも制御部分２の運動方向は制御部分の側面６に
垂直に向かつていることを特徴とする無接触式回
転ポテンシヨメータ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19772731661 DE2731661A1 (de) | 1977-07-13 | 1977-07-13 | Feldplatten-potentiometer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5420682A JPS5420682A (en) | 1979-02-16 |
| JPH0116032B2 true JPH0116032B2 (ja) | 1989-03-22 |
Family
ID=6013841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8498778A Granted JPS5420682A (en) | 1977-07-13 | 1978-07-12 | Magnetic reluctance element potentiometer |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5420682A (ja) |
| DE (1) | DE2731661A1 (ja) |
| FR (1) | FR2404309A1 (ja) |
| IT (1) | IT1096698B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4719419A (en) * | 1985-07-15 | 1988-01-12 | Harris Graphics Corporation | Apparatus for detecting a rotary position of a shaft |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4114587Y1 (ja) * | 1965-10-04 | 1966-07-07 | ||
| JPS4114588Y1 (ja) * | 1965-10-04 | 1966-07-07 | ||
| JPS5227656U (ja) * | 1975-08-18 | 1977-02-26 | ||
| JPS547678A (en) * | 1977-06-20 | 1979-01-20 | Hitachi Metals Ltd | Dust collecting chamber |
| JPS5411802U (ja) * | 1977-06-27 | 1979-01-25 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1490683A1 (de) * | 1964-10-03 | 1969-10-02 | Siemens Ag | Kontaktloses Drehpotentiometer mit Feldplatten |
| US3691502A (en) * | 1968-04-24 | 1972-09-12 | Kogyo Gijutsuin | Semiconductor type potentiometer device |
| US3671854A (en) * | 1970-11-30 | 1972-06-20 | Denki Onkyo Co Ltd | Contactless galuano-magnetro effect apparatus |
| US3988710A (en) * | 1975-11-24 | 1976-10-26 | Illinois Tool Works Inc. | Contactless linear rotary potentiometer |
-
1977
- 1977-07-13 DE DE19772731661 patent/DE2731661A1/de active Granted
-
1978
- 1978-07-05 FR FR7820007A patent/FR2404309A1/fr active Granted
- 1978-07-12 IT IT25600/78A patent/IT1096698B/it active
- 1978-07-12 JP JP8498778A patent/JPS5420682A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4114587Y1 (ja) * | 1965-10-04 | 1966-07-07 | ||
| JPS4114588Y1 (ja) * | 1965-10-04 | 1966-07-07 | ||
| JPS5227656U (ja) * | 1975-08-18 | 1977-02-26 | ||
| JPS547678A (en) * | 1977-06-20 | 1979-01-20 | Hitachi Metals Ltd | Dust collecting chamber |
| JPS5411802U (ja) * | 1977-06-27 | 1979-01-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2404309A1 (fr) | 1979-04-20 |
| JPS5420682A (en) | 1979-02-16 |
| IT1096698B (it) | 1985-08-26 |
| DE2731661A1 (de) | 1979-01-25 |
| IT7825600A0 (it) | 1978-07-12 |
| DE2731661C2 (ja) | 1991-05-23 |
| FR2404309B1 (ja) | 1983-07-18 |
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