JPH01127979A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

Info

Publication number
JPH01127979A
JPH01127979A JP62285322A JP28532287A JPH01127979A JP H01127979 A JPH01127979 A JP H01127979A JP 62285322 A JP62285322 A JP 62285322A JP 28532287 A JP28532287 A JP 28532287A JP H01127979 A JPH01127979 A JP H01127979A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
emitter
base
current source
resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62285322A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuichi Okubo
勇一 大久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP62285322A priority Critical patent/JPH01127979A/en
Publication of JPH01127979A publication Critical patent/JPH01127979A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To monitor an internal state of an ECL circuit by providing a transistor provided with a constant-current source, a transistor connected to a base of an output transistor, a unidirectional element and a test terminal. CONSTITUTION:As for a transistor Q5, a base is coupled to an emitter of an emitter follower output transistor Q3 in an ECL circuit, a power supply voltage V(-) is supplied to a collector, and a constant-current source I0 is provided on an emitter through a resistance R4. Also, as for a transistor Q7, a voltage across the resistance R4 is supplied to a base and an emitter, and its collector is coupled to a base of the transistor Q3 through a resistance R3. As for a unidirectional element, an anode side is coupled to a connecting point of the resistance R4 and the current source I0, and a cathode side is coupled to the base of the transistor Q5. A test use terminal VT is coupled to the connection of the resistance R4 and the current source I0. By this constitution, a monitor output signal is obtained, and by an operation of the unidirectional element and the transistor Q7, the internal state can be set arbitrarily to a high level or a low level.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、ECL
 (エミッタ・カップルド・ロジック)回路を含む半導
体集積回路装置のテスト技術に利用して有効な技術に関
するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and in particular, to an ECL
The present invention relates to a technique that is effective for use in testing a semiconductor integrated circuit device including an emitter-coupled logic (emitter-coupled logic) circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

ECL回路において、半導体集積回路の内部の論理動作
をモニターするためには、エミッタフォロワ回路を用い
ることが考えられる。なお、EC15回路に関しては、
例えば、−オーム社昭和50年11月20日発行「半導
体回路マニュアル」頁236〜頁238がある。
In an ECL circuit, an emitter follower circuit may be used to monitor the internal logic operation of a semiconductor integrated circuit. Regarding the EC15 circuit,
For example, there is "Semiconductor Circuit Manual" published by Ohmsha on November 20, 1975, pages 236 to 238.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ECL回路の任意の個所に上記のようにエミッタフォロ
ワ回路を設けることによって、その内部状態をモニター
することができる。しかしながら、逆に内部状態を指定
することができないから、複雑な論理回路等にあっては
、その入カバターンの作成が複雑になるものである。
By providing an emitter follower circuit as described above at any location in the ECL circuit, the internal state of the ECL circuit can be monitored. However, since the internal state cannot be specified, creating input patterns for complex logic circuits becomes complicated.

この発明の目的は、ECLu路における内部状態のモニ
ターと、論理の指定が可能なテスト機能を備えた半4体
集積回路装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semi-quartet integrated circuit device that is equipped with a test function that allows monitoring of the internal state in the ECLu path and designation of logic.

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は
、零BAt(lr書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the Zero BAt (lr book) and the accompanying drawings.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、ECLu路におけるエミッタフォロワ出力ト
ランジスタQ3のエミッタにそのベースが結合され、そ
のコレクタに動作電圧が供給され、そのエミッタに抵抗
R4を介して定電流源が接続されたトランジスタQ5を
設け、上記抵抗R4の両端の電圧を、そのコレクタが抵
抗R3を介して上記出力トランジスタQ3のベースに結
合されたトランジスタQ7のベースとエミッタに供給し
、上記抵抗R4と定電流源と接続点から上記トランジス
タQ5のベースに向かって電流を流す一方向性素子を設
け、上記抵抗R4と定電流源との接続にテスト用端子を
結合させる。
That is, a transistor Q5 is provided whose base is coupled to the emitter of the emitter follower output transistor Q3 in the ECLu path, whose collector is supplied with an operating voltage, and whose emitter is connected to a constant current source via a resistor R4. The voltage across R4 is supplied to the base and emitter of a transistor Q7 whose collector is coupled to the base of the output transistor Q3 via the resistor R3, and the voltage across the transistor Q5 is supplied from the connection point between the resistor R4 and the constant current source. A unidirectional element that allows current to flow toward the base is provided, and a test terminal is connected to the connection between the resistor R4 and the constant current source.

〔作 用〕[For production]

上記した手段によれば、実質的にエミッタフォロワ回路
を構成するトランジスタQ5によりモニター出力信号が
得られ、上記テスト端子にハイレベル又はロウレベルを
供給すると、それに応じて一方向性素子及びトランジス
タQ7の動作によって内部状態を任意に指定ができる。
According to the above means, a monitor output signal is obtained by the transistor Q5 which substantially constitutes an emitter follower circuit, and when a high level or a low level is supplied to the test terminal, the unidirectional element and the transistor Q7 operate accordingly. The internal state can be specified arbitrarily.

〔実施例〕〔Example〕

第1図には、この発明の一実施例の回路図が示されてい
る。同図の各回路素子は、公知の半導体集積回路の製造
技術によって、特に制限されないが、単結晶シリコンの
ような1個の半導体基板上において形成される。
FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of the present invention. Each circuit element in the figure is formed on a single semiconductor substrate such as, but not limited to, single crystal silicon using known semiconductor integrated circuit manufacturing techniques.

トランジスタQ1とG2は、差動形態にされる。Transistors Q1 and G2 are placed in a differential configuration.

トランジスタQ1とG2の共通エミッタには、定電流源
1oが設けられる。上記トランジスタQ1とG2のコレ
クタは、それぞれ負荷抵抗R1,R2が設けられる。な
お、論理を採る場合には、上記トランジスタQ1に対し
て1ないし複数のトランジスタが並列形態に設けられ、
それぞれのベースに入力信号が供給される。
A constant current source 1o is provided at the common emitter of transistors Q1 and G2. The collectors of the transistors Q1 and G2 are provided with load resistors R1 and R2, respectively. Note that when logic is used, one or more transistors are provided in parallel with the transistor Q1,
An input signal is supplied to each base.

この実施例では、上記トランジスタQlとG2のコレク
タ出力は、トランジスタQ3と定電流源Io及びトラン
ジスタQ4と定電流源1oからなるエミッタフォロワ出
力回路を介して次段の論理ゲート回路C1,G2等の入
力信号Do、DOとして伝えられる。なお、上記差動ト
ランジスタQ1、G2の共通エミッタに設けられる定電
流源IOとエミッタフォロワ出力トランジスタQ3.G
4のエミッタに設けられる定電流源■0とは、同じ回路
記号で示しているが、同じ定電流を流すものという限定
的な意味を示すものではなく、−船釣な意味での定電流
源のことをいう。それ故、上記の定電流源IOt流値は
異なるようにしてもよいし同じにしてもよい。
In this embodiment, the collector outputs of the transistors Ql and G2 are transmitted to the next stage logic gate circuits C1, G2, etc. via an emitter follower output circuit consisting of a transistor Q3 and a constant current source Io, and a transistor Q4 and a constant current source 1o. It is transmitted as input signals Do, DO. Note that a constant current source IO and an emitter follower output transistor Q3 . G
The constant current source provided in the emitter of 4 ■0 is shown with the same circuit symbol, but it does not mean that it flows the same constant current, but rather it is a constant current source in the boat fishing sense. It refers to Therefore, the above constant current source IOt current values may be different or may be the same.

この実施例では、上記のような単位のECLu路の出力
信号のモニターと、そのレベル設定を可能にするため、
次の回路素子が付加される。
In this embodiment, in order to enable monitoring of the output signal of the ECLu path in units as described above and setting its level,
The following circuit elements are added.

エミッタフォロワ出力トランジスタQ3のエミッタは、
トランジスタQ5のベースに供給される。
The emitter of the emitter follower output transistor Q3 is
Supplied to the base of transistor Q5.

このトランジスタQ5のコレクタは、電源電圧Vccに
結合され、そのエミッタには抵抗R4を介して定電流源
IOに接続される。上記抵抗R4の両端の電圧は、トラ
ンジスタQ7のベースとエミッタ間に供給される。この
トランジスタQ7のコレクタは、抵抗R3を介して上記
出力トランジスタQ3のベースに結合される。上記抵抗
R4と定電流源Ioとの接続点とトランジスタQ5のベ
ースとの間には、ダイオード形態にされたトランジスタ
Q6が設けられる。トランジスタQ6の共通接続された
ベース、コレクタは、アノード側として上記抵抗R4と
定電流源Ioとの接続点に結合され、そのエミッタはカ
ソード何として上記トランジスタQ5のベースに結合さ
れる。そして、上記抵抗R4と定電流源ioとの接続点
には、テスト用の端子VTに結合される。
The collector of this transistor Q5 is coupled to the power supply voltage Vcc, and its emitter is connected to a constant current source IO via a resistor R4. The voltage across the resistor R4 is supplied between the base and emitter of the transistor Q7. The collector of this transistor Q7 is coupled to the base of the output transistor Q3 via a resistor R3. A diode-shaped transistor Q6 is provided between the connection point between the resistor R4 and the constant current source Io and the base of the transistor Q5. The commonly connected base and collector of the transistor Q6 are connected as an anode to the connection point between the resistor R4 and the constant current source Io, and the emitter is connected as a cathode to the base of the transistor Q5. A test terminal VT is connected to the connection point between the resistor R4 and the constant current source io.

上記端子VTは、半導体集積回路装置の外部端子として
もよいし、半導体ウェハ上での集積回路のブロービング
に使用されるテスト用パッドであってもよい。
The terminal VT may be an external terminal of a semiconductor integrated circuit device, or may be a test pad used for blowing an integrated circuit on a semiconductor wafer.

この実施例回路の動作を次に説明する。The operation of this embodiment circuit will now be described.

上記端子VTをモニタ一端子として使用するとき、トラ
ンジスタQ5がエミッタフォロワ出力トランジスタとし
て動作し、トランジスタQ3の出力信号Doに対応した
信号を端子VTから出力する。これにれり、例えば、上
記トランジスタQ3の出力信号DOがハイレベルなら端
子VTはハイレベルにされ、ロウレベルなら端子VTは
ロウレベルにされる。
When the terminal VT is used as a monitor terminal, the transistor Q5 operates as an emitter follower output transistor and outputs a signal corresponding to the output signal Do of the transistor Q3 from the terminal VT. Accordingly, for example, if the output signal DO of the transistor Q3 is at a high level, the terminal VT is set at a high level, and when it is at a low level, the terminal VT is set at a low level.

上記出力信号DOがハイレベルのとき、端子VTからハ
イレベルを供給すると、トランジスタQ5のベース、エ
ミッタ間には、同じハイレベルから供給されるからオフ
状態になって出力信号り。
When the output signal DO is at a high level, if a high level is supplied from the terminal VT, the same high level is supplied between the base and emitter of the transistor Q5, so that the transistor Q5 is turned off and the output signal is output.

はハイレベルのままにされる。上記状態において、端子
VTをロウレベルにすると、トランジスタQ5に比較的
大きな電流が流れることになる。この電流によって抵抗
R4の電圧降下が大きくなってトランジスタQ7をオン
状態にする。このトランジスタQ7のオン状態により抵
抗R3を介してECLの負荷抵抗R2に電流を流して、
ECL回路の入力信号DIに無関係にトランジスタQ3
のベース電位をロウレベルに低下させるため、その出力
信号DOは上記のようなハイレベルからロウレベルに変
化する。このとき、トランジスタQ3のベース電位は、
抵抗R2と抵抗R3の分圧により決まり、ロウレベルに
変化される出力信号DoのレベルがトランジスタQ5を
カットオフしないような電圧に設定するものである。
is left at a high level. In the above state, when the terminal VT is set to a low level, a relatively large current flows through the transistor Q5. This current increases the voltage drop across resistor R4, turning transistor Q7 on. Due to the on state of this transistor Q7, current flows through the load resistor R2 of the ECL via the resistor R3,
Transistor Q3 regardless of the input signal DI of the ECL circuit.
In order to lower the base potential of the transistor to a low level, its output signal DO changes from a high level as described above to a low level. At this time, the base potential of transistor Q3 is
This is determined by the voltage division between the resistors R2 and R3, and is set to a voltage such that the level of the output signal Do, which is changed to low level, does not cut off the transistor Q5.

上記出力信号Doがロウレベルのとき、端子VTからロ
ウレベルを供給すると、トランジスタQ5のベース、エ
ミッタ間には、同じロウレベルが供給されるからオフ状
態になって出力信号DOはロウレベルのままにされる。
When the output signal Do is at a low level, when a low level is supplied from the terminal VT, the same low level is supplied between the base and emitter of the transistor Q5, so that the transistor Q5 is turned off and the output signal DO remains at the low level.

上記状態において、端子VTをハイレベルにすると、ト
ランジスタQ5とトランジスタQ7は、ベース、エミッ
タ間が逆バイアスされる結果オフ状態になる。そして、
端子VTから供給されるハイレベルがダイオード形態の
トランジスタQ6を介して上記出力信号DOに伝えられ
、それをハイレベルにする。このとき、出力トランジス
タQ3もベース、エミッタ間が逆バイアスされるためオ
フ状態になる。したがって、トランジスタQ3のエミッ
タに設けられる定電流源■0の電流は上記ダイオード形
態のトランジスタQ6を通して端子VTから流れ込むも
のとなる。
In the above state, when the terminal VT is set to a high level, the transistors Q5 and Q7 are turned off as a result of being reverse biased between their bases and emitters. and,
The high level supplied from the terminal VT is transmitted to the output signal DO through the diode-type transistor Q6, making it a high level. At this time, the output transistor Q3 is also turned off because its base and emitter are reverse biased. Therefore, the current of the constant current source (20) provided at the emitter of the transistor Q3 flows from the terminal VT through the diode-type transistor Q6.

このようにして、端子VTは上記のような単位のECL
回路の出力モニタ一端子として用いられることの他、そ
の出力信号Doを任意に設定するために利用できる。こ
れにより、この出力信号DOを受ける後段の論理ゲート
回路01等の機能試験等のための入力信号を直接供給で
きるから、そのテスト時間の短縮化が可能になる。
In this way, the terminal VT has the unit ECL as shown above.
In addition to being used as a circuit output monitor terminal, it can also be used to arbitrarily set the output signal Do. This makes it possible to directly supply an input signal for functional testing of the subsequent logic gate circuit 01, etc. that receives this output signal DO, thereby making it possible to shorten the testing time.

なお、上記エミッタフォロワ出力トランジスタQ3等の
エミッタ出力に前記のような試験回路が設けられるもの
であるが、その出力インピーダンスは低く、その高速動
作を損なうことにはならない。また、トランジスタQ3
のベースには、抵抗R3が接続されることになり、その
寄生容量分だけ速度が遅くなると考えられる。しかし、
この抵抗R5における寄生容量は、トランジスタQ2の
サブストレート容量や、トランジスタQ3のベース、コ
レクタ間容量やベース、エミッタ間容量に比較すると、
十分小さいものとなる。それ故、上記のような抵抗R5
を付加しても、ECL回路の動作速度が実質的に遅くさ
れてしまうことはならない、これによって、上記のよう
な試験回路・を付加しても、ECL回路側の回路動作の
遅延は殆ど無いといっても過言ではない。
Although the above-mentioned test circuit is provided at the emitter output of the emitter follower output transistor Q3, etc., its output impedance is low and does not impair its high-speed operation. Also, transistor Q3
Since the resistor R3 will be connected to the base of the resistor R3, the speed will be slowed down by the parasitic capacitance. but,
The parasitic capacitance in this resistor R5 is compared with the substrate capacitance of the transistor Q2, the base-collector capacitance, and the base-emitter capacitance of the transistor Q3.
It will be small enough. Therefore, the resistor R5 as above
Even if the test circuit is added, the operating speed of the ECL circuit will not be substantially slowed down.As a result, even if the above test circuit is added, there will be almost no delay in the circuit operation on the ECL circuit side. It is no exaggeration to say that.

上記実施例から得られる作用効果は、下記の通りである
。すなわち、 (1) E CL回路におけるエミッタフォロワ出力ト
ランジスタQ3のエミッタにそのベースが結合され、そ
のコレクタに動作電圧が供給され、そのエミッタに抵抗
R4を介して定電流源が接続されたトランジスタQ5を
設け、上記抵抗R4の両端の電圧を、そのコレクタが抵
抗R3を介して上記出力トランジスタQ3のベースに結
合されたトランジスタQ7のベースとエミッタに供給し
、上記抵抗R4と定電流源と接続点から上記トランジス
タQ5のベースに向かって電流を流す一方向性素子を設
け、上記抵抗R4と定電流源との接続にテスト用端子を
結合させる。この構成においては、実質的にエミッタフ
ォロワ回路を構成するトランジスタQ5によりモニター
出力信号が得られるとともに、上記テスト端子にハイレ
ベル又はロウレベルG供給すると、それに応じて一方向
性素子及びトランジスタQ7の動作によって内部状態を
任意にハイレベル又はロウレベルに設定できるという効
果が得られる。
The effects obtained from the above examples are as follows. That is, (1) A transistor Q5 whose base is coupled to the emitter of an emitter follower output transistor Q3 in the ECL circuit, an operating voltage is supplied to its collector, and a constant current source is connected to its emitter via a resistor R4. The voltage across the resistor R4 is supplied to the base and emitter of a transistor Q7 whose collector is coupled to the base of the output transistor Q3 via the resistor R3, and from the connection point between the resistor R4 and the constant current source. A unidirectional element is provided that allows current to flow toward the base of the transistor Q5, and a test terminal is connected to the connection between the resistor R4 and the constant current source. In this configuration, a monitor output signal is obtained by the transistor Q5, which essentially constitutes an emitter follower circuit, and when a high level or low level G is supplied to the test terminal, the unidirectional element and the transistor Q7 operate accordingly. This provides the advantage that the internal state can be arbitrarily set to a high level or a low level.

(2)上記(1)により、ECL内部回路の信号のモニ
ターと、任意に論理レベルの指定が可能になるから回路
機能試験のためのテストパターンの作成が容易になりテ
ィスティング時間の短縮化が可能になるという効果が得
られる。
(2) With (1) above, it becomes possible to monitor the signals of the ECL internal circuit and specify the logic level arbitrarily, making it easier to create test patterns for circuit function tests and shortening the testing time. The effect is that it becomes possible.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない0例えば、トランジスタQ
6はダイオードに置き換えるものであってもよい。また
、半導体集積回路装置は開発用のものであってもよい、
また、定電流源IOの構成は、定電圧を受けるトランジ
スタのような定電流回路の他、比較的大きな抵抗値を持
つ抵抗であってもよい、また、上記のような試験回路は
、トランジスタQ3に代えてトランジスタQ4のエミッ
タ出力側に設けるもの、あるいはトランジスタQ3とG
4の双方のエミッタに共に設けるものであってもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. For example, transistor Q
6 may be replaced with a diode. Furthermore, the semiconductor integrated circuit device may be for development purposes.
Further, the configuration of the constant current source IO may be a constant current circuit such as a transistor receiving a constant voltage, or a resistor having a relatively large resistance value. In place of , one provided on the emitter output side of transistor Q4, or
It may also be provided in both emitters of No. 4.

第1図において、ゲート回路G1.G2は、ECLゲー
ト回路の他、上記入力信号DIと同相の信号と逆相の信
号によりスイッチングされ、その出力が交差的に結合さ
れる二組の差動回路と、上記二組の差動トランジスタの
エミッタに、他の入力信号を受ける差動トランジスタの
コレクタ出力を供給してアナログ的な掛算回路を構成す
るもの等であってもよい。
In FIG. 1, gate circuit G1. G2 includes, in addition to the ECL gate circuit, two sets of differential circuits that are switched by a signal in phase with the input signal DI and a signal in reverse phase, and whose outputs are cross-coupled, and the two sets of differential transistors. An analog multiplication circuit may be constructed by supplying the collector output of a differential transistor that receives another input signal to the emitter of the transistor.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、ECL回路におけるエミッタフォロワ出力
トランジスタQ3のエミッタにそのベースが結合され、
そのコレクタに動作電圧が供給され、そのエミッタに抵
抗R4を介して定電流源が接続されたトランジスタQ5
を設け、上記抵抗R4の両端の電圧を、そのコレクタが
抵抗R3を介して上記出力トランジスタQ3のベースに
結合されたトランジスタQ7のベースとエミッタに供給
し、上記抵抗R4と定電流源と接続点から上記トランジ
スタQ5のベースに向かって電流を流す一方向性素子を
設け、上記抵抗R4と定電流源との接続にテスト用端子
を結合させる。この構成においては、実質的にエミッタ
フォロワ回路を構成するトランジスタQ5によりモニタ
ー出力信号が得られるとともに、上記テスト端子にハイ
レベル又はロウレベルを供給すると、それに応じて一方
向性素子及びトランジスタQ7の動作によって内部状態
を任意にハイレベル又はロウレベルに設定できる。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows. That is, its base is coupled to the emitter of the emitter follower output transistor Q3 in the ECL circuit,
A transistor Q5 whose collector is supplied with an operating voltage and whose emitter is connected to a constant current source via a resistor R4.
is provided, and supplies the voltage across the resistor R4 to the base and emitter of a transistor Q7 whose collector is coupled to the base of the output transistor Q3 via the resistor R3, and connects the resistor R4 and the constant current source to the connection point. A unidirectional element is provided that causes current to flow from the transistor Q5 toward the base of the transistor Q5, and a test terminal is connected to the connection between the resistor R4 and the constant current source. In this configuration, a monitor output signal is obtained by the transistor Q5, which essentially constitutes an emitter follower circuit, and when a high level or a low level is supplied to the test terminal, the unidirectional element and the transistor Q7 operate accordingly. The internal state can be arbitrarily set to high or low level.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明の一実施例を示す回路図である。 FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、ECL回路におけるエミッタフォロワ出力トランジ
スタQ3のエミッタに対してそのベースが結合され、そ
のコレクタに動作電圧が供給され、そのエミッタに抵抗
R4を介して定電流源が設けられたトランジスタQ5と
、上記抵抗R4の両端の電圧がベースとエミッタに供給
され、そのコレクタが抵抗R3を介して上記出力トラン
ジスタQ3のベースに結合されたトランジスタQ7と、
上記抵抗R4と定電流源と接続点にそのアノード側が結
合され、そのカソード側が上記トランジスタQ5のベー
スに結合された一方向性素子と、上記抵抗R4と定電流
源との接続に結合されるテスト用端子とを含むことを特
徴とする半導体集積回路装置。 2、上記一方向性素子は、ダイオード形態に接続された
トランジスタであることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の半導体集積回路装置。
[Claims] 1. The base of the emitter follower output transistor Q3 in the ECL circuit is coupled to the emitter, the collector is supplied with an operating voltage, and the emitter is provided with a constant current source via a resistor R4. a transistor Q7 whose base and emitter are supplied with the voltage across the resistor R4, and whose collector is coupled to the base of the output transistor Q3 via the resistor R3;
A test in which the anode side is coupled to the connection point between the resistor R4 and the constant current source, and the unidirectional element whose cathode side is coupled to the base of the transistor Q5, and the connection between the resistor R4 and the constant current source. 1. A semiconductor integrated circuit device comprising a terminal for 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the unidirectional element is a transistor connected in a diode configuration.
JP62285322A 1987-11-13 1987-11-13 Semiconductor integrated circuit device Pending JPH01127979A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62285322A JPH01127979A (en) 1987-11-13 1987-11-13 Semiconductor integrated circuit device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62285322A JPH01127979A (en) 1987-11-13 1987-11-13 Semiconductor integrated circuit device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01127979A true JPH01127979A (en) 1989-05-19

Family

ID=17690041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62285322A Pending JPH01127979A (en) 1987-11-13 1987-11-13 Semiconductor integrated circuit device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01127979A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0879050A (en) Bicmos logic circuit
JPH0537324A (en) Multiplexer circuit
JPS6010815A (en) Logic circuit
JP2546004B2 (en) Level conversion circuit
JPH01127979A (en) Semiconductor integrated circuit device
JP2699823B2 (en) Semiconductor integrated circuit
GB2121255A (en) Comparator circuit
JPH0421370B2 (en)
JPS6315519A (en) Interface circuit
JPH0498683A (en) Differential amplifier circuit
JPH01164060A (en) Semiconductor device
JPS63164613A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0433410A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPS6113413B2 (en)
JPH03196670A (en) Output circuit
JPH03266520A (en) Ecl logic circuit
JPH09284120A (en) Level conversion circuit
JPH0669785A (en) Semiconductor integrated circuit
JPH02161809A (en) Logic circuit
JPH04262617A (en) Semiconductor integrated circuit
JPH0389625A (en) Semiconductor logic circuit
JPH01272306A (en) Starting circuit for current source circuit
JPH01144710A (en) Differential amplifier circuit
JPS6020606A (en) Differential amplifier circuit
JPH04351117A (en) Ecl output circuit