JPH01143630A - Method for treating fluorocarbon - Google Patents

Method for treating fluorocarbon

Info

Publication number
JPH01143630A
JPH01143630A JP62297832A JP29783287A JPH01143630A JP H01143630 A JPH01143630 A JP H01143630A JP 62297832 A JP62297832 A JP 62297832A JP 29783287 A JP29783287 A JP 29783287A JP H01143630 A JPH01143630 A JP H01143630A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluorocarbons
fluorocarbon
photocatalyst
treating
treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62297832A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinji Nomichi
伸治 野路
Toshiaki Fujii
敏昭 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Research Co Ltd
Original Assignee
Ebara Research Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Research Co Ltd filed Critical Ebara Research Co Ltd
Priority to JP62297832A priority Critical patent/JPH01143630A/en
Publication of JPH01143630A publication Critical patent/JPH01143630A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/12Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
    • B01J19/122Incoherent waves
    • B01J19/123Ultraviolet light

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)

Abstract

PURPOSE:To treat fluorocarbon efficiently by introducing a gas containing fluorocarbon to the surfaces of a photocatalyst such as a semiconductor irradiat ed by a light. CONSTITUTION:A gas containing fluorocarbon is introduced into a photocatalytic reactor 2 through an inlet 1 and decomposed by a photocatalyzing material 4, which is irradiated by an ultraviolet ray lamp 5, etc., and made to form electric fields by electrodes. A photocatalyzing matter 4 such as TiO2, Co3O4, Ag2O, Fe2O3 and NiO is fixed on Ti electrode plates to which voltages are applied so as to form electric fields. A treated gas is ejected out of an outlet 3.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、フロンの無害化処理方法に関するものであり
、特にフロンを極く低濃度しか残存しない程度に無害化
する処理方法に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a treatment method for detoxifying fluorocarbons, and particularly to a treatment method for detoxifying fluorocarbons to such an extent that only an extremely low concentration remains. .

(従来の技術) 圧縮式冷凍機の作動媒体として用いられているフロン(
クロロフルオロカーボン)が大気成層圏のオゾン層を破
壊するという理由により、近年その使用を国際的に規制
しようとする検討が行われている。
(Prior art) Freon (chlorofluorocarbon) used as a working medium in compression refrigerators
Because chlorofluorocarbons (chlorofluorocarbons) destroy the ozone layer in the atmospheric stratosphere, there have been recent efforts to internationally regulate their use.

オゾン層では生物に有害な290〜370nmの光を吸
収しており、フロン中に含まれる塩素Clがオゾンを分
解し破壊したならば前記の有害な光が地表に到達してし
まうので、オゾン層の破壊を防止しようという議論がな
されている。冷凍機用フロンとして最も多く用いられて
いるフロン−22はその分子中に水素原子を含んでいる
ので安定性が悪く、成層圏に到達する前に分解する可能
性が大きいと考えられている。しかしながら、フロン−
22がオゾン層の破壊に全く影響を与えないという証明
もされていないので、カナダのように全てのハロゲン化
されたクロロフルオロアルカンを規制すべきであると主
張している国もある。
The ozone layer absorbs light of 290 to 370 nm that is harmful to living things, and if the chlorine Cl contained in CFC decomposes and destroys ozone, the harmful light will reach the earth's surface, so the ozone layer There are discussions about how to prevent the destruction of Freon-22, which is most commonly used as Freon for refrigerators, contains hydrogen atoms in its molecules and is therefore unstable, and is thought to have a high possibility of decomposing before reaching the stratosphere. However, freon-
Some countries, such as Canada, have argued that all halogenated chlorofluoroalkanes should be regulated, since there is no proof that 22 has no effect on ozone layer depletion.

もし、全てのハロゲン化されたクロロフルオロアルカン
が規制されれば、現在冷凍機に用いられている主要冷媒
のフロン−113、フロン−11、フロン−114、フ
ロン−12、フロン−22などは全て規制されることに
なる。
If all halogenated chlorofluoroalkanes were regulated, all of the major refrigerants currently used in refrigerators, such as CFC-113, CFC-11, CFC-114, CFC-12, and CFC-22, would be regulated. It will be regulated.

しかし、冷凍機の作動媒体として特に優れた性質をもつ
フロンを他の媒体に変えることは非常に困難と思われる
ので、今後フロンの製造は必要量許すが、大気中への放
出は規制されることになると思われる。事実昭和62年
9月に決められた規制の方法ではフロンの生産量を制限
するものであった。
However, it is thought to be extremely difficult to convert fluorocarbons, which have particularly excellent properties as a working medium for refrigerators, into other media, so in the future, the production of fluorocarbons will be allowed in the necessary quantities, but its release into the atmosphere will be regulated. I think it will happen. In fact, the regulatory method established in September 1986 was to limit the amount of fluorocarbons produced.

フロンを大気中に放出させないためには、特に冷凍機の
廃棄時のフロン放出を防ぐことが第一である。ターボ冷
凍機に用いられているフロンのR−11やR−113の
ように常温でン夜体のものは回収することが比較的簡単
であり、現在も回q又が行われている。しかし、カーク
ーラー、ルームクーラー、冷蔵庫等に用いられているフ
ロンのR−12やR−22は常温で気体であり、かつ1
台あたりの充填量が少量のため、現在回収はまったく行
われていない。
In order to prevent the release of fluorocarbons into the atmosphere, it is first important to prevent the release of fluorocarbons, especially when the refrigerator is disposed of. It is relatively easy to recover fluorocarbons used in centrifugal refrigerators, such as R-11 and R-113, which remain solid at room temperature, and recycling is still being carried out today. However, R-12 and R-22, which are used in car coolers, room coolers, refrigerators, etc., are gases at room temperature, and
Due to the small amount of filling per unit, no collection is currently taking place.

また、回収したフロンの処理について従来考えられてい
た熱分解法や触媒法は高濃度のフロンを比較的低濃度ま
で処理する程度のものである。
In addition, the thermal decomposition method and catalytic method conventionally considered for processing the recovered fluorocarbons are only capable of processing a high concentration of fluorocarbons to a relatively low concentration.

(発明が解決しようとする問題点) カークーラー、ルームクーラー、冷蔵庫等では1台あた
りのフロンの充填量は少ないものの、全体の台数が多い
ため、廃棄される前記カークーラー等から放出されるフ
ロンの量も相当量となるΦで、それらからのフロンの放
出を防ぐことがオゾン破壊問題に対する早急な課題とな
るが、−台ごとに回収することは困難なので、その回収
方法としては上記のようなフロンを充填したカークーラ
ー等を集めて解体、スクラップする空間を密閉構造にし
、その空間内にフロンを放出させ、そのフロンを加圧凝
縮させたり、冷却凝縮させたりしてフロンを回収し、そ
の後フロンが除かれた空気を大気中に放出する方法が考
えられる。しかし、この方法では空間中のフロン濃度は
低濃度になるので、そこからの空気よりフロンを凝縮さ
せるためには膨大なエネルギーが必要となり、また回収
装置がバッチ方式になり、機構が複雑になるなどの欠点
を有する。
(Problem to be solved by the invention) Although the amount of fluorocarbons filled per car cooler, room cooler, refrigerator, etc. is small, the total number of units is large, so fluorocarbons are released from the car coolers, etc. that are discarded. The amount of fluorocarbons is also considerable, and preventing the release of fluorocarbons from them is an urgent issue to address the ozone depletion problem. However, since it is difficult to collect them from one vehicle to the next, the method of collection is as described above. The space where car coolers etc. filled with fluorocarbons are gathered, dismantled and scrapped is made into a sealed structure, the fluorocarbons are released into the space, and the fluorocarbons are collected by pressurizing and condensing or cooling and condensing. One possible method is to then release the air from which the fluorocarbons have been removed into the atmosphere. However, with this method, the concentration of fluorocarbons in the space is low, so a huge amount of energy is required to condense the fluorocarbons from the air, and the recovery equipment is a batch system, making the mechanism complicated. It has drawbacks such as:

そこで、フロンを凝縮法でなく、安価で連続的に高効率
に処理することができる方法が望まれるが、前記の熱分
解法や触媒法では高濃度のフロンを処理できるだけであ
って、しかも比較的低濃度までしか除去できず、効率が
悪く、性能が安定しないという欠点がある。
Therefore, a method that can process fluorocarbons continuously and efficiently at low cost instead of the condensation method is desired, but the thermal decomposition method and catalytic method described above can only treat high concentrations of fluorocarbons. It has the disadvantage that it can only remove up to a target low concentration, is inefficient, and has unstable performance.

このため、低濃度のフロンを処理することができて、し
かも極微量は除去できる処理方法を開発することが望ま
れている。
For this reason, it is desired to develop a treatment method that can treat low-concentration fluorocarbons and can also remove extremely small amounts.

本発明は、上記問題点を解決したものであって、種々の
濃度レベルのフロンを低濃度まで分解し、かつ長時間に
わたって安定に連続運転できるフロンの処理方法を提供
することを目的とするものである。
The present invention solves the above-mentioned problems, and aims to provide a method for treating fluorocarbons that can decompose fluorocarbons of various concentration levels to low concentrations and that can operate stably and continuously for a long period of time. It is.

(発明の構成) 本発明は、光照射されている光触媒上にフロン含有ガス
を通ずることによりフロンを分解処理する方法である。
(Structure of the Invention) The present invention is a method for decomposing fluorocarbons by passing a fluorocarbon-containing gas over a photocatalyst that is irradiated with light.

本発明においては、光触媒は光照射されることにより本
性化され、それがフロンに接触することによりフロンを
分解するものである。
In the present invention, the photocatalyst is converted into a natural substance by being irradiated with light, and decomposes the fluorocarbon when it comes into contact with the fluorocarbon.

したがって、光触媒は、光照射により励起され、分解作
用が促進されるものであれば何れでも良い。
Therefore, any photocatalyst may be used as long as it is excited by light irradiation and promotes the decomposition action.

通常半導体材料が効果的であり、容易に入手出来、加工
性も良いことからこれを用いるのが好ましい。
Generally, it is preferable to use semiconductor materials because they are effective, easily available, and have good processability.

効果や経済性の面から、≠Se、Ge、St、Ti、Z
n、Cu、、Al、Sn、Ga、In。
From the viewpoint of effectiveness and economy, ≠Se, Ge, St, Ti, Z
n, Cu, Al, Sn, Ga, In.

P、As、Sb、C,Cd、S、Te、Ni5Fe、C
o、、Ag、Mo、Sr、、W、Cr5Ba。
P, As, Sb, C, Cd, S, Te, Ni5Fe, C
o, ,Ag, Mo, Sr, ,W, Cr5Ba.

Pbのいずれか、又はこれらの化合物、又は合金が好ま
しく、これらは単独で、又は二種以上を複合して用いる
Any one of Pb, a compound, or an alloy thereof is preferable, and these are used alone or in combination of two or more types.

例えば、元素としては、S i、Ge、Se、化合物と
しては、AIP、A1As、GaP、1eSb、GaA
s、InP、GaSb、InSb。
For example, the elements include Si, Ge, and Se, and the compounds include AIP, A1As, GaP, 1eSb, and GaA.
s, InP, GaSb, InSb.

Cd5、CdSe、ZnS、MoS2、WTe、、Cr
2Te、 、MoTe、Cu、S、WSz 、酸化物と
してはTioz 、B izo:+ 、CuO1Cu。
Cd5, CdSe, ZnS, MoS2, WTe, Cr
2Te, , MoTe, Cu, S, WSz, oxides include Tioz, Bizo:+, CuO1Cu.

0、ZnO,、MOO:l、I no3、Ag、01P
bo、5rTiO,、BaTiO2、CO3O4、Fe
2O3、NiOがある。
0, ZnO,, MOO:l, I no3, Ag, 01P
bo, 5rTiO,, BaTiO2, CO3O4, Fe
There are 2O3 and NiO.

光触媒は、それのみで用いることができるが、フロンを
接触する部分にのみあればよいから他の担体に支持して
使用することができる。担体としてはTi板のような金
属部材やアルミナ、シリカ等のセラミックス、ガラス等
を用いることができる。光触媒を支持体に固定する方法
としては、焼結、蒸着、スパッタリング等の周知の方法
を適宜用いることができる。
The photocatalyst can be used by itself, but since it only needs to be present in the portion that contacts the fluorocarbon, it can be used supported by another carrier. As the carrier, metal members such as Ti plates, ceramics such as alumina and silica, glass, etc. can be used. As a method for fixing the photocatalyst to the support, known methods such as sintering, vapor deposition, and sputtering can be used as appropriate.

光触媒の形状は、フロン含有ガスが通過できるような構
造とすることが好ましく、装置の形式などにより格子状
、板状、粒状、プリーツ状、網目状等何れでも良い。担
体に担持して使用すれば特定の形状とすることが容易で
ある。
The shape of the photocatalyst is preferably such that a fluorocarbon-containing gas can pass therethrough, and it may be in the form of a lattice, a plate, a granule, a pleat, a mesh, etc. depending on the type of device. If it is supported on a carrier and used, it is easy to form it into a specific shape.

光照射は光触媒を励起するために用いられるから、光触
媒を十分励起する光を照射に用いることが必要であって
、普通の可視光線でも多少励起するが、紫外線が励起の
程度が大きいため使用するのに最も好ましい。紫外線は
、光触媒の種類により定まる光吸収領域の波長を放出す
るランプを選べば良い。光触媒が例えばTiO□の場合
は、光吸収が近紫外部にあるため近紫外部の波長の光を
放出するランプを使用する。
Since light irradiation is used to excite the photocatalyst, it is necessary to use light that can sufficiently excite the photocatalyst.Although ordinary visible light excites it to some extent, ultraviolet rays are used because the degree of excitation is large. most preferred. For ultraviolet rays, a lamp that emits wavelengths in the light absorption region determined by the type of photocatalyst may be selected. When the photocatalyst is TiO□, for example, the light absorption is in the near ultraviolet range, so a lamp that emits light with a wavelength in the near ultraviolet range is used.

光照射に使用する光源としては、水銀灯、水素放電管、
キセノン放電管、ライマン放電管などを適宜利用するこ
とができ、照射する光量が大きいものほど効率が良い。
Light sources used for light irradiation include mercury lamps, hydrogen discharge tubes,
A xenon discharge tube, a Lyman discharge tube, etc. can be used as appropriate, and the efficiency is higher as the amount of light emitted is larger.

光源の位置は光触媒反応器の内部に設置しても良いが、
別の側として該反応器の外側に設置し、紫外線を反射面
の利用により、あるいは照射密を通して光触媒に照射す
るようにしても良い。
The light source may be placed inside the photocatalytic reactor, but
The photocatalyst may be placed on the other side outside the reactor, and the photocatalyst may be irradiated with ultraviolet light using a reflective surface or through a dense irradiation.

フロン含有ガスとしては高濃度のフロンを含有するガス
も用いることができるが、数%程度の中程度の濃度のフ
ロンを含有するガスを良く処理することができ、本発明
により極めて低濃度のフロンが排出されるに過ぎない程
度に除去することができる。本発明によれば数%程度の
フロン含有ガスを処理して0. 1%以下のフロンしか
含まないガスとして排出することができる。高濃度のフ
ロンは操作性や効率から1〜数10%程度に希釈して処
理するのが好適である。
Although a gas containing a high concentration of fluorocarbons can be used as the fluorocarbon-containing gas, a gas containing a medium concentration of fluorocarbons of several percent can be well treated, and the present invention can be used to treat a gas containing fluorocarbons with an extremely low concentration. can be removed to the extent that it is only discharged. According to the present invention, a gas containing about several percent of fluorocarbons can be treated to 0. It can be emitted as a gas containing less than 1% CFC. In view of operability and efficiency, it is preferable to dilute fluorocarbons with a high concentration to about 1 to several 10% before treatment.

フロンの処理を行なう温度としては室温から350℃ま
での任意の温度を採用することができる。
Any temperature from room temperature to 350° C. can be adopted as the temperature at which the fluorocarbon treatment is performed.

また、本発明を実施するに当って、光触媒の周囲に電場
を形成して電場において処理すると、処理効果が一層増
進する。電場の形成方法は周知の方法を適宜用いること
ができる。最も便宜には、光触媒を金属板などの金属部
材の上に担持した場合には、その金属部材を一方の電極
とし、別に他方の電極を設ければ良い。
Further, in carrying out the present invention, if an electric field is formed around the photocatalyst and the treatment is performed in the electric field, the treatment effect will be further enhanced. A well-known method can be used as appropriate for forming the electric field. Most conveniently, when the photocatalyst is supported on a metal member such as a metal plate, the metal member may be used as one electrode and the other electrode may be provided separately.

電極の材料及び構造は、通常の電場形成の機器類に使用
さているもので良い。例えば電極材としては、ステンレ
ス、銅、タングステンが線状、網状、板状等の形状で適
宜用いられる。
The material and structure of the electrode may be those used in ordinary electric field generating equipment. For example, as the electrode material, stainless steel, copper, or tungsten is appropriately used in a linear, mesh, or plate shape.

これらの材料は、光照射やフロンによる劣化を考慮し、
空気中での加熱処理、薬品処理、金属薄膜の蒸着、Ti
0zなどの安定な半導体で表面コーティングなどを行い
、長期間にわたっての安定な材料とすることができる。
These materials are designed in consideration of deterioration caused by light irradiation and fluorocarbons.
Heat treatment in air, chemical treatment, metal thin film deposition, Ti
By coating the surface with a stable semiconductor such as 0z, it is possible to make the material stable over a long period of time.

電場として印加する電圧は50V〜30KV、好ましく
は0. 1〜20KVであり、該電圧は装置の形式、使
用する電極の材質、構造、或いは効率、経済性等に基き
適宜予備試験等で決めることができる。
The voltage applied as an electric field is 50V to 30KV, preferably 0. The voltage is 1 to 20 KV, and the voltage can be determined by preliminary tests as appropriate based on the type of device, the material and structure of the electrodes used, or efficiency and economical efficiency.

光触媒におけるフロンの分解、除去機能は、光触媒に電
場を形成することにより向上し、フロンは低濃度まで分
解、除去される。これは光触媒ラミ場におくことにより
光触媒表面がフロンに対して活性な作用を持つようにな
るため、光触媒によるフロンの分解性が顕著に向上する
ものと考えられる。フロンの処理において電場を用いる
か否かの選択はフロンの発生源の種類、規模、経済性、
効果等により適宜法めることができる。
The ability of the photocatalyst to decompose and remove fluorocarbons is improved by forming an electric field on the photocatalyst, and the fluorocarbons are decomposed and removed to a low concentration. This is thought to be because the photocatalyst surface becomes active against fluorocarbons by placing it in a photocatalytic laminated field, so that the decomposition of fluorocarbons by the photocatalyst is significantly improved. The choice of whether or not to use an electric field in fluorocarbon treatment depends on the type, scale, economics, and
Laws can be imposed as appropriate depending on the effect, etc.

また、本発明は別のフロン処理方法を組合せて行うと一
層の効果を向上させることができる。本発明と組合せる
ことができる別のフロン処理方法としては従来知られた
処理方法でよく、熱分解法、触媒法、捕集剤を用いる方
法などがある。この別のフロン処理方法としては高濃度
のフロンが比較的低濃度まで処理される方法であれば何
れでも良く、処理効果、コスト、操作的、装置規模等か
ら触媒法、熱分解法が好ましい。
Furthermore, the effects of the present invention can be further improved by combining other fluorocarbon treatment methods. Other fluorocarbon treatment methods that can be combined with the present invention include conventionally known treatment methods, such as thermal decomposition methods, catalytic methods, and methods using scavengers. As this other method for treating fluorocarbons, any method may be used as long as a high concentration of fluorocarbons can be reduced to a relatively low concentration, and catalytic methods and thermal decomposition methods are preferable from the viewpoint of treatment effect, cost, operational efficiency, equipment scale, etc.

フロンの処理方法として、本発明方法を単独で行なうか
、あるいは本発明方法以外の処理方法との併用で行なう
かは、フロンの発生源の種類、規模、共存成分、経済性
、操作性、効果等に基づいて適宜法めることができる。
Whether to use the method of the present invention alone or in combination with a treatment method other than the method of the present invention as a treatment method for fluorocarbons depends on the type, scale, coexisting components, economic efficiency, operability, and effectiveness of the fluorocarbon source. Laws can be enacted as appropriate based on the following.

つぎに図面に基づいて本発明を説明する。Next, the present invention will be explained based on the drawings.

第1図は、室温で電場において光照射されている光触媒
を用いてフロンを充填した機械から放出されるフロン含
有ガスを処理するための装置に適用する例を示すもので
ある。
FIG. 1 shows an example of application to an apparatus for treating fluorocarbon-containing gas emitted from a machine filled with fluorocarbons using a photocatalyst that is irradiated with light in an electric field at room temperature.

符号lは、フロンを充填した機械をスクラップした際に
排出されるフロンを含んだ空気の入口部である。中程度
の濃度のフロンは、電場を形成しかつ光照射された光触
媒反応器2中で分解処理され、低濃度(0,1%以下)
となり、出口3から排出される。
The symbol 1 is an inlet of air containing fluorocarbons that is discharged when a machine filled with fluorocarbons is scrapped. CFCs with a medium concentration are decomposed in the photocatalytic reactor 2 that forms an electric field and is irradiated with light, resulting in a low concentration (0.1% or less).
and is discharged from outlet 3.

光触媒反応器2は、光触媒材4(4−1〜4−6)、紫
外線ランプ5及び光触媒材表面に電場を形成するための
電極(第2図、後述)からなる。
The photocatalytic reactor 2 includes a photocatalytic material 4 (4-1 to 4-6), an ultraviolet lamp 5, and an electrode (FIG. 2, described later) for forming an electric field on the surface of the photocatalytic material.

光触媒材4は、紫外線ランプ5により紫外線の照射を受
けており、また電極により光触媒材の周囲には電場が形
成されている。
The photocatalytic material 4 is irradiated with ultraviolet light by the ultraviolet lamp 5, and an electric field is formed around the photocatalytic material by the electrodes.

第2図は、電場形成の一実施例を示す。光触媒材4は、
Ti板電極6上に固定さており、Ti仮電極6と他の電
極(タングステン)7との間に電圧を印加することによ
り電場が形成される。第2図において、8は入口ガス流
、9は出口ガス流を示す。
FIG. 2 shows an example of electric field formation. The photocatalytic material 4 is
It is fixed on a Ti plate electrode 6, and an electric field is created by applying a voltage between the temporary Ti electrode 6 and another electrode (tungsten) 7. In FIG. 2, 8 indicates an inlet gas flow, and 9 indicates an outlet gas flow.

次に、本発明方法によるフロンの処理と別の方法による
フロン処理とを組合せで行う場合を図面により説明する
Next, a case in which the treatment of fluorocarbons by the method of the present invention and the treatment of fluorocarbons by another method are performed in combination will be explained with reference to the drawings.

第3図において符号lOは、フロンを充填したa械をス
クラップする空間(図示されていない)から排出される
フロンの入口部であり、高濃度のフロンは、加熱された
触媒充填部11で比較的低濃度まで分解され、次いで電
場を形成した光触媒部12で分解処理され、低濃度(0
,1%以下)となり、出口13から排出される。
In FIG. 3, the symbol lO is the inlet of fluorocarbons discharged from a space (not shown) in which a machine filled with fluorocarbons is scrapped. The target is decomposed to a low concentration, and then decomposed in the photocatalyst section 12 in which an electric field is formed, resulting in a low concentration (0
, 1% or less) and is discharged from the outlet 13.

触媒充填部11は、触媒が充填された反応器である。触
媒としては、通常Mn0z、Co酸化物添加MnO2、
Fe01NiOなどの金属酸化物触媒、Ag、Pt、P
dなどの貴金属触媒を5i02やT−アルミナなどに担
持された触媒が用いられる。触媒充填部11におけるフ
ロン分解率は、で処理される。
The catalyst filling section 11 is a reactor filled with a catalyst. As a catalyst, usually MnOz, Co oxide-added MnO2,
Metal oxide catalysts such as Fe01NiO, Ag, Pt, P
A catalyst in which a noble metal catalyst such as d is supported on 5i02 or T-alumina is used. The fluorocarbon decomposition rate in the catalyst filling section 11 is processed as follows.

12は、電場を形成した光触媒反応器であり、該反応器
は、前述の第1図及び第2図で説明したのと同様である
。光触媒反応器12では、触媒充填部11で処理できな
いで排出されるフロン(数%程度の濃度)を電場におい
て光照射されている光触媒上に通ずることにより極低濃
度にまで分解、除去される。
12 is a photocatalytic reactor in which an electric field is formed, and this reactor is the same as that described in FIGS. 1 and 2 above. In the photocatalytic reactor 12, the fluorocarbons (concentration of several percent) discharged without being able to be treated by the catalyst filling unit 11 are passed over the photocatalyst that is irradiated with light in an electric field, thereby being decomposed and removed to an extremely low concentration.

(実施例) 以下、実施例により本発明を具体的に説明する。(Example) Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to Examples.

本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない
The present invention is not limited only to these examples.

から5%のフロンを含む空気を0.1n/minの流星
で流し、出口フロン濃度を測定した。結果を第1表に示
す。
Air containing 5% of fluorocarbons was flowed through with a meteor flow of 0.1 n/min, and the outlet fluorocarbon concentration was measured. The results are shown in Table 1.

フロン処理装置の条件 電場の形成:第2図に示すごとく光触媒Ti板(負極)
上に固定し、光触媒表面と タングステン電極(正極)を1.5 mm離して2.OKVを印加 フロン源 :ボンベ方式 紫外線ランプ:水銀灯 20W 装置の大きさ:50X100X200胴第1表 また、TiO2とC03O,光触媒材について約1ケ月
の連続運転した結果(出口フロン濃度)を第2表に示す
Conditions for fluorocarbon treatment equipment Formation of electric field: As shown in Figure 2, a photocatalytic Ti plate (negative electrode)
2. The photocatalyst surface and the tungsten electrode (positive electrode) were fixed at a distance of 1.5 mm. Apply OKV Freon source: Cylinder ultraviolet lamp: Mercury lamp 20W Equipment size: 50 x 100 x 200 cylinders Table 1 Table 2 also shows the results (outlet fluorocarbon concentrations) of TiO2, CO3O, and photocatalyst materials after continuous operation for about one month. show.

第2表 なお、比較例として、光触媒に電場をかけないで行なっ
た結果は、いずれの光触媒も出口フロン濃度は0.2〜
0.5%であった。
Table 2: As a comparative example, results were obtained without applying an electric field to the photocatalyst.
It was 0.5%.

実施例2 実施例1と同様にフロン発生源より50%のフロンを流
出させ、第3図に示す如き処理装置に0.31/min
で通過させ、同様に出口フロン濃度を測定した。結果を
第3表に示す。
Example 2 In the same manner as in Example 1, 50% of the fluorocarbons were discharged from the fluorocarbon source, and the fluorocarbons were fed into the treatment equipment as shown in Fig. 3 at 0.31/min.
The outlet fluorocarbon concentration was measured in the same manner. The results are shown in Table 3.

処理装置の条件 触  媒 :CO酸化物10重量%添加MnO。Processing equipment conditions Catalyst: MnO with 10% by weight of CO oxide added.

触媒温度 :150℃ 光触媒 :TiO□、Ag2O 紫外線ランプ:水銀灯 20W 装置大きさ: 80 (樅)xtoo (t!Ii)X
300mm第3表 また、TiO□とAg2O光触媒材について約1ケ月の
連続運転した結果(出口フロン濃度)第4表に示す。
Catalyst temperature: 150℃ Photocatalyst: TiO□, Ag2O Ultraviolet lamp: Mercury lamp 20W Equipment size: 80 (Fir)xtoo (t!Ii)X
300mm Table 3 Table 4 shows the results of continuous operation for about one month (outlet fluorocarbon concentration) for TiO□ and Ag2O photocatalyst materials.

第4表 (発明の効果) (1)本発明によれば、 1、フロンを高効率で長期間安定して処理することがで
きた。
Table 4 (Effects of the Invention) (1) According to the present invention: 1. Freon could be treated stably with high efficiency over a long period of time.

ii、排出フロン濃度をかなり低くすることができた。ii. The concentration of discharged fluorocarbons could be significantly lowered.

(2)本発明においては、光触媒又はその周囲に電場を
形成するようにすることにより、i、光触媒によるフロ
ン分解作用が顕著に向上した。
(2) In the present invention, by forming an electric field at or around the photocatalyst, i. the fluorocarbon decomposition effect by the photocatalyst was significantly improved.

ii、フロンを高効率で長期間安定して処理することが
できた。
ii. Freon could be treated stably with high efficiency over a long period of time.

iii、 FJF出フロン濃度を実質上無視出来る濃度
(極低濃度)まで減少することができた。
iii. The concentration of fluorocarbons emitted from FJF could be reduced to a virtually negligible concentration (extremely low concentration).

iv、連続使用、間欠使用のいずれの場合にも同様の効
果がある。
iv, continuous use, and intermittent use have similar effects.

(3)本発明においては、別のフロン処理方法と併用す
ることにより、 i、多種多様な発生源に対応することができた。
(3) In the present invention, by using in combination with another fluorocarbon treatment method, it was possible to: i. deal with a wide variety of sources;

11、両方法の特長(長所)を生かした実用的な方法と
することができた。
11. We were able to create a practical method that takes advantage of the features (advantages) of both methods.

iii 、高濃度のフロンについても対応することがで
きた。
iii. We were also able to deal with high concentrations of fluorocarbons.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明方法を説明するための光触媒反応器の
概略を示す図、第2図は電場を形成するための電極の一
例を示す図、第3図は本発明方法と別のフロン処理方法
とを組み合わせて行う場合を説明するための概略図であ
る。 4.4−1〜4−6・・・光触媒材、訃・・紫外線ラン
プ、6・・・Ti板電極、7・・・タングステン電極、
11・・・触媒充填部、12・・・光触媒反応器。 代理人弁理士(8107)佐々木 清除□  ′(ほか
3名)   ″ 第  1  図 第  3  口
Fig. 1 is a diagram showing an outline of a photocatalytic reactor for explaining the method of the present invention, Fig. 2 is a diagram showing an example of an electrode for forming an electric field, and Fig. 3 is a diagram showing an example of a photocatalytic reactor for explaining the method of the present invention. FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a case where processing methods are combined. 4.4-1 to 4-6... Photocatalyst material, UV lamp, 6... Ti plate electrode, 7... Tungsten electrode,
11... Catalyst filling part, 12... Photocatalyst reactor. Representative Patent Attorney (8107) Kiyoshi Sasaki ′ (and 3 others) ″ Figure 1, Part 3

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)光照射されている光触媒上にフロン含有ガスを通
ずることを特徴とするフロンの処理方法。
(1) A method for treating fluorocarbons, which comprises passing a fluorocarbon-containing gas over a photocatalyst that is irradiated with light.
(2)光触媒が半導体である特許請求の範囲第1項記載
のフロンの処理方法。
(2) The method for treating fluorocarbons according to claim 1, wherein the photocatalyst is a semiconductor.
(3)光触媒がSe、Ge、Si、Ti、Zn、Cu、
Sn、Al、Ga、In、P、As、Sb、C、Cd、
S、Te、Ni、Fe、 Co、Ag、Mo、Sr、W、Cr、Ba、Pbのいず
れか、又はその化合物、又は合金より選ばれた一種又は
二種以上の複合体よりなる特許請求の範囲第2項記載の
フロンの処理方法。
(3) Photocatalyst is Se, Ge, Si, Ti, Zn, Cu,
Sn, Al, Ga, In, P, As, Sb, C, Cd,
A patent claim consisting of a composite of one or more selected from S, Te, Ni, Fe, Co, Ag, Mo, Sr, W, Cr, Ba, Pb, or a compound or alloy thereof. A method for treating fluorocarbons as described in Scope 2.
(4)電場において処理する特許請求の範囲第1〜3項
いずれかの一項記載のフロンの処理方法。
(4) A method for treating fluorocarbons according to any one of claims 1 to 3, wherein the treatment is carried out in an electric field.
(5)電場の電圧が50V〜30KVの範囲内にある特
許請求の範囲第4項記載のフロンの処理方法。
(5) The method for treating fluorocarbons according to claim 4, wherein the voltage of the electric field is within the range of 50V to 30KV.
(6)室温ないし350℃の温度で処理する特許請求の
範囲第1〜5項のいずれか一項に記載のフロンの処理方
法。
(6) The method for treating fluorocarbons according to any one of claims 1 to 5, wherein the treatment is carried out at a temperature of room temperature to 350°C.
(7)別のフロンの処理方法と組合せて処理を行う特許
請求の範囲第1項記載のフロンの処理方法。
(7) The fluorocarbon treatment method according to claim 1, which is performed in combination with another fluorocarbon treatment method.
(8)別のフロンの処理方法として、熱分解法、触媒法
及びフロン捕集剤を用いる方法の内の少なくとも一種の
方法を用いる特許請求の範囲第7項記載のフロンの処理
方法。
(8) The method for treating fluorocarbons according to claim 7, which uses at least one of a thermal decomposition method, a catalytic method, and a method using a fluorocarbon scavenger as another method for treating fluorocarbons.
JP62297832A 1987-11-27 1987-11-27 Method for treating fluorocarbon Pending JPH01143630A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62297832A JPH01143630A (en) 1987-11-27 1987-11-27 Method for treating fluorocarbon

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62297832A JPH01143630A (en) 1987-11-27 1987-11-27 Method for treating fluorocarbon

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01143630A true JPH01143630A (en) 1989-06-06

Family

ID=17851730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62297832A Pending JPH01143630A (en) 1987-11-27 1987-11-27 Method for treating fluorocarbon

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01143630A (en)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01281142A (en) * 1988-04-28 1989-11-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Photodecomposition apparatus for halogenated acyclic hydrocarbon compound
JPH0286844A (en) * 1987-12-25 1990-03-27 Agency Of Ind Science & Technol Catalyst for disproportionation and decomposition reaction of chlorofluoromethane
JPH02107314A (en) * 1988-10-18 1990-04-19 Agency Of Ind Science & Technol Removal of volatile organic chloride
JPH0342015A (en) * 1989-07-07 1991-02-22 Masakatsu Hiraoka Decomposition treatment of fluorocarbon
JPH07108138A (en) * 1993-10-12 1995-04-25 Agency Of Ind Science & Technol Device for removing harmful gas
JPH07241351A (en) * 1994-03-03 1995-09-19 Agency Of Ind Science & Technol Treatment for making harmful organic substance harmless
EP0987048A1 (en) * 1998-09-16 2000-03-22 ENITECNOLOGIE S.p.a. Catalytic process for the decomposition of organic pollutants
US6074748A (en) * 1996-03-04 2000-06-13 Tao Inc. Molded product having photocatalytic function
JP2000202302A (en) * 1998-12-31 2000-07-25 Lg Electronics Inc Film type photocatalyst and its manufacture
EP1161979A1 (en) * 2000-06-08 2001-12-12 Jürgen Markert Method and device for the purification of exhaust air
JP2004358469A (en) * 2004-09-08 2004-12-24 Ebara Corp Method and apparatus for removing harmful gas
JP2008511435A (en) * 2004-09-03 2008-04-17 ジェン−エックス パワー コーポレイション Electrochemical device
CN106492782A (en) * 2016-10-26 2017-03-15 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 A kind of preparation method of high light catalysis activity Mo, Sb codoping titanium dioxide nano material

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0286844A (en) * 1987-12-25 1990-03-27 Agency Of Ind Science & Technol Catalyst for disproportionation and decomposition reaction of chlorofluoromethane
JPH0587296B2 (en) * 1987-12-25 1993-12-16 Kogyo Gijutsuin
JPH01281142A (en) * 1988-04-28 1989-11-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Photodecomposition apparatus for halogenated acyclic hydrocarbon compound
JPH02107314A (en) * 1988-10-18 1990-04-19 Agency Of Ind Science & Technol Removal of volatile organic chloride
JPH0611378B2 (en) * 1988-10-18 1994-02-16 工業技術院長 Method for removing volatile organic chlorine compounds
JPH0342015A (en) * 1989-07-07 1991-02-22 Masakatsu Hiraoka Decomposition treatment of fluorocarbon
JPH07108138A (en) * 1993-10-12 1995-04-25 Agency Of Ind Science & Technol Device for removing harmful gas
JPH07241351A (en) * 1994-03-03 1995-09-19 Agency Of Ind Science & Technol Treatment for making harmful organic substance harmless
US6074748A (en) * 1996-03-04 2000-06-13 Tao Inc. Molded product having photocatalytic function
EP0987048A1 (en) * 1998-09-16 2000-03-22 ENITECNOLOGIE S.p.a. Catalytic process for the decomposition of organic pollutants
JP2000202302A (en) * 1998-12-31 2000-07-25 Lg Electronics Inc Film type photocatalyst and its manufacture
EP1161979A1 (en) * 2000-06-08 2001-12-12 Jürgen Markert Method and device for the purification of exhaust air
JP2008511435A (en) * 2004-09-03 2008-04-17 ジェン−エックス パワー コーポレイション Electrochemical device
JP2004358469A (en) * 2004-09-08 2004-12-24 Ebara Corp Method and apparatus for removing harmful gas
CN106492782A (en) * 2016-10-26 2017-03-15 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 A kind of preparation method of high light catalysis activity Mo, Sb codoping titanium dioxide nano material

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3887499B2 (en) Method for forming photocatalyst
JPH01143630A (en) Method for treating fluorocarbon
KR100434940B1 (en) Catalyst Reactor Activated for Treating Hazardous Gas with Nonthermal Plasma and Dielectric Heating and Method Treating thereof
US6589489B2 (en) Air purifier
US4954320A (en) Reactive bed plasma air purification
EP0769322B1 (en) Method of cleaning gases with a photocatalyst
CN105864908A (en) Multistage plasma air purifier
JP2006320827A (en) Gas treatment apparatus
AU759432C (en) Air purification device
KR100543529B1 (en) Air filtration system and method of the same
US6395144B1 (en) Method for treating toxic compounds-containing gas by non-thermal plasma
JP4214221B2 (en) Method for removing nitrogen oxides by photoreaction
JP3513463B2 (en) Harmful component decomposition device and exhaust gas purification device using the same
JP3888806B2 (en) Photoelectron emitting material and negative ion generator using the same
WO2001048813A1 (en) Method and device for preventing oxidation on substrate surface
JP2005254154A (en) Visible light-responsive complex oxide type photocatalyst and toxic compound decomposing and removing method using the same
JPS63305922A (en) Method for treating waste ozone
JP2006043550A (en) Air cleaner
JP2000126613A (en) Production of photocatalyst
JP2863419B2 (en) Method and apparatus for preventing contamination of substrate or substrate surface
JP3564563B2 (en) Exhaust gas purification equipment
KR101574675B1 (en) VOCs-Treating Apparatus Using Low Temperature Catalyst
JP2001009017A (en) Air cleaning device
JP2003001066A (en) Reaction vessel with photocatalyst
JP3460465B2 (en) Gas cleaning method and equipment