JPH01134461A - Electrophotographic sensitive body and manufacture of same - Google Patents

Electrophotographic sensitive body and manufacture of same

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JPH01134461A
JPH01134461A JP29442687A JP29442687A JPH01134461A JP H01134461 A JPH01134461 A JP H01134461A JP 29442687 A JP29442687 A JP 29442687A JP 29442687 A JP29442687 A JP 29442687A JP H01134461 A JPH01134461 A JP H01134461A
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JP
Japan
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charge transport
transport layer
electrophotographic photoreceptor
layer
group vib
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Application number
JP29442687A
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Japanese (ja)
Inventor
Akio Takimoto
昭雄 滝本
Eiichiro Tanaka
栄一郎 田中
Koji Akiyama
浩二 秋山
Masanori Watanabe
正則 渡辺
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Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/07Polymeric photoconductive materials

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Abstract

PURPOSE:To obtain a superior electrophotographic sensitive body having electrophotographic characteristics of high sensitivity by forming an electric charge transfer layer made of a straight chain polymer and regulating its kinetic viscoelasticity to a specified value or less at a temperature of its glass transition point or lower. CONSTITUTION:The charge transfer layer 2 formed on a substrate 1 is made of the straight chain polymer having p-phenylene units substituted by at least one of atoms. of S, Se, and Te of group VIb at the para position, and having a kinetic viscoelasticity of <=1.0X10<1theta>dyne/cm<2> at a temperature of 200 deg.C of the glass transition point of said polymer or lower, and a photoconductive layer 3 having a free surface 4, and formed on the layer 2 contains an organic semiconductor, thus permitting sensitivity to be enhanced and residual potential to be lowered.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真方式の複写機、光プリンタ等に用い
られる電子写真感光体に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an electrophotographic photoreceptor used in electrophotographic copying machines, optical printers, and the like.

従来の技術 電子写真感光体において、光励起によるキャリア生成と
、キャリア輸送を別々の材料で構成する機能分離型電子
写真感光体が広く用いられている。
2. Description of the Related Art Among electrophotographic photoreceptors, functionally separated electrophotographic photoreceptors are widely used in which carrier generation by photoexcitation and carrier transport are made of different materials.

この様に機能によって材料を選ぶことによって高感度な
電子写真特性を持つ優れた感光体を提供している。また
機械的強度、熱的安定性、耐刷性、耐環境性、製造コス
トといった様ざまな面に渡って幅広い材料の中から最適
の組合せが検討されてきた。このような材料の組合せの
代表例として、無定型セレンとポリビニルカルバゾール
、スクエアリック酸メチルとトリアリール(ラブリン1
.ダイアンブルーとオキサジアゾール、ペリレン顔料と
オキサジアゾール、ビスアゾ顔料とメチリアアンスラセ
ン 等がある。
By selecting materials according to their functions in this way, we can provide excellent photoreceptors with highly sensitive electrophotographic properties. In addition, the optimal combination of materials has been studied from a wide variety of aspects, including mechanical strength, thermal stability, printing durability, environmental resistance, and manufacturing cost. Typical examples of such material combinations include amorphous selenium and polyvinylcarbazole, methyl squarate and triaryl (Labrin 1
.. Examples include Diane blue and oxadiazole, perylene pigment and oxadiazole, bisazo pigment and methylanthracene, etc.

また非晶質層を利用するものとして 特開昭54−14
3645号公報には有機半導体材料を用いた機能分離型
の感光体が、また特開昭56−24355号公報には無
機半導体材料を用いた機能分離型感光体が提案されてい
る。また我々は、電荷輸送層として非晶質カーボンを主
成分とする層を用い、電荷発生層を非晶質シリコンで構
成する機能分離型感光体を提案している。
Also, as a device that utilizes an amorphous layer, JP-A-54-14
No. 3645 proposes a functionally separated photoreceptor using an organic semiconductor material, and Japanese Patent Application Laid-open No. 56-24355 proposes a functionally separated photoreceptor using an inorganic semiconductor material. Furthermore, we have proposed a functionally separated photoreceptor in which the charge transport layer is made of amorphous carbon and the charge generation layer is made of amorphous silicon.

この坪1な材料の中で電荷輸送層としてPPS (ポリ
ーP−フェニレンスルフィド)が高い正孔移動度を竺つ
ツ熱性に優れた材料として提案されている。(特開昭6
0−59353号公報)しかし、通V P P Sは、
高抵抗であり何等かの方法で移動度を向上させる工夫が
必要である。
Among these flat materials, PPS (poly P-phenylene sulfide) has been proposed as a material that exhibits high hole mobility and excellent thermal properties for the charge transport layer. (Unexamined Japanese Patent Publication No. 6
(No. 0-59353) However, the general V P P S,
Since it has high resistance, it is necessary to find some way to improve its mobility.

発明が解決しようとする問題点 機能分離型電子写真感光体において、より高感度の実現
するには、より小さな誘電率を持ち、より大きな移動度
を有する電荷輸送層と、高い電荷発生能力を持つ電荷発
生層の鞘合せが望ましい。
Problems to be Solved by the Invention In order to achieve higher sensitivity in a function-separated electrophotographic photoreceptor, a charge transport layer with a smaller dielectric constant and greater mobility and a high charge generation ability are required. A sheathing of the charge generating layer is desirable.

しかしそれぞれ要求される所の条件を満足しても両者の
間のキャリア注入が効率良く行われなければならない。
However, even if the respective requirements are satisfied, carrier injection between the two must be performed efficiently.

また電子写真プロセスに於て要求される電荷受容能力、
耐摩耗性、耐環境性、等に+゛分満足するものでなけれ
ばならない。
In addition, the charge acceptance ability required in the electrophotographic process,
It must be more than satisfactory in terms of wear resistance, environmental resistance, etc.

PPSは耐熱性、機械的強度に優れ、高い電気抵抗を有
する絶縁体として知られ、プラスチック剤、封止用材料
として活用されている。一方導電性材料止しても注目さ
れており、電子受容性材料を添加することで著しく導電
性が向上することはよく知られている。この時移動度も
共に向上し電子写真感光体の電荷輸送層への応用が期待
されたが、キャリア濃度の増加によって電気抵抗が低下
するために、要求されるだけの電荷受容能力を持たず改
良が望まれた。
PPS is known as an insulator with excellent heat resistance, mechanical strength, and high electrical resistance, and is used as a plastic agent and a sealing material. On the other hand, the use of conductive materials is also attracting attention, and it is well known that conductivity can be significantly improved by adding electron-accepting materials. At this time, the mobility also improved and it was expected that it could be applied to the charge transport layer of electrophotographic photoreceptors, but as the electrical resistance decreased due to the increase in carrier concentration, it did not have the required charge-accepting ability and was not improved. was desired.

特開昭60−59353号公報においては、PPSの真
空蒸着法によって薄膜化と輸送層形成を述べているが、
一般にこの状態では移動度は小さく、感度、残留電位共
に悪い。
JP-A No. 60-59353 describes the thinning and formation of a transport layer by the vacuum evaporation method of PPS.
Generally, in this state, mobility is low, and both sensitivity and residual potential are poor.

また電荷発生層として電荷発生能の高いことは、言うに
及ばず電荷輸送層へのキャリアの注入効率も良くなけれ
ばならない。更にその形成方法が安価におこなわれるこ
とが望ましい。
In addition to having a high charge generation ability as a charge generation layer, it must also have good carrier injection efficiency into the charge transport layer. Furthermore, it is desirable that the method for forming it be inexpensive.

問題点を解決するための手段 光励起によってキャリアを発生する光導電層と、そのキ
ャリアを輸送する電荷輸送層からなる機能分離型電子写
真感光体において、前記電荷輸送層を、P−フェニレン
を有し、パラ位にVIb族元素を有する直鎖状化合物高
分子層で構成し、VIb族元素としてS、S e−T 
es の少なくともいずれか一つを含有し、そのガラス
転移温度以上である200℃における動的粘弾性が1.
OX 1011ildyne/cm2以下とする。
Means for Solving the Problems In a functionally separated electrophotographic photoreceptor comprising a photoconductive layer that generates carriers by photoexcitation and a charge transport layer that transports the carriers, the charge transport layer comprises P-phenylene. , composed of a linear compound polymer layer having a VIb group element at the para position, and S, S e-T as the VIb group element.
The dynamic viscoelasticity at 200° C., which is higher than the glass transition temperature, is 1.
OX 1011ildyne/cm2 or less.

作用 高分子におけるキャリアの移動度、或は寿命の向上の機
構は以下の様に考えられる。
The mechanism of carrier mobility or lifetime improvement in working polymers is thought to be as follows.

高分子におけるキャリアの移動は、高分子の主鎖方向に
沿っての電子軌道閏のホッピング伝導で行われるが、そ
のキャリアの移動度は、隣合う軌道の重なりの大きいほ
どホッピング確率が増し、増加する。主鎖方向にP−フ
ェニレンを有し、パラ位にVIb族元素を有する構造の
高分子において。
Carrier movement in polymers is carried out by hopping conduction of electron orbits along the main chain direction of the polymer, and the carrier mobility increases as the overlap between adjacent orbitals increases, and the probability of hopping increases. do. In a polymer with a structure having P-phenylene in the main chain direction and a group VIb element in the para position.

VIb族元素状態で、隣合うP−フェニレンが、空間約
にπ電子軌道の直行する配位状態にあると、移動度は小
さい。しかしVIb族元素が正に帯電し、イオン化した
場合P−フェニレンの空間的ねじれは解消し、π電子軌
道は同一平面内に配置され、ホッピング確率の増加とと
もに移動度の向−ヒが図られるものと考えられる。
In the VIb group element state, when adjacent P-phenylenes are in a coordination state in which the π electron orbits are perpendicular to each other in space, the mobility is small. However, when the VIb group element is positively charged and ionized, the spatial twist of P-phenylene is resolved, and the π electron orbits are arranged in the same plane, increasing the hopping probability and improving the mobility. it is conceivable that.

ところで高分子の主鎖の空間的配位により主鎖間のキャ
リア電動は大きく影響を受は名。その主鎖の空前配位は
どの程度規則正しいかは、ミクロに見た場合の結晶性、
及びマクロに見た場合の結晶部と非結晶部の割合で大き
く異なる。いずれにしても結晶性の向上は、移動度の向
上に結び付く。
By the way, the carrier electromotive force between the main chains is greatly affected by the spatial coordination of the main chains of the polymer. The degree to which the unprecedented coordination of the main chain is determined depends on the crystallinity when viewed microscopically.
and the ratio of crystalline and non-crystalline parts when viewed macroscopically differs greatly. In any case, improvement in crystallinity is linked to improvement in mobility.

逆に主鎖の空前に於ける結晶的配位を妨げる要因には橋
かけがある。橋かけポイントが、主鎖の配位緩和の固定
点として働き、キャリア電動の際の深いトラップとして
作用し移動度を低下させる。
Conversely, bridges are a factor that prevents crystalline coordination in the front of the main chain. The bridging points act as fixed points for the coordination relaxation of the main chain and act as deep traps during carrier electrolysis, reducing mobility.

ここで移動度を向上させる結晶性、逆に低下させる橋か
け度、共に弾性率に影響が現れる。弾性率のガラス転移
温度以上(本発明においては、代表温度200℃)での
値が結晶性の増加にも、橋かけ度の増加に対しても増加
する。本発明おけるパラ位にVIb族元素を有する構造
の高分子ではVIb族元素を介しての架橋反応が進行し
やすく橋掛は度の影響が大きく現れる。よって橋掛は度
のより小さいことを示す弾性率の小さなものほど移動度
は大きいと考えられる。
Here, the crystallinity, which improves mobility, and the degree of crosslinking, which conversely reduces it, both affect the elastic modulus. The value of the elastic modulus above the glass transition temperature (in the present invention, a typical temperature of 200° C.) increases both with an increase in crystallinity and an increase in the degree of crosslinking. In the polymer of the present invention having a structure having a group VIb element at the para position, the crosslinking reaction via the group VIb element is likely to proceed and the degree of crosslinking is greatly influenced. Therefore, it is considered that the lower the elastic modulus of the bridge, which indicates the lower the elasticity, the higher the mobility.

パラ位のVIb族元素をイオン化する電子受容性の添加
物は様ざまなものが知られているが、移動度を上げるた
めに添加量を増加させた時、ある−定量を境にして移動
度は減少しはじめる。この現象は、添加された電子受容
体による酸化作用でPPSの主鎖構造が破壊され、新た
にキャリアのトラップとして作用する構造を持つ架橋構
造部が著しく増加するからである。またこの時、キャリ
ア濃度の増加で電気抵抗も減少し、電荷保持能力は劣化
する。当然であるが弾性率の著しい増加が見られる。よ
ってPPSの主鎖構造を破壊することなく、パラ位のV
Ib族元素をイオン化することが必要となる。
Various electron-accepting additives that ionize Group VIb elements at the para position are known, but when the amount added is increased to increase the mobility, the mobility increases beyond a certain - quantitative level. begins to decrease. This phenomenon occurs because the main chain structure of PPS is destroyed by the oxidation effect of the added electron acceptor, and the number of new crosslinked structures having a structure that acts as a carrier trap increases significantly. At this time, the electrical resistance also decreases due to the increase in carrier concentration, and the charge retention ability deteriorates. Naturally, a significant increase in the elastic modulus is seen. Therefore, without destroying the main chain structure of PPS, V at the para position can be
It is necessary to ionize the Ib group elements.

このことは0原子によって、実現することが可能となっ
た。更にこの状態から他の電子受容体を少量重ねて含有
させることで、著しいキャリア濃度の増加を招くことな
く移動度を向上させる効果は上がる。
This has become possible with zero atoms. Furthermore, by superimposing a small amount of other electron acceptors in this state, the effect of improving mobility can be enhanced without causing a significant increase in carrier concentration.

実施例 図は、本発明における基本的な電子写真感光体の一実施
例の断面を模式的に示したものである。
The embodiment diagram schematically shows a cross section of an embodiment of a basic electrophotographic photoreceptor according to the present invention.

図に示す電子写真感光体は、電子写真感光体としての支
持体!上に、高分子層からなる電荷輸送層2と有機半導
体層を含有する光導電層3とを有し、前記光導電Fj3
は一方で自由表面4を有している。
The electrophotographic photoreceptor shown in the figure is a support as an electrophotographic photoreceptor! It has a charge transport layer 2 made of a polymer layer and a photoconductive layer 3 containing an organic semiconductor layer thereon, and the photoconductive layer Fj3
has a free surface 4 on the one hand.

この時の膜厚は、電荷輸送層は5〜5071m好適には
10〜2571m、また光導電層の膜厚は0.2〜10
71m好適には0.5〜5 It mとすれば良い。
At this time, the thickness of the charge transport layer is 5 to 5071 m, preferably 10 to 2571 m, and the thickness of the photoconductive layer is 0.2 to 10 m.
71 m is preferably 0.5 to 5 It m.

本発明において導電性支持体は、金属材料、例えばアル
ミニウム、或は金属材料で被覆されたものであってもよ
い。
In the present invention, the conductive support may be made of a metal material, such as aluminum, or may be coated with a metal material.

本発明において、更に電子写真特性を向上させるために
、第1図において、支持体lと電荷輸送層2との間に、
支持体lから電荷輸送層2に注入するキャリアを効果的
に阻止するため障壁層を設けてもよい。
In the present invention, in order to further improve the electrophotographic properties, in FIG. 1, between the support l and the charge transport layer 2,
A barrier layer may be provided to effectively prevent carriers from being injected into the charge transport layer 2 from the support l.

障壁層を形成する材料としては、Al2O3、BaO3
「a02、Be01Ri2(h、CaO1Ce02、C
e2O3、La2O3,0y201、Lu2Q3、Cr
+03、CuO1Cu 20、FeO1PbO1M80
、SrO,Ta2O3、Th02、z「02.1lf0
2、T i 02、Ti05Si02、GeO2、S+
0− GeO等の金属酸化物またはTiN、 AIN、
 SnN、 NbN、 TaN%GaN等の金属窒化物
、またはVC,SnC,TiC1等の金属炭化物または
SiC,SiN、 Gイ、GeN% BC,BN等の絶
縁物、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアクリルニ
トリル等の耐熱性を有する有機化合物が使用される。
Materials for forming the barrier layer include Al2O3 and BaO3.
"a02, Be01Ri2(h, CaO1Ce02, C
e2O3, La2O3, 0y201, Lu2Q3, Cr
+03, CuO1Cu 20, FeO1PbO1M80
, SrO, Ta2O3, Th02, z"02.1lf0
2, T i 02, Ti05Si02, GeO2, S+
0- Metal oxides such as GeO or TiN, AIN,
Metal nitrides such as SnN, NbN, TaN%GaN, etc., metal carbides such as VC, SnC, TiC1, etc., or insulators such as SiC, SiN, Gi, GeN% BC, BN, polyimide, polyamideimide, polyacrylonitrile, etc. Organic compounds are used that have a heat resistance of .

また、クリーニング性あるいは耐摩耗性あるいは耐コロ
ナ性を向上させるため、図において、自由表面4上に表
面被覆層を形成する。表面被覆層として好適な材料とし
ては、5lxO+−xs 5IXCI−X、S+xN+
−x、Gex O+−X、GexC+−x、GexN+
−x−BxN+ −x、nfCI−1AlxN+−x(
0<x<1)、カー本“ンおよびこれらζこ水素あるい
はハロゲンを含有する層等の無機物などが上げられる。
Furthermore, in order to improve cleaning properties, abrasion resistance, or corona resistance, a surface coating layer is formed on the free surface 4 in the figure. Suitable materials for the surface coating layer include 5lxO+-xs 5IXCI-X, S+xN+
-x, Gex O+-X, GexC+-x, GexN+
-x-BxN+ -x, nfCI-1AlxN+-x(
0<x<1), carbon atoms, and inorganic materials such as layers containing hydrogen or halogen.

電荷輸送層の主原料であるPPSは粉末からの真空蒸着
法、イオンクラスタビーム法、等で直接基板面に形成し
ても良いし、又粉末を押し出し形成によるフィルム化し
たのち、基板面へ融着する方法であってもよい。
PPS, which is the main raw material for the charge transport layer, can be formed directly on the substrate surface using a vacuum evaporation method, ion cluster beam method, etc. from powder, or it can be formed into a film by extruding the powder and then melted onto the substrate surface. It may also be a method of wearing.

この時、予め電子受容性の添加物を所定量混在させてお
いてもよい。
At this time, a predetermined amount of an electron-accepting additive may be mixed in advance.

添加する電荷受容体としては I2、Br2、Ct2、
ICI、rBr、 (NO2) B F4、 (N O
2)PFs、 (N02) S b Fe、HCI O
a、H2S 04、HNO3、H5Oa−1A g C
l 04、Fe(ClO2)、RF3、FeCl3、F
eBr3、AlCl3、InCl3、I n Ii、Z
rCIa、Hf Cl a、Tec14、TeBr4、
TeTa、5nC14、SnI4.5eC14、TiC
l4、TiF4、FeCl4−1AIC14−1AsF
s、5l)Fs、NbCIs、N b Fs、TaCl
5、TaTs、MoCl5、ReFe、IrC15、I
nFe、UF6.0sFe、XeF6、TeFs、SF
6.5eFe、W F s、WCl5、ReFy  等
がある。
The charge acceptors to be added are I2, Br2, Ct2,
ICI, rBr, (NO2) B F4, (N O
2) PFs, (N02) S b Fe, HCI O
a, H2S 04, HNO3, H5Oa-1A g C
l 04, Fe(ClO2), RF3, FeCl3, F
eBr3, AlCl3, InCl3, I n Ii, Z
rCIa, HfCl a, Tec14, TeBr4,
TeTa, 5nC14, SnI4.5eC14, TiC
l4, TiF4, FeCl4-1AIC14-1AsF
s, 5l) Fs, NbCIs, N b Fs, TaCl
5, TaTs, MoCl5, ReFe, IrC15, I
nFe, UF6.0sFe, XeF6, TeFs, SF
Examples include 6.5eFe, W F s, WCl5, and ReFy.

電荷発生層の有機半導体としては、 (1)フタロシア
ニン顔料(Pcと称す)例えば 無金属Pc、XPc 
(X=Cu、Ni、Co、TiO,Mg、  S i 
(OH)p、等)、AlClPcC1,Ti0clPc
cl、InClPcCl、InClPc、InBrPc
Br  等である。更に(2)モノアゾ色素、ジスアゾ
色素、等のアゾ系色素(3)ペニレン酸無水物およびペ
ニレン酸イミド等のペニレン系顔料(4)インジゴイド
染料(5)キナクリドン顔料(6)アントラキノン類、
ピレンキノン類等の多環キノン類(7)シアニン色素(
8)キサンチン染料(9)PVK/TNF等の電荷移動
錯体(10)ビリリウム塩染料とポリカーボネイト樹脂
から形成される共晶錯体(11)アズレニウム塩化合物
等がある。
As the organic semiconductor of the charge generation layer, (1) Phthalocyanine pigment (referred to as Pc), for example, metal-free Pc, XPc
(X=Cu, Ni, Co, TiO, Mg, Si
(OH)p, etc.), AlClPcC1, Ti0clPc
cl, InClPcCl, InClPc, InBrPc
Br et al. Furthermore, (2) azo dyes such as monoazo dyes and disazo dyes, (3) penylene pigments such as penylene acid anhydride and penylene acid imide, (4) indigoid dyes, (5) quinacridone pigments, (6) anthraquinones,
Polycyclic quinones such as pyrenequinones (7) Cyanine dyes (
8) Xanthine dyes (9) Charge transfer complexes such as PVK/TNF (10) Eutectic complexes formed from biryllium salt dyes and polycarbonate resins (11) Azulenium salt compounds.

これらの有機半導体の製膜には、真空蒸着法、デイツプ
法、イオンクラスタビーム法、電着法等が用いられる。
A vacuum evaporation method, a dip method, an ion cluster beam method, an electrodeposition method, etc. are used to form films of these organic semiconductors.

電荷発生層で非単結晶層としては、カルコゲン元素を成
分として有するSe、5eTe、AS2Se3.CdS
、等、非晶質層としてはシリコン、ゲルマニウム、カー
ボンの少なくともいずれかひとつを主成分とし2局在率
位密度を減少させる修飾物(例えば水素、ハロゲン)を
含有するものである。
The charge generation layer and the non-single crystal layer include Se, 5eTe, AS2Se3. CdS
, etc., the amorphous layer has at least one of silicon, germanium, and carbon as a main component and contains a modification (for example, hydrogen, halogen) that reduces the two-localized position density.

これらの製膜にはプラズマを利用したプラズマCvD法
、ECR法、また通常のスパッタ法、真空蒸着法等が利
用される。
For forming these films, a plasma CvD method using plasma, an ECR method, an ordinary sputtering method, a vacuum evaporation method, etc. are used.

実施例1 鏡面研磨したアルミニウム基板上に、■族としてSを有
するフィルム形状のPPS (ポリ p−フェニレン 
スルフィド)を、貼りつけ、フッ素樹脂シートをフィル
ムの上側より巻き付は熱処理炉において加熱し、PPS
フィルムを、アルミニウム基板上に融着させた。加熱温
度は、PPSの、融解温度である285℃より高い29
0℃とし、加熱雰囲気は、大気中である。熱処理炉より
基板を取り出した後、フッ素樹脂シートを取り外し、再
び熱処理炉に設置し、酸素雰囲気で、加熱処理を、施し
た。加熱温度は、285℃〜350℃の範囲内で、制御
し、加熱処理時閉は、3時間一定とした。この処理後、
PPSフィルムの膜厚は、10〜25μmとした。
Example 1 A film-shaped PPS (poly p-phenylene
sulfide), wrap the fluororesin sheet from the top of the film, heat it in a heat treatment furnace, and then
The film was fused onto an aluminum substrate. The heating temperature is higher than the melting temperature of PPS, 285°C.
The temperature was 0° C., and the heating atmosphere was air. After taking out the substrate from the heat treatment furnace, the fluororesin sheet was removed, placed in the heat treatment furnace again, and heat treated in an oxygen atmosphere. The heating temperature was controlled within the range of 285°C to 350°C, and the closing time during the heat treatment was kept constant for 3 hours. After this process,
The thickness of the PPS film was 10 to 25 μm.

この時点でフィルムの弾性損失を動的粘弾性測定によっ
て求めた。熱処理時閉一定の条件で加熱温度を上昇させ
てゆくに従ってガラス化温度の低温シフトと動的粘弾性
率の減少が見られた。285℃で1.IX 10”dy
n/cnr’、 300℃で0.9X 10”dyn/
cII+2゜320℃で0.63X 10I8dyn/
co12.350℃で0.20X 10’ ”dynl
cII+2となり285℃では橋かけポイントがかなり
残っていることが予想された。
At this point, the elastic loss of the film was determined by dynamic viscoelasticity measurements. As the heating temperature was increased under a constant closed condition during heat treatment, the vitrification temperature shifted to lower temperatures and the dynamic viscoelastic modulus decreased. 1 at 285°C. IX 10”dy
n/cnr', 0.9X 10"dyn/ at 300℃
cII+2゜0.63X 10I8dyn/at 320℃
0.20X 10'” dynl at co12.350℃
cII+2, and it was expected that at 285°C, there would be a considerable number of bridging points remaining.

これらの層を、電荷輸送層とし電荷発生層として真空蒸
着法でフタロシアニン系の化合物を0.05〜5.0μ
II+積層した。フタロシアニン系の化合物として塗布
法によるTi0Pc、MgPc、真空蒸着法によるCu
Pc、、AIC,lPcC1を行った。
These layers were made into a charge transport layer and a charge generation layer using a phthalocyanine compound of 0.05 to 5.0 μm by vacuum deposition.
II+ laminated. Ti0Pc, MgPc by coating method as phthalocyanine compounds, Cu by vacuum evaporation method
Pc, , AIC, lPcC1 was performed.

これらの電子写真感光体を6.OkVてコロナ帯電させ
たところ、電荷輸送層の動的粘弾性が0.63X 10
’ gdyn/c+++2のもので、+1500Vの表
面電位を得ることができ、白色光で露光したところ、残
留電位+50V以下、半減露光層は1.01x−s以下
と非常に優れた電子写真特性を示した。しかし動的粘弾
性の値が増えるにしたがって残留電位、半減露光層とも
に劣化する傾向にあり、285℃の熱処理では残留電位
が200vと高かった。また、この時の電荷発生層の違
いは2次的なことであり、上記4種類はいずれも良好な
特性を示した。この電子写真感光体の組成分析をしたと
ころ、300℃熱処理した電荷輸送層中に含まれるO原
子のC原子に対する組成比率は、12atm%であった
6. These electrophotographic photoreceptors. When charged with corona at OkV, the dynamic viscoelasticity of the charge transport layer was 0.63X 10
'gdyn/c+++2, it is possible to obtain a surface potential of +1500V, and when exposed to white light, the residual potential is less than +50V, and the half-exposure layer is less than 1.01x-s, showing very excellent electrophotographic properties. Ta. However, as the value of dynamic viscoelasticity increases, both the residual potential and the half-exposure layer tend to deteriorate, and the residual potential was as high as 200 V after heat treatment at 285°C. Further, the difference in the charge generation layer at this time was secondary, and all of the above four types showed good characteristics. A compositional analysis of this electrophotographic photoreceptor revealed that the composition ratio of O atoms to C atoms contained in the charge transport layer heat-treated at 300° C. was 12 atm %.

実施例2 電荷発生8層を、形成する際、融着処理と同時に電子受
容体として、T CN Q (7,7,8,8,−テト
ラシアノキノジメタン)を添加した。原料であるPPS
フィルムに対して5重量%の添加量で膜厚25μmとし
て実施例1と同じ条件で酸素雰囲気での熱処理を施し電
荷輸送層とした。このときのフィルムの動的粘弾性は、
TCNQの添加で若干増加するが300℃処理サンプル
に対しても1.OX 10’ 8dyn/cn+2以下
であった。電荷発生層には、アズレニウム塩化合物を採
用した。1.4−ジメチル−7−イツブロビルアズレン
とP−ジメチルアミノシンナムアルデヒドをテトラヒド
ロフランに溶解し、酸(HX、X” CI Oa、BF
a、B「、l)を10℃以下に冷却しながら反応させて
、この溶液を60℃で乾燥させアズレニウム塩化合物 
1−(P−ジメチルアミノシンナミリデン〉−5−イソ
プロピル−3,8−ジメチルアズレニウム塩をえた。こ
れをブチラール樹脂と混ぜ合わせ酢酸ブチル中で分散さ
せたのち電荷輸送層上にO01〜!5.0層m塗布した
のち70℃で乾燥させた。
Example 2 When forming the 8 charge generating layers, T CN Q (7,7,8,8,-tetracyanoquinodimethane) was added as an electron acceptor simultaneously with the fusing process. PPS, the raw material
The film was added in an amount of 5% by weight to a thickness of 25 μm, and heat-treated in an oxygen atmosphere under the same conditions as in Example 1 to obtain a charge transport layer. The dynamic viscoelasticity of the film at this time is
Although it increases slightly with the addition of TCNQ, 1. OX 10' was below 8dyn/cn+2. An azulenium salt compound was used for the charge generation layer. 1. 4-Dimethyl-7-itubrobyl azulene and P-dimethylaminocinnamaldehyde were dissolved in tetrahydrofuran, and acid (HX, X” CI Oa, BF
a, B'', l) are reacted while cooling to below 10°C, and this solution is dried at 60°C to form an azulenium salt compound.
1-(P-Dimethylaminocinnamylidene>-5-isopropyl-3,8-dimethylazurenium salt was obtained. This was mixed with butyral resin and dispersed in butyl acetate, and then O01~! was applied on the charge transport layer. After coating 5.0 layers, it was dried at 70°C.

アズレニウム塩は、400〜9000mに至る波長領域
で光導電性に優れ、特に700nm以上の長波長に感度
ピークを持ち半導体レーザーを光源とするプリンタに適
応し得る。上記4種類のアズレニウム塩の中でも酸とし
てI(ヨウ素)を含有したものは、白色光に対して、0
.71xs  800nmの赤色光に対して、0.41
xsと良好な感度を示した。
Azulenium salt has excellent photoconductivity in a wavelength range of 400 to 9000 m, has a sensitivity peak in a long wavelength of 700 nm or more, and is suitable for printers using semiconductor lasers as light sources. Among the above four types of azulenium salts, those containing I (iodine) as an acid have a resistance of 0 to white light.
.. 71xs 0.41 for 800nm red light
It showed a good sensitivity of xs.

発明の効果 光励起によってキャリアを発生する光導電層と、そのキ
ャリアを転送する電荷輸送層からなる機能分離型電子写
真感光体において、電荷輸送層がP−フェニレンを有し
、バラ位にVIb族元素を有する直鎖状化合物高分子層
であり、VIb族元素としてS、  Se、  Te、
の少なくともいずれか一つを含有し、そのガラス転移温
度以上である200℃における動的粘弾性が1 、OX
 10’θdyne/cm2以下とすることで、高感度
、低残留電位の電子写真感光体を得るものである。更に
電荷輸送層の製膜が、高分子の融着、塗布、蒸着で行え
、安価な電子写真感光体を提供でき得る。また電荷輸送
層が耐熱性の熱硬化型高分子であるため安定性に優れる
と共に耐刷性も良好である。
Effects of the Invention In a functionally separated electrophotographic photoreceptor consisting of a photoconductive layer that generates carriers by photoexcitation and a charge transport layer that transfers the carriers, the charge transport layer has P-phenylene and a group VIb element at the rose position. It is a linear compound polymer layer having S, Se, Te, as group VIb elements.
contains at least one of the following, and has a dynamic viscoelasticity of 1 at 200°C, which is higher than its glass transition temperature, OX
By setting it to 10'θdyne/cm2 or less, an electrophotographic photoreceptor with high sensitivity and low residual potential can be obtained. Furthermore, the charge transport layer can be formed by polymer fusing, coating, or vapor deposition, making it possible to provide an inexpensive electrophotographic photoreceptor. Furthermore, since the charge transport layer is made of a heat-resistant thermosetting polymer, it has excellent stability and printing durability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図は、本発明の実施例における電子写真感光体の断面図
である。 1・・・・支持体、2・・・・電荷輸送層、3・・・・
電荷発生層、4・・・・自由表面。
The figure is a sectional view of an electrophotographic photoreceptor in an example of the present invention. 1...Support, 2...Charge transport layer, 3...
Charge generation layer, 4...free surface.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)光励起によってキャリアを発生する光導電層と、
そのキャリアを輸送する電荷輸送層からなる機能分離型
電子写真感光体において、前記電荷輸送層が、P−フェ
ニレンを有し、パラ位にVIb族元素を有する直鎖状化合
物高分子層であり、前記VIb族元素としてS、Se、T
e、の少なくともいずれか一つを含有し、そのガラス転
移温度以上である200℃における動的粘弾性が1.0
×10^1^θdyne/cm^2以下であることを特
徴とする電子写真感光体。
(1) A photoconductive layer that generates carriers by photoexcitation;
In a functionally separated electrophotographic photoreceptor comprising a charge transport layer that transports carriers, the charge transport layer is a linear compound polymer layer containing P-phenylene and a group VIb element at the para position, The group VIb elements include S, Se, and T.
e, and has a dynamic viscoelasticity of 1.0 at 200°C, which is higher than its glass transition temperature
An electrophotographic photoreceptor characterized in that it is not more than ×10^1^θdyne/cm^2.
(2)電荷輸送層にO原子を含有することを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の電子写真感光体。
(2) The electrophotographic photoreceptor according to claim 1, wherein the charge transport layer contains O atoms.
(3)電荷輸送層中のO原子のC原子に対する原子数比
率が、1〜35atm%であることを特徴とする特許請
求の範囲第2項記載の電子写真感光体。
(3) The electrophotographic photoreceptor according to claim 2, wherein the atomic ratio of O atoms to C atoms in the charge transport layer is 1 to 35 atm %.
(4)電荷輸送層に電子受容体を添加することを特徴と
する特許請求の範囲第2項記載の電子写真感光体。
(4) The electrophotographic photoreceptor according to claim 2, wherein an electron acceptor is added to the charge transport layer.
(5)光励起によってキャリアを発生する光導電層と、
そのキャリアを輸送する電荷輸送層からなる機能分離型
電子写真感光体であって、前記電荷輸送層が、P−フェ
ニレンを有し、パラ位にVIb族元素を有する直鎖状化合
物高分子層であり、前記VIb族元素としてS、Se、T
e、の少なくともいずれか一つを含有し、そのガラス転
移温度以上である200℃における動的粘弾性が1.0
×10^1^θdyne/cm^2以下である電子写真
感光体電の製造方法において、前記荷輸送層を形成する
工程に、酸素を含む雰囲気中における加熱処理を含むこ
とを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
(5) a photoconductive layer that generates carriers by photoexcitation;
A functionally separated electrophotographic photoreceptor comprising a charge transport layer for transporting carriers, the charge transport layer comprising a linear compound polymer layer containing P-phenylene and a group VIb element at the para position. Yes, and the group VIb elements include S, Se, and T.
e, and has a dynamic viscoelasticity of 1.0 at 200°C, which is higher than its glass transition temperature
×10^1^θdyne/cm^2 or less, the method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor, characterized in that the step of forming the charge transport layer includes heat treatment in an atmosphere containing oxygen. Method of manufacturing a photoreceptor.
(6)酸素を含む雰囲気中における加熱処理の加熱温度
が、200〜350℃の範囲であることを特徴とする特
許請求の範囲第5項記載の電子写真感光体の製造方法。
(6) The method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor according to claim 5, wherein the heating temperature of the heat treatment in an oxygen-containing atmosphere is in the range of 200 to 350°C.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7288174B2 (en) 2003-06-09 2007-10-30 I-Sens, Inc. Electrochemical biosensor
WO2013069895A1 (en) 2011-11-11 2013-05-16 주식회사 아이센스 Personal blood glucose meter and abnormal measurement detection method using same

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