JPH01153729A - ポリアリーレンスルフイドの製造方法 - Google Patents
ポリアリーレンスルフイドの製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G75/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G75/02—Polythioethers
- C08G75/0204—Polyarylenethioethers
- C08G75/025—Preparatory processes
- C08G75/0272—Preparatory processes using other sulfur sources
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、重合体のスルフィド橋(br idge)が
反応条件下で揮発性の化合物の脱離によって形成される
溶融縮合によるポリアリーレンスルフィドの製造方法に
関する。
反応条件下で揮発性の化合物の脱離によって形成される
溶融縮合によるポリアリーレンスルフィドの製造方法に
関する。
ポリアリーレンスルフィド(PAS)及びその製造方法
は既知である(ハロゲンチオフェルレートを原料とする
場合、例えば米国特許第3,274゜165号、J 、
Polymer Sci、 58(1962)35
1−367;硫化ナトリウム及びジハロゲン化芳香族化
合物を原料とする場合、例えば米国特許第3,354,
129号)。
は既知である(ハロゲンチオフェルレートを原料とする
場合、例えば米国特許第3,274゜165号、J 、
Polymer Sci、 58(1962)35
1−367;硫化ナトリウム及びジハロゲン化芳香族化
合物を原料とする場合、例えば米国特許第3,354,
129号)。
これらの方法は溶剤の使用を必要とする欠点を有してい
る。溶剤の経費の他に、反応を行うための高価な装置の
使用、溶剤を回収する回収循環作業、副成物として形成
される塩化ナトリウムの面倒な処理手順、及び生成物を
粒状化するための完全に別個な工程も必要である。
る。溶剤の経費の他に、反応を行うための高価な装置の
使用、溶剤を回収する回収循環作業、副成物として形成
される塩化ナトリウムの面倒な処理手順、及び生成物を
粒状化するための完全に別個な工程も必要である。
本発明による方法はビス(シリル)チオエーテル及びジ
ハロゲン化芳香族化合物が溶剤を使用せずに縮合できる
ので、上記の欠点を回避できる。本方法の別な利点は、
反応条件下での縮合に際し反応容器から消散することが
できる揮発性の分解生成物の脱離を招くことである。P
ASは極めて純=3− 粋な溶融状態で得られる。
ハロゲン化芳香族化合物が溶剤を使用せずに縮合できる
ので、上記の欠点を回避できる。本方法の別な利点は、
反応条件下での縮合に際し反応容器から消散することが
できる揮発性の分解生成物の脱離を招くことである。P
ASは極めて純=3− 粋な溶融状態で得られる。
本発明による方法は、式■及び/又はIIに相当するビ
ス−(シリル)チオエーテル、及び弐IIIのジハロゲ
ン化芳香族化合物 R5Si S 5iRs (I)R3S
i−3−Ar−3−SiR,([)Hat −Ar −
Hal (III)但し HalはF又はCIのようなハロゲンを表し、Arは二
つの結合を有する単環式又は縮合多環式ca C24
−芳香族基又は最高3個のN10又はSのようなヘテe
7原子を有する複素環式基、又は二つの単結合した芳香
族又は複素環式単位を表し、それらは単結合により及び
/又は二つ結合したC8 C24−芳香族基又は複素
環式基により及び/又はo、NR’、CRI、、5SS
(O)、S (O)、S(O)、C(O)、C(O)−
NR’及び[c(O)]2N CR’−C1CI−アル
キル、cacao−シクロアルキル、C,−C24−ア
リール又はc y’−c 、。−アラルキル又は−アル
カリール)から選択された一つ又は多数の単位により結
合していてもよく、且つ個々の芳香族環は上記のR1で
挙げた基及び/又はOR’、NR’、CR’3、SR’
、5(O) −R1,5(O)z R’、C(O)R
’、C(O)−0−R’及びC(O)−NR’、から選
択された1ないし4個の置換基R2を有していてもよく
、且つ RはC,−C,−アルキル又はCs Czo−シクロ
アルキルを表す、 を0.9:1ないし1.1:1の(I及び/又は■)−
IIIの混合比率で含む混合物を、随時触媒として0.
01ないし1重量%(式1及び/又は■及びIIIの出
発原料の量に対して)のアルカリ金属及び/又はアルカ
リ土類金属又はアンモニウムのハロゲン化物の少なくと
も一種の存在において、及び随時助触媒として0.Ol
ないし1重量%(式I及び/又は■及びIIIの出発原
料の量に対して)の通常の相移動(phase tr
ansfer)触媒の存在において、ハロゲン化トリア
ルキルシラン又はハロゲン化(トリス)シクロアルキル
シランの脱離下に150ないし400°Cの温度で反応
させることを特徴としている。
ス−(シリル)チオエーテル、及び弐IIIのジハロゲ
ン化芳香族化合物 R5Si S 5iRs (I)R3S
i−3−Ar−3−SiR,([)Hat −Ar −
Hal (III)但し HalはF又はCIのようなハロゲンを表し、Arは二
つの結合を有する単環式又は縮合多環式ca C24
−芳香族基又は最高3個のN10又はSのようなヘテe
7原子を有する複素環式基、又は二つの単結合した芳香
族又は複素環式単位を表し、それらは単結合により及び
/又は二つ結合したC8 C24−芳香族基又は複素
環式基により及び/又はo、NR’、CRI、、5SS
(O)、S (O)、S(O)、C(O)、C(O)−
NR’及び[c(O)]2N CR’−C1CI−アル
キル、cacao−シクロアルキル、C,−C24−ア
リール又はc y’−c 、。−アラルキル又は−アル
カリール)から選択された一つ又は多数の単位により結
合していてもよく、且つ個々の芳香族環は上記のR1で
挙げた基及び/又はOR’、NR’、CR’3、SR’
、5(O) −R1,5(O)z R’、C(O)R
’、C(O)−0−R’及びC(O)−NR’、から選
択された1ないし4個の置換基R2を有していてもよく
、且つ RはC,−C,−アルキル又はCs Czo−シクロ
アルキルを表す、 を0.9:1ないし1.1:1の(I及び/又は■)−
IIIの混合比率で含む混合物を、随時触媒として0.
01ないし1重量%(式1及び/又は■及びIIIの出
発原料の量に対して)のアルカリ金属及び/又はアルカ
リ土類金属又はアンモニウムのハロゲン化物の少なくと
も一種の存在において、及び随時助触媒として0.Ol
ないし1重量%(式I及び/又は■及びIIIの出発原
料の量に対して)の通常の相移動(phase tr
ansfer)触媒の存在において、ハロゲン化トリア
ルキルシラン又はハロゲン化(トリス)シクロアルキル
シランの脱離下に150ないし400°Cの温度で反応
させることを特徴としている。
好適な触媒はアルカリ金属(例えばNa、K。
Cs)及びアルカリ土類金属(例えばMg、Ca)の弗
化物及び弗化アンモニウムである。
化物及び弗化アンモニウムである。
本発明による方法は、(熱い)反応混合物と接触する総
ての部分(壁、撹拌装置等)が重金属イオンを放出しな
い材料から成るか、又は該材料で被覆されている装置中
で実施することができる。好適な材料はガラス、チタン
、ジルコニウム等である。
ての部分(壁、撹拌装置等)が重金属イオンを放出しな
い材料から成るか、又は該材料で被覆されている装置中
で実施することができる。好適な材料はガラス、チタン
、ジルコニウム等である。
これらの材料が使用されるならば、触媒及び助触媒が反
応混合物中に存在しなくてもよい。
応混合物中に存在しなくてもよい。
本発明の方法が例えばステンレス鋼から構成される装置
中で行なわれるならば、触媒及び随時助触媒を使用する
方が有利である。
中で行なわれるならば、触媒及び随時助触媒を使用する
方が有利である。
反応容器は異なった材料、例えばガラス及びチタン等か
ら製造されていることもできる。装置は例えば一部がチ
タン及び一部がガラスから出来ていてもよい。
ら製造されていることもできる。装置は例えば一部がチ
タン及び一部がガラスから出来ていてもよい。
圧力は0.3ないし約4barであることができる。
反応は連続的に又は不連続的に(バッチ式方法で)行う
ことができる。反応時間は広範囲に変えることができる
。反応装置は再度新しく出発物質の合成に使用できるハ
ロゲン化トリアルキルシラン又はハロゲン化(トリス)
シクロアルキルシランヲ凝縮させる装置を備えているこ
とが有利である。押出機、ニーダ−等のような重合体を
加工する装置が、反応容器に直接付属しているか又は反
応容器と共に組み込まれていてもよい。
ことができる。反応時間は広範囲に変えることができる
。反応装置は再度新しく出発物質の合成に使用できるハ
ロゲン化トリアルキルシラン又はハロゲン化(トリス)
シクロアルキルシランヲ凝縮させる装置を備えているこ
とが有利である。押出機、ニーダ−等のような重合体を
加工する装置が、反応容器に直接付属しているか又は反
応容器と共に組み込まれていてもよい。
式(IV)
Hal−Ar−s−slR3(IV)
但し Ar、R及びHalは式(IXI[)及び(II
I)中で指摘した意味を存する、 に相当する(ハロゲンアリールチオ)−シランを反応混
合物中に添加してもよい。
I)中で指摘した意味を存する、 に相当する(ハロゲンアリールチオ)−シランを反応混
合物中に添加してもよい。
縮合の程度は出発物質を変えることによって影響を受け
ることができる。
ることができる。
例えば重合反応は式(V)及び/又は式(Vl)R’
Ar−3−SiRs (V)Hal −Ar
−R” (Vl)=7− 但し R3はR2又は水素を表し、及び R,R”、Hal及びArは式(IXI[)及び(II
I)で指摘した意味を有する、 の単官能性化合物の成程度の量を添加することにより調
節することができる。
Ar−3−SiRs (V)Hal −Ar
−R” (Vl)=7− 但し R3はR2又は水素を表し、及び R,R”、Hal及びArは式(IXI[)及び(II
I)で指摘した意味を有する、 の単官能性化合物の成程度の量を添加することにより調
節することができる。
三官能性出発物質を使用することにより、架橋が起こる
まで更に分子量を増大させることができる。
まで更に分子量を増大させることができる。
本発明による方法は、各ブロックが夫々結合する以前に
、異なった構造の各種の出発物質の均質重合により個々
のブロックが形成されている、ブロック共重合体の製造
にも適している。
、異なった構造の各種の出発物質の均質重合により個々
のブロックが形成されている、ブロック共重合体の製造
にも適している。
本発明による方法は、反応条件下で不活性である添加剤
及び希釈剤、例えば非プロトン性有機溶剤(例えばN−
アルキル−ラクタム、N、N’−ジアルキル−N 、N
’−アルキレン尿素、ジフェニルエーテル、ビフェニル
等)、重合体又は不活性な無機材料の存在下で実施する
ことができる。
及び希釈剤、例えば非プロトン性有機溶剤(例えばN−
アルキル−ラクタム、N、N’−ジアルキル−N 、N
’−アルキレン尿素、ジフェニルエーテル、ビフェニル
等)、重合体又は不活性な無機材料の存在下で実施する
ことができる。
本発明による方法に適当な式(I)又は(I[)のビス
(シリル)チオエーテルの例は、ビス(トリメチルシリ
ル)スルフィド、■、4−ビス(トリメチルシリルチオ
)ベンゼン、l、3−ビス(トリメチルシリルチオ)ベ
ンゼン、4.4’−ビス(トリメチルシリルチオ)ジフ
ェニルスルフィド、4.4’−ビス(トリメチルシリル
チオ)ジフェニルエーテル、4.4′−ビス(トリメチ
ルシリルチオ)ビフェニル、4.4′−ビス(トリメチ
ルシリルチオ)ジフェニルスルホン、4,4″−ビス(
トリメチルシリルチオ)ベンゾフェノン等である。下記
の1.4−ビス(トリメチルシリルチオ)ベンゼン、■
、3−ビス(トリメチルシリルチオ)ベンゼン、4.4
’−ビス(トリメチルシリルチオ)ジフェニルスルフィ
ド、4゜4′−ビス(トリメチルシリルチオ)ジフェニ
ルエーテル及び4,4′−ビス(トリメチルシリルチオ
)ビフェニルが好適である。
(シリル)チオエーテルの例は、ビス(トリメチルシリ
ル)スルフィド、■、4−ビス(トリメチルシリルチオ
)ベンゼン、l、3−ビス(トリメチルシリルチオ)ベ
ンゼン、4.4’−ビス(トリメチルシリルチオ)ジフ
ェニルスルフィド、4.4’−ビス(トリメチルシリル
チオ)ジフェニルエーテル、4.4′−ビス(トリメチ
ルシリルチオ)ビフェニル、4.4′−ビス(トリメチ
ルシリルチオ)ジフェニルスルホン、4,4″−ビス(
トリメチルシリルチオ)ベンゾフェノン等である。下記
の1.4−ビス(トリメチルシリルチオ)ベンゼン、■
、3−ビス(トリメチルシリルチオ)ベンゼン、4.4
’−ビス(トリメチルシリルチオ)ジフェニルスルフィ
ド、4゜4′−ビス(トリメチルシリルチオ)ジフェニ
ルエーテル及び4,4′−ビス(トリメチルシリルチオ
)ビフェニルが好適である。
本発明による方法に適当である式(III)に相当する
ジハロゲン化芳香族化合物の例は=1,4−ジクロロベ
ンゼン、1.3−ジクロロベンゼン、4.4″−ジクロ
ロジフェニルスルフィド、4.4’−ジクロロジフェニ
ルエーテル、4.4″−ジクロロビフェニル、4.4’
−ジクロロベンゾフェノン、4.4’−ジクロロジフェ
ニルスルホン、1.4−ジフルオロベンゼン、1.3−
ジフルオロベンゼン、4゜4’−ジフルオロジフェニル
スルフィド、4,4゜−ジフルオロジフェニルエーテル
、4,4″−ジフルオロビフェニル、4.4’−ジフル
オロベンゾフェノン、4.4’−ジフルオロジフェニル
スルホン等である。
ジハロゲン化芳香族化合物の例は=1,4−ジクロロベ
ンゼン、1.3−ジクロロベンゼン、4.4″−ジクロ
ロジフェニルスルフィド、4.4’−ジクロロジフェニ
ルエーテル、4.4″−ジクロロビフェニル、4.4’
−ジクロロベンゾフェノン、4.4’−ジクロロジフェ
ニルスルホン、1.4−ジフルオロベンゼン、1.3−
ジフルオロベンゼン、4゜4’−ジフルオロジフェニル
スルフィド、4,4゜−ジフルオロジフェニルエーテル
、4,4″−ジフルオロビフェニル、4.4’−ジフル
オロベンゾフェノン、4.4’−ジフルオロジフェニル
スルホン等である。
下記の4.4′−ジクロロジフェニルスルフィド、4.
4′−ジクロロジフェニルエーテル、4.4’−ジクロ
ロベンゾフェノン、4.4’−ジクロロジフェニルスル
ホン及び4,4′−ジクロロビフェニルが好適である。
4′−ジクロロジフェニルエーテル、4.4’−ジクロ
ロベンゾフェノン、4.4’−ジクロロジフェニルスル
ホン及び4,4′−ジクロロビフェニルが好適である。
本発明による方法に適当な式(IV)のハロゲン化アリ
ールチオシランの例は:4−クロロフェニル−トリメチ
ルシリルチオエーテル、3−クロロフェニル−トリメチ
ルシリルチオエーテル、4−フルオロフェニル−トリメ
チルシリルチオエーテル、3−フルオロフェニル−トリ
メチルシリルチオエーテル、4〜クロロ−4’−()リ
メチルシリルチオ)ジフェニル、4−フルオロ−4’−
(1−リメチルシリルチオ)ビフェニル、4−クロロ−
4’−0リメチルシリルチオ)ベンゾフェノン、4−フ
ルオロ−4’−(トリメチルシリルチオ)ベンゾフェノ
ン等である。
ールチオシランの例は:4−クロロフェニル−トリメチ
ルシリルチオエーテル、3−クロロフェニル−トリメチ
ルシリルチオエーテル、4−フルオロフェニル−トリメ
チルシリルチオエーテル、3−フルオロフェニル−トリ
メチルシリルチオエーテル、4〜クロロ−4’−()リ
メチルシリルチオ)ジフェニル、4−フルオロ−4’−
(1−リメチルシリルチオ)ビフェニル、4−クロロ−
4’−0リメチルシリルチオ)ベンゾフェノン、4−フ
ルオロ−4’−(トリメチルシリルチオ)ベンゾフェノ
ン等である。
4−クロロフェニル−トリメチルシリルチオエーテル、
3−クロロフェニル−トリメチルシリルチオエーテル及
び4−クロロ−4’−(1−リメチルシリルチオ)ビフ
ェニルが好適である。
3−クロロフェニル−トリメチルシリルチオエーテル及
び4−クロロ−4’−(1−リメチルシリルチオ)ビフ
ェニルが好適である。
本発明による方法に適当な式(V)の単官能性化合物の
例は=(フェニルチオ)−トリメチルシラン及び4−(
トリメチルシリルチオ)−ジフェニルスルフィド等であ
る。
例は=(フェニルチオ)−トリメチルシラン及び4−(
トリメチルシリルチオ)−ジフェニルスルフィド等であ
る。
本発明による方法に適当な式(Vl)の単官能性化合物
の例は=4−クロロジフェニル、l−クロロ−1−7タ
レン、2−クロロナフタレン、4−クロロジフェニルス
ルフィド、4−クロロジフェニルエーテル、4−フルオ
ロジフェニル、l−フルオロナフタレン、2−フルオロ
ナフタレン、4−フルオロジフェニルスルフィド、4−
フルオロジフェニルエーテル等である。
の例は=4−クロロジフェニル、l−クロロ−1−7タ
レン、2−クロロナフタレン、4−クロロジフェニルス
ルフィド、4−クロロジフェニルエーテル、4−フルオ
ロジフェニル、l−フルオロナフタレン、2−フルオロ
ナフタレン、4−フルオロジフェニルスルフィド、4−
フルオロジフェニルエーテル等である。
4−クロロジフェニル、4−クロロジフェニルスルフィ
ド及び4−クロロジフェニルエーテルが好適である。
ド及び4−クロロジフェニルエーテルが好適である。
本発明により使用できる触媒の例は:塩化アンモニウム
、弗化アンモニウム、塩化リチウム、弗化リチウム、塩
化ナトリウム、弗化ナトリウム、塩化カリウム、弗化カ
リウム、塩化ルビジウム、弗化ルビジウム、塩化セシウ
ム、弗化セシウム、塩化カルシウム、弗化カルシウム等
である。
、弗化アンモニウム、塩化リチウム、弗化リチウム、塩
化ナトリウム、弗化ナトリウム、塩化カリウム、弗化カ
リウム、塩化ルビジウム、弗化ルビジウム、塩化セシウ
ム、弗化セシウム、塩化カルシウム、弗化カルシウム等
である。
弗化カリウム、塩化セシウム及び弗化セシウムが好適で
ある。
ある。
18−クラウン−6及びジベンゾ−18−クラウン−6
等は本発明により助触媒として使用するのに適当な相移
動触媒の例である。
等は本発明により助触媒として使用するのに適当な相移
動触媒の例である。
ポリアリーレンスルフィドのメルトフロラ(melt
flow)は一般にASTM l’238−70に
より、316°Cにおいて5 kgの重量を用いて測定
され、9710分の単位で表現される。
flow)は一般にASTM l’238−70に
より、316°Cにおいて5 kgの重量を用いて測定
され、9710分の単位で表現される。
もしメルトフロラ値が高い場合は、重合体の溶融物の流
出速度が高いために、この測定は困難となることがある
。
出速度が高いために、この測定は困難となることがある
。
従って、重合体溶融液の溶融粘度vm(単位P a、s
)が、インストロン回転粘度計を用いて剪断応力(単位
Pa)に依存して306°Cにおいて測定された。
)が、インストロン回転粘度計を用いて剪断応力(単位
Pa)に依存して306°Cにおいて測定された。
こうして10−’ないし10’Pa−5にわたる極めて
広い範囲内における溶融粘度を測定することが可能とな
る。インストロン・レオメータ−において、重合体は固
定されたプレートと回転する円錐の間で溶融され、円錐
のトルクが測定される。剪断応力に依存する溶融粘度は
トルク、角速度及び装置常数から計算することができる
。使用されたレオメータ−はインストロン3250型で
あった。
広い範囲内における溶融粘度を測定することが可能とな
る。インストロン・レオメータ−において、重合体は固
定されたプレートと回転する円錐の間で溶融され、円錐
のトルクが測定される。剪断応力に依存する溶融粘度は
トルク、角速度及び装置常数から計算することができる
。使用されたレオメータ−はインストロン3250型で
あった。
溶融粘度はτ−102Paの剪断応力で得られた値によ
って表される。
って表される。
本発明によるポリアリーレンスルフィドは、その製造直
後には、一般に0.1・10’ないし5 ’ 10 ’
P a、s、好適には0.1−10’ないし1.5・1
o3Pa、sの溶融粘度を有している。
後には、一般に0.1・10’ないし5 ’ 10 ’
P a、s、好適には0.1−10’ないし1.5・1
o3Pa、sの溶融粘度を有している。
本発明によるポリアリーレンスルフィドはその製造の直
後に、他の重合体、顔料、及びグラファイト、金属粉末
、ガラス粉末、石英粉末、溶融石英、ガラス繊維又は炭
素繊維のような充填剤と混合することができ、且つポリ
アリーレンスルフィドに対する通常の安定剤及び離型剤
を添加することができる。本発明によるポリアリーレン
スルフィドは押出成形、押出吹込み成形、射出成形又は
通常の他の加工技術によって、フィルム、繊維又は成形
物品として加工することができる。
後に、他の重合体、顔料、及びグラファイト、金属粉末
、ガラス粉末、石英粉末、溶融石英、ガラス繊維又は炭
素繊維のような充填剤と混合することができ、且つポリ
アリーレンスルフィドに対する通常の安定剤及び離型剤
を添加することができる。本発明によるポリアリーレン
スルフィドは押出成形、押出吹込み成形、射出成形又は
通常の他の加工技術によって、フィルム、繊維又は成形
物品として加工することができる。
これらは普通の用途、例えば自動車部材、付属部品、ス
イッチ、電子パネル、電子部品のような電気部材、耐薬
品性且つ耐候性の部材及びポンプのハウジング及びポン
プの羽根車のような装置類、エツチング浴用の深皿、填
隙用環(sealing ring)、オフィス用機
械及び電気通信用装置及び家庭電化製品の部材等に使用
することができる。
イッチ、電子パネル、電子部品のような電気部材、耐薬
品性且つ耐候性の部材及びポンプのハウジング及びポン
プの羽根車のような装置類、エツチング浴用の深皿、填
隙用環(sealing ring)、オフィス用機
械及び電気通信用装置及び家庭電化製品の部材等に使用
することができる。
実施例 1
5 gの4,4′−ビス−(トリメチルシリルチオ)−
ジフェニルエーテル及び3.4gの4,4′−ジクロロ
ジフェニルスルフィドを100mgの弗化セシウムと共
に165°Cで撹拌装置中に導入し、段階的に加熱する
。連続的に340°Cまで温度を上昇させて14時間経
過すると、その間に揮発し易い凝縮物は蒸発し、その後
反応混合物を放冷する。凝縮物中にトリメチルクロロシ
ランの存在全検出することができる。溶融ケークを破砕
し、イソプロパツールで抽出し、及び洗浄する。溶融粘
度5Pa、s及び融点271 ’Oを有する3、99(
=71%)の灰色の粉末が、真空中で乾燥後に残渣とし
て得られる。
ジフェニルエーテル及び3.4gの4,4′−ジクロロ
ジフェニルスルフィドを100mgの弗化セシウムと共
に165°Cで撹拌装置中に導入し、段階的に加熱する
。連続的に340°Cまで温度を上昇させて14時間経
過すると、その間に揮発し易い凝縮物は蒸発し、その後
反応混合物を放冷する。凝縮物中にトリメチルクロロシ
ランの存在全検出することができる。溶融ケークを破砕
し、イソプロパツールで抽出し、及び洗浄する。溶融粘
度5Pa、s及び融点271 ’Oを有する3、99(
=71%)の灰色の粉末が、真空中で乾燥後に残渣とし
て得られる。
実施例 2
5 gの4,4′−ビス−(トリメチルシリルチオ)−
ジフェニルエーテル、3.4gの4.4′−ジクロロジ
フェニルスルフィド及び3gの(4−クロロフェニルチ
オ)−トリメチルシランを100mgの弗化セシウムと
共に165°Cで撹拌装置中に導入し、段階的に加熱す
る。反応混合物は270℃で沸騰し始める。連続的に3
40℃まで温度を一15= 上昇させて14時間経過すると、その間に揮発し易い凝
縮物は蒸発して留去し、還流は徐々に停止するので、そ
の後反応混合物を放冷させる。凝縮物中にトリメチルク
ロロシランの存在を検出することができる。溶融物質の
ケークを破砕し、インプロパツールで抽出し、及び洗浄
する。溶融粘度7Pa、s及び融点258℃を有する4
、8 g(−69%)の灰色の粉末が、真空中で乾燥後
に得られる。
ジフェニルエーテル、3.4gの4.4′−ジクロロジ
フェニルスルフィド及び3gの(4−クロロフェニルチ
オ)−トリメチルシランを100mgの弗化セシウムと
共に165°Cで撹拌装置中に導入し、段階的に加熱す
る。反応混合物は270℃で沸騰し始める。連続的に3
40℃まで温度を一15= 上昇させて14時間経過すると、その間に揮発し易い凝
縮物は蒸発して留去し、還流は徐々に停止するので、そ
の後反応混合物を放冷させる。凝縮物中にトリメチルク
ロロシランの存在を検出することができる。溶融物質の
ケークを破砕し、インプロパツールで抽出し、及び洗浄
する。溶融粘度7Pa、s及び融点258℃を有する4
、8 g(−69%)の灰色の粉末が、真空中で乾燥後
に得られる。
実施例 3
5 gの4.4′−ビス−(トリメチルシリルチオ)ジ
フェニルエーテル及び3.4gの4.4′−ジクロロジ
フェニルスルフィドをチタン族の撹拌機を持ったガラス
容器中に導入し、段階的に加熱する。
フェニルエーテル及び3.4gの4.4′−ジクロロジ
フェニルスルフィドをチタン族の撹拌機を持ったガラス
容器中に導入し、段階的に加熱する。
連続的に340℃まで温度を上昇させて30時間経過す
ると、その間に揮発し易い凝縮物は蒸発し、その後反応
混合物を放冷させる。凝縮物中にトリメチルクロロシラ
ンの存在を検出することができる。溶融ケークを破砕し
、イソプロパツールで抽出し、及び洗浄する。溶融粘度
14Pa、s及び融点217°Cを有する4、1 g(
=75%)の灰色の粉末が、真空中で乾燥後得られる。
ると、その間に揮発し易い凝縮物は蒸発し、その後反応
混合物を放冷させる。凝縮物中にトリメチルクロロシラ
ンの存在を検出することができる。溶融ケークを破砕し
、イソプロパツールで抽出し、及び洗浄する。溶融粘度
14Pa、s及び融点217°Cを有する4、1 g(
=75%)の灰色の粉末が、真空中で乾燥後得られる。
本発明の主なる特徴及び態様は以下の通りである。
1、式1及び/又はIIに相当するビス−(シリル)チ
オエーテル及び式IIIのジハロゲン化芳香族化合物 R35i−3−SiR1(I) R3Si−3−Ar−3−SiRs (I[)Hal
−Ar −Hal (III)但し HalはF又はCIのようなハロゲンを表し、Arは二
つの結合を有する単環式又は縮合多環式C@ C24
−芳香族基又は最高3個のN、O又はSのようなヘテロ
原子を有する複素環式基、又は二つの単結合した芳香族
又は複素環式単位を表し、それらは単結合により及び/
又は二つ結合したC6−CI4−芳香族基又は複素環式
基により及び/又はO,NR’、CR’、、515(O
)、S (O)!、C(O)、C(O)−OlC−(O
)−NR’及び[c(o)−’]2N(R1=CI−C
4−アルキル、C3−C,。−シクロアルキル、C6−
C2,−アリール又はC,−C,。−アラルキル又は−
アルカリール)から選択された一つ又は多数の単位によ
り結合していてもよく、且つ個々の芳香族環は上記のR
1で挙げた基及び/又は○R1、NR’、CR’3、S
R’、5(O)−R’、5(O)2−R’、C(O)−
R’、C(O)−0−R’及びC(O)−NR’2から
選択されたlないし4個の置換基R2を有していてもよ
く、且つRはC,−C,−アルキル又はC6C20−シ
クロアルキルを表す、 を0.9:1ないし1.1:1の(■及び/又は■):
IIIの混合比率で含む混合物を、随時触媒として0.
01ないし1重量%(式I及び/又は■及びIIIの出
発原料の量に対して)のアルカリ金属及び/又はアルカ
リ土類金属又はアンモニウムのハロゲン化物の少なくと
も一種の存在において、及び随時助触媒として0.01
ないし1重量%(式I及び/又は■及びIIIの出発原
料の量に対して)の通常の相移動触媒の存在において、
ハロゲン化トリアルキルシラン又はハロゲン化(トリス
)シクロアルキルシランの脱離下に150ないし400
℃の温度で反応させることを特徴とするポリアリーレン
スルフィドの製造方法。
オエーテル及び式IIIのジハロゲン化芳香族化合物 R35i−3−SiR1(I) R3Si−3−Ar−3−SiRs (I[)Hal
−Ar −Hal (III)但し HalはF又はCIのようなハロゲンを表し、Arは二
つの結合を有する単環式又は縮合多環式C@ C24
−芳香族基又は最高3個のN、O又はSのようなヘテロ
原子を有する複素環式基、又は二つの単結合した芳香族
又は複素環式単位を表し、それらは単結合により及び/
又は二つ結合したC6−CI4−芳香族基又は複素環式
基により及び/又はO,NR’、CR’、、515(O
)、S (O)!、C(O)、C(O)−OlC−(O
)−NR’及び[c(o)−’]2N(R1=CI−C
4−アルキル、C3−C,。−シクロアルキル、C6−
C2,−アリール又はC,−C,。−アラルキル又は−
アルカリール)から選択された一つ又は多数の単位によ
り結合していてもよく、且つ個々の芳香族環は上記のR
1で挙げた基及び/又は○R1、NR’、CR’3、S
R’、5(O)−R’、5(O)2−R’、C(O)−
R’、C(O)−0−R’及びC(O)−NR’2から
選択されたlないし4個の置換基R2を有していてもよ
く、且つRはC,−C,−アルキル又はC6C20−シ
クロアルキルを表す、 を0.9:1ないし1.1:1の(■及び/又は■):
IIIの混合比率で含む混合物を、随時触媒として0.
01ないし1重量%(式I及び/又は■及びIIIの出
発原料の量に対して)のアルカリ金属及び/又はアルカ
リ土類金属又はアンモニウムのハロゲン化物の少なくと
も一種の存在において、及び随時助触媒として0.01
ないし1重量%(式I及び/又は■及びIIIの出発原
料の量に対して)の通常の相移動触媒の存在において、
ハロゲン化トリアルキルシラン又はハロゲン化(トリス
)シクロアルキルシランの脱離下に150ないし400
℃の温度で反応させることを特徴とするポリアリーレン
スルフィドの製造方法。
2、該触媒がアルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属
の少なくとも一種の弗化物又は弗化アンモニウムから選
択される上記lに記載の方法。
の少なくとも一種の弗化物又は弗化アンモニウムから選
択される上記lに記載の方法。
3、使用される該触媒が弗化セシウムである上記1に記
載の方法。
載の方法。
4、使用される該触媒が弗化セシウムである上記2に記
載の方法。
載の方法。
5、弗化カリウムが触媒として使用され、且つ助触媒と
してクラウンエーテル、18−クラウン−6が使用され
る上記1に記載の方法。
してクラウンエーテル、18−クラウン−6が使用され
る上記1に記載の方法。
6、一般式(IV’)
Hat −Ar −S −S iR3(IV)但し H
al、 Ar及びRは上記lで指摘した意味を有する、 に相当する(ハロゲンアリールチオ)−シランが一般式
(I)及び(I[)のビス(シリル)チオエーテル及び
一般式(I[[)のジハロゲン化芳香族化合物の混合物
に添加されて使用される上記lに記載の方法。
al、 Ar及びRは上記lで指摘した意味を有する、 に相当する(ハロゲンアリールチオ)−シランが一般式
(I)及び(I[)のビス(シリル)チオエーテル及び
一般式(I[[)のジハロゲン化芳香族化合物の混合物
に添加されて使用される上記lに記載の方法。
7、(4−クロロフェニルチオ)トリメチルシランが式
(IV)の(ハロゲン化アリールチオ)シランとして使
用される上記6に記載の方法。
(IV)の(ハロゲン化アリールチオ)シランとして使
用される上記6に記載の方法。
8、(熱い)反応混合物と接触する装置中の総ての部分
が重金属イオンを放出しない材料で製造されているか又
は該材料で被覆されている上記1に記載の方法。
が重金属イオンを放出しない材料で製造されているか又
は該材料で被覆されている上記1に記載の方法。
9、触媒及び助触媒が使用されない上記8に記載の方法
。
。
10、反応装置がチタン及び随時ガラスを用いで製作さ
れている上記7に記載の方法。
れている上記7に記載の方法。
特許出願人 バイエル・アクチェンゲゼルシャフト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)式 I 及び/又はIIに相当するビス(シリル)チオ
エーテル及び式IIIのジハロゲン化芳香族化合物 R_3Si−S−SiR_3( I ) R_3Si−S−Ar−S−SiR_3(II)Hal−
Ar−Hal(III) 但し HalはF又はClのようなハロゲンを表し、Arは二
つの結合を有する単環式又は縮合多環式C_5−C_2
_4−芳香族基又は最高3個のN、O又はSのようなヘ
テロ原子を有する複素環式基、又は二つの単結合した芳
香族又は複素環式単位を表し、それらは単結合により及
び/又は二つ結合したC_6−C_2_4−芳香族基又
は複素環式基により及び/又はO、NR^1、CR^1
_2、S、S(O)、S(O)_2、C(O)、C(O
)−O、C−(O)−NR^1及び[C(O)−]_2
N(R^1=C_1−C_4−アルキル、C_5−C_
1_0−シクロアルキル、C_8−C_2_4−アリー
ル又はC_7−C_3_0−アラルキル又は−アルカリ
ール)から選択される一つ又は複数の単位により結合し
ていてもよく、且つ個々の芳香族環は上記のR^1で挙
げた基及び/又はOR^1、NR^1、CR^1_3、
SR^1、S(O)−R^1、S(O)_2−R^1、
C(O)−R^1、C(O)−O−R^1及びC(O)
−NR^1_2から選択される1ないし4個の置換基R
^2を有していてもよく、且つRはC_1−C_4−ア
ルキル又はC_5−C_2_0−シクロアルキルを表す
、 を0.9:1ないし1.1:1の( I 及び/又はII)
:IIIの混合比率で含む混合物を、随時触媒として0.
01ないし1重量%(式 I 及び/又はII及びIIIの出発
原料の量に対して)のアルカリ金属及び/又はアルカリ
土類金属又はアンモニウムのハロゲン化物の少なくとも
一種の存在において、及び随時助触媒として0.01な
いし1重量%(式 I 及び/又はII及びIIIの出発原料の
量に対して)の通常の相間移動触媒の存在において、ハ
ロゲン化トリアルキルシラン又はハロゲン化(トリス)
シクロアルキルシランの脱離を伴って、150ないし4
00℃の温度で反応させることを特徴とするポリアリー
レンスルフィドの製造方法。 2)一般式(IV) Hal−Ar−S−SiR_3(IV) 但しHal、Ar及びRは前記に指摘した意味を有する
、 に相当する(ハロゲンアリールチオ)−シランが一般式
( I )及び(II)のビス(シリル)チオエーテル及び
一般式(III)のジハロゲン化芳香族化合物の混合物に
添加されて使用される特許請求の範囲1項記載の方法。 3)反応装置がチタン及び随時ガラスを用いて製作され
ている特許請求の範囲1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873738277 DE3738277A1 (de) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | Verfahren zur herstellung von polyarylensulfiden |
DE3738277.2 | 1987-11-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01153729A true JPH01153729A (ja) | 1989-06-15 |
Family
ID=6340269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63279534A Pending JPH01153729A (ja) | 1987-11-11 | 1988-11-07 | ポリアリーレンスルフイドの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4906712A (ja) |
EP (1) | EP0315903A1 (ja) |
JP (1) | JPH01153729A (ja) |
DE (1) | DE3738277A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020519317A (ja) * | 2017-04-25 | 2020-07-02 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 有機触媒介在ポリエーテルコーティングの形成方法および有機触媒介在ポリエーテルを含む化合物 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3354129A (en) * | 1963-11-27 | 1967-11-21 | Phillips Petroleum Co | Production of polymers from aromatic compounds |
CH503066A (de) * | 1969-03-03 | 1971-02-15 | Inventa Ag | Verfahren zur Herstellung von hitzebeständigen, linearen aromatischen Copolythioäthern |
EP0088831A1 (en) * | 1982-03-11 | 1983-09-21 | Gist-Brocades N.V. | Process for the preparation of thioethers |
-
1987
- 1987-11-11 DE DE19873738277 patent/DE3738277A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-11-04 EP EP88118363A patent/EP0315903A1/de not_active Withdrawn
- 1988-11-07 JP JP63279534A patent/JPH01153729A/ja active Pending
- 1988-11-08 US US07/268,571 patent/US4906712A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020519317A (ja) * | 2017-04-25 | 2020-07-02 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 有機触媒介在ポリエーテルコーティングの形成方法および有機触媒介在ポリエーテルを含む化合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3738277A1 (de) | 1989-05-24 |
US4906712A (en) | 1990-03-06 |
EP0315903A1 (de) | 1989-05-17 |
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