JPH01125911A - 高耐食性非晶質磁性膜 - Google Patents
高耐食性非晶質磁性膜Info
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- JPH01125911A JPH01125911A JP28327587A JP28327587A JPH01125911A JP H01125911 A JPH01125911 A JP H01125911A JP 28327587 A JP28327587 A JP 28327587A JP 28327587 A JP28327587 A JP 28327587A JP H01125911 A JPH01125911 A JP H01125911A
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Landscapes
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度磁気記録に適する薄膜ヘッド磁極に用
いる磁性ＪＩＩＫ％ｊ）、特に高飽和磁束密度、高耐食
性を有し、ヘッドクラツシＳｔ−起さない薄膜ヘッドを
得る丸めの高耐食性非晶質磁性膜に関する。
いる磁性ＪＩＩＫ％ｊ）、特に高飽和磁束密度、高耐食
性を有し、ヘッドクラツシＳｔ−起さない薄膜ヘッドを
得る丸めの高耐食性非晶質磁性膜に関する。
磁気記録の高密度化、高性能化の進歩にはめざましいも
のがある。大盤コンピューター用の磁気ディスク装置の
分野においては、記録密度の大幅な向上により、大容量
化が図られてきた。磁気ディスク装置においでは、従来
のフェライト減バルクヘッドに比べてインダクタンスが
小さく、高周波透磁率が大きくて、狭トラツク幅加工の
可能な薄膜ヘッドの使用が必須となっている。
のがある。大盤コンピューター用の磁気ディスク装置の
分野においては、記録密度の大幅な向上により、大容量
化が図られてきた。磁気ディスク装置においでは、従来
のフェライト減バルクヘッドに比べてインダクタンスが
小さく、高周波透磁率が大きくて、狭トラツク幅加工の
可能な薄膜ヘッドの使用が必須となっている。
薄膜ヘッドにおいては、記録の高密度化に伴って分解能
を向上するために磁極を薄膜化する必要があシ、薄い磁
極先端でａ気飽和が起こシ易く、このため高飽和磁束密
度の磁性膜を用いた薄膜ヘッドが必要になっている。
を向上するために磁極を薄膜化する必要があシ、薄い磁
極先端でａ気飽和が起こシ易く、このため高飽和磁束密
度の磁性膜を用いた薄膜ヘッドが必要になっている。
薄膜ヘッド用の磁性膜として、従来、主にＮ１−ｐｅ系
合金膜（パーマロイ膜）が用いられてきた。Ｎｉ−Ｆｅ
系合金膜は、耐食性に優れているが、飽和磁束密度は１
．ＯＴでめる。Ｎ１−ｐｅでは、今後の高飽和磁束密度
化に対応しきれなくなってきている。
合金膜（パーマロイ膜）が用いられてきた。Ｎｉ−Ｆｅ
系合金膜は、耐食性に優れているが、飽和磁束密度は１
．ＯＴでめる。Ｎ１−ｐｅでは、今後の高飽和磁束密度
化に対応しきれなくなってきている。
近年高飽和磁束密度で高性能の磁性膜として非晶質スパ
ッタ膜が開発されつつある。。この中でも特に耐熱性に
優れ、磁気ヘッド用磁性膜として優れた特性を有してい
るｚｒ系非晶質合金は、具体的には［ａ’ｌ’ｂｚｒの
組成式で表わされる。ここでＭは磁気モーメントを有す
るＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉなどの少なくとも一種であ〕、Ｔは
Ｍおよび７．ｒ以外の遷移金属である。このようなガラ
ス化元素が主にｚｒからなる非晶質合金については、特
開昭５５−１３８０４９ならびに特開昭５６−８４４３
９等に述べられている。これらの７．ｒ系非晶質合金の
中でもＭがＣｏからなるＣｏ−２ｔ系非晶質は、飽和磁
束密度が高く、優れた磁性材料である。しかし、この非
晶質合金の磁歪定数は、２〜４Ｘ１０−’と比較的大き
な値を示すため、添加元素Ｔとして、非晶質合金の磁歪
定数に負の寄与をあたえるＶ。
ッタ膜が開発されつつある。。この中でも特に耐熱性に
優れ、磁気ヘッド用磁性膜として優れた特性を有してい
るｚｒ系非晶質合金は、具体的には［ａ’ｌ’ｂｚｒの
組成式で表わされる。ここでＭは磁気モーメントを有す
るＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉなどの少なくとも一種であ〕、Ｔは
Ｍおよび７．ｒ以外の遷移金属である。このようなガラ
ス化元素が主にｚｒからなる非晶質合金については、特
開昭５５−１３８０４９ならびに特開昭５６−８４４３
９等に述べられている。これらの７．ｒ系非晶質合金の
中でもＭがＣｏからなるＣｏ−２ｔ系非晶質は、飽和磁
束密度が高く、優れた磁性材料である。しかし、この非
晶質合金の磁歪定数は、２〜４Ｘ１０−’と比較的大き
な値を示すため、添加元素Ｔとして、非晶質合金の磁歪
定数に負の寄与をあたえるＶ。
Ｎｂ、Ｔａ、ＭＯ，Ｗなどの元素を用いることにより磁
歪定数がほぼ０の非１質合金が得られる。
歪定数がほぼ０の非１質合金が得られる。
この中でも、特開昭５９−９６２４１．４Ｉ開昭５９−
９８３１５に示されているようにｓ Ｃｏ Ｔ ａ Ｚ
ｒ非晶質膜は最も耐熱性に優れており、磁歪零におい
て飽和磁束密度が１．５Ｔ得られることから、薄膜磁気
ヘッド用磁性膜として有望視されている。
９８３１５に示されているようにｓ Ｃｏ Ｔ ａ Ｚ
ｒ非晶質膜は最も耐熱性に優れており、磁歪零におい
て飽和磁束密度が１．５Ｔ得られることから、薄膜磁気
ヘッド用磁性膜として有望視されている。
ところが、Ｃｏ組成を変えた磁歪零のｃｏ’ｐａｚｒ非
晶質磁性Ｊ［を磁極に用いた薄膜ヘッドを試作し、温度
６０Ｃ，湿度８０％の環境中で実損試験を行なったとこ
ろ、試験開始後１５０時間後にヘッドクラッシュを起す
ものがあった。特にＣｏ組成が９０ａｔ％以上のヘッド
は試験ヘッドの３０％以上のヘッドがヘッドクラッシュ
を起しヘッド媒体とも損傷してしまうという問題があっ
た。本発明の目的は、Ｃｏ組成が９０８ｔｅ以上で飽和
磁束密度の高いＣｏ系非晶質膜を磁極に用いた薄膜ヘッ
ドにおいて、ヘッドクラッシュを減少させることにある
。
晶質磁性Ｊ［を磁極に用いた薄膜ヘッドを試作し、温度
６０Ｃ，湿度８０％の環境中で実損試験を行なったとこ
ろ、試験開始後１５０時間後にヘッドクラッシュを起す
ものがあった。特にＣｏ組成が９０ａｔ％以上のヘッド
は試験ヘッドの３０％以上のヘッドがヘッドクラッシュ
を起しヘッド媒体とも損傷してしまうという問題があっ
た。本発明の目的は、Ｃｏ組成が９０８ｔｅ以上で飽和
磁束密度の高いＣｏ系非晶質膜を磁極に用いた薄膜ヘッ
ドにおいて、ヘッドクラッシュを減少させることにある
。
上記問題を解決するために１発明者らはｔ Ｃ。
組成が９０ａｔ ４以上のｃｏ’ｆａｚｒ系非晶質膜に
種種の元素を添加して磁性膜の磁気特性、耐食性を調べ
た。さらに、これらの磁性ｇｔ−磁極に用いた薄膜磁気
ヘッドを試作し実機テストよってヘッドクラッシュの起
る頻度を調べた。その結果、第４元素としてＴｉｔ Ｃ
ｒ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｈｆのいずれかを添加するとＣ
ｏ組成が９０ａｔ％以上のＣｏＴａＺｒＭ非晶質膜を磁
極に用いたヘッドでも、ヘッドクラッシュが起らないこ
とを見出し九。
種種の元素を添加して磁性膜の磁気特性、耐食性を調べ
た。さらに、これらの磁性ｇｔ−磁極に用いた薄膜磁気
ヘッドを試作し実機テストよってヘッドクラッシュの起
る頻度を調べた。その結果、第４元素としてＴｉｔ Ｃ
ｒ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｈｆのいずれかを添加するとＣ
ｏ組成が９０ａｔ％以上のＣｏＴａＺｒＭ非晶質膜を磁
極に用いたヘッドでも、ヘッドクラッシュが起らないこ
とを見出し九。
第２図にはｂ Ｃｏ Ｔ ａ Ｚ ｒ系非晶質合金を用
いた薄膜ヘッドとｒ −Ｆｅａｒｓ を搭載した磁気デ
ィスクを温度６０Ｃ９湿度８０−の環境でスペーシング
０．２μｍ、回転数３６０Ｏｒｐｍでディスクを回転さ
せて１５０時間保持した時のヘッドクラッシュ発生率（
発生率エヘツドクラッシュしたヘッド数／試験したヘッ
ド数Ｘ１００％）とＣｏＴａｚｒ非晶質膜のＣｏ組成と
の関係を示す。なおｓ ＣｏＴａＺ ｒ非晶質膜のＴａ
、７．ｒは’ｌ’ａ二ｚｒ＝５：３とした。
いた薄膜ヘッドとｒ −Ｆｅａｒｓ を搭載した磁気デ
ィスクを温度６０Ｃ９湿度８０−の環境でスペーシング
０．２μｍ、回転数３６０Ｏｒｐｍでディスクを回転さ
せて１５０時間保持した時のヘッドクラッシュ発生率（
発生率エヘツドクラッシュしたヘッド数／試験したヘッ
ド数Ｘ１００％）とＣｏＴａｚｒ非晶質膜のＣｏ組成と
の関係を示す。なおｓ ＣｏＴａＺ ｒ非晶質膜のＴａ
、７．ｒは’ｌ’ａ二ｚｒ＝５：３とした。
Ｃｏ組成が９０ａｔｌｔでヘッドクラッシュ発生率は１
０％以下であるが％ Ｃｏ組成が９０ａｔ−以上になる
とヘッドクラッシュ発生率は３０％以上になり九。
０％以下であるが％ Ｃｏ組成が９０ａｔ−以上になる
とヘッドクラッシュ発生率は３０％以上になり九。
第３図に、ＣｏＴａｚｒ系非晶質合金においてＴａとｚ
ｒＯ比を５＝３と一定にしておいてＣ。
ｒＯ比を５＝３と一定にしておいてＣ。
組成を変えたときのＣｏ組成とＣｏＴａｚｒ系非晶質合
金の耐食性との関係を示す。耐食性は、試料を温度６０
Ｃ，湿度８０％の恒温恒温炉に１５０時間放置し、飽和
磁化の変化量で評価した。すなわち、腐食率を（Ｍｓ（
０） Ｍｇ（１００Ｇ））／Ｍ易（０）×１００ （
−）で定義した。ここでＭ ａ（ｔ）は％ を時間後の
飽和磁化である。Ｃｏ組成が９０ａｔ−までは。
金の耐食性との関係を示す。耐食性は、試料を温度６０
Ｃ，湿度８０％の恒温恒温炉に１５０時間放置し、飽和
磁化の変化量で評価した。すなわち、腐食率を（Ｍｓ（
０） Ｍｇ（１００Ｇ））／Ｍ易（０）×１００ （
−）で定義した。ここでＭ ａ（ｔ）は％ を時間後の
飽和磁化である。Ｃｏ組成が９０ａｔ−までは。
ｃｏ’ｆａｌｒ非晶質合金は腐食していないがｓ Ｃ。
組成が５ｏａｔ＊をこえると、急激に腐食率が増してい
る。このようにヘッドクラッシュと磁極の磁性膜の耐食
性とは相関がある。ヘッドクラツシエの原因は、媒体表
面上に存在する磁極の腐食物が障害となり九ためと判断
される。
る。このようにヘッドクラッシュと磁極の磁性膜の耐食
性とは相関がある。ヘッドクラツシエの原因は、媒体表
面上に存在する磁極の腐食物が障害となり九ためと判断
される。
第１図にはｍ Ｃ０９ｓＴａ ＸＺ ｒ ｙＭ ＊ （
Ｘ ＋ ３’ ＋ Ｚ ＝８ ｅｘ：ｙ＝５：３）非晶
質合金を用いた薄膜ヘッドとｒ−Ｆｅ麿０ｓｔ−搭載し
た磁気ディスクを温度６０Ｃ。
Ｘ ＋ ３’ ＋ Ｚ ＝８ ｅｘ：ｙ＝５：３）非晶
質合金を用いた薄膜ヘッドとｒ−Ｆｅ麿０ｓｔ−搭載し
た磁気ディスクを温度６０Ｃ。
湿度８０チの環境でスペーシングａ２μｍ１回転数３６
０Ｏｒｐｍでディスクを回転させて１５０時間保持した
時のヘッドクラッシュ発生率と添加元素ＭＯ添加量との
関係を示す。なお、Ｍ＝Ｃｒ。
０Ｏｒｐｍでディスクを回転させて１５０時間保持した
時のヘッドクラッシュ発生率と添加元素ＭＯ添加量との
関係を示す。なお、Ｍ＝Ｃｒ。
Ｔ ｉ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｈｆ、Ｗ、Ｖ、Ｐｄ。
ＭＯである。ＣＯＴＩＩＺｒＭ非晶質膜は高周波２極ス
パツタ法により形成した。ｃｒ、’ｒｔ、 Ｎｂは。
パツタ法により形成した。ｃｒ、’ｒｔ、 Ｎｂは。
ｌ ａｔ％添加するだけで、ヘッドクラッシュ発生率は
、３ａｔｌＧ添加するとヘッドクラッシュ発生率が１０
５１以下まで減少した。、ところが、Ｗ、Ｖ。
、３ａｔｌＧ添加するとヘッドクラッシュ発生率が１０
５１以下まで減少した。、ところが、Ｗ、Ｖ。
ツシ二発生率が７０％以上になった。 “第４図
にはｉｏｓｍ Ｔａ、 Ｚｒ、 Ｍ、（ｘ＋ｙ＋ｚ＝８
゜ｘ ： ｙ＝５ ： ３）非晶質合金の腐食率と第４
添加元素ＭＯ添加量との関係を示す。腐食試験は第３図
と同様でる。る。なおｓ Ｍ＝Ｃｒ、 Ｔ ｉ、 ５ｈ
ｅｌｕ、Ｒｈ、Ｈｆ、Ｗ、Ｖ、Ｐｄ、ＭＯである。
にはｉｏｓｍ Ｔａ、 Ｚｒ、 Ｍ、（ｘ＋ｙ＋ｚ＝８
゜ｘ ： ｙ＝５ ： ３）非晶質合金の腐食率と第４
添加元素ＭＯ添加量との関係を示す。腐食試験は第３図
と同様でる。る。なおｓ Ｍ＝Ｃｒ、 Ｔ ｉ、 ５ｈ
ｅｌｕ、Ｒｈ、Ｈｆ、Ｗ、Ｖ、Ｐｄ、ＭＯである。
ＣｏＴａＺｒＭ非晶質膜は試料は高岡［２極スパツタ法
によシ形成した。Ｃｒ、’Ｉ’ｉ、Ｎｂは、１ａｔチ添
加するだけで、耐＊性が向上している。Ｒｕ。
によシ形成した。Ｃｒ、’Ｉ’ｉ、Ｎｂは、１ａｔチ添
加するだけで、耐＊性が向上している。Ｒｕ。
Ｈｈ、Ｈｒは、 ３ａｔ ｓ添加すると耐食性が向上し
た。ところが、Ｗｅ Ｖｔ ＰｔＬ Ｍｏ扛数ａｔ＠添
加すると逆に耐食性は悪くなっている。このように。
た。ところが、Ｗｅ Ｖｔ ＰｔＬ Ｍｏ扛数ａｔ＠添
加すると逆に耐食性は悪くなっている。このように。
ＣｏＴａｚｒに第４添加元素を添加したときもヘッドク
ラツシエと磁極磁性膜の耐−性とのあいだには相関があ
った。
ラツシエと磁極磁性膜の耐−性とのあいだには相関があ
った。
”ｓｓＴａｇｚｒ、非晶質膜の磁歪はほぼ零で６るが、
第４添加元素としてＣｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｎｂを添加した
ときは磁歪は負のほうに変化し％ Ｔ １ ＃Ｈｆｔ−
添加した時は正のほうに変化した。したがってＣｏＴａ
ＺｒＭの磁歪を零にするには、Ｍ＝Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｎｂの時Ｔｓ＋：Ｚｒ＝５：３よシも７．ｒの割合を多
くする必要があり九。ま九Ｍ＝Ｔｉ、Ｈｆの時は逆にＴ
ａの割合を多くする必要があった。第１費には％ Ｃｏ
ＴａＺｒＭ非晶質膜の磁歪を零にする組成の代表例と緒
特性を示す。上記元素を添加しても保持力線添加しない
ときと同等の０．３０ ｅ を示して−た。また、Ｔａ
とｚｒを比較するとｓ Ｔ ａ量が多い程へッドクラツ
シエ発生率がすくなくその磁性膜耐食性に優れて９九。
第４添加元素としてＣｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｎｂを添加した
ときは磁歪は負のほうに変化し％ Ｔ １ ＃Ｈｆｔ−
添加した時は正のほうに変化した。したがってＣｏＴａ
ＺｒＭの磁歪を零にするには、Ｍ＝Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｎｂの時Ｔｓ＋：Ｚｒ＝５：３よシも７．ｒの割合を多
くする必要があり九。ま九Ｍ＝Ｔｉ、Ｈｆの時は逆にＴ
ａの割合を多くする必要があった。第１費には％ Ｃｏ
ＴａＺｒＭ非晶質膜の磁歪を零にする組成の代表例と緒
特性を示す。上記元素を添加しても保持力線添加しない
ときと同等の０．３０ ｅ を示して−た。また、Ｔａ
とｚｒを比較するとｓ Ｔ ａ量が多い程へッドクラツ
シエ発生率がすくなくその磁性膜耐食性に優れて９九。
したがって、磁歪を零にする組成で比べると、磁歪の点
からＴ！量を多くできるＴｉが、最もヘッドクラツシエ
を減少させることができた。
からＴ！量を多くできるＴｉが、最もヘッドクラツシエ
を減少させることができた。
を九、ＴｉＦｉｌよシも非晶質形成能が弱いので、非晶
質膜の耐熱性を下げないためには、できるだけＴｉ量は
、少ない方が良い。特開昭６２−１０７４１６で示され
ているような耐熱性ポリイミド系樹脂ＰＩＱ（日立化成
社商標）を絶縁層として使った薄膜ヘッドでは、磁極磁
性膜に必要とされて−る耐熱温度は４０００以上必要で
あるとされている。Ｃ０５ｓＴａｘＺｒ、’ｌ’ｉ、の
ば′ｈ−は、耐熱温度（結晶化温度）が４００Ｃ以下で
あるためには。
質膜の耐熱性を下げないためには、できるだけＴｉ量は
、少ない方が良い。特開昭６２−１０７４１６で示され
ているような耐熱性ポリイミド系樹脂ＰＩＱ（日立化成
社商標）を絶縁層として使った薄膜ヘッドでは、磁極磁
性膜に必要とされて−る耐熱温度は４０００以上必要で
あるとされている。Ｃ０５ｓＴａｘＺｒ、’ｌ’ｉ、の
ば′ｈ−は、耐熱温度（結晶化温度）が４００Ｃ以下で
あるためには。
２≦３（ａｔｅ）である必要がめった。
本発明によれば、Ｃｏ組成が９０ａｔ％以上でも高耐食
性を有し、低保磁力で零磁歪のＣＯＴａＺｒＭ系非晶質
膜が得られるので、飽和磁束の高い磁極をもちかつヘッ
ドクラッシュが少ない信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを得
られる効果があろっ
性を有し、低保磁力で零磁歪のＣＯＴａＺｒＭ系非晶質
膜が得られるので、飽和磁束の高い磁極をもちかつヘッ
ドクラッシュが少ない信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを得
られる効果があろっ
第１図は＊ ＣＯｅｔＴａｘＺｒｙＭ ｘ （ｘ＋ｙ＋
ｚ ＝８ 、ｘ：）ｒ＝５：３）非晶質合金膜を用いた
薄膜ヘッドのヘッドクラッシュ発生率と添加元素Ｍの添
加量との関係を示す図、第２図は％ＣＯ，Ｔａ、Ｚｒ５
（Ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００．ｘ ：）’＝ｓ ：３）非晶質
合金膜を用いた薄膜ヘッドのへッドクラツ／ｊ−発生率
とＣｏ組成との関係を示す図、第３図は、Ｃ０ＸＴａ、
ＺｒＺ（Ｘ＋Ｙ＋ｚ＝１００．ｘ：ｙ＝５：３）非晶質
合金膜の腐食率とＣｏ組成の関係を示す図、第４図は。 Ｃｗｚ ’ｒａｌｚｒ７Ｍｌ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｓ、 ｘ
： ｙ＝５ ： ３ ）非晶質合金膜の腐食率と第４添
加元素Ｍの添加量第 ｌ 凹 ２３ カ口 元 木 の ２≦、加１計 （ｏｉ※つ第
２ 口 Ｃｏ 組 八 （ａ、ｔ％つ 弔 ３１！７ Ｃｏ組戟 （ａｔ幻 第 ４ 目 酪トｊＯ元乗 の珂≦加ｉ（ａｔｇつ
ｚ ＝８ 、ｘ：）ｒ＝５：３）非晶質合金膜を用いた
薄膜ヘッドのヘッドクラッシュ発生率と添加元素Ｍの添
加量との関係を示す図、第２図は％ＣＯ，Ｔａ、Ｚｒ５
（Ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００．ｘ ：）’＝ｓ ：３）非晶質
合金膜を用いた薄膜ヘッドのへッドクラツ／ｊ−発生率
とＣｏ組成との関係を示す図、第３図は、Ｃ０ＸＴａ、
ＺｒＺ（Ｘ＋Ｙ＋ｚ＝１００．ｘ：ｙ＝５：３）非晶質
合金膜の腐食率とＣｏ組成の関係を示す図、第４図は。 Ｃｗｚ ’ｒａｌｚｒ７Ｍｌ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｓ、 ｘ
： ｙ＝５ ： ３ ）非晶質合金膜の腐食率と第４添
加元素Ｍの添加量第 ｌ 凹 ２３ カ口 元 木 の ２≦、加１計 （ｏｉ※つ第
２ 口 Ｃｏ 組 八 （ａ、ｔ％つ 弔 ３１！７ Ｃｏ組戟 （ａｔ幻 第 ４ 目 酪トｊＯ元乗 の珂≦加ｉ（ａｔｇつ
Claims (3)
- １．下記の式で（１）で示される成分組成よりなること
を特徴とする高耐食性非晶質磁性膜。 Ｃｏ＿ＡＴａ＿ＢＺｒ＿ＣＭ＿Ｄ・・・・・・・・・（
１） ただし、元素Ｍは Ｍ＝Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｈｆ の群より選ばれる１種もしくは２種以上の元素Ａ≧９０ かつＡ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＝１００ Ｄ≧１ なる条件を満足する（ただし単位はａｔ％）。 - ２．上記（１）式において、Ｍ＝Ｃｒ，Ｎｂの群より選
ばれる１種もしくは２種以上の元素であり、Ａ≧９０，
Ｄ≧１，Ｂ／Ｃ≧５／３かつＡ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＝１００（
ただし、単位はａｔ％）なる条件を満足することを特徴
とする第１項記載の高耐食性非晶質磁性膜。 - ３．下記の式（２）で示される成分組成よりなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高耐食性非晶質
磁性膜。 Ｃｏ＿ＡＴａ＿ＢＺｒ＿ｃＴｉ＿ｎ・・・・・・・（２
） Ａ≧９０，１≦Ｄ≦３，Ｂ／Ｃ≦５／３かつＡ＋Ｂ＋Ｃ
＋Ｄ＝１００ （ただし単位はａｔ％）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28327587A JPH01125911A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 高耐食性非晶質磁性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28327587A JPH01125911A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 高耐食性非晶質磁性膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125911A true JPH01125911A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=17663348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28327587A Pending JPH01125911A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 高耐食性非晶質磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125911A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0803882A1 (en) * | 1996-04-22 | 1997-10-29 | Read-Rite Corporation | Corrosion resistant amorphous magnetic alloys |
| JP2006060025A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | National Printing Bureau | 非晶質磁性体薄膜からなる偽造防止体及び該偽造防止体の真偽判別方法 |
| KR102069720B1 (ko) * | 2019-07-10 | 2020-01-23 | 공주대학교 산학협력단 | 자기잉크 문자인식(micr) 잉크용 자성합금, 이를 포함하는 합금분말 및 그 제조방법 |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP28327587A patent/JPH01125911A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0803882A1 (en) * | 1996-04-22 | 1997-10-29 | Read-Rite Corporation | Corrosion resistant amorphous magnetic alloys |
| JP2006060025A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | National Printing Bureau | 非晶質磁性体薄膜からなる偽造防止体及び該偽造防止体の真偽判別方法 |
| KR102069720B1 (ko) * | 2019-07-10 | 2020-01-23 | 공주대학교 산학협력단 | 자기잉크 문자인식(micr) 잉크용 자성합금, 이를 포함하는 합금분말 및 그 제조방법 |
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