JPH01134460A - Electrophotographic sensitive body and manufacture of same - Google Patents

Electrophotographic sensitive body and manufacture of same

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JPH01134460A
JPH01134460A JP29442587A JP29442587A JPH01134460A JP H01134460 A JPH01134460 A JP H01134460A JP 29442587 A JP29442587 A JP 29442587A JP 29442587 A JP29442587 A JP 29442587A JP H01134460 A JPH01134460 A JP H01134460A
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JP
Japan
Prior art keywords
layer
charge transport
transport layer
electrophotographic photoreceptor
charge
Prior art date
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Application number
JP29442587A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akio Takimoto
昭雄 滝本
Eiichiro Tanaka
栄一郎 田中
Koji Akiyama
浩二 秋山
Masanori Watanabe
正則 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH01134460A publication Critical patent/JPH01134460A/en
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/07Polymeric photoconductive materials

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enhance sensitivity and to lower residual potential by forming an electric charge transfer layer made of a straight chain polymer having p- phenylene units substituted by at least one of S, Se, and Te as the atom. of group VIb, further, combined with O atom., and a charge generating layer containing an organic semiconductor. CONSTITUTION:The charge transfer layer 2 formed on a substrate 1 is made of the straight chain polymer arranged in the main chain direction having the p-phenylene units substituted by at least one of atoms. of S, Se, and Te of group VIb at the para position, further combined with the O atom. and a charge generating layer 3 having a free surface 4, and formed on the layer 2 contains an organic semiconductor, thus permitting probability of hopping to be increased and mobility to be enhanced by adding the O atom., the charge generating layer 3 to be less damaged at the time of forming a film, and the film to be made at low cost by using the organic semiconductor, and consequently, electrophotographic characteristics to be improved, that is, sensitivity to be enhanced and residual potential to be lowered.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真方式の複写機、光プリンタ等に用い
られる電子写真感光体に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an electrophotographic photoreceptor used in electrophotographic copying machines, optical printers, and the like.

従来の技術 電子写真感光体において、光励起によるキャリア生成と
、キャリア輸送を別々の材料で構成する機能分離型電子
写真感光体が広く用いられている。
2. Description of the Related Art Among electrophotographic photoreceptors, functionally separated electrophotographic photoreceptors are widely used in which carrier generation by photoexcitation and carrier transport are made of different materials.

この様に機能によって材料を選ぶことによって高感度な
電子写真特性を持つ優れた感光体を提供している。また
機械的強度、熱的安定性、耐刷性、耐環境性、製造コス
トといった様ざまな面に渡って幅広い材料の中から最適
の組合せが検討されてきた。このような材料の紺合せの
代表例として、無定型セレンとポリビニルカルバゾール
、スクエアリック酸メチルとトリアリールピラゾリン、
ダイアンブルーとオキサジアゾール、ペリレン顔料とオ
キサジアゾール、ビスアゾ顔料とメチリアアンスラセン
等がある。
By selecting materials according to their functions in this way, we can provide excellent photoreceptors with highly sensitive electrophotographic properties. In addition, the optimal combination of materials has been studied from a wide variety of aspects, including mechanical strength, thermal stability, printing durability, environmental resistance, and manufacturing cost. Typical examples of such combinations of materials include amorphous selenium and polyvinylcarbazole, methyl squarate and triarylpyrazoline,
Examples include Diane blue and oxadiazole, perylene pigment and oxadiazole, bisazo pigment and methylanthracene, etc.

また非晶質層を利用するものとして、特開昭54−14
3645号公報には有機半導体材料を用いた機能分離型
の感光体が、また特開昭56−24355号公報には無
機半導体材料を用いた機能分離型感光体が提案されてい
る。また我々は、電荷輸送層として非晶質カーボンを主
成分とする層を用い、電荷発生層を非晶質シリコンで構
成する機能分離型感光体を提案している。
In addition, as a method using an amorphous layer, Japanese Patent Application Laid-Open No. 54-14
No. 3645 proposes a functionally separated photoreceptor using an organic semiconductor material, and Japanese Patent Application Laid-open No. 56-24355 proposes a functionally separated photoreceptor using an inorganic semiconductor material. Furthermore, we have proposed a functionally separated photoreceptor in which the charge transport layer is made of amorphous carbon and the charge generation layer is made of amorphous silicon.

この様な材料の中で電荷輸送層としてPPS (ポリー
P−フェニレンスルフィド)が高い正孔移動度を持つ耐
熱性に優れた材料として提案されている。 (特開昭6
(1−59353号公報)しかし、通常PPSは、高抵
抗であり何等かの方法で移動度を向上させる工夫が必要
である。
Among such materials, PPS (poly P-phenylene sulfide) has been proposed as a material with high hole mobility and excellent heat resistance for the charge transport layer. (Unexamined Japanese Patent Publication No. 6
(Publication No. 1-59353) However, PPS usually has a high resistance, and it is necessary to find some way to improve its mobility.

発明が解決しようとする問題点 機能分離型電子写真感光体において、より高感度の実現
するには、より小さな誘電率を持ち、より大きな移動度
を有する電荷輸送層と、高い電荷発生能力を持つ電荷発
生層の組合せが望ましい。
Problems to be Solved by the Invention In order to achieve higher sensitivity in a function-separated electrophotographic photoreceptor, a charge transport layer with a smaller dielectric constant and greater mobility and a high charge generation ability are required. Combinations of charge generating layers are desirable.

しかしそれぞれ要求される所の条件を満足しても。However, even if the required conditions are satisfied.

両者の閏のキャリア注入が効率良く行われなければなら
ない。また電子写真プロセスに於て要求される電荷受容
能力、耐摩耗性、耐環境性、等に十分満足するものでな
ければならない。
Carrier injection must be carried out efficiently in both the injectors. It must also fully satisfy the charge-accepting ability, abrasion resistance, environmental resistance, etc. required in the electrophotographic process.

PPSは耐熱性、機械的強度に優れ、高い電気抵抗を有
する絶縁体として知られ、プラスチック剤、封止用材料
として活用されている。一方導電性材料止しても注目さ
れており、電子受容性材料を添加することで著しく導電
性が向上することはよく知られている。この時移動度も
共に向上し電子写真感光体の電荷輸送層への応用が期待
されたが、キャリア濃度の増加によって電気抵抗が低下
するために、要求されるだけの電荷受容能力を持たず改
良が望まれた。
PPS is known as an insulator with excellent heat resistance, mechanical strength, and high electrical resistance, and is used as a plastic agent and a sealing material. On the other hand, the use of conductive materials is also attracting attention, and it is well known that conductivity can be significantly improved by adding electron-accepting materials. At this time, the mobility also improved and it was expected that it could be applied to the charge transport layer of electrophotographic photoreceptors, but as the electrical resistance decreased due to the increase in carrier concentration, it did not have the required charge-accepting ability and was not improved. was desired.

特開昭60−59353号公報においては、PPSの真
空蒸着法によって薄膜化と輸送層形成を述べているが、
一般にこの状態では移動度は小さく、感度、残留電位共
に悪い。
JP-A No. 60-59353 describes the thinning and formation of a transport layer by the vacuum evaporation method of PPS.
Generally, in this state, mobility is low, and both sensitivity and residual potential are poor.

また電荷発生層として電荷発生能の高いことは、言うに
及ばず電荷輸送層へのキャリアの注入効率も良くなけれ
ばならない。更にその形成方法が安価におこなわれるこ
とが望ましい。
In addition to having a high charge generation ability as a charge generation layer, it must also have good carrier injection efficiency into the charge transport layer. Furthermore, it is desirable that the method for forming it be inexpensive.

問題点を解決するための手段 光励起によってキャリアを発生する光導電層と、そのキ
ャリアを輸送する電荷輸送層からなる機能分離型電子写
真感光体において、前記電荷輸送層が、P−フェニレン
を有し、パラ位にVIb族元素を有する直鎖軟化合物高
分子層であり、VIb族元素としてS、  Se、  
Te、の少なくともいずれか一つを含有し、更に0原子
を含有するとともに、前記電荷発生層が、有機半導体を
含有する。
Means for Solving the Problems In a functionally separated electrophotographic photoreceptor comprising a photoconductive layer that generates carriers by photoexcitation and a charge transport layer that transports the carriers, the charge transport layer contains P-phenylene. , a linear soft compound polymer layer having a group VIb element at the para position, and the group VIb elements include S, Se,
The charge generation layer contains at least one of Te and further contains 0 atoms, and the charge generation layer contains an organic semiconductor.

作用 PPSに代表される、P−フェニレンを有し、且つパラ
位にカルコゲン元素を持つ直鎖状化合物を主成分とする
高分子層を、酸素原子を含む雰囲気中で加熱処理をする
ことによって電荷輸送能力が著しく向上することは、現
在では十分な解析が行われていない。しかし、現時点で
は以下のように考えることができる。
Effect A polymer layer mainly composed of a linear compound containing P-phenylene and a chalcogen element at the para position, such as PPS, is heated in an atmosphere containing oxygen atoms to generate electric charges. The significant improvement in transportation capacity has not been sufficiently analyzed at present. However, at this point, we can think of the following.

高分子におけるキャリアの移動は、高分子の主鎖方向に
沿っての電子軌道間のホッピング伝導で行われるが、そ
のキャリアの移動度は、隣合う軌道の重なりの大きいほ
どホッピング確率が増し、増加する。主鎖方向にP−フ
ェニレンを有し、パラ位にVIb族元素を有する構造の
高分子においてVIb族元素が中性の状態であると、隣
合うP−フェニレンは、空間的にπ電子軌道が、直行す
る配位状態にあり、移動度は小さい。しかしVIb族元
素が添加させたO原子により正に帯電し、イオン化した
場合P−フェニレンの空間的ねじれは解消し、π電子軌
道は同一平面内に配置され、ホッピング確率の増加とと
もに 移動度の向上が図られるものと考えられる。
Carrier movement in polymers occurs through hopping conduction between electron orbits along the main chain direction of the polymer, and the carrier mobility increases as the overlap between adjacent orbitals increases, increasing the probability of hopping. do. When the VIb group element is in a neutral state in a polymer having a structure of P-phenylene in the main chain direction and a VIb group element in the para position, the adjacent P-phenylene spatially has a π electron orbital. , are in orthogonal coordination states and have low mobility. However, when the VIb group element is positively charged by the added O atoms and ionized, the spatial twist of P-phenylene is resolved, and the π electron orbitals are arranged in the same plane, increasing the hopping probability and improving the mobility. It is thought that this will be achieved.

一方電子受容性の添加物は様ざまなものが知られている
が、移動度を上げるために添加量を増加させた時、ある
一定量を境にして移動度は減少しはじめる。この現象は
、添加された電子受容体による酸化作用でPPSの主鎖
構造が破壊され、新たにキャリアのトラップとして作用
する構造を持つ架橋構造部が著しく増加するからである
。またこの時、キャリア濃度の増加で電気抵抗も減少し
、電荷保持能力は劣化する。よってPPSの主鎖構造を
破壊することなく、パラ位のVIb族元素をイオン化す
ることが必要となる。このことを0原子によって、実現
することが可能となった。更にこの状態から他の電子受
容体を少量重ねて含有させろことて、著しいキャリア濃
度の増加を招くことなく移動度を向上させる効果は上が
る。
On the other hand, various electron-accepting additives are known, but when the amount added is increased to increase mobility, the mobility begins to decrease after a certain amount. This phenomenon occurs because the main chain structure of PPS is destroyed by the oxidation effect of the added electron acceptor, and the number of new crosslinked structures having a structure that acts as a carrier trap increases significantly. At this time, the electrical resistance also decreases due to the increase in carrier concentration, and the charge retention ability deteriorates. Therefore, it is necessary to ionize the VIb group element at the para position without destroying the main chain structure of PPS. This has become possible with zero atoms. Furthermore, by incorporating a small amount of other electron acceptors in this state, the effect of improving mobility can be increased without causing a significant increase in carrier concentration.

電荷発生層に有機半導体を採用することで、製膜時に界
面にダメージを与えることの少ない真空蒸着法、或は全
く4えることなく積層することが可能なデイツプ法があ
り、またそれぞれ安価に行うことが出来る。これらの方
法では、界面におけるキャリア注入の最大の妨げとなる
界面トラップを誘起することが少なく、電子写真特性に
おける感度、残留電位共に良〃となる。
By using an organic semiconductor for the charge generation layer, there is a vacuum evaporation method that causes less damage to the interface during film formation, and a dip method that allows lamination without any increase in thickness, and each method is inexpensive. I can do it. In these methods, interface traps, which are the biggest hindrance to carrier injection at the interface, are less likely to be induced, and both sensitivity and residual potential in electrophotographic characteristics are improved.

実施例 図は、本発明における基本的な電子写真感光体の一実施
例の断面を模式的に示したものである。
The embodiment diagram schematically shows a cross section of an embodiment of a basic electrophotographic photoreceptor according to the present invention.

図に示す電子写真感光体は、電子写真感光体としての支
持体i上に、高分子層からなる電荷移動層2と有機半導
体層を含有する光導電層3とを有し、前記光導電層3は
一方で自由表面4を有している。
The electrophotographic photoreceptor shown in the figure has a charge transfer layer 2 made of a polymer layer and a photoconductive layer 3 containing an organic semiconductor layer on a support i as an electrophotographic photoreceptor, and the photoconductive layer 3 has a free surface 4 on the one hand.

この時の膜厚は、電荷移動層は5〜50μm好適には1
0〜25μm、また光導電層の膜厚は0.2〜IOμm
好適には0.5〜5μ腸とすれば良い。
At this time, the thickness of the charge transfer layer is 5 to 50 μm, preferably 1 μm.
0 to 25 μm, and the thickness of the photoconductive layer is 0.2 to IO μm
The intestine size is preferably 0.5 to 5 μm.

本発明において導電性支持体は、金属材料、例えばアル
ミニウム、或は金属材料で被覆されたものであってもよ
い。
In the present invention, the conductive support may be made of a metal material, such as aluminum, or may be coated with a metal material.

本発明において、更に電子写真特性を向上させるために
、第1図において、支持体lと電荷移動層2との間に、
支持体1から電荷移動層2に注入するキャリアを効果的
に阻止するため障壁層を設けてもよい。
In the present invention, in order to further improve the electrophotographic characteristics, in FIG. 1, between the support l and the charge transfer layer 2,
A barrier layer may be provided to effectively prevent carriers from being injected from the support 1 into the charge transfer layer 2.

障壁層を形成する材料としては、A I 203、Ba
OlRam2、Be0%R12(h、CaO1Ce02
、Ce2O3、La2O3、Dy20a、 Lu2O3
,Cr20q、 Cub、 Cu2O,Fed、 pb
oNMgO。
Materials for forming the barrier layer include A I 203, Ba
OlRam2, Be0%R12(h, CaO1Ce02
, Ce2O3, La2O3, Dy20a, Lu2O3
, Cr20q, Cub, Cu2O, Fed, pb
oNMgO.

5rO1Ta203、Th02、ZrO2、)lf02
、TiO2、Ti01Si02、GeO2,5iO1G
eO等の金属酸化物またはTiN、 AIN、 SnN
、 NbN、 TaN、 GaN等の金属窒化物、また
はWC,SnC,TiC,等の金属炭化物またはSiC
,SiN、 GK、GeN、  BC,ON等の絶縁物
、ポリイミド゛、ポリアミドイミド、ポリアクリルニト
リル等の耐熱性を有する有機化合物が使用される。
5rO1Ta203, Th02, ZrO2, )lf02
, TiO2, Ti01Si02, GeO2,5iO1G
Metal oxides such as eO or TiN, AIN, SnN
, NbN, TaN, GaN, or other metal nitrides, or WC, SnC, TiC, or other metal carbides, or SiC.
, SiN, GK, GeN, BC, and ON, and heat-resistant organic compounds such as polyimide, polyamideimide, and polyacrylonitrile are used.

また、クリーニング性あるいは耐摩耗性あるいは耐コロ
ナ性を向上させるため、図における、自由表面4−ヒに
表面被覆層を形成する。表面被覆層として好適な材料と
しては、S+xO+−t、SiアC1−いS !xN+
−xx  GexO+−x%GexC+−xx  Ge
xNl−xs  BxN+−x−B−C+−−1^IX
NI−X(0<X<1)、カーホーンおよびこれラニ水
素あるいはハロゲンを含有する層等の無機物などがトげ
られる。
Further, in order to improve cleaning properties, abrasion resistance, or corona resistance, a surface coating layer is formed on the free surface 4-A in the figure. Suitable materials for the surface coating layer include S+xO+-t, SiA-C1-S! xN+
-xx GexO+-x%GexC+-xx Ge
xNl-xs BxN+-x-B-C+--1^IX
Examples include inorganic materials such as NI-X (0<X<1), carhorn, and layers containing hydrogen or halogen.

電荷輸送層の主原料であるPPSは粉末からの真空蒸着
法、イオンクラスタビーム法、等で直接基板面に形成し
ても良いし、又粉末を押し出し形成によるフィルム化し
たのち、基板面へ融着刷る方法で合ってもよい。
PPS, which is the main raw material for the charge transport layer, can be formed directly on the substrate surface using a vacuum evaporation method, ion cluster beam method, etc. from powder, or it can be formed into a film by extruding the powder and then melted onto the substrate surface. You may also use the printing method.

この時、予め電子受容性の添加物を所定量混在させてお
いてもよい。
At this time, a predetermined amount of an electron-accepting additive may be mixed in advance.

添加する電荷受容体としては ■2、Br2、C12、
ICL  IBr、(N 02) B F4、 (NO
2)PFs、 (NO2) S b Fs、HCI O
n、H2S Oa、HNO3、H5Oa−1A g C
I Os、Fe(ClO2)、BFi、F eCl:+
、FeBr3、AlCl3、InCl3、InI3、Z
rCl4、HfCIa、Tecla、TeBrn、Te
ra、5nCIJ、Sit■4、5eC1a、 TiC
l4、 TiI4、FeCl4−1A I Cl a−
1ASF5、 S b Fs、 NbCl5、N t)
 Fs、 TaCl5、 Tal5、MoCl5、 R
eF6、 IrC15、InFe、 UFe、0sFe
、XeF6、 T e Fe、 SFs、 S e F
s、WF6、WCle、ReF7 等がある。
The charge acceptors to be added are: ■2, Br2, C12,
ICL IBr, (N 02) B F4, (NO
2) PFs, (NO2) S b Fs, HCI O
n, H2S Oa, HNO3, H5Oa-1A g C
I Os, Fe (ClO2), BFi, FeCl:+
, FeBr3, AlCl3, InCl3, InI3, Z
rCl4, HfCIa, Tecla, TeBrn, Te
ra, 5nCIJ, Sit■4, 5eC1a, TiC
l4, TiI4, FeCl4-1A ICl a-
1ASF5, S b Fs, NbCl5, N t)
Fs, TaCl5, Tal5, MoCl5, R
eF6, IrC15, InFe, UFe, 0sFe
, XeF6, T e Fe, SFs, S e F
s, WF6, WCle, ReF7, etc.

電荷発生層の有機半導体としては、(1)フタロシアニ
ン顔料(Pcと称す)例えば 無金属Pc、XPc (
X=Cu、Ni、Co、TiO,Mg% 5i(OH)
2、等)、AlClPcC1,Ti0clPccl、T
nCIPcCl、InClPc、InBrPcBr  
等である。更に(2)モノアゾ色素、ジスアゾ色素、等
のアゾ系色素(3)ペニレン酸無水物およびペニレン酸
イミド等のペニレン系顔料(4)インジゴイド染料(5
)キナクリドン顔料(6)アントラキノン類、ピレンキ
ノン類等の多環キノン類(7)シアニン色素(8)キサ
ンチン染料(9)PVK/TNF等の電荷移動錯体(1
0)ビリリウム塩染料とポリカーボネイト樹脂から形成
される共晶錯体(11)アズレニウム塩化合物等がある
As the organic semiconductor of the charge generation layer, (1) phthalocyanine pigment (referred to as Pc) such as metal-free Pc, XPc (
X=Cu, Ni, Co, TiO, Mg% 5i(OH)
2, etc.), AlClPcC1, Ti0clPccl, T
nCIPcCl, InClPc, InBrPcBr
etc. Furthermore, (2) azo dyes such as monoazo dyes and disazo dyes, (3) penylene pigments such as penylene acid anhydride and penylene acid imide, (4) indigoid dyes (5)
) Quinacridone pigments (6) Polycyclic quinones such as anthraquinones and pyrenequinones (7) Cyanine dyes (8) Xanthine dyes (9) Charge transfer complexes such as PVK/TNF (1)
0) Eutectic complex formed from biryllium salt dye and polycarbonate resin (11) Azulenium salt compound, etc.

これらの有機半導体の製膜には、真空蒸着法、デイツプ
法、イオンクラスタビーム法、電着法等が用いられる。
A vacuum evaporation method, a dip method, an ion cluster beam method, an electrodeposition method, etc. are used to form films of these organic semiconductors.

実施例1 鏡面研磨したアルミニウム基板上に、■族としてSを有
するフィルム膨軟のPPS (ポリ p−フェニレン 
スルフィド)を、貼りつけ、フッ素樹脂シートをフィル
ムの上側より巻き付は熱処理炉において加熱し、PPS
フィルムを、アルミニウム基板上に融着させた。加熱温
度は、PPSの、融解温度である285℃より高い29
0℃とし、加熱雰囲気は、大気中である。熱処理炉より
基板を取り出した後、フッ素樹脂シートを取り外し、再
び熱処理炉に設置し、酸素雰囲気で、加熱処理を、施し
た。加熱温度は、285℃〜350℃の範囲内で、制御
し、加熱処理時間は、3時閉一定とした。この処理後、
PPSフィルムの膜厚は、10〜25μmとした。この
層を、電荷輸送層とし、電荷発生層として真空蒸着法で
フタロシアニン系の化合物を0.05〜5.0μm積層
した。フタロシアニン系の化合物として塗布法によるT
i0Pc。
Example 1 A film of swollen PPS (poly p-phenylene) having S as the
sulfide), wrap the fluororesin sheet from the top of the film, heat it in a heat treatment furnace, and then
The film was fused onto an aluminum substrate. The heating temperature is higher than the melting temperature of PPS, 285°C.
The temperature was 0° C., and the heating atmosphere was air. After taking out the substrate from the heat treatment furnace, the fluororesin sheet was removed, placed in the heat treatment furnace again, and heat treated in an oxygen atmosphere. The heating temperature was controlled within the range of 285°C to 350°C, and the heating treatment time was kept constant at 3 o'clock. After this process,
The thickness of the PPS film was 10 to 25 μm. This layer was used as a charge transport layer, and as a charge generation layer, a phthalocyanine compound was laminated to a thickness of 0.05 to 5.0 μm by vacuum evaporation. T by coating method as a phthalocyanine compound
i0Pc.

MgPc、真空蒸着法によるCuPc、AlClPcC
lを行った。
MgPc, CuPc by vacuum evaporation method, AlClPcC
I did l.

これらの電子写真感光体を6.0kVでコロナ帯電させ
たところ、電荷輸送層の膜厚が2011111のもので
+1500Vの表面電位を得ることができ、白色光で露
光したところ、残留電位+50V以下、半減露光量は1
.0Ix−s以下と非常に優れた電子写真、特性を示し
た。この電子写真感光体の組成分析をしたところ、電荷
輸送層中に含まれるO原子のC原子に対する組成比率は
、12atm%であった。
When these electrophotographic photoreceptors were corona charged at 6.0 kV, a surface potential of +1500 V could be obtained with a charge transport layer having a thickness of 2011111, and when exposed to white light, the residual potential was +50 V or less, The half-reduced exposure amount is 1
.. It showed very excellent electrophotographic properties with a value of 0 Ix-s or less. A compositional analysis of this electrophotographic photoreceptor revealed that the composition ratio of O atoms to C atoms contained in the charge transport layer was 12 atm %.

比較としてPPSフィルムの融着後の加熱処理を、0−
ITorr以下の減圧下で行い、O原子数がC原子に対
して1 ata+%以下である電荷輸送層を得、前述同
様フタロシアニン系の化合物を電荷発生層として形成し
た。この電子写真感光体の特性は、残留電位+400v
以上、半減露光量1501x−s以上と劣っていた。更
に膜中のO原子数を酸素雰囲気ちゅの加熱処理の加熱時
冑で50atm%まで変化させたところ1〜35atn
+%までは、残留電位+50V以下と実用上問題のない
電子写真特性を示した。
For comparison, heat treatment after fusion of PPS film was performed at 0-
This was carried out under a reduced pressure of I Torr or less to obtain a charge transport layer in which the number of O atoms was 1 ata+% or less relative to C atoms, and a phthalocyanine compound was formed as a charge generation layer in the same manner as described above. The characteristics of this electrophotographic photoreceptor are that the residual potential is +400v.
As mentioned above, the half-reduced exposure amount was 1501x-s or more, which was poor. Furthermore, when the number of O atoms in the film was changed to 50 atm% during heat treatment in an oxygen atmosphere, it was 1 to 35 atm%.
Up to +%, the residual potential was +50 V or less, which showed electrophotographic properties with no practical problems.

実施例2 電荷発生層を、形成する際、融着処理と同時に電子受容
体として、T CN Q (7,7,8,8,−テトラ
シアノキノジメタン)を添加した。原料であるPPSフ
ィルムに対して5重量%の添加量で膜厚25μmとして
実施例1と同じ条件で酸素雰囲気での熱処理を施し電荷
輸送層とした。電荷発生層には、アズレニウム塩化合物
を採用した。
Example 2 When forming a charge generation layer, T CN Q (7,7,8,8,-tetracyanoquinodimethane) was added as an electron acceptor at the same time as the fusion treatment. A charge transport layer was prepared by adding 5% by weight to the raw material PPS film, making the film thickness 25 μm, and subjecting it to heat treatment in an oxygen atmosphere under the same conditions as in Example 1. An azulenium salt compound was used for the charge generation layer.

1.4−ジメチル−7−イツブロビルアズレンとP−ジ
メチルアミノシンナムアルデヒドをテトラヒドロフラン
ニ溶解し、酸(HX、  X = CI Oa、BF4
、Br、[)を10℃以下に冷却しながら反応させて、
この溶液を60℃で乾燥させアズレニウム塩化合物 1
−(P−ジメチルアミノシンナミリデン)−5−イソプ
ロピル−3,8−ジメチルアズレニウム塩をえた。これ
をブチラール樹脂と混ぜ合わせ酢酸ブチル中で分散させ
たのち電荷輸送層上にO91〜5.0/j’ll塗布し
たのち70℃で乾燥させた。
1. Dissolve 4-dimethyl-7-itubrobyl azulene and P-dimethylaminocinnamaldehyde in tetrahydrofuranic acid (HX, X = CI Oa, BF4
, Br, [) are reacted while cooling to 10°C or less,
This solution was dried at 60°C to form an azulenium salt compound 1.
-(P-dimethylaminocinnamylidene)-5-isopropyl-3,8-dimethylazulenium salt was obtained. This was mixed with a butyral resin and dispersed in butyl acetate, and then coated on the charge transport layer in an amount of O91-5.0/j'll and dried at 70°C.

アズレニウム塩は、400〜900rv+に至る波長領
域で光導電性に優れ、特に700r+m以上の長波長に
感度ピークを持ち半導体レーザーを光源とするブリンー
タに適応し得る。上記4種類のアズレニウム塩の中でも
酸としてI(ヨウ素)を含有したものは、白色光に対し
て、0.71xs  800n*の赤色光に対して、(
L41xsと良好な感度を示した。
Azulenium salt has excellent photoconductivity in the wavelength range of 400 to 900 rv+, has a sensitivity peak in a long wavelength of 700 r+m or more, and can be applied to a printer using a semiconductor laser as a light source. Among the above four types of azulenium salts, those containing I (iodine) as an acid are
It showed good sensitivity as L41xs.

発明の効果 光励起によってキャリアを発生する光導電層と、そのキ
ャリアを転送する電荷輸送層からなる機能分離型電子写
真感光体において、電荷輸送層がP−フェニレンを有し
、パラ位にVIb族元素を有する直鎖状化合物高分子層
であり、VIb族元素としてS、  Se、  Te、
の少なくともいずれか一つを含有し、更に0原子を含有
させ、電荷発生層には有機半導体を用いることで、高感
度、低残留電位の電子写真感光体を得ることができる。
Effects of the Invention In a functionally separated electrophotographic photoreceptor consisting of a photoconductive layer that generates carriers by photoexcitation and a charge transport layer that transfers the carriers, the charge transport layer has P-phenylene and a group VIb element at the para position. It is a linear compound polymer layer having S, Se, Te, as group VIb elements.
By containing at least one of the following, further containing 0 atoms, and using an organic semiconductor in the charge generation layer, an electrophotographic photoreceptor with high sensitivity and low residual potential can be obtained.

更に電荷輸送層層、電荷発生層共に、高分子の融着、塗
布、蒸着で行え、安価な電子写真感光体を提供でき得る
。また電荷輸送層が耐熱性の熱硬化型高分子であるため
安定性に優れると共に耐刷性も良好である。
Furthermore, both the charge transport layer and the charge generation layer can be formed by polymer fusing, coating, or vapor deposition, making it possible to provide an inexpensive electrophotographic photoreceptor. Furthermore, since the charge transport layer is made of a heat-resistant thermosetting polymer, it has excellent stability and printing durability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図は、本発明の実施例における電子写真感光体の断面図
である。 l・・・・支持体、2・・・・電荷輸送層、3・・・・
電荷発生層、4・・・・自由表面。
The figure is a sectional view of an electrophotographic photoreceptor in an example of the present invention. l...Support, 2...Charge transport layer, 3...
Charge generation layer, 4...free surface.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1)光励起によってキャリアを発生する光導電層と、
そのキャリアを輸送する電荷輸送層からなる機能分離型
電子写真感光体において、前記電荷輸送層が、P−フェ
ニレンを有し、パラ位にVIb族元素を有する直鎖状化合
物高分子層であり、VIb族元素としてS、Se、Te、
の少なくともいずれか一つを含有し、更にO原子を含有
するとともに、前記電荷発生層が、有機半導体を含有す
ることを特徴とする電子写真感光体。 (2)電荷輸送層中のO原子のC原子に対する原子数比
率が、1〜35atm%であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の電子写真感光体(3)電荷輸送層
に電子受容体を添加することを特徴とする特許請求の範
囲第2項記載の電子写真感光体。 (4)光励起によってキャリアを発生する光導電層と、
そのキャリアを輸送する電荷輸送層からなる機能分離型
であって、前記電荷輸送層が、P−フェニレンを有し、
パラ位にVI族b元素を有する直鎖状化合物高分子層であ
り、VIb族元素としてS、Se、Te、の少なくともい
ずれか一つを含有し、更にO原子を含有するとともに、
前記電荷発生層が有機半導体を含有する電子写真感光体
の製造方法において、前記電荷輸送層を形成する工程に
、酸素を含む雰囲気中における加熱処理を含むことを特
徴とする電子写真感光体の製造方法。 (5)酸素を含む雰囲気中における加熱処理の加熱温度
が、200〜350℃の範囲であることを特徴とする特
許請求の範囲第4項記載の電子写真感光体の製造方法。
[Claims] (1) A photoconductive layer that generates carriers by photoexcitation;
In a functionally separated electrophotographic photoreceptor comprising a charge transport layer that transports carriers, the charge transport layer is a linear compound polymer layer containing P-phenylene and a group VIb element at the para position, Group VIb elements include S, Se, Te,
An electrophotographic photoreceptor comprising at least one of the following, further comprising an O atom, and the charge generation layer comprising an organic semiconductor. (2) The electrophotographic photoreceptor (3) charge transport layer according to claim 1, wherein the ratio of O atoms to C atoms in the charge transport layer is 1 to 35 atm%. 3. The electrophotographic photoreceptor according to claim 2, further comprising an electron acceptor. (4) a photoconductive layer that generates carriers by photoexcitation;
A functionally separated type consisting of a charge transport layer that transports carriers, the charge transport layer having P-phenylene,
A linear compound polymer layer having a group VIb element at the para position, containing at least one of S, Se, Te, as a group VIb element, and further containing an O atom,
A method for producing an electrophotographic photoreceptor in which the charge generation layer contains an organic semiconductor, wherein the step of forming the charge transport layer includes heat treatment in an atmosphere containing oxygen. Method. (5) The method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor according to claim 4, wherein the heating temperature of the heat treatment in an oxygen-containing atmosphere is in the range of 200 to 350°C.
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