JPH01146401A - 同軸伝送路のマトリクス - Google Patents

同軸伝送路のマトリクス

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JPH01146401A
JPH01146401A JP63265957A JP26595788A JPH01146401A JP H01146401 A JPH01146401 A JP H01146401A JP 63265957 A JP63265957 A JP 63265957A JP 26595788 A JP26595788 A JP 26595788A JP H01146401 A JPH01146401 A JP H01146401A
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JP
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bars
coupler
couplers
matrix
bar
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JP63265957A
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English (en)
Inventor
Mon N Wong
モン・エヌ・ウオング
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Raytheon Co
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Hughes Aircraft Co
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12Coupling devices having more than two ports
    • H01P5/16Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/06Coaxial lines
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q3/00Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
    • H01Q3/26Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture
    • H01Q3/30Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture varying the relative phase between the radiating elements of an array
    • H01Q3/34Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture varying the relative phase between the radiating elements of an array by electrical means
    • H01Q3/40Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture varying the relative phase between the radiating elements of an array by electrical means with phasing matrix

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は同軸の伝送路におけるマトリクスに係り、特に
、複数の入力ポートから複数の出力ポートへの電磁エネ
ルギの分配に用いるバトラーマトリクス(Butler
  1atrix)、より詳細には一体構造のアッセン
ブリとなっている一組の同軸伝送路において、互いに隣
接した同軸線の中心導通体が交差する構成となって僅か
に離間して形成されている対を為す結合装置(coup
ling  device)により、を砒パワーは一方
の伝送路から他方の伝送路へ同じ面内で交差(cros
sinq)され、つまり乗換えられている。
[従来の技術1 電磁信号の信号処理では、一組の導波管を伝わる信号を
分配して、代数的に結合するのが有利なことが多い、こ
の様な結合の一般的な例は、アンテナ列(array 
 antenna )におけるアンテナ女子への給電に
見られ、ここでは各アンテナ素子には同軸の伝達線路を
介してマイクロ波エネルギが供給される。良く知られて
いるように、アンテナ素子の各々に供給される電磁エネ
ルギの寄与分は、波動として放射され、各アンテナ素子
によって放射された波動が適当に位相を同調されること
で、結合されてビームを形成する0個々のアンテナ素子
からの波動の間における位相差、これは時には位相の傾
きあるいは位相勾配と呼ばれるが、この位相差はアンテ
ナからのビームの放射方向を調整し、選択することがで
きる。
アンテナ素子間に電磁エネルギを分配するマイクロ波分
配システムはその一例が、を磁エネルギの伝送用の一組
の線路であって、相互接続されて電磁エネルギの導通用
線路のマトリクスを形成している一組の線路として構成
されており、この複雑な伝送路の構成はバトラーマトリ
クスとして知られている。バトラーマトリクスはよく知
られたものであり、例えば4つ一組の入力ポートを4つ
一組の出力ポートに、8つ一組の入力ポートを8つ一組
の出力ポートに、又は別の数のポート、例えば16個の
入力ポートを16個の出力ポートに接続するものとして
用いることもできる。別の例として出力ポートはアンテ
ナ列に接続されており、また、入力ポートはセレクタス
イッチを介して送信器に接続されているとした場合には
、入力ポートのいずれか一つが電磁パワーにより励起さ
れることで、電磁パワーが全部の出力ポートの間で一様
に配分され、アンテナ列から放射されるビームとなる。
アンテナ素子の配列に対してのビームの方向は、入力ポ
ートの一つとして選択されたそれぞれで異なる。このこ
とから、セレクタスイッチの働きにより、ビームを一組
の可能な方向のうちから所望の一方向に放射できる。こ
のバトラーマトリクスは、その動作が可逆的であり、受
けた放射ビームを、セレクタスイッチにより接続用の入
力ポートのいずれかにおいてレシーバに出力されるのも
可能である。
バトラーマトリクスは、伝送路どうしを相互接続する多
数の3dB <デシベル)カプラーから構成されており
、これにより一つの伝送路におけるパワーが、一方の伝
送路 と他方の伝送路との間で等しく分配される。それぞれパ
ワーの半分を搬送している電磁波間では、カプラにより
位相が90°ずれる。従って、種々の伝送路を伝わる波
動間には、種々の位相の関係が存在している。伝送時に
ビームを形成するのに出力ポートにおいて位相を所望の
傾きとするため、また、入って来る電磁波を受ける際、
種々のアンテナ素子からの寄与分をまとめるため、別の
位相シフタが導波管内に接続されている。別の観点から
は、バトラーマトリクスの構成には、交差箇所(cro
ss  over ) 、つまり乗換え箇所が多数あり
、このような交差箇所では、一方の伝送路はねじれ及び
巻き付きとなって他方の伝送路と交差(クロスオーバー
)し、これにより、伝送路における種々の組合わせの間
で、信号の相互接続及び結合を可能にしている。
[発明が解決しようとする課題] バトラーマトリクスの構成、または電磁波の代数結合に
用いられる伝送線路の他のマトリクスの構成には、以下
のような問題がある。即ち、伝送路をねじったり、巻き
つけることで、伝送路アッセンブリを製造するのは困難
である。更に、多くの入力ポートと多くの出力ポートと
を相互接続するマトリクスの場合には、交差した伝送路
の上方に、別の伝送路の交差箇所があり、その結果、マ
イクロ波システムに組込むのが困難な、非常に不規則な
形状、及び過度に大きなマイクロ波回路構成要素の構造
となってしまう。
[課題を解決する為の手段] 本発明による平面的な構造を有する伝送路のマトリクス
により、上記の問題点は解決され、また°他の利点も得
られる。このマトリクスは、伝送線路どうしを並んだ配
列に配することにより、共通のベースプレート及びカバ
ープレートを共有する1個のアッセンブリに構成されて
おり、ベースプレートには一組のチャンネルが形成され
、チャンネルには対応する一組の中心導通体が配されて
、一組の同軸伝送線路を構成している。
本発明によれば、同軸の伝送路のうちの1つの伝送路の
パワーをそれらのなかの2つの伝送路に分割するため、
あるいはその逆に、2つの伝送路におけるパワーを1つ
の伝送路に結合するため、同軸の伝送路のうちの離接す
るものの間に、ハイブリッドカプラの構成が配されてい
る。
更に、本発明では、伝送路のアッセンブリはクロスオー
バー、つまり乗換え箇所を含んでおり、このクロスオー
バーに寄り1つの伝送路における電磁パワーが第3の伝
送路となる隣接する伝送路を通るように送ることができ
、クロスオーバーは、同軸伝送路だけの場合に比べてク
ロスオーバー構造により高さが増すことなく、このアッ
センブリの平面横道の範囲内に設けられている。これに
よ ゛す、同軸伝送路、ハイブリッドカプラ及びクロス
オーバーを含むマイクロ波回路を平面的なマイクロ波構
造として構成するのが可能になる。クロスオーバーのそ
れぞれは、2つのハイブリッドカプラをくし形に接続し
て平面的な構成とすることができ、ハイブリッドカプラ
のそれぞれは入射する電磁波のパワーを、等しいパワー
として、互いに位相が90°ずれた2つの波に分割する
。ハイブリッドカプラのそれぞれは、2つの入力ポート
及び2つの出力ポートを有しており、これら2つのカプ
ラのうちの第1のカプラの出力ポートは、2つのカプラ
のうちの第2のカプラの入力ポートに接続されている。
2つのカプラは、本発明による、カプラの前面に2つの
入力ポート、背面に2つの出力ポートを有するカプラを
使用することで、電磁パワーの導通体の全てについて単
一の平面構成内で相互接続が為されている。この様なカ
プラは、カプラのポートに接続している同軸の伝送路を
用いて構成されており、カプラのハウジング内で、径方
向に対向して対をなす入力及び出力ポートが、交差し、
離間して絶縁された導電性の線材、つまりバーで、これ
ら2つのバーの間で電磁パワーを静電結合するように、
狭い−様なギャップとな?て離間しているバーにより接
続されている。
これら2つのバーが平面的な構成で交差するのは、それ
ぞれのバーの中央部に切欠部そなえた構成によるもので
あり、一方のバーの切欠部は、他方のバーの切欠部と、
クロスオーバーの箇所で対面し、一方の切欠部が他方の
切欠部を包むように、且つ切欠部の壁面間にギャップを
設けるようにして組み合わさり、このギャップによって
電磁パワーの静電結合が得られる。クロスオーバーの構
成は、これら2つのバーにねじられた一対の導電体と同
様の1/2巻きのねじりを与え、この結果、ハウジング
の前面に両方の入力ポートが、また、ハウジングの背面
に両方の出力ポートが位置するように1つの入力ポート
と、出力ポートの位置を変更する。
従来の課題であった一方の伝送路の位置から他方の伝送
路の位置への電は波の交差をなすについては、マイクロ
波回路アッセンブリ内の種々の位置で、クロスオーバー
のそれぞれにおいて、伝送路にねじりや回転を加えるこ
となく、同軸の伝送路における共通の面内で電磁波の交
差つまり乗換えが可能になっている。
本発明により得られた伝送路の構造は、伝送路の全て、
並びに、カプラ、移位器及びクロスオーバーなどのマイ
クロ波回路の構成要素が共通の平面内に配されているた
め、従来可能であったものに比べて遥かに簡単なものと
なっている。このような構成はマイクロ波システムに簡
単に組込むことができ、システムの構成要素の取付はス
ペースをコンパクトにできる。このような平面的な構成
とすることにより、伝送路の全てを中心導通体が付設さ
れたチャンネルとすることができることから、別の効果
を得ることができ、チャンネルは外側導通体として機能
し、また単一の金属プレートから削り出される0例えば
、本発明の好ましい実施例では、チャンネルはアルミニ
ウム製のベースプレートから削り出され、中心導通体を
含むマイクロ波回路の構成要素がこれらのチャンネルに
挿入され、その後、チャンネルをアルミニウム製のカバ
ープレートで覆うことによりアッセンブリが完成する。
このことは、この伝送路アッセンブリが数値制御フライ
ス盤によって製造されるのを可能にし、また、多くの同
軸伝送路のマトリクスを同一の電気特性とすることを可
能にする。
[実施例] 図において、第1図ないし第9図は平面的な同軸の伝送
線路の構造用に適した、本発明による同軸の伝送線路の
平面的な交差の構成を示し、第10図ないし第13図は
同軸の伝送線路のマトリクスの構成を示している0本発
明による構成の説明は、従って、同軸の伝送線路の回路
構成、特に本発明の伝送線路マトリクスの構成に用いる
のに適した、一体にユニット化された交差箇所のアッセ
ンブリ(ユニット)として形成される同軸の伝送線路の
一対のカプラについての説明から始める。
第1図及び第2図は、カバープレート26によりカバー
されるベースプレート24内に配された同軸の伝送路2
2から形成されている交差箇所(cross  ove
r) 20を示している0本発明により、交差箇所20
は2つの混成カプラ(hybridcouplers)
 28及び30を備えており、これらのカプラは同軸の
線路22の中心導通体32が交差する部分となっている
。第2図は、この交差箇所20の前方端面34を示して
おり、この図には第1の入力ポート36、第2の入力ポ
ート38、及びベースプレート24とその上面に配され
たカバープレート26が示されている。第1図では、カ
バープレート26はその一部が示されており、第1図に
おける残りの部分には、第2図に示すようにベースプレ
ート24の上面の直ぐ下で断面した図が示されている。
第2図からは、転送線路22における中心部導通体32
の断面が正方形をなしていることも、外側導通体40の
内面の断面が矩形をなしていることとともにわかる4本
発明の好ましい実施例として、伝送線路22は正方形の
断面形状となっているが、本発明は長方形の同軸の伝送
線路にも適用できることに留意されたい、絶縁性の支持
体42は、外側の導通体40内で中心部導通体32を位
置決めし、この中心部導通体32を外側の導通体40と
絶縁している。第1図についての説明を容易にするため
、支持体42は数箇所が示されているのみであるが、こ
の様な支持体42は伝送線路に沿った種々の場所に置か
れて、電磁波の反射を打消す形状とされることは容易に
理解される。
混成カプラ28及び30のそれぞれは、電磁波をパワー
の等しい2つの波に分割し、この際、これらの波は位相
が90°異なる。以下に説明されるように、カプラ28
及び30のそれぞれは、本発明の特徴に従って製造され
ており、2つの入力ポートがこれらのカプラのそれぞれ
の前端面に位置し、2つの出力ポートが後端面に位置す
るものとなっている0例では、交差箇所20の2つの入
力ポート36及び38は、カプラー28の入力ポートと
もなっている。交差箇所20の同様の一対の出力ポート
、即ち、第1の出力ポート44及び第2の出力ポート4
6は交差箇所20の後@48に位置している。出力ポー
ト44および46は、カプラー30の出力ポートともな
っている。カプラ28及び30は同じ構成を有している
第1図に示されるカプラ28および30のレイアウトか
ら、また第2図の端面図から明らかなように、同軸の伝
送線路22は、ベースプレート24内で、チャンネル5
0を適当な方法で機械加工して創成し、伝送a路22の
外側導通体40を設けることによって、作られる。中心
部導通体32がチャンネル50内に定置され、支持体4
2によりそれぞれの位置に支持される。その後、ベース
プレート24の上面にカバープレート26が取付けられ
て、アッセンブリが完成する。ベースプレート24とカ
バープレート26は両方とも、中心部導通体32と同様
に、機械加工の容易な、例えばアルミニウムなどの導電
材から製造することができる。
第9図を参照して、以降に更に詳細に説明されるように
、交差箇所20は電磁波を入力ポートの1つから、これ
と対角的に対向している出力ポートに、例えば第2の入
力ポート38から第1の出力ポート44に結合する(c
ouple) 面きをする。
これは、カプラ28及び30のそれぞれで、90°の位
相遅れをともなってパワーを等しく分割することにより
達成され、これは結果として、出力ポートのうちの一方
で波動がキャンセルされ、入力される波動のパワーの全
部が、もう一方の出力ポートから出力されることになる
本発明の特徴は、カプラ28及び30の全ての構成要素
を含んでいる交差箇所20の構成、及び平面的な形状の
単一のアッセンブリ内での伝送線路22の相互接続にあ
ることに留意されたい。このことは、カプラの双方の入
力ポートがカプラの前端面にあり、双方の出力ポートが
後端面にありことにより可能となっている。カプラ28
及び30のそれぞれが、このようなポートの配列となっ
ていることから、伝送線路22を介してのカプラの相互
接続を第1図のレイアウトに示すようにすることが可能
になり、このレイアイウドは〜第1図のアッセンブリの
外側に伝送線路が配されることなく、全ての接続が共通
の平面形状のなかで為されていることをしめしている。
プレート24及び26は共に、平面的な形状を為してお
り、カプラ28とカプラ30のハウジングを平面的な形
状のものとしている。これらの新規な特徴は、カプラ2
8及び30のそれぞれが新規な構造であることによる直
接の結果であり、本発明によるこのような構造が以下に
説明される。
第1図ないし第5図を参照する。カプラ28は、2つの
中心部導通体32の交差箇所54を有している中央域5
2で構成されている0両方のカプラ28及び30が同じ
構造を有しているため、カプラ28のみを詳細に説明す
る。カプラ28の説明が同じくカプラ30にも当はまる
ことは明らかである。中央域52では、中心部導通体3
2のそれぞれはバー形状を為しており、従って、中央域
52の交差箇所54には2つのこの様なバーがある。
交差箇所54では、一方のバーが他方のバーの上方で交
差しており、このことは例えば第3図では、バー56が
バー58の上方で交差して示されている。この交差箇所
54における交差が平面的な形状としたままで可能とな
っているのは、第4図および第5図の側面図に示すよう
に、バー56及び58のそれぞれが、切欠部60が互い
に対面してバー56.58がこれらの切欠部60で、バ
ー56及び58の厚さの範囲内で互いに交差して延びる
ように切欠加工されているためである。これらの切欠部
60は、交差箇所54においてバー56と58との間に
隙間が設けられるように充分に大きく、この隙間により
2つのバー56と58との間での電気的な絶縁が維持さ
れる。第4図では、バー56はその底面側に切欠加工が
施されたものとなっており、これに対して、第5図は、
バー58がその上面側に切欠加工が施されているのが示
されている。第1図及び第3図に示すように、バー56
及び58は、交差箇所54を除いて、互いに平行に配さ
れており、この交差箇所54では、これらのバーのそれ
ぞれは、方向が451変えられて他方のバーと90°で
交差する。バー56及び58のそれぞれにおいて、切欠
部60は交差部分片62に設けられており、交差部分片
62は、45°の曲りが反対向きに2つあることによる
反向曲線を形成している。各切欠部60の切欠深さは、
2つのバー56および58の交差部分片62どうじの間
に垂直方向に隙間が設けられるように、バー56.58
のこの部分の厚みよりもいくらか大きくなっている。隙
間は、水平方向くベースプレート24の面に平行な方向
)にも、2つのバーのうちの一方のバーの交差部分片6
2と、他方のバーの切欠部60の側壁面64との間に設
けられる。
バー56及び58の中央部における2つの交差部分片の
間の隙間、及びバー56及び58の平行に配されている
端部の間の隙間は、電磁的なパワーがバー56とバー5
8との間で結合されるについて、所望量のキャパシタン
スが得られるように選択される。放射の自由空間波長が
3インチの基準値を有している、3.7ないし4.2G
Hz(ギガヘルツ)の範囲内の動作周波数では、バー5
6および58の平行な端部間での隙間は、ギャップ66
が30ミル(lils)  (0、030インチ)とな
るように選択される。交差箇所54ではより大きな隙間
が設けられ、交差部分片62どうじの間、及び交差部分
片62と切欠部66のll’l壁64との間は、それぞ
れ50ミルに離間されている。
交差箇所54での隙間を大きくすることにより、交差箇
所54へのキャパシタンスが減少し、その結果、端部と
交差箇所54の部分との両方を含むバーの長さ全体を通
しての、バー56又は58の単位長さあたりのキャパシ
タンス量が平均化される。交差箇所54においてこのよ
うに隙間が増加されていない場合には、切欠部60の底
面68に、切欠の側壁64に沿ったギャップの長さが付
加されることにより、交差箇所54でのキャパシタンス
量が増加する傾向がある。を磁波の反射を最少にして、
電圧定在波比(VSWR)の低い値を確保するため、カ
プラ28の中央域52では、キャパシタンスを一様にす
るのが望ましい、前述した交差箇所54における隙間の
増加は、バーの長さ当りのキャパシタンスを平均化する
ため、交差箇所54におけるキャパシタンスに所望の減
少を生じさせる。
カプラ28の動作の点からは、第3図に示すバー56及
び58が交差してる構成は、一対の導電体がねじられて
形成されており、ここでは1/2のねじりが施されてい
る。このことから、2つのバー56及び58は、電磁的
なパワーが結合される一対の平行なバーとして見ること
もできる。カプラ28の入力及び出力ポートの位置は、
バー56及び58のねじり加工により決まる。更に、ね
じりを施すことにより、交差箇所54に為されなように
、2つのバー56及び58の間の電磁的な結合が維持さ
れて、バー56及び58のねじりと関係なく、所望量の
結合パワーが維持される。これによりカプラ28は、カ
プラ28に入射した波動の電磁的なパワーを、バー56
及び58が全部真直ぐな場合とほぼ同様にして、カプラ
28から出力される等しいパワーの2つの波に分割する
従って、交差箇所54をバー56及び58にねじりを施
した構成とすることにより、カプラ28の動作における
本発明による効果は次のことである。
つまり、2つの出力ポートが同じ側、すなわちカプラ2
8の背面側に、また、2つの入力ポートも同じ側、すな
わちカプラ28の前面側にあるように、入力ポートと出
力ポートの位置が互いに入替えられたことである。これ
により入力及び出力ポートを必要な位置に備えたカプラ
28が提供され、 ゛第1図に示されているように平面
的な形状におけるカプラ28と30との間の相互接続が
可能になる。
カプラ28はクロスオーバ20とともに用いられる場合
が説明されてきたが、このカプラ28は電磁的な信号の
代数結合をなす他のマイクロ波回路にも用いられる。カ
プラ28の動作は可逆的であるため、カプラ28は1つ
の波動のパワーを2つの別の波動のパワーに分割するこ
と、及び2つの波動のパワーを1つの波動に結合するこ
との両方に用いられることができる。また、3dBでの
パワーの結合をなした上記のギャップ幅は、より少ない
量のパワーの結合を提供するように拡大されることも可
能である0本発明の好ましい実施例としては、伝送線路
22の断面寸法は以下のようである。即ち、中心部導通
体32の断面寸法は0゜2インチ、外側導通体の断面寸
法は0.5インチである。第1図に示されたバー56お
よび58の長さは、伝送線路22に沿って伝わる電磁エ
ネルギの波長の1/4波長である。チャンネル50の幅
(第1図)はカプラ28の部分で拡げられ、両方の中心
部導通体32のためのスペースが設けられており、この
幅は外(11!I導通体40の幅により増加されている
。同軸の伝送線路22に沿って伝わる電磁波はTEM波
となっている。伝送線路22のインピーダンスは50オ
ームである。
第6図は第1図の混成カブラ28の変形例である混成カ
プラ70を示す図である。カプラ70はカプラ28と同
様の方法により製造される。第1図の混成カプラ28の
構造で示されたように、ベースプレート72に形成され
、ベースプレート72にはチャンネル50が機械加工さ
れて、同軸の伝送線路22の外側導通体40が形成され
ている。
同軸の伝送線路22は外側導通体40中心部導通体32
を有している。第6図はカプラ70の構成要素のレイア
ウトを示しており、こめ図は第1図において断面された
ように、ベースプレート72をその上面に平行に断面し
たものである。
カプラ70が、第1図のクロスオーバー20のように、
マイクロ波のクロスオーバー回路の構成に用いられる場
合、ベースプレート72は、カプラ70のうちの2つが
伝送線路22により第1図のクロスオーバー20の構成
として開示されたのと同じように相互接続された状態で
、これらの力プラを含むように延びている。ベースプレ
ート72の形状は、第6図に示すように、2つのカプラ
70のそれぞれについて2つの入力ポート36゜38及
び2つの出力ポート44.46を設けるのに充分なもの
である。これらのポートはカプラ70を種々のマイクロ
波回路あるいは他の混成カプラのような構成要素に接続
するのに用いられる。
カプラ28の場合のように、カプラ70の入力ポート3
6および38はカプラの前方側に向けられており、一方
、出力ポート44および46はカプラの後方側に向けら
れている。伝送線路22のそれぞれにおける中心部導通
体32と外側導通体40の断面寸法は、第1図のカプラ
28について示されたものと同じである。カプラ28と
同様に、カプラ70の構成についての説明は、中心部導
通体が円形又は楕円形状のような矩形でない断面形状を
有する同軸の伝送線路でもあてはまる。しかしながら、
入力波が同じパワーの2つの出力波に分割される3dB
カプラには、矩形状あるいは正方形が好適である。
カプラ70は、カプラ28の中央域52とは、以下の点
で異なる中央域74を有している。つまり、2つのバー
78及び80のそれぞれについて、カプラ28について
のバー56及び58での対応する交差部分片62よりも
狭い交差部分片76が設けられている。カプラ70(第
6図)のバー78及び80は、それぞれカプラ28(第
1図及び第3図)のバー56及び58に対応している。
中央域74と52との間のこの他の違いは、中央域74
ではバー78及び80のそれぞれについて、切欠部60
の真直ぐな側壁64(第3.4及び第5図)に代えて、
段付きの口壁84(第7図及び第8図)を有する切欠部
82が設けられていることである。中央域74と52の
間の更に別の違いは、中央域74(第6図及び第7図)
の周辺で、交差箇所88(第6図)にちかずくバー78
及び80の延長部分つまりウィング部78A及び80A
には傾斜部分86(第6図及び第7図)が備えられてい
ることであり、第1図のカプラ28にはこの様な傾斜部
分は設けられていない、前述したカプラ70と28との
違いにより、カプラ70はより良い電圧定在波比を有し
ており、また、カプラ70の動作波長域(operat
ingbandwidth)は、カプラ28に比べて増
大している。
第6図及び第1図かられかるように、バー78及び80
はバー56及び58のそれよりも複雑な構造となってい
る。2つのバー78及び80は同じ形状及び寸法を有し
ており、バー80の形状は、第6図に示すように、バー
78を裏返したものと同じである。バー78及び80の
構造の詳細は、第7図及び第8図に示されているバー8
0についての詳細図により理解される。バー80がその
延長部80Aから内側に向けて延びるにつれて、バー8
0の幅は傾斜部分86により始めの幅の1/2に減少し
ており、バー80の両端部での幅が0゜2インチである
のに対して、交差部分片76の幅はほぼ0.1インチと
なっている。交差部分片76は括れ部90(第7図)に
よって連結されており、括れ部90は交差部分片76に
たいして傾斜し、バー80の両方の延長部で、バー80
の中心軸線92から反対方向に離れている。バー80の
両方の延長部と交差部分片76とはこの軸線92に対し
て平行に配されており、交差部分片76は中心軸線92
とその中心が一致している。バー80の延長部80Aに
対する括れ部90の傾きは、第7図において、角度Jで
示されており、角度Jは135°となっている。それぞ
れのバーの延長部についての括れ部90の両方の傾きは
同じである。バー80の延長部の真直縁に対する傾斜部
分86の傾きは、第7図に角度Hとして示されており、
角度Hは22.5度となっている。バー80の傾斜部分
は両方とも同じ傾きを有している。交差箇所88(第6
図)は交差箇所54(第1図及び第3図)と類似してお
り、双方とも、一方のバーの交差部分片が他方のバーの
切欠部に収容されている。第7図及び第8図かられかる
ように、交差箇所88(第6図)において切欠部82の
底面94は充分に幅広く、交差部分片76の側縁を越え
て延びている0段付きの側壁84の段差面は、交差部分
片76の側面から更に後退して延びている、交差箇所8
8及び括れ部90の領域を外れると、バー78及び80
は本来の幅に広がっている。
従って、括れ部90及び交差部分片76は、バー78及
び80のそれぞれの幅広い延長部つまりウィング部を連
結する狭部と考えることもできる。
第6図に示すように、バー78及び80は2つのばね9
6.2つの絶縁性の支持体98、及び−対の絶縁性のス
ペーサ100により、所定位置に保持されている。ばね
96は、チャンネル50の側壁にあるポケット内に固着
されている。ばね96は、バー78及び80に抗して、
支持体98を互いがちかすく向きに付勢している。スペ
ーサ100はベースプレート72の面に対して垂直の方
向にして、一対の括れ部90の互いに対向している側面
の間に配されており、スペーサ100は交差箇所88の
両側に1個ずつ配されている。スペーサ100は、バー
78及び80が互いにちかずく向きに付勢されるについ
て、ばね96から生ずる力を受け、これにより、バー7
8及び80は、交差箇所88において、これらのバーの
括れ部90の間、及び交差部分片76の対応する部分と
切欠部8との間で所定の隙間が維持されるように、それ
ぞれの所定位置に保持される。カプラ28に関して先に
開示された隙間及びギャップについてのものは、対応す
る値が第6図のカプラ70に用いられている。つまり、
スペーサ100は厚さが30ミルで、切欠部82の底面
94間の隙間及び交差部分片76の対向する側面間の隙
間は50ミルである9段付き側面84(台8図)の段差
面の寸法については、段差の深さが切欠部82の底面の
深さのほぼ1/3であり、これに対して、段差面の水平
部分の寸法は底面94の幅のほぼ1/3である。
チャンネル50の外側の側壁から交差箇所88に向けて
内側に延びる2つの突片(vane )によって絞り1
04(第6図)が設けられており、これらの突片106
はスペーサ100と同一の平面にある。絞り104は、
電磁的なパワーが入カポ−)36.38から両方の出力
ポート44及び46に結合するために通り抜ける領域を
制限している。
前述の狭部の長さ(2つの括れ部90に交差部分片76
を加えたもの)は、伝送線路22を伝わる電磁波の1/
4波長であり、この絞り104の断面についての寸法よ
りも小さい、カプラ70の動作に関しては、バー78お
よび80の間で結合されるパワーの量は、これら2つの
バー間のキャパシタンスに依存し、これは主に交差箇所
88のスペーサ100での結合によって決まり、これに
対して、出力ポート44及び46で出力される波の間に
おける位相差は、絞り104の雅量全体についての電磁
波の相互作用により決まることを理解されたい、支持体
98及びスペーサ100に用いられる材質には、比誘電
率がほぼ3,2のプラスチック材が好適し、この様な材
質の一つは、ゼネラルエレクトリック社(Genera
l  Electric )によって、商品名ULTE
M4000で販売されており、この材料は、高温でも寸
法安定性が良いものとなっている。混成カプラ28及び
30から構成される第1図のクロスオーバー20の動作
は、カプラ28及び30が2つのカプラ70gに置換え
られたクロスオーバー20の動作と同じである。
この動作は2つのカプラ28及び30を示す第9図の模
式図を用いて説明され、図においてカプラ28の出力ポ
ートは伝送線路22を介してカプラ30の対応する入力
ポートと接続されている。第9図にはまた、クロスオー
バー20の2つの入力ポート及び2つの出力ポートも示
されている。この動作説明では、電磁波は第2の入力ポ
ートのG点から入り、破線で示される経路に沿って伝わ
るものとする。カプラ28における重要点は、破線上の
E、Fで示され、カプラ28及び30が作動した結果で
ある4つの波は、クロスオーバー20の2つの出力ポー
トのA点、B点、0点及びD点に生ずる。
動作としては、カプラ28において、G点への入力波は
同じパワーを有する2つの波に分割される。これらのパ
ワーはG点での初期パワーの1/2である。E点の波は
B点の波に対して位相が90″遅れている。カプラ30
において、E点の波は同じパワーを有する2つの分波(
component )B及びCに分割され、この分波
B、Cにおけるパワーはそれぞれ、G点での入力波の1
/4である。
同様に、F点の波はカプラ30によって同じパワーを有
する2つの分波A及びDに分割され、これらの波A及び
DのそれぞれにおけるパワーはG点での波のパワーの1
/4である。0点における波は、B点の波に対して位相
が90°遅れている。
同じく、A点における波は0点の波に対して位相が90
°遅れている0位相の遅れから、0点での波の構成成分
は2つの90゛位相おくれにより合計180°の位相遅
れとなる。従って、分割波Cは分割波りにたいして打消
すように干渉し、結果として第2の出力ポートから出力
される全てのパワーがキャンセルされている。このこと
から、E点では、カプラ30の左側から右側への波のパ
ワーの結合が全く為されず、E点での波のパワーの全部
が第1の出力ポートに生ずる。同様に、F点では、波の
パワーは第2の出力ポートには全く現われず、全てのパ
ワーはカプラ30の右側から左側へ結合され、第1の出
力ポートに生ずる。カプラ28及び30のそれぞれを介
してのパワーの結合は、904の位相の遅れを伴うこと
から、両方のカプラ28及び30を介した第1の出力ポ
ート出の成分(contribution)は同位相と
なり、A点、B点での2つの成分(contribut
ion)はそれぞれ90°の位相遅れを有している。従
って、A点及びB点の2つの成分(Contribut
ion)は位相を同じくして加算され、第1の出力ポー
トに、第2の入力ポートから入力されたパワーに等しい
パワーを出力する。第1の出力ポートで出力される波は
、第2の入力ポートから入力された波のに対して位相が
90″′遅れている。
本発明により、第10図ないし第13図には、以下に説
明するように電磁的なパワーを伝達、配分する経路のマ
トリクスを備え、平面的なりロスオーバーを含んでいる
伝送線路アッセンブリ108が示されている。アッセン
ブリ108はなかにチャンネル112が形成されている
ベースプレート110を備えており、ベースプレート1
10はカバー114により覆われている。各チャンネル
112内には中心導通体116が配されており、中心導
通体116は、チャンネル112の両側壁と、カバープ
レート114の底面で形成される外側導通体118とと
もに、同軸伝送線路120を構成している。本発明の好
ましい実施例としては、同軸伝送線路120は、正方形
断面の外側導通体118を有しており、中心導通体11
6は−様な正方形断面の線材となっている。
第1図と第11図との比較により簡単に理解されるよう
に、伝送線路22(第1図)は伝送線路120(第11
図)と対応しており、同様に、中心導通体32及び外側
導通体40は中心導通体116および外側導通体118
と対応している。アッセンブリ118では、対を為して
いる伝送線路120は、第1図に開示されているカプラ
28と同等のカプラー28により結合されている。第1
1図には、対をなすカプラ28及び30が連設され、第
1図に示されたものと同じくクロスオーバーが構成され
ているのも示されている。クロスオーバー20は、電磁
的なパワーを一方の伝送線路120から、隣接した伝送
線F4120へ交差させることができる。アッセンブリ
108は伝送線路120間での電磁的なパワーの伝達用
の相互接続経路のマトリクスを提供するものであり、マ
トリクスは隣接している導波路間でのパワーの交差と同
様にパワーの結合を、双方共に提供する。特に、第11
図のマトリクスはカプラ28及び30のそれぞれの構成
からバトラーマトリクスとなり、1つの伝送線路のパワ
ーを、対をなす出力側の伝送線路間で、2つの出力線路
の位相を90°ずらして、等しく配分する。このバトラ
ーマトリクスは、第11図及び第12図に示される様々
な位置で、伝送線路120内に移相器(phase  
5hifter)を配して完全なものとなる0本発明は
特にバトラーマトリクスの場合について説明されている
が、平面的なアッセンブリにおいて、伝送線路間の交差
を含むマトリクスの構成を提供している本発明は、相互
接続する伝送線路についての他のマトリクスにも適用さ
れることに留意されない、また、第11図には混成カブ
ラ28及び30が示されているが、本発明は、カプラ2
8及び30を混成カプラ70に置換えても、同じく適用
できることも理解されるべきである。
ベースプレート110、カバープレート114、及び中
心導通体116はアルミニウムのような導電材で作られ
る。伝送線路アッセンブリ108の基本思想は、伝送線
路間で結合されるパワー比が異なっており、且つアッセ
ンブリ108の入力ポートにマイクロ波のパワーが入射
することによって、一組の出力ポートに種々の位相及び
/又は振幅の傾きができるいずれの平面マトリクスにも
適用可能である。マイクロ波パワーのビームを形成する
のにアッセンブリ118をバトラーマトリクスとして使
用しているのを例にして、第12図は、アンテナ素子つ
まり、ホーン(horns )あるいはダイポール(d
ipoles )のような放射体(radiators
)126が直線的に配列されたアンテナ124を示して
いる。これらの放射体126はアッセンブリ108の一
組の出力ポート128に接続されティる。トランシーバ
−(transceiver ) 130は、ビームセ
レクタスイッチ132介してアッセンブリ108の一組
の入力ポートに接続されている。入力ポート134と出
力ポート138とは同数であり、この数は第10図ない
し第13図に示されている構成では8つとなっている。
アッセンブリ108とセレクタスイッチ132を用いて
、アンテナ124に1つの放射ビームが形成され、この
ビームは、アンテナ124の前の一組の矢印で示されて
いるように、照準(boresight ) 136を
左右に向けることができる。
前述した機械加工により、アッセンブリ108は一体梢
造ユニットとして構成されており、チャンネル50(第
1図)の構成を含んでなるチャンネル112は、ベース
プレート110に形成されている。チャンネル112は
スイッチ132(第12図)でのアッセンブリ108の
入力端から、アンテナ124でのアッセンブリ108の
出力端へ延びている。入力及び出力の用語は、トランシ
ーバ−130からアンテナ124への信号の伝送に関し
ており、アッセンブリ108は可逆的に動作し、電磁的
な信号は同じくアンテナ124からアッセンブリ108
を介してスイッチ132へ流れることが可能であること
が理解される0本発明の好ましい実施例では、ベースプ
レート110及びカバープレート114は、完成された
アッセンブリと同様に平面的な形状を有している。所望
であれば、この平面的な形状は、アッセンブリ108が
航空機あるいは人工衛星の曲っな壁面に沿って設置でき
るように、アッセンブリ108を僅かに湾曲した面とし
て、変更することも可能であり、このような曲線は、電
磁波がこのような曲線で有意な反射がおきることなく伝
送線路120を伝わることができるように充分になだら
かなものであると理解されたい。
移相器122は、中心導通体116と外側導通体118
との間のスペースに位置しているセラミック製の挿入体
となっている。アッセンブリ108の製造を容易にする
ため、移相器122はU字形状断面を有し、移相器12
2を押込んでそのU字形状の脚部が中心導通部116の
両側に装着されるものとできる。移相器122はセラミ
ック材から製造され、稈相器間において異なる量の移送
のずれを生じさせるように比誘電率が変えられるか、あ
るいはこれに代えて、移送のずれ量を変えるため別の長
さの移相用材を挿入するものでもよい、中心導通体11
6に沿って測定した長さが、伝送線路120を伝わる放
射の1/4波長とした誘電断面を有する移相器を形成す
るのが有利であり、これにより、移相器122からの反
射を最少限に抑える。所望であれば、移相器122は第
6図の絶縁支持体98に用いられたセラミック材と同じ
材質から製造することもできる。移相器122のそれぞ
れについて固有の位相ずれの値は、第12図に図式的に
示されており、位相ずれのこれらの値のそれぞれは位相
遅れであり、図示されている位相ずれの値は、バトラー
マトリクスにおいて−様な位相の傾きを得るのに用いら
れる。3つの位相ずれの値が示されており、これらの値
は22.5°、45°、67.5°の位相遅れとなって
いる。移相器122の値は、クロスオーバー20から導
入されることもある位相のずれを補償するために調整す
ることもできる。
中心導通体116がチャンネル112の中心に支持され
ることについて、中心導通体116が、中心導通体を所
定位置に保持している絶縁支持体42(第1図)のよう
な絶縁性の支持体により所定位置に保持されていること
に注意されたい、第11図ないし第13図では、本発明
の詳細な説明を容易にするなめ、絶縁支持体42は省略
されている。好ましくは、これらの支持体は中心導通体
116に沿って対を為して配され、即ち、それぞれの対
において、支持体間は、支持体の構造についての伝送線
路における不連続性から生ずるかもしれない反射波を打
消すため、電磁的なパワーの波長の1/4だけ離間して
いる。これらは伝送線路120沿って、数インチの間隔
で配置される。
マイクロ波の周波数の基準値は、アッセンブリ108の
ここでの説明では、第1図ないし第9図のクロスオーバ
ー20の説明に示されたように、4゜0GHzと仮定さ
れる。
アッセンブリ108の動作を示すため、伝送線路120
は、各々の入力ポート134において、凡例IL、IR
ないし4L、4Rとして参照され、種々の入力ポート1
34のいずれか1つに電磁波が入力されるのに応じて、
アンテナ124により創成されるべき8つのビームから
1つを特定する。
数字1は照準136に近い向きのビームを指し、数字2
.3及び4は、照準136に対してより大きなビームの
傾きの角度を指している0文字り及びRは、照準136
の左または右へのビームの向きを示している。アッセン
ブリ108の好ましい例では、伝送線路120はクロス
オーバー20の構成において上記に開示されたものと同
じ正方形断面についての寸法を有しており、これはチャ
ンネル112の側面が0.5インチで、中心導通体11
6の側面が0.2インチである。
第13図における重ね合せの図を参照して、さらに詳細
に動作を説明する。ここでは、電磁的なパワーを有する
波が左手の入力ポートILに入射している。このパワー
は放射体126に向けて上方に移動し、種々のカプラー
28によって伝送線路120の隣接するものの間で分割
される。パワーは分割されるとともに、クロスオーバー
20を介して、伝送線路120の別の1つに向けられ、
出力ポートの全てに生ずる。各々のクロスオーバーは2
つのカプラ28及び30を連設した構成となっている。
従って、パワーは第1のカプラー28で分割され、第1
3図の左下限における第1の2つの伝送線路に同じ量で
流れる。第2の伝送線路はクロスオーバー20を介して
、第11図ないし第13図の左から3番目の第3の伝送
線路と交差する。そこで、カプラ28の2つを介して、
第1の伝送線路のパワーは、第1及び第2の伝送線路間
で等しく分割され、第3の伝送線路におけるパワーは、
第3及び第4の伝送線路間で等しく分割される。始めの
4つの伝送線路のそれぞれは、この時、入力ポート13
4の1番目で入力されたパワーの1/4のパワーを有し
ている。
理解しやすくするため、第12図においてアッセンブリ
ー108は2つのサブアッセンブリ138及び140に
別けられており、サブアッセンブリ138はスイッチ1
32と接続され、サブアッセンブリ140はアンテナ1
24と接続されている。入力ポートILに入射したパワ
ーが始めの4つの伝送線路間に分割されるについて説明
したように、サブアッセンブリ138及び140を相互
に接続している始めの第1の4つの節点(node )
142で、パワーは一様に配分されている。サブアッセ
ンブリ140においては、ノード142から伝えられた
パワーは引き続き配分され、始めの4つの伝送線路12
0におけるパワーは付設されたクロスオーバー20と、
同じく付設されたカプラ28とを介して結合されて、伝
送線路アッセンブリ108の8つの出力ポート全てにつ
いて等しく分割される。入力ポート134の池のいずれ
か1つに入射した波は等しく分割され、出力ポート12
8の全てで出力されることは、容易に確かめられる。更
に、移相器122は、移相量が固定されていることから
、出力ポートロ2から出力される波の間での位相の傾き
、つまり位相の勾配は−様になる。これらの位相ずれ値
は、混成カプラ28のそれぞれにより90°の位相遅れ
を加えたものである。
第12図において、固定された移相値の移相器122に
より決まる位相のずれの示されている値により、入力ポ
ート134のIL及びIRで示すいずれかに電磁波が入
力された場合、節点142の間には22.5°の位相勾
配が生ずる。より大きな位相勾配の値は、入力ポート1
34の別のものを用いる。移相器122に示された移相
値を用いたアッセンブリー108の構成を例にとると、
入力ポートのいずれか1つから入力された電磁波のパワ
ーは、出力ポート128のそれぞれにおいてその強さが
9dB減ぜられており、入力ポート134の個々のもの
が励起されたのに応じて、出力ポート128の間に以下
の位相勾配が得られる。
即ち、ILポートは22.5°の位相遅れを生じさせ、
4Rポートは157.5’の位相の進みを、3Lポート
は112.5.”の位相遅れを、2Rポートは67.5
°の位相の進みを、2Lポートは67.5°の位相遅れ
を、3Rポートは112゜5°の位相の進みを、4Lポ
ートは157.5゜の位相遅れを、IRポートは22.
5°の位相の進みをそれぞれ生じさせる。上記の位相勾
配の値について、節点142での位相のずれの値は、ア
ッセンブリ108はその左半分及び右半分が対称に構成
されていることから、アッセンブリ108の中心線につ
いて対称であることに注意されたい。
サブアッセンブリ140のクロスオーバー及び力グラ2
8は、右側あるいは左側の4つの節点142についての
位相勾配を、出力ポート128の8つ全てについての1
つの連続した位相勾配に変える。
アブセンブリ108は前述したようにベースプレート1
10においてチャンネル112を機械加工することによ
り簡単に作ることができる。この機械加工によって、チ
ャンネル112は、カプラー28及び30の部分を除い
て、伝送線路120をとおして−様な正方形の断面とな
っている。カプラー28及び30の部分では、カプラー
28゜30のそれぞれの中央域を囲むようにチャンネル
の幅が広げられている。カプラ28及び3oの代わりに
カプラ70を用いた場合には、チャンネル112はカプ
ラ70の部分で中央域74を囲むように拡幅されている
。更に、こめ8M加工工程にはスプリングを収容するポ
ケット102の形成も含まれ、またこの工程で絞り片1
06も形成される。その後に中心導通体116がチャン
ネル112に挿入され、移相器28及び30の位置にお
けるチャンネルの拡幅部分にはバー56及び58が挿入
される。カプラ70を用いる場合には、支持体98とば
ね96ともにバー78及び80が挿入される。そして、
ベースプレート110の上面にカバープレート114を
載置して、アッセンブリ108が完成する。
上記のように製造することで、本発明による電磁波の分
配及び結合のためのマイクロ波の伝送線路のマトリクス
が得られる。自動機による機械加工によって製造するこ
とら可能で、切欠部でのクロスオーバーがなされた伝送
線路における平行部分を備えた混成カプラによって相互
接続された同軸の伝送線路のアッセンブリが、ばらつき
なく精度よく製造される。このマトリクスにより、共通
の平面構造内で、一方の伝送線路から他方の伝送線路れ
る。このマトリクスにより、共通の平面構造内で、一方
の伝送線路から他方の伝送線路への電磁的なパワーを、
平面的な構造外には電磁波の経路を必要とせずに、交差
させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、金属のベースプレートからなる平面構成内に
形成された本発明による交差箇所の平面図で、同軸の伝
送線路の中心導通体を示すため、カバープレートが部分
的に取り除かれて示されており、第2図は、第1図の交
差箇所を第1図の2−2線について端面方向からみた図
、第3図は、第1図の交差箇所における2つの混成カプ
ラのうちの一方を、部分的に示す拡大平面図、第4図お
よび第5図はそれぞれ、交差箇所のカプラの一方につい
ての交差部分におけるバーの詳細を示すため、第3図の
4−4線及び5−5線に沿った断面図、第6図は、カプ
ラの交差領域についての変形例を示す第3図に類似した
図、第7図は第6図のカプラの変形例におけるバーの平
面図、第8図は第6図のカプラの変形例におけるバーの
側面図、第9図は、第1図の2つのカプラの2連構成を
しめず概略図で、交差の動きを説明するのに有用な電磁
波の経路を含んでおり、第10図は平面的で矩形の、本
発明による伝送線路マトリクスを組込んだ同軸のアッセ
ンブリを示す等大の斜視図、第11図は、第10図のア
ッセンブリのベースプレートの上面の直ぐ下で、線11
−11に沿った断面図の一部で、チャンネルが機械加工
され、同軸の伝送線路の中心導通体が配された状態が示
されており、ベースプレートは、カプラーのレイアウト
の描写および伝送線路の中心導通体により構成された交
差を簡略化してしめずため、一部分のみが示されており
、第12図は、例として8つのアンテナ素子からなるア
ンテナ列に、完全な形でのバトラーマトリクスで、全て
のカプラ、交差箇所、位相シフタを備えた同軸伝送線路
全体の相互接続を示す模式図、及び第13図は、第11
図の中心導通体の配列の上に、バトラーマトリクスの1
つの入力ポートから全部の出力ポートへの電磁エネルギ
の伝送経路を重ねて示した図。 20・・・クロスオーバー、22・・・伝送路、24・
・・ベースプレート、26・・・カバープレート、28
゜30・・・ハイブリッドカプラ、32・・・中心導通
体、36.38・・・入力ポート、42・・・支持体、
44゜46・・・出力ポート、50・・・チャンネル、
54・・・交差、56.58・・・バー。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  第1の組のポートと、第2の組のポートとの間におけ
    る電磁波の伝送路についてのマトリクスであって、 プレートと、 前記プレート内に並んで配されている一組のチャンネル
    であって、各チャンネルが前記第1の組のポートから第
    2の組のポートへ前記プレートを横切る向きに延び、前
    記チャンネルの壁面は電磁的パワーの同軸の伝送路につ
    いての外側導通体となっているチャンネルと、 前記チャンネルに配され、前記同軸の伝送路の中心導通
    体となる一組の線材と、 前記プレートに配された一組のカプラであって、カプラ
    のそれぞれは、4つのポートを有し、そのうち2つが入
    力ポート、2つが出力ポートとなり前記伝送路の隣接す
    る2つの間に位置して、前記隣接する2つの伝送路間を
    相互接続し、また、カプラのそれぞれは、前記隣接する
    2つの伝送路のチャンネルがあわさるチャンネルの部分
    に形成され、各カプラは、前記チャンネルの部分に互い
    に離間して配された一対のバーを備え、電磁的なパワー
    の一部について前記隣接した2つの伝送路の一方から他
    方に結合するものであり一組のカプラとを備えており、 前記一組のカプラは、前記伝送路の選択された隣接する
    ものの間でくし形に対を為して、独立して配されており
    、 前記くし形に対をなして配されたカプラのそれぞれにお
    いて、カプラのうちの第1のカプラの出力ポートは、カ
    プラのうちの第2のカプラの入力ポートに接続されて、
    前記選択された隣接する伝送路間で電磁的なパワーを交
    差させるためのクロスオーバーを形成し、また、前記ク
    ロスオーバーは複数あり、前記独立して配された複数の
    カプラは、マトリクスの前記第1の組のポートのうちの
    1つのポートと、マトリクスの前記第2の組のうちの複
    数のポートとの間で、電磁的なパワーを分配するもので
    ある電磁波の伝送路についてのマトリクス。 2.前記プレートは平面的である請求項第1項に記載の
    マトリクス。 3.前記マトリクスはおおむね平面的な形状を有し、前
    記クロスオーバー間の電磁パワーの導通路は全て前記の
    おおむね平面的な形状内にある請求項第1項に記載のマ
    トリクス。 4.カプラーにより結合される電磁的なパワーの前記一
    部分は、このパワーの1/2である請求項第1項に記載
    のマトリクス。 5.前記カプラのそれぞれは、パワーの各半分を搬送し
    ている波の間に、90°の位相ずれを生じさせる請求項
    第4項に記載のマトリクス。 6.前記カプラは前記伝送路間で、バトラーマトリクス
    となるように配されている請求項第5項に記載のマトリ
    クス。 7.前記伝送線路のそれぞれにおけるチャンネルの壁面
    と線材との間に配され、前記一組のマトリクスポートで
    出力される電磁波に所望の位相勾配をもうける移位器を
    更に備えている請求項第6項に記載のマトリクス。 8.前記カプラのそれぞれはハイブリッドカプラであり
    、また、前記クロスオーバーのそれぞれにおいて、前記
    第1のカプラの前記出力ポートの第1のものが、前記第
    2のカプラの前記入力ポートの第1のものに接続され、
    前記第1のカプラの第2の出力ポートは前記第2のカプ
    ラの第2の入力ポートに接続されており、前記第1のカ
    プラの前記第1及び第2の入力ポートは、前記クロスオ
    ーバーの入力ポートとして機能し、前記第2のカプラの
    前記第1及び第2の出力ポートは、前記クロスオーバー
    の出力ポートとして機能する請求項第1項に記載のマト
    リクス。 9.前記チャンネルを閉じるように前記プレートに載置
    るカバーであって、前記カバーと前記プレートが、前記
    カプラのそれぞれについて導電材のハウジングを設ける
    ようなカバーを更に備えているマトリクスであって、 前記カプラのそれぞれにおいて、前記ハウジングは上壁
    面と底面とを有し、前面、後面、前記上壁面と底面とを
    繋ぐ第1の側壁および第2の側壁があり、前記ハウジン
    グは共通の前記平面に対して垂直な4つの開口を有して
    おり、前記上壁面と前記底面とは前記共通の平面と平行
    で、前記開口は前記ハウジングの中心回りに連続的に配
    されて、異なった方向で外方に向けて開口しており、及
    び前記カプラのそれぞれにおいて、前記バーは中心導通
    体として機能するとともに、前記開口のそれぞれを通っ
    て延びて、前記入力ポートと前記出力ポートとなり、前
    記第1の入力ポート及び第1の出力ポートは、前記第1
    の側壁では反対側に位置し、前記第2の入力ポート及び
    第2の出力ポートは、前記第2の側壁では反対側に位置
    しており、前記第1の入力ポート及び前記第2の入力ポ
    ートは前記前面で反対側に位置し、前記第1の出力ポー
    ト及び前記第2の出力ポートは前記後面で反対側に位置
    しており、 前記カプラのそれぞれにおいて2つのバーは前記第1の
    側壁のポートを、前記第2の側壁のポートに電気的に接
    続し、前記バーは互いに一様に離間して、且つ前記ハウ
    ジングの内面から一様に離間して位置しており、 前記カプラのそれぞれは、更に前記バーのうちの第1の
    ものを前記バーのうちの第2のものの回りに1/2巻き
    して、前記第1のバーが、前記第1の入力ポートを前記
    第2の出力ポートに相互接続させ、且つ前記第2のバー
    が、前記第2の入力ポートを前記第1の出力ポートに相
    互接続させるようにねじるためのねじり手段を更に備え
    ている、請求項第8項に記載のマトリクス。 10.前記カプラのそれぞれにおいて、前記バーのそれ
    ぞれは中央部、第1の端部、、及び前記中央部により前
    記第1の端部につながる第2の端部を有しており、前記
    第1の端部及び第2の端部は真直で、且つ同じ長さであ
    り、前記ねじり手段は前記第1及び第2の中央部を含ん
    でおり、前記バーのそれぞれは、矩形断面と平坦な外面
    を有し、前記平坦な外面のうちの一方は、バーの長さの
    全てに亙って平面的であり、前記バーのそれぞれにおけ
    る2つの端部と中央部の長さの総和は、前記カプラを通
    って伝わる放射波の波長のほぼ1/4であり、また、 前記バーのうちの一方についての前記一方の平面的な面
    は、前記バーのうちの他方の前記一方の平面的な面に対
    して平行であり、前記1/2巻きのねじりにより、前記
    バーのそれぞれにおいて前記一方の平面的な面について
    の平面構成が保たれている請求項第9項に記載のマトリ
    クス。 11.前記バーのそれぞれにおいて、前記各バーの中央
    部には、前記一方の平面的な面の反対側に切欠部が設け
    られており、前記バーのうちの第1のバーの切欠部は、
    前記バーのうちの第2のバーの切欠部に対向していると
    ともに、挟むように設けられており、 各バーの端部前記ハウジングの前面および後面と平行で
    あり、また、 前記バーのそれぞれにおける中央部は、前記バーの双方
    の中央部での挟む構造及び交差する構造のため、バーの
    前記第1及び第2の端部に対して傾いており、これによ
    り前記バーの間が電磁波の電気容量的な結合となってい
    る請求項第10項に記載のマトリクス。 12.前記バーのそれぞれにおいて、前記中央部は前記
    一方の平面的な面の反対側に切欠部を有しており、前記
    第1のバーの切欠部は前記第2のバーの切欠部と対面し
    ているとともに互いに挟むようになつており、 前記バーのそれぞれは、前記第1及び第2の端部をそれ
    ぞれ越えて延びる延長部を有し、前記バーのそれぞれに
    おける中央部は各バーの中央の長手方向の軸線と平行で
    あり、バーのそれぞれにおいての2箇所の延長部は、前
    記軸線に平行で、互いに反対側にずれて配されており、
    これら2つのバーの軸線は傾いて前記バーのそれぞれの
    中央部におけるクロスオーバーを構成し、前記延長部は
    前記カプラのポートのそれぞれを通るようにして伸びて
    いる請求項第10項に記載のマトリクス。 13.前記カプラのそれぞれにおいて、及びカプラの各
    バーにおいて、中央部は延長部と比べて狭くなつており
    、バーの2箇所の延長部は中央部に向けて延びる傾斜部
    分を有しており、前記延長部の中央部から離れている部
    分は前記伝送路の前記線材の断面に等しい断面を有して
    おり、また、前記切欠部のそれぞれは二段の段突きの切
    欠となっている請求項第12項に記載のマトリクス。 14.前記カプラのそれぞれにおけるチャンネルの断面
    深さは、前記横断方向に垂直な方向に測定して、前記伝
    送路のチャンネルの深さに等しい請求項第13項に記載
    のマトリクス。 15.前記カプラのそれぞれのチャンネルについての前
    記断面のそれぞれの幅は、前記一対のバーを物理的に収
    容できるように前記横断方向に拡張されている請求項第
    14項に記載のマトリクス。
JP63265957A 1987-10-23 1988-10-21 同軸伝送路のマトリクス Pending JPH01146401A (ja)

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US07/111,901 US4810982A (en) 1987-10-23 1987-10-23 Coaxial transmission-line matrix including in-plane crossover

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