JPH01132023A - 電子管封止構造 - Google Patents
電子管封止構造Info
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- JPH01132023A JPH01132023A JP62291129A JP29112987A JPH01132023A JP H01132023 A JPH01132023 A JP H01132023A JP 62291129 A JP62291129 A JP 62291129A JP 29112987 A JP29112987 A JP 29112987A JP H01132023 A JPH01132023 A JP H01132023A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/06—Electron or ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/88—Mounting, supporting, spacing, or insulating of electrodes or of electrode assemblies
- H01J1/90—Insulation between electrodes or supports within the vacuum space
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子管の電気的絶縁に供せられる両端にメタ
ライズ層をもつ絶縁体を使用する電子管封止構造に関す
る。
ライズ層をもつ絶縁体を使用する電子管封止構造に関す
る。
電子管の構造において、電気的絶縁を保ちつつかつ気密
構造を得る方法として、セラミックの表層部を金属化（
メタライズ化）シ、これに金属とろう付する方法をとっ
ている。このうち、セラミックを金属にろう付する場合
、例えば第３図の如き構造をとっていた。セラミック１
に金属をろう付するには、まずセラミック１０表面をメ
タライズ層２を形成し、これにセラミック１と熱膨張係
数が近いコバール等の材料で作られた第１の封入皿４を
金ろう（図示せず）などでろう付する。
構造を得る方法として、セラミックの表層部を金属化（
メタライズ化）シ、これに金属とろう付する方法をとっ
ている。このうち、セラミックを金属にろう付する場合
、例えば第３図の如き構造をとっていた。セラミック１
に金属をろう付するには、まずセラミック１０表面をメ
タライズ層２を形成し、これにセラミック１と熱膨張係
数が近いコバール等の材料で作られた第１の封入皿４を
金ろう（図示せず）などでろう付する。
第３図では、この第１の封入皿４に適当な封入皿台５や
、封入皿台５にやはりろい付された第２の封入皿６をろ
う付することによってセラミック組立を製作し、各々の
電極７とは、第２の封入皿６と各々のｍ極７に設けられ
た第３の封入皿８とアーク溶接によって接続されている
。
、封入皿台５にやはりろい付された第２の封入皿６をろ
う付することによってセラミック組立を製作し、各々の
電極７とは、第２の封入皿６と各々のｍ極７に設けられ
た第３の封入皿８とアーク溶接によって接続されている
。
上述した従来の電子管の封入１ｉ（７造において、電極
７の間に電圧を印加した時、セラミックのメタライズ層
は、対向する両極に７気的に接続さｈているため、両端
のメタライズ層間にも電圧が印加される。この時、負極
側のメタライズ層より電子が放出され、この電子が、セ
ラミックの内面に衝突する際に多数の二次電子を生成し
、これら二次電子が新たな電子放出の引き金となり、雪
崩的に負極側から正極側へ電子の移動を生じ、ついには
セラミックの内面での沿面放電が起きることがあった。
７の間に電圧を印加した時、セラミックのメタライズ層
は、対向する両極に７気的に接続さｈているため、両端
のメタライズ層間にも電圧が印加される。この時、負極
側のメタライズ層より電子が放出され、この電子が、セ
ラミックの内面に衝突する際に多数の二次電子を生成し
、これら二次電子が新たな電子放出の引き金となり、雪
崩的に負極側から正極側へ電子の移動を生じ、ついには
セラミックの内面での沿面放電が起きることがあった。
このため従来はセラミックの軸方向長さを大キくするこ
とによって電位傾度を小さくしたりセラミック組立を製
造後にセラミックの内面およびセラミックの内面に突び
出したメタライズ層を研磨することによって電子の放出
を防いだりしていた。
とによって電位傾度を小さくしたりセラミック組立を製
造後にセラミックの内面およびセラミックの内面に突び
出したメタライズ層を研磨することによって電子の放出
を防いだりしていた。
上述した欠点を有する従来の電子管の封止措造に対して
、本発明はセラミックの耐圧劣化の一要因であるセラミ
ックのメタライズ層部分からの電子放出を防止するとい
う独創的内容を有する。
、本発明はセラミックの耐圧劣化の一要因であるセラミ
ックのメタライズ層部分からの電子放出を防止するとい
う独創的内容を有する。
本発明の電子管封止構造は、電子管封止構造の一部を成
すメタライズ層を有する絶縁体の少なくとも負極側の端
面の内周側に円環状の絶縁体を電界方向と平行な方向に
前記メタライズ層より突き出した事を特徴とする。
すメタライズ層を有する絶縁体の少なくとも負極側の端
面の内周側に円環状の絶縁体を電界方向と平行な方向に
前記メタライズ層より突き出した事を特徴とする。
〔実施例１〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の縦断面図である。
セラミックｌは、その両端面にはメタライズ層２が設け
られ、かつセラミック１の両端面には、セラミックを円
環状にメタライズすることなく電界方向と平行な方向に
突き出す突き出し部３が設けられており、セラミック１
の両端面上のメタライズ層２にはコバール等の材料で作
られた第１の封入皿４が金ろうなどでろう付されている
。この第１の封入皿４に適当な封入皿台５や、封入皿台
５にやはりろう付された第２の封入皿６をろう付するこ
とによって、セラミック組立を製作し、各々の電極７と
は、封入皿４と各々の電極７に設けられた第３の封入皿
８とアーク溶接によって接続されている。この電極７に
電圧（高周波電圧も含む）が印加された時、メタライズ
層２間には電圧が印加されるが、メタライズ層より放出
された電子はセラミック１に設けた突き出し部３により
その進行を妨げられるため、空間中に飛び出すことがで
きなくなる。
られ、かつセラミック１の両端面には、セラミックを円
環状にメタライズすることなく電界方向と平行な方向に
突き出す突き出し部３が設けられており、セラミック１
の両端面上のメタライズ層２にはコバール等の材料で作
られた第１の封入皿４が金ろうなどでろう付されている
。この第１の封入皿４に適当な封入皿台５や、封入皿台
５にやはりろう付された第２の封入皿６をろう付するこ
とによって、セラミック組立を製作し、各々の電極７と
は、封入皿４と各々の電極７に設けられた第３の封入皿
８とアーク溶接によって接続されている。この電極７に
電圧（高周波電圧も含む）が印加された時、メタライズ
層２間には電圧が印加されるが、メタライズ層より放出
された電子はセラミック１に設けた突き出し部３により
その進行を妨げられるため、空間中に飛び出すことがで
きなくなる。
〔実施例２〕
第２図は、本発明の実施例２の縦断面図である。
セラミックｌの両端の電極７にかかる電圧の正負、
が明確な場合に、正極の側の突き出し部を取り除いたこ
とを特徴とする。この実施例ではセラミック１の正極側
の突き出し部３がなくなったため、セラミック自身のコ
ストが安くなるとともに正極側の第１の封入皿４が形状
の制約をうけないという利点がある。
が明確な場合に、正極の側の突き出し部を取り除いたこ
とを特徴とする。この実施例ではセラミック１の正極側
の突き出し部３がなくなったため、セラミック自身のコ
ストが安くなるとともに正極側の第１の封入皿４が形状
の制約をうけないという利点がある。
以上説明したように本発明の電子管封止構造においては
、電極に電圧を印加した場合、負極側のメタライズ層か
ら放出された電子は電界によって正極側に移動しようと
するが、セラミックの突き出し部で阻止され先に進むこ
とはできず、これによってセラミックの内面で電子雪崩
現象を起すことを防ぐことができる。このため、同一電
圧を印加する場合にも軸方向距離の短かいセラミックで
絶縁することができ、電子管を小形・安価にすることが
可能となる。また従来行っていたセラミック内面、メタ
ライズ層に加えていた研磨作業を省略することができ、
その経済性は高い。
、電極に電圧を印加した場合、負極側のメタライズ層か
ら放出された電子は電界によって正極側に移動しようと
するが、セラミックの突き出し部で阻止され先に進むこ
とはできず、これによってセラミックの内面で電子雪崩
現象を起すことを防ぐことができる。このため、同一電
圧を印加する場合にも軸方向距離の短かいセラミックで
絶縁することができ、電子管を小形・安価にすることが
可能となる。また従来行っていたセラミック内面、メタ
ライズ層に加えていた研磨作業を省略することができ、
その経済性は高い。
第１図は本発明の一実施例を示す図であり、第２図は本
発明の別の実施例を示す図である。第３図は従来の電子
管封止構造を示す図である。 １・・・・・・セラミック、２・・・・・・メタライズ
層、３・・・・・・突き出し部、４・・・・・・第１の
封入皿、５・・・・・・封入台、６・・・・・・Ｍ２の
封入皿、７・・・・・・電極、８・・・・・・第３の封
入皿。 代理人 弁理士 内 原 音 区 釈 因 一 駅
発明の別の実施例を示す図である。第３図は従来の電子
管封止構造を示す図である。 １・・・・・・セラミック、２・・・・・・メタライズ
層、３・・・・・・突き出し部、４・・・・・・第１の
封入皿、５・・・・・・封入台、６・・・・・・Ｍ２の
封入皿、７・・・・・・電極、８・・・・・・第３の封
入皿。 代理人 弁理士 内 原 音 区 釈 因 一 駅
Claims (1)
- 内部を真空とする絶縁体の両端にメタライズ層を有し、
該メタライズ層に薄肉金層封入皿を固着し、該封入皿間
に電圧が印加される構造を有する電子管において、前記
絶縁体の少なくとも負極側の端面の内周側に円環状の絶
縁体を電界方向と平行な方向に前記メタライズ層より伸
ばした事を特徴とする電子管封止構造。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291129A JP2647866B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 電子管封止構造 |
| US07/271,906 US4900973A (en) | 1987-11-17 | 1988-11-16 | Electron tube sealing structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291129A JP2647866B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 電子管封止構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01132023A true JPH01132023A (ja) | 1989-05-24 |
| JP2647866B2 JP2647866B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=17764829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62291129A Expired - Lifetime JP2647866B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 電子管封止構造 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4900973A (ja) |
| JP (1) | JP2647866B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2271020A (en) * | 1992-09-24 | 1994-03-30 | Eev Ltd | Electron gun arrangements |
| JP4260678B2 (ja) * | 2004-05-20 | 2009-04-30 | 日本炭酸瓦斯株式会社 | 支燃性又は可燃性を有する高圧ガスを収容する容器の封止方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4852390A (ja) * | 1971-11-02 | 1973-07-23 | ||
| JPS50124857U (ja) * | 1974-03-29 | 1975-10-13 | ||
| JPS5736735A (ja) * | 1980-08-13 | 1982-02-27 | Hitachi Ltd | Kodenatsuzetsuenshinkuyoki |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2859372A (en) * | 1956-07-10 | 1958-11-04 | Eitel Mccullough Inc | Electron tube |
| US3227905A (en) * | 1961-10-02 | 1966-01-04 | Eitel Mccullough Inc | Electron tube comprising beryllium oxide ceramic |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62291129A patent/JP2647866B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-11-16 US US07/271,906 patent/US4900973A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4852390A (ja) * | 1971-11-02 | 1973-07-23 | ||
| JPS50124857U (ja) * | 1974-03-29 | 1975-10-13 | ||
| JPS5736735A (ja) * | 1980-08-13 | 1982-02-27 | Hitachi Ltd | Kodenatsuzetsuenshinkuyoki |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4900973A (en) | 1990-02-13 |
| JP2647866B2 (ja) | 1997-08-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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