JPH01143341A - 超伝導接続体装置およびその製造方法 - Google Patents
超伝導接続体装置およびその製造方法Info
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- JPH01143341A JPH01143341A JP62302247A JP30224787A JPH01143341A JP H01143341 A JPH01143341 A JP H01143341A JP 62302247 A JP62302247 A JP 62302247A JP 30224787 A JP30224787 A JP 30224787A JP H01143341 A JPH01143341 A JP H01143341A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、超伝導体等を用いた超伝導接続体装置に関す
るもので、特に化合物等の超伝導体薄膜を組入れた超伝
導接続体装置の構造ならびにその製造方法に係るもので
ある。
るもので、特に化合物等の超伝導体薄膜を組入れた超伝
導接続体装置の構造ならびにその製造方法に係るもので
ある。
従来の技術
従来、比較的高温の臨界転移温度を有する超伝導体とし
て、窒化ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオブ（Ｎｂ
３Ｇｅ）などが知られていたが、これらの素材の超伝導
転移温度はたかだか２４°にであった。さらに高い転移
温度が期待されるものとして、ペロブスカイト系３元化
合物のＢａ−Ｌａ−Ｃｕ−０系などが提案されていた。
て、窒化ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオブ（Ｎｂ
３Ｇｅ）などが知られていたが、これらの素材の超伝導
転移温度はたかだか２４°にであった。さらに高い転移
温度が期待されるものとして、ペロブスカイト系３元化
合物のＢａ−Ｌａ−Ｃｕ−０系などが提案されていた。
しかしながら、最近の研究によれば、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系の材料が液体窒素温度を越える可能性が示唆され（
Ｍ、に、Ｗｕ 等、フィジカル レビュー レターズ
（Ｐｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ
） Ｖｏｌ、 ５８、Ｎｏ、 ９、ＰＰ、 ９０８−９
１０（１９８７）） 、現実に、９００に以上の転移温
度を有する超伝導化合物が報告されてきている。
０系の材料が液体窒素温度を越える可能性が示唆され（
Ｍ、に、Ｗｕ 等、フィジカル レビュー レターズ
（Ｐｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ
） Ｖｏｌ、 ５８、Ｎｏ、 ９、ＰＰ、 ９０８−９
１０（１９８７）） 、現実に、９００に以上の転移温
度を有する超伝導化合物が報告されてきている。
発明が解決しようとする問題点
単結晶性の超伝導薄膜は、多結晶性の超伝導薄膜に比べ
て、その配線等の臨界電流密度が大きく取れること、さ
らに、配線等の受動素子ではなく能動素子の活性領域と
しても使用され、その実用化が急がれていた。Ｙ−Ｂａ
−Ｃｕ−０系の化合物の薄膜は、焼結法あるいはスパッ
タリング法で形成しても、超伝導性を示すセラミックの
粉体、塊状体などが比較的得られやすいが、臨界電流の
大きい結晶軸のそろった単結晶性の強い薄膜が得られに
くかった。しかしながら、本発明者等の知りえたところ
では、スパッタリング法においても、結晶を堆積させる
基体として、高温に加熱されたサファイア（α−ＡＩ２
０３）、酸化マグネシウム、スピネル、シリコン、ガリ
ウムひ素等の単結晶を用いることが、単結晶性の良い超
伝導薄膜を形成するために、非常に有効であることを見
いだした。
て、その配線等の臨界電流密度が大きく取れること、さ
らに、配線等の受動素子ではなく能動素子の活性領域と
しても使用され、その実用化が急がれていた。Ｙ−Ｂａ
−Ｃｕ−０系の化合物の薄膜は、焼結法あるいはスパッ
タリング法で形成しても、超伝導性を示すセラミックの
粉体、塊状体などが比較的得られやすいが、臨界電流の
大きい結晶軸のそろった単結晶性の強い薄膜が得られに
くかった。しかしながら、本発明者等の知りえたところ
では、スパッタリング法においても、結晶を堆積させる
基体として、高温に加熱されたサファイア（α−ＡＩ２
０３）、酸化マグネシウム、スピネル、シリコン、ガリ
ウムひ素等の単結晶を用いることが、単結晶性の良い超
伝導薄膜を形成するために、非常に有効であることを見
いだした。
さらに、このように形成された薄膜は基体の平面に対し
て、その結晶のＣ軸が垂直に立ちやすく、しかも、この
平面方向（Ｃ軸に垂直な方向）に流れる超伝導電流のキ
ャリア密度が、Ｃ軸に沿った方向（Ｃ軸に平行な方向）
に流れる超伝導電流のキャリア密度よりも数倍大きいこ
とが見いだされた。すなわち、Ｃ軸に垂直な方向に超伝
導電流を流しやすく、Ｃ軸に平行な方向には、超伝導電
流を取り出しにくかった。さらには、超伝導のコヒーレ
ンス長もＣ軸に垂直な方向には、数十ナノ・メータ、Ｃ
軸に平行な方向には、数ナノ・メータ程度で、同じく、
数倍の差があることが知られた。
て、その結晶のＣ軸が垂直に立ちやすく、しかも、この
平面方向（Ｃ軸に垂直な方向）に流れる超伝導電流のキ
ャリア密度が、Ｃ軸に沿った方向（Ｃ軸に平行な方向）
に流れる超伝導電流のキャリア密度よりも数倍大きいこ
とが見いだされた。すなわち、Ｃ軸に垂直な方向に超伝
導電流を流しやすく、Ｃ軸に平行な方向には、超伝導電
流を取り出しにくかった。さらには、超伝導のコヒーレ
ンス長もＣ軸に垂直な方向には、数十ナノ・メータ、Ｃ
軸に平行な方向には、数ナノ・メータ程度で、同じく、
数倍の差があることが知られた。
このように、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系等の化合物の薄膜超
伝導体を、例えば、集積回路超伝導接続体装置の配線等
の用途に用いたとき、基体の水平面方向に流れやすい超
伝導電流の異方性がみられやすく、平面に垂直な方向に
電流を取り出しにくいという問題が有った。
伝導体を、例えば、集積回路超伝導接続体装置の配線等
の用途に用いたとき、基体の水平面方向に流れやすい超
伝導電流の異方性がみられやすく、平面に垂直な方向に
電流を取り出しにくいという問題が有った。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、基体上に形成さ
れ、基体に平行な平面方向に流れやすい導電性の異方性
がみちれる第１のリボン状薄膜と、前記第１のリボン状
薄膜の表面から形成された溝部と、前記溝部に接続して
形成された、導電性の異方性がみられない等方性の第２
のリボン状薄膜とから構成され、第１のリボン状薄膜の
溝部の側面から第２のリボン状薄膜へ電流を取り出すこ
とを特徴とする超伝導接続体装置と、基体上に、基体に
対して平行な平面方向に流れやすい導電性の異方性がみ
られる第１のリボン状薄膜を形成する工程と、前記第１
のリボン状薄膜の表面がら溝部を形成する工程と、前記
溝部に接続した、導電性の異方性がみられない等方性の
第２のリボン状薄膜を形成する工程とからなり、第１の
リボン状薄膜の溝部の側面から第２のリボン状薄膜へ電
流を取り出すことを特徴とする超伝導接続体装置の製造
方法を提供する。
れ、基体に平行な平面方向に流れやすい導電性の異方性
がみちれる第１のリボン状薄膜と、前記第１のリボン状
薄膜の表面から形成された溝部と、前記溝部に接続して
形成された、導電性の異方性がみられない等方性の第２
のリボン状薄膜とから構成され、第１のリボン状薄膜の
溝部の側面から第２のリボン状薄膜へ電流を取り出すこ
とを特徴とする超伝導接続体装置と、基体上に、基体に
対して平行な平面方向に流れやすい導電性の異方性がみ
られる第１のリボン状薄膜を形成する工程と、前記第１
のリボン状薄膜の表面がら溝部を形成する工程と、前記
溝部に接続した、導電性の異方性がみられない等方性の
第２のリボン状薄膜を形成する工程とからなり、第１の
リボン状薄膜の溝部の側面から第２のリボン状薄膜へ電
流を取り出すことを特徴とする超伝導接続体装置の製造
方法を提供する。
作用
本発明の方法により、例えば、基体に平行な平面方向に
流れやすい導電性の異方性がみられるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系の材料のリボン状薄膜において、この異方性のリボ
ン状薄膜の表面から溝部を形成することにより、この溝
部の側面から、基体に平行な平面方向に流れる電流を取
り出すことが容易になる。したがって、この溝部の側面
に接して異方性のないリボン状薄膜の導電膜を形成すれ
は良いことになる。この時、これら２つのリボン状薄膜
が超伝導性を示せば、電気抵抗のない多層配線が実現で
きる。また、溝部の幅がリボン状薄膜の他の部分の幅に
比べて大きくなっている場合、電流引出し領域の断面積
を大きく取ることができるので、電流密度の大きい幅の
狭い配線部分から電流密度の低い異方性のない薄膜への
接続が可能となる。この点から考えても、溝部の幅がリ
ボン状薄膜の他の配線部分の幅に比べて大きくすること
が好ましい。さらに、溝部の側面から最大限に電流を取
り出すためには、異方性のリボン状薄膜の底面まで溝部
をエツチングして側面の面積を最大にしておくことが好
ましい。一方、異方性の薄膜の平面に対して垂直な方向
の薄膜のコヒーレンス長が、薄膜の厚みに対して比較的
大きい場合、必ずしも、薄膜の底面に達するまで溝部を
エツチングする必要はない。すなわち、溝部の下に、コ
ヒーレンス長程度あるいはそれ以下の薄膜が残っていて
も溝部の底部から超伝導電流を取り出すことが可能なた
めである。
流れやすい導電性の異方性がみられるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系の材料のリボン状薄膜において、この異方性のリボ
ン状薄膜の表面から溝部を形成することにより、この溝
部の側面から、基体に平行な平面方向に流れる電流を取
り出すことが容易になる。したがって、この溝部の側面
に接して異方性のないリボン状薄膜の導電膜を形成すれ
は良いことになる。この時、これら２つのリボン状薄膜
が超伝導性を示せば、電気抵抗のない多層配線が実現で
きる。また、溝部の幅がリボン状薄膜の他の部分の幅に
比べて大きくなっている場合、電流引出し領域の断面積
を大きく取ることができるので、電流密度の大きい幅の
狭い配線部分から電流密度の低い異方性のない薄膜への
接続が可能となる。この点から考えても、溝部の幅がリ
ボン状薄膜の他の配線部分の幅に比べて大きくすること
が好ましい。さらに、溝部の側面から最大限に電流を取
り出すためには、異方性のリボン状薄膜の底面まで溝部
をエツチングして側面の面積を最大にしておくことが好
ましい。一方、異方性の薄膜の平面に対して垂直な方向
の薄膜のコヒーレンス長が、薄膜の厚みに対して比較的
大きい場合、必ずしも、薄膜の底面に達するまで溝部を
エツチングする必要はない。すなわち、溝部の下に、コ
ヒーレンス長程度あるいはそれ以下の薄膜が残っていて
も溝部の底部から超伝導電流を取り出すことが可能なた
めである。
実施例
以下、本発明の方式による超伝導配線を用いた超伝導接
続体装置の構造を、第１の実施例として、第１図を参照
して詳細に説明する。
続体装置の構造を、第１の実施例として、第１図を参照
して詳細に説明する。
結晶性のサファイア（α−Ａ１２ｏ３）の基体１００上
に、７００−１００００ｃの基体温度で形成されたＣ軸
がほぼ基体の平面に垂直な方向に配列されたＹ−Ｂａ−
Ｃｕ−ｏ系結晶の厚さ約１０００ナノ・メータのリボン
状の超伝導性の第１の薄膜配線１１０と、この薄膜の表
面を被覆するシリコン酸化膜１２０の表面から開口され
た溝部１４０Ａ、１４０Ｂと、この溝部１４０に接続さ
れた多結晶状（基体温度２００−５０００Ｃで形成）の
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系結晶の厚さ約１５００ナノ・メー
タの第２の超伝導薄膜配線１６０Ａ、１６０Ｂが形成さ
れている。ここで、薄膜配線１１０に垂直な方向のコヒ
ーレンス長以下の厚みの部分が、溝部１４０Ａ、１４０
Ｂの低部に残されていてもよい。ここに、超伝導配線１
６０Ｃは、超伝導配線１１０上を通過する配線である。
に、７００−１００００ｃの基体温度で形成されたＣ軸
がほぼ基体の平面に垂直な方向に配列されたＹ−Ｂａ−
Ｃｕ−ｏ系結晶の厚さ約１０００ナノ・メータのリボン
状の超伝導性の第１の薄膜配線１１０と、この薄膜の表
面を被覆するシリコン酸化膜１２０の表面から開口され
た溝部１４０Ａ、１４０Ｂと、この溝部１４０に接続さ
れた多結晶状（基体温度２００−５０００Ｃで形成）の
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系結晶の厚さ約１５００ナノ・メー
タの第２の超伝導薄膜配線１６０Ａ、１６０Ｂが形成さ
れている。ここで、薄膜配線１１０に垂直な方向のコヒ
ーレンス長以下の厚みの部分が、溝部１４０Ａ、１４０
Ｂの低部に残されていてもよい。ここに、超伝導配線１
６０Ｃは、超伝導配線１１０上を通過する配線である。
本発明の構造によれば、等方向に電流を流せる配線１６
０Ａから流れ込んだ電流は、異方性の超伝導配線１１０
に形成された溝部１４０Ａの側面１５０Ａから一様に流
れ込み、溝部１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１６０Ｂ
に、良好に、取り出された。もし、この様な配置におい
て配線１６０Ｃの下の酸化膜１２０に開口を設け、配線
１１０に溝部を形成せずに、配線１１０と配線１６０Ｃ
とを接続したとしても、配線１６０Ａから流れ込んだ電
流は、配線１６０Ｃには流れ込まずに、大部分の電流が
溝部１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１６０Ｂに取り出
される。
０Ａから流れ込んだ電流は、異方性の超伝導配線１１０
に形成された溝部１４０Ａの側面１５０Ａから一様に流
れ込み、溝部１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１６０Ｂ
に、良好に、取り出された。もし、この様な配置におい
て配線１６０Ｃの下の酸化膜１２０に開口を設け、配線
１１０に溝部を形成せずに、配線１１０と配線１６０Ｃ
とを接続したとしても、配線１６０Ａから流れ込んだ電
流は、配線１６０Ｃには流れ込まずに、大部分の電流が
溝部１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１６０Ｂに取り出
される。
本発明の方式による超伝導配線を用いた超伝導＝８−
接続体装置の構造を、第２の実施例として、第２図を参
照して詳細に説明する。
照して詳細に説明する。
第２図の上面図に示されているように、第１図の第１の
実施例とばば同じ構成であるが、配線１１０に形成され
た溝部の幅が広く従って側面１５０Ａ、１５０Ｂが、大
きくなっている。この大きな側面の溝部により、次のよ
うな効果が得られた。
実施例とばば同じ構成であるが、配線１１０に形成され
た溝部の幅が広く従って側面１５０Ａ、１５０Ｂが、大
きくなっている。この大きな側面の溝部により、次のよ
うな効果が得られた。
幅の狭い配線部分から断面積の大きい溝部へは、配線部
分の電導性の異方性によって損なわれることなく電流が
流れるので、電流密度の大きい薄膜部から電流密度の低
い異方性のない薄膜への大電流の接続が可能となる。
分の電導性の異方性によって損なわれることなく電流が
流れるので、電流密度の大きい薄膜部から電流密度の低
い異方性のない薄膜への大電流の接続が可能となる。
本発明の方式による超伝導配線を用いた超伝導接続体装
置の製造方法を、第３の実施例として、第３図（ａ）〜
（Ｃ）を参照して詳細に説明する。
置の製造方法を、第３の実施例として、第３図（ａ）〜
（Ｃ）を参照して詳細に説明する。
第３図（ａ＞のごとく、結晶性のサファイア（α−Ａ１
２０３）の基体１００上に、７００−１０００°Ｃの基
体温度で、Ｃ軸がほぼ基体の平面に垂直な方向に配列さ
れるようにＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系結晶の厚さ約１０００
ナノ・メータのリボン状の超伝導性の薄膜を形成し、通
常のホトエツチング工程とアルゴン等を用いた物理的エ
ツチングにより、リボン状の配線１１０を形成し、さら
に、全面に、シリコン酸化膜等の絶縁膜１２０を形成し
た。
２０３）の基体１００上に、７００−１０００°Ｃの基
体温度で、Ｃ軸がほぼ基体の平面に垂直な方向に配列さ
れるようにＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系結晶の厚さ約１０００
ナノ・メータのリボン状の超伝導性の薄膜を形成し、通
常のホトエツチング工程とアルゴン等を用いた物理的エ
ツチングにより、リボン状の配線１１０を形成し、さら
に、全面に、シリコン酸化膜等の絶縁膜１２０を形成し
た。
第３図（ｂ）のごとく、通常のホトエツチング工程とア
ルゴン等を用いた物理的エツチングにより、深さ約８０
０ナノ・メータのほぼ垂直な側面を有する溝部１４ＯＡ
、１４０Ｂを形成し、全面に、多結晶状（基体温度２０
０−５００６Ｃで形成）のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−○系結晶の
厚さ約１５００ナノ・メータ超伝導薄膜１６０を堆積さ
せ、さらに、通常のホトエツチング工程により、レジス
ト・パターン１８０Ａ、１８０Ｂ、１８０Ｃを形成した
。
ルゴン等を用いた物理的エツチングにより、深さ約８０
０ナノ・メータのほぼ垂直な側面を有する溝部１４ＯＡ
、１４０Ｂを形成し、全面に、多結晶状（基体温度２０
０−５００６Ｃで形成）のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−○系結晶の
厚さ約１５００ナノ・メータ超伝導薄膜１６０を堆積さ
せ、さらに、通常のホトエツチング工程により、レジス
ト・パターン１８０Ａ、１８０Ｂ、１８０Ｃを形成した
。
第３図（Ｃ）のごとく、レジスト・パターン１８０Ａ、
１８０Ｂ、１８０Ｃをマスクとして、超伝導薄膜１６０
をアルゴン等を用いた物理的エツチングにより、リボン
状の超伝導配線１６０Ａ。
１８０Ｂ、１８０Ｃをマスクとして、超伝導薄膜１６０
をアルゴン等を用いた物理的エツチングにより、リボン
状の超伝導配線１６０Ａ。
１６０Ｂ、１６０Ｃを形成し、レジスト１８０Ａ等を除
去した。ここに、超伝導配線１６０Ｃは、超伝導配線１
１０上を通過する配線である。
去した。ここに、超伝導配線１６０Ｃは、超伝導配線１
１０上を通過する配線である。
以上のように、本発明の製造方法によれば、等方的に電
流を流せる配線１６０Ａから流れ込んだ電流は、配線１
１０に形成された溝部１４０Ａの側面から一様に流れ込
み、溝部１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１６０Ｂに、
良好に、取り出された。なお、基体１００としてはシリ
コン半導体結晶等化のものでもよい。
流を流せる配線１６０Ａから流れ込んだ電流は、配線１
１０に形成された溝部１４０Ａの側面から一様に流れ込
み、溝部１４０Ｂの側面１５０Ｂから配線１６０Ｂに、
良好に、取り出された。なお、基体１００としてはシリ
コン半導体結晶等化のものでもよい。
発明の効果
本発明による構造と製造方法によれば、特に、電流の異
方性のある超伝導体薄膜どうしを良好に接続しながら配
線、素子等を形成し、集積化された超伝導接続体装置の
提供が可能となった。
方性のある超伝導体薄膜どうしを良好に接続しながら配
線、素子等を形成し、集積化された超伝導接続体装置の
提供が可能となった。
第１図は本発明による装置の第１の実施例を示す断面図
、第２図は本発明による装置の第２の実施例を示す要部
平面図、第３図（ａ）〜（ｃ）は本発明による製造方法
の実施例を示す一連の工程断面図である。 １００・・・基体、１１０．２００・・・異方性超伝導
膜、１２０、２２０・・絶縁膜、１４０・・・溝部、１
５０・・・溝部の側面、１６０・・・等方性超伝導膜、
１８０・・・レジスト。
、第２図は本発明による装置の第２の実施例を示す要部
平面図、第３図（ａ）〜（ｃ）は本発明による製造方法
の実施例を示す一連の工程断面図である。 １００・・・基体、１１０．２００・・・異方性超伝導
膜、１２０、２２０・・絶縁膜、１４０・・・溝部、１
５０・・・溝部の側面、１６０・・・等方性超伝導膜、
１８０・・・レジスト。
Claims (7)
- （１）基体上に形成され、基体に平行な平面方向に流れ
やすい導電性の異方性がみられる第１のリボン状薄膜と
、前記第１のリボン状薄膜の表面から形成された溝部と
、前記溝部に接続して形成された、導電性の異方性がみ
られない等方性の第２のリボン状薄膜とから構成され、
第１のリボン状薄膜の溝部の側面から第２のリボン状薄
膜へ電流を取り出すことを特徴とする超伝導接続体装置
。 - （２）第１のリボン状薄膜の溝部の幅が前記第１のリボ
ン状薄膜の他の部分の幅に比べて大きくなっていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の超伝導接続体
装置。 - （３）溝部の電流の流れに垂直な側面が第１のリボン状
薄膜を、少なくとも、横断していることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項いずれか記載の超伝導
接続体装置。 - （４）溝部の底面が第１のリボン状薄膜を、少なくとも
、突き抜けていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項または第２項いずれか記載の超伝導接続体装置。 - （５）溝部の側面と第１のリボン状薄膜の端部との間に
残された薄膜の厚み、および溝部の底面と第１のリボン
状薄膜の底部との間に残された薄膜の厚みが、少なくと
も、基体に垂直な方向のコヒーレンス長と同程度以下で
あることをを特徴とする特許請求の範囲第３項または第
４項記載の超伝導接続体装置。 - （６）基体上に、基体に対して平行な平面方向に流れや
すい導電性の異方性がみられる第１のリボン状薄膜を形
成する工程と、前記第１のリボン状薄膜の表面から溝部
を形成する工程と、前記溝部に接続した、導電性の異方
性がみられない等方性の第２のリボン状薄膜を形成する
工程とからなり、第１のリボン状薄膜の溝部の側面から
第２のリボン状薄膜へ電流を取り出すことを特徴とする
超伝導接続体装置の製造方法。 - （７）リボン状薄膜が超伝導膜であることを特徴とする
特許請求の範囲第６項記載の超伝導接続体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62302247A JPH01143341A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 超伝導接続体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62302247A JPH01143341A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 超伝導接続体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143341A true JPH01143341A (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=17906720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62302247A Pending JPH01143341A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 超伝導接続体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01143341A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744638A (en) * | 1992-01-11 | 1998-04-28 | Riedel-De Haen Aktiengesellschaft | Process for the preparation of haloanthranilic acids |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP62302247A patent/JPH01143341A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5744638A (en) * | 1992-01-11 | 1998-04-28 | Riedel-De Haen Aktiengesellschaft | Process for the preparation of haloanthranilic acids |
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