JPH01125735A - 合波用半導体レーザ光源装置 - Google Patents

合波用半導体レーザ光源装置

Info

Publication number
JPH01125735A
JPH01125735A JP62283692A JP28369287A JPH01125735A JP H01125735 A JPH01125735 A JP H01125735A JP 62283692 A JP62283692 A JP 62283692A JP 28369287 A JP28369287 A JP 28369287A JP H01125735 A JPH01125735 A JP H01125735A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens
laser beam
cylindrical
laser
optical element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62283692A
Other languages
English (en)
Inventor
Ichiro Miyagawa
一郎 宮川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP62283692A priority Critical patent/JPH01125735A/ja
Publication of JPH01125735A publication Critical patent/JPH01125735A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Head (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の分野) 本発明は半導体レーザから発せられる低出力のレーザビ
ームを合波して高出力のレーザビームを得ることを可能
にする合波用半導体レーザ光源装置に関し、特に詳細に
は上記合波を正確に行なうことのできる合波用半導体レ
ーザ光源装置に関するものである。
(従来の技術) 従来より半導体レーザは、各種走査記録装置および走査
読取装置における走査光発生手段等として用いられてい
る。この半導体レーザは、ガスレーザ等に比べて小型、
安価で消費電力も少なく、また駆動電流をコントロール
することによって出力を変化させる、いわゆるアナログ
直接変調が可能である等、種々の長所を有している。特
にこの半導体レーザを前記走査記録装置において用いた
場合には画像情報に応じて発せられる信号により上記直
接変調を行なえばよいので、極めて便利である。
しかしながら、半導体レーザは上記のような長所を有す
る反面、連続発振させる場合には現状では出力がたかだ
か20〜30ivと小さく、従って高エネルギーの走査
光を必要とする光ビーム走査装置、例えば感度の低い記
録材料(金属膜、アモルファス膜等のDRAW材料等)
に記録する走査記録装置等に用いるのは極めて困難であ
る。
また、ある種の蛍光体に放射線(X線、α線。
β線、γ線、電子線、紫外線等)を照射すると、この放
射線エネルギーの一部が蛍光体中に蓄積され、この蛍光
体に可視光等の励起光を照射すると、蓄積されたエネル
ギーに応じて蛍光体が輝尽発光を示すことが知られてお
り、このような蓄積性蛍光体を利用して、人体等の被写
体の放射線画像情報を一旦蓄積性蛍光体からなる層を有
する蓄積性蛍光体シートに記録し、この蓄積性蛍光体シ
ートをレーザ光等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜ
しめ、得られた輝尽発光光を光電的に読み取って画像信
号を得、この画像信号に基づき被写体の放射線画像を写
真感光材料等の記録材料、CRT等に可視像として出力
させる放射線画像情報記録再生システムが本出願人によ
り既に提案されている(特開昭55−12429号、同
55−118340号、同55−183472号、同5
6−11895号、同5B−104645号など)。
このシステムにおいて放射線画像情報が蓄積記録された
蓄積性蛍光体シートを走査して画像情報の読取りを行な
うのに、半導体レーザを用いた光ビーム走査装置の使用
が考えられているが、蓄積性蛍光体シートを高速に読み
取るためには十分に高エネルギーの励起光を該蛍光体に
照射する必要があり、従って前記半導体レーザを用いた
光ビーム走査装置を、この放射線画像情報記録再生シス
テムにおいて画像情報読取りのために使用することは極
めて難しい。
そこで上記の通り光出力が低い半導体レーザから十分高
エネルギーの走査ビームを得るためには複数の半導体レ
ーザを使用し、これらの半導体レーザから射出されたレ
ーザビームを1本に合波することが考えられる(この場
合、各レーザビームは走査点までの光路途中で1本に合
波されていてもよいし、また走査点上で1本に合波され
てもよい)。
複数の半導体レーザから発せられたレーザビームを上記
のように1本のレーザビームに合波するためには、通常
各半導体レーザから発せられたレーザビームをそれぞれ
コリメータレンズにより平行光にした後、集束レンズに
より同一の集束位置に集束させるようになっている。従
ってレーザビームの合波を高精度に行なうためには、各
レーザビームについて所定の集束位置に正しく集束する
ようにその位置制御を精密に行なう必要がある。
合波に用いられる1本のレーザビームを所定の位置に集
束させる光学系は、上記のようにコリメータレンズと集
束レンズにより構成されており、レーザビームの位置制
御は通常上記レーザ光源とコリメータレンズとの相対的
な位置を微調整することにより行なわれる。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、合波されるそれぞれのレーザビームにつ
いて上記のようにレーザ光源とコリメータレンズとを相
対的に動かしてその集束位置を調整する場合には、レー
ザ光源とコリメータレンズとを非常に微小なレベルで相
対的に移動させなくてはならないため、位置調整が難し
いという不都合がある。かかる位置調整の問題点につい
て第4図を参照して説明する。
図示の合波用半導体レーザ光源装置において、半導体レ
ーザ101から発せられるレーザビーム102はコリメ
ータレンズ103により平行ビームとされた後、集束レ
ンズ106を通過して位置Px’において集束せしめら
れる。レーザビーム102は所定の集束位置において他
のレーザビームと合波されるが、上記集束位置PX’が
何らかの事情で所定の集束位置である位置Pxから図中
X方向にΔXだけずれている場合には、コリメータレン
ズ103を図中破線で示す位置にΔXだけ移動させる必
要がある。ΔXとΔXの関係は、コリメータレンズ10
3の焦点距離をf 103 、集束レンズ106の焦点
距離をf、。6とするとΔX−(f、。6/f1゜3)
・ΔXで表わされる。例えば上述した放射線画像情報読
取再生システムにおける放射線画像情報の読取りにおい
ては、レーザビームの走査位置精度は走査面上でビーム
径が約100μmであるとすると、その10分の1の±
10μ卯程度に要求されるため、上記光源装置を放射線
画像情報を読取る光走査装置において用いるためには、
レーザビームの集束位置を上記走査位置精度を満たすレ
ベルで調整する必要がある。このため、−例として上記
ΔXが10μR1f 103が6繭、f 106が36
0mであるとすると、ΔXは(f 103 / f 1
06 )ΔXで表されるのでΔx = l/8μmとな
るが、このような1μm以下の微小なレベルで光源装置
のコリメータレンズの位置調整を行なうことは非常に困
難である。
一方、半導体レーザ光源装置は、上記集束位置の位置ず
れの問題に加えて、半導体レーザから発せられるレーザ
ビームのうち、レーザ素子のpn接合面と同一平面内に
発散される光成分の発光位置と、レーザ射出軸を含みp
n接合面と垂直な面内に発散される光成分の発光位置が
異なる、いわゆる非点隔差が生じるため、上記コリメー
タレンズ、集束レンズといった球面レンズによってはレ
ーザビーム全体を完全に一点に集束させることができな
いといった問題がある。
すなわち、前述したコリメータレンズ103が、第5図
(a)に示すように半導体レーザlotから発せられた
レーザビーム102のうち、レーザ素子101aのpn
接合面(第5図(b)参照) 1o1bと同−平面上に
発散された光成分を平行ビームにするように配されてい
ると、第5図(b)に示すように、半導体レーザ101
のレーザ射出軸を含み上記pn接合面tombと垂直な
平面内に発せられた光成分は、その発光位置が第5図(
a)に示す光成分の発光位置と異なっているので、上記
コリメータレンズ103により平行ビームにされること
ができず、第5図(b)においてコリメータレンズ10
3を通過したレーザビーム102は、例えばやや内方に
集束したビームとなる。したがって、平行ビームが前記
集束レンズ106により集束せしめられる位置が所定の
集束位置であるとすると、第5図(a)に示す方向にお
けるレーザビームの集束位置Pxは所定の集束位置とな
るが、第5図(b)に示す方向においてはやや内方に集
束したレーザビームが集束レンズ10Bに入射するため
、レーザビームの集束位置Py′は所定の集束位置から
Δ2だけずれてしまう。このように互いに垂直な2つの
方向においてレーザビームの集束位置が異なり、レーザ
ビームが所定の一点において正確に集束しない場合には
、所定の集束位置においてレーザビームを正しく合波す
ることができなくなる。また上記非点隔差の程度は各半
導体レーザ毎に異なっているため、各レーザビームの合
波は一層不正確なものとなる。
本発明は上述した2つの問題点に鑑みてなされたもので
あり、レーザビームの集束位置の微調整を比較的容易な
作業により行なうことができるとともに、上記非点隔差
の影響を回避してレーザビームの正確な合波を行なうこ
とのできる合波用半導体レーザ光源装置を提供すること
を目的とするものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明の合波用半導体レーザ光源装置は、半導体レーザ
、該半導体レーザから発せられたレーザビームの光路上
に設けられ、該レーザビームを平行ビームとするコリメ
ータ光学系、および前記平行ビームとなったレーザビー
ムを所定の位置で集束させる集束用光学素子からなり、
前記所定の位置において前記レーザビームを他のレーザ
ビームと合波させる合波用半導体レーザ光源装置におい
て、 前記コリメータ光学系が、前記レーザビーム全体を屈折
させる第1のレンズ、この第1のレンズと前記集束用光
学素子の間に設けられ、前記レーザビームのうち前記半
導体レーザのpn接合面と同一面内に発散される光成分
とレーザ射出軸を含み前記pn接合面と垂直な面内に発
散される光成分のいずれか一方のみを屈折させる第1の
シリンドリカル光学素子および、前記第1のレンズと前
記集光用光学素子の間に設けられ、前記2つの光成分の
うちの他方のみを屈折させる第2のシリンドリカル光学
素子からなり、前記第1のシリンドリカル光学素子と前
記第2のシリンドリカル光学素子の焦点距離の絶対値が
それぞれ前記第1のレンズの焦点距離の絶対値より大き
く、前記第1のシリンドリカル光学素子と前記第2のシ
リンドリカル光学素子がそれぞれ独立して位置調整可能
であることを特徴とするものである。
なお前記2つのシリンドリカル光学素子は、光透過型の
シリンドリカルレンズの他、シリンドリカルレンズと同
様の屈折力を有する凹面シリンドリカルミラー、凸面シ
リンドリカルミラーであってもよい。
(作  用) 本装置においては、従来のコリメータレンズに代って上
記のように複数のレンズ部材を備えたコリメータ光学系
を設け、この光学系のうち焦点距離の大きい第1および
第2のシリンドリカル光学素子をそれぞれ移動可能とし
たことにより、レーザビームが集束位置において位置ず
れした場合に、位置ずれした方向に屈折力を有するシリ
ンドリカル光学素子を比較的大きく動かして高精度なレ
ーザビームの位置調整を行なうことができる。すなわち
、集束用光学素子の焦点距離をf1移動させる第1また
は第2のシリンドリカル光学素子の焦点距離をf′とす
ると、レーザビームを集束位置においてΔX(Y)(Δ
Xは第1のシリンドリカル光学素子による調整量、ΔY
は第2のシリンドリカル光学素子による調整量)だけ移
動させたい場合に第1または第2のシリンドリカル光学
素子を移動させる量Δx(y)(ΔXは第1のシリンド
リカル光学素子の移動量、Δyは第2のシリンドリカル
光学素子の移動量)はΔx (y) = (f′/f)
Δx (y)で近似され、f′が太き(なる程Δx (
y)も大きくなる。従って第1のレンズとの組み合わせ
、配置等により2つのシリンドリカル光学素子の焦点距
離をそれぞれ大きくして、上記f′を大きくすることに
より、レーザビームの集束位置の微調整を、2つのシリ
ンドリカル光学素子をそれぞれを従来のコリメータレン
ズより大きく動かして行なうことが可能となる。
これとともに本装置において上記2つのシリンドリカル
光学素子は、非点隔差のある2つの方向の片方の光成分
のみをそれぞれ屈折させるものでアルノで、一方の光成
分は、第1のレンズ+第1のシリンドリカル光学素子十
集束用光学素子、他方の光成分は、第1のレンズ+第2
のシリンドリカル光学索子+集束用光学素により集束せ
しめられる。従って第1および第2のシリンドリカル光
学素子の特性を非点隔差に応じて選ぶことにより、上記
2つの光成分の集束位置を一致させることができる。
このように本装置においては、2つのシリンドリカル光
学素子を有するコリメータ光学系を設けたことにより、
集束位置の補正を容易に行なうことができるとともに、
非点隔差による1本のビーム内での集束位置のバラつき
を解消し、レーザビームを所定の位置に点像として集束
させることができる。従ってこの集束位置において合波
を行なえば、レーザビームの合波を高精度に行なうこと
かできる。
(実 施 例) 以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する
第1図(a) 、 (b)は本発明の一実施例による合
波用半導体レーザ光源装置の平面図および側面図である
図示の光源装置において、半導体レーザ1から発せられ
たレーザビーム2はまず第1のレンズである球面レンズ
3に入射する。半導体レーザ1から発せられるレーザビ
ーム2のうち、第1図(a)に示す、レーザ素子1aの
pn接合面1bと同一平面上に発散される光成分の発光
位置A1と、第1図(b)に示す、レーザ射出軸を含み
pn接合面と垂直な平面上に発散される光成分の発光位
置A2はレーザ射出軸方向に異なっている。また上記球
面レンズ3の後方には、上記pn接合面1bと平行な方
向にのみ屈折力を有する第1のシリンドリカルレンズ4
と、pn接合面と垂直な方向にのみ屈折力を有する第2
のシリンドリカルレンズ5が配設されており、上記球面
レンズと2つのシリンドリカルレンズ4,5によりコリ
メータ光学系10が構成されている。なお、これらのシ
リンドリカルレンズ4,5の焦点距離f4+f5は、そ
れぞれ後述するように球面レンズ3の焦点距離f3より
大きくなっている。
第1図(a)において、レーザビーム2は球面レンズ3
と第1のシリンドリカルレンズ4とにより平行ビームと
なる。すなわち、第1図(a)において発光位置A1と
球面レンズ3の距離は球面レンズ3の焦点距離よりやや
短くなっており、球面レンズ3を通過したレーザビーム
2は平行ビームよりやや外方に拡がったビームとして第
1のシリンドリカルレンズ4に入射する。シリンドリカ
ルレンズ4は上記レーザビーム2をやや内方に屈折させ
て平行ビームとするのに適した比較的焦点距離の長いレ
ンズであり、レーザビーム2はこのシリンドリカルレン
ズ4を通過して平行ビームとなる。
続いてレーザビーム2は第2のシリンドリカルレンズ5
に入射するが、第2のシリンドリカルレンズ5は上記p
n接合面と平行な方向には屈折力を有していないので、
レーザビーム2は第1図(a)において平行ビームのま
まこのシリンドリカルレンズ5を通過する。シリンドリ
カルレンズ5を通過したレーザビームは光路上に設けら
れた集束用光学素子である集束レンズ6により集束位置
Px′に集束せしめられる。
一方、第1図(b)において前記発光位置A2から発せ
られたレーザビーム2は球面レンズ3に入射するが、こ
の球面レンズ3と発光位置A2との距離も球面レンズ3
の焦点位置より短くなっており、第1図(b)において
も球面レンズ3を通過したレーザビーム2は平行ビーム
よりやや外方に拡がったビームとなる。このレーザビー
ムは前記第1のシリンドリカルレンズ4をレンズ作用を
受けることなく通過した後、第2のシリンドリカルレン
ズ5に入射する。このシリンドリカルレンズ5は入射す
るレーザビームを平行ビームとするのに適した焦点距離
の長いレンズが予め選択されており、第1図(b)にお
いてレーザビーム2は球面レンズ3と第2のシリンドリ
カルレンズ5とにより平行ビームとなり、前記集束レン
ズ6に入射して集束位置Py′に集束せしめられる。こ
のように、本実施例装置においては、第1図(a)に示
す面内と第1図(b)に示す面内の両方で平行ビームが
集束レンズ6に入射するので、第1図(b)におけるレ
ーザビーム2の集束位置py/ と第1図(a)におけ
る集束位置Px’ は等しくなり、レーザビームは所定
の集束位置に正確に点像として集束せしめられる。
このように本装置では、非点隔差の生じる2つの面内の
片方についてのみレーザビームの光路をそれぞれ調整し
つる2つのシリンドリカルレンズを設けたことにより、
上記2つの面内における発光位置が互いに異なってもレ
ーザビーム全体を同一位置で集束させることができる。
ところで上記のようにレーザビームを点像として集束さ
せた後に、何らかの原因により点像の位置全体がずれて
しまうことがある。そこで前記第1および第2のシリン
ドリカルレンズ4,5は上記集束位置ずれを補正するた
めに図示しない移動手段により移動可能となっている。
すなわち、第1のシリンドリカルレンズ4は第1図(a
)に示すX方向および2方向に、第2のシリンドリカル
レンズ5は第1図(b)に示すy方向および2方向にそ
れぞれ移動する。また前記球面レンズ3の焦点距離f3
は6111111 s第1のシリンドリカルレンズ4の
焦点距離f4は1801W%第2のシリンドリカルレン
ズ5の焦点距離f5は200#1Il1%集束レンズ6
の焦点距離f6は380 amとなっており、第1およ
び第2のシリンドリカルレンズ4.5の焦点距離は球面
レンズ3の焦点距離に比べて大きくなっている。例えば
レーザビーム2の集束位置が矢印X方向に位置ずれして
おり、第1図(a)に示した集束位置Px′が所定の集
束位置PxからΔXだけずれていた場合には、前記第1
のシリンドリカルレンズ4を図中破線で示す位置に移動
させて上記集束位置PX’を正しい集束位置Pxに移動
させる調整を行なう。レーザビーム2の集束位置をPX
′からPXに上記ΔXだけ移動させるのに必要な第1の
シリンドリカルレンズ4の移動量ΔXは、Δx−(f、
/f6) ・ΔXで表わされるので、−例としてΔXが
10μmであるとすると(180/360)・lOμ7
FL−5μmとなる。これに対して従来の装置のように
、第1のシリンドリカルレンズ4を設けずに焦点距離の
短い球面レンズ3のみによりレーザビーム2を平行ビー
ムとし、集束位置の補正も球面レンズ3を移動させて行
なう場合には、集束位置を10μm移動させるのに必要
な球面レンズ3の移動量(6/880 ) ・LOuT
rL−t/e ttmとなる。従って本装置において、
集束位置を上記X方向に移動させるためのレンズの移動
量が従来の約30倍となり、レンズの位置調整が容易に
なる。
また、レーザビーム2の集束位置が矢印y方向にずれて
おり、第1図(1))に示した集束位置py′が所定の
集束位置pyからΔYだけずれていた場合には、第2の
シリンドリカルレンズ5を図中破線で示す位置にΔyだ
け移動させて、上記集束位置py/を正しい集束位置p
yに移動させる調整を行なう。この第2のシリンドリカ
ルレンズ5の移動量Δyは、ΔY=(f5/fs) ・
ΔYで表わされるので、ΔYが10μmであるとすると
、Δyは(200/380 )  ・lOμ77L*5
.6 amとなり、上述したX方向の場合と同様にレン
ズの移動量が比較的大きくなる。
さらに、第2図に示すようにレーザビーム2の集束位置
が、各光学素子の晃軸方向である2方向において位置ず
れし、集束位置Pz′が所定の集束位置PzからAZだ
けずれている場合には、上記第1のシリンドリカルレン
ズ4を図中破線で示す位置にΔZlだけ、上記第2のシ
リンドリカルレンズ5を図中破線で示す位置にΔz2だ
けそれぞれ移動させる。第1のシリンドリカルレンズ4
の移動量Δz1と上記ΔZの関係は、ΔZl −(4t
 ) z 、 Δzと近似されるので、AZが1rW1
1であるとするとΔZlは(180/380 ) 2争
1#lll−0,25mmとなる。また第2のシリンド
リカルレンズ5の移動量Δz2は(200/380 )
 ” ・1m −0,31mとなる。Z方向において球
面レンズ3を移動させて上記補正を行なう場合には、球
面レンズ3の移動量は(τ)2−AZとなるため、その
値は土rrm−0,28u TrLとなってしまい、調
整が困う6oa 難となる。これに対して上記のようにシリンドリカルレ
ンズを用いて補正を行なう場合には、第1のシリンドリ
カルレンズ4の移動量は900倍、第2のシリンドリカ
ルレンズ5の移動量は約111θ倍になるので、本装置
を用いれば従来は実用上困難であった集束位置の2方向
における調整も可能となる。
このように本装置においては、2つのシリンドリカルレ
ンズを有するコリメータ光学系を設けたことにより、シ
リンドリカルレンズの特性によって非点隔差の補正を行
なうことができるとともに、これらのシリンドリカルレ
ンズの焦点距離の絶対値を大きくシ、かつ該レンズをそ
れぞれ移動可能としたことにより、これらの焦点距離の
長いシリンドリカルレンズの一方または両方を比較的大
きく動かしてレーザビームの集束位置を調整することが
できる。従ってレーザビームを正しく点像に結像させる
ことができるとともに集束位置の調整が従来より行ない
易くなり、高精度なレーザビ−ム合波が実現される。
なお、本発明における2つのシリンドリカル光学素子は
必ずしも前述したような光透過型のシリンドリカルレン
ズに限らず、同様の焦点距離を有する凹面シリンドリカ
ルミラーであってもよい。
また、第1のレンズを半導体レーザから自身の焦点距離
よりもやや離して配置し、第1のレンズを通過するレー
ザビームを平行ビームよりやや内方に集束するビームと
すれば、両シリンドリカルレンズとして凹面レンズ(凸
面ミラー)を用いてもよい。さらに集束用光学素子は上
記球面レンズに限られるものではな(rθレンズ、トー
リックレンズなどであってもよい。
上述した合波用半導体レーザ光源装置は、例えば第3図
に示すように他の半導体レーザ光源装置と組み合わせら
れて光走査装置等として用いられる。
図示の光走査装置は、−例として3つの半導体レーザ光
源装置を組み合わせてなり、各光源装置の3つの半導体
レーザ1. 1’、  1’は互いにビーム射出軸を平
行に揃えて配置され、これらの半導体レーザ1.1’ 
、1’のそれぞれに対して球面レンズ3.3’ 、3’
と第1のシリンドリカルレンズ4.4’ 、4’ 、第
2のシリンドリカルレンズ5.5’ 、5″からなるコ
リメータ光学系10゜10’ 、 10’および反射ミ
ラー9.9’ 、9’が配置されている。各半導体レー
ザ1.1’ 、1’から射出したレーザビーム2.2’
 、2’は、上記球面レンズ3. 3’ 、  3’と
2組のシリンドリカルレンズ4.4’ 、4’、5.5
’ 、5’により平行ビームとされ、これらの平行ビー
ムは上記反射ミラー9.9’ 、9’により反射されて
、後述するビームスプリッタ7を通過した後、共通のガ
ルバノメータミラー8に入射する。
ガルバノメータミラー8は図中B方向に往復回動し、上
記平行ビームとなったレーザビーム2゜2’ 、2’を
偏向する。偏向されたレーザビーム2.2’ 、2’は
、共通の集束レンズ6によって1つの集束位置Pに集中
されるとともにこの集束位置において集束される。従っ
てこの集束位置の軌跡に沿って被走査面を配すれば、被
走査面は、各半導体レーザ1,1’ 、1’が射出した
レーザビームが合波されて高エネルギーとなった走査ビ
ームによって走査される。なお、通常上記被走査面は平
面とされ、そのために上記集束レンズ6としてはfθレ
ンズが用いられる。
上記各半導体レーザ1,1’ 、1’の非点隔差はレー
ザ毎に異なっているので、前記第1のシリンドリカルレ
ンズ4.4’ 、4’および第2のシリンドリカルレン
ズ5.5’ 、5’はそれぞれの半導体レーザに応じた
焦点距離のものが選択された後、光軸方向に予め位置調
整されて配置されている。
一方、前述した各レーザビーム2. 2’ 、  2’
の集束位置のずれは経時的に変化するので、上記2組の
シリンドリカルレンズ4.4’ 、4’ 、5゜5’ 
、5’は上記位置調整後もレーザビーム2゜2’ 、2
’の集束位置のずれを補正するために適宜移動可能とな
っている。
上記各レーザビーム2. 2’ 、  2’の位置ずれ
の補正は、各レーザビームかそれぞれ正しく上記集束位
置Pに集束しているか否かを検出して行なってもよいが
、図示の装置においては上記ガルバノメータミラー8の
手前に入射するレーザビームの一部を入射し、残りを透
過させるビームスプリッタ7を配し、ビームスプリッタ
7により反射されたレーザビームをモニタ用集束レンズ
16により集束させ、各レーザビームについてその集束
位置P′が所定の位置であるか否かを検出して上記位置
調整を行なうようになっている。すなわち、必要な時点
で半導体レーザ1,1’ 、1’が1つずつ駆動され、
それぞれの半導体レーザから発せられるレーザビーム2
.2’ 、2’のビームスプリッタフによる反射光が正
しい集束位置に集束するように、前記2組のシリンドリ
カルレンズ4,4/ ’+ 41.5. 51 、 5
11がそれぞれ位置調整される。このようにレーザビー
ムを分岐させて被走査面上での集束位置をモニタし、モ
ニタされた集束位置に基づいて各シリンドリカルレンズ
を調整すれば、位置センサを常に検出位置に配設してお
くことができ、必要な時にいつでも調整を行なうことが
できるので便利である。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明の合波用半導体レーザ光源
装置によれば、レーザビームの光路上に2つのシリンド
リカル光学素子を有するコリメータ光学系を配設したこ
とにより、半導体レーザの非点隔差の影響を回避してレ
ーザビームを所定の一点に正しく集束させることができ
る。これとともに本装置によれば、上記シリンドリカル
光学素子の焦点距離の絶対値を比較的大きくしたことに
より、レーザビームの集束位置調整を従来のコリメータ
レンズに比ベシリンドリカル光学素子を大きく移動させ
て行なうことができるようになる。
従って本装置によれば容易にレーザビームを所定の一点
に集束させることができるようになり、その集束位置に
おいてレーザビームの合波を良好に行なうことができる
【図面の簡単な説明】
第1図(a) 、 (b)は本発明の一実施例による合
波用半導体レーザ装置の平面図および側面図、第2図は
上記装置の平面図、 第3図は本発明の光源装置を用いた光走査装置の概略図
、 第4図は従来の光源装置の側面図、 第5図(a) 、 (b)は従来の光源装置の平面図お
よび側面図である。 1・・・半導体レーザ  1b・・・pn接合面2・・
・レーザビーム  3・・・球面レンズ4・・・第1の
シリンドリカルレンズ 5・・・第2のシリンドリカルレンズ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  半導体レーザ、該半導体レーザから発せられたレーザ
    ビームの光路上に設けられ、該レーザビームを平行ビー
    ムとするコリメータ光学系、および前記平行ビームとな
    ったレーザビームを所定の位置で集束させる集束用光学
    素子からなり、前記所定の位置において前記レーザビー
    ムを他のレーザビームと合波させる合波用半導体レーザ
    光源装置において、 前記コリメータ光学系が、前記レーザビーム全体を屈折
    させる第1のレンズ、この第1のレンズと前記集束用光
    学素子の間に設けられ、前記レーザビームのうち前記半
    導体レーザのpn接合面と同一面内に発散される光成分
    とレーザ射出軸を含み前記pn接合面と垂直な面内に発
    散される光成分のいずれか一方のみを屈折させる第1の
    シリンドリカル光学素子、および前記第1のレンズと前
    記集光用光学素子の間に設けられ前記2つの光成分のう
    ちの他方のみを屈折させる第2のシリンドリカル光学素
    子からなり、前記第1のシリンドリカル光学素子と前記
    第2のシリンドリカル光学素子の焦点距離の絶対値がそ
    れぞれ前記第1のレンズの焦点距離の絶対値より大きく
    、前記第1のシリンドリカル光学素子と前記第2のシリ
    ンドリカル光学素子がそれぞれ独立して位置調整可能で
    あることを特徴とする合波用半導体レーザ光源装置。
JP62283692A 1987-11-10 1987-11-10 合波用半導体レーザ光源装置 Pending JPH01125735A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62283692A JPH01125735A (ja) 1987-11-10 1987-11-10 合波用半導体レーザ光源装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62283692A JPH01125735A (ja) 1987-11-10 1987-11-10 合波用半導体レーザ光源装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01125735A true JPH01125735A (ja) 1989-05-18

Family

ID=17668843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62283692A Pending JPH01125735A (ja) 1987-11-10 1987-11-10 合波用半導体レーザ光源装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01125735A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4978197A (en) Beam-combining laser beam source device
US3974507A (en) Conversion of stripe-geometry junction laser emission to a spherical wavefront
TWI384332B (zh) 雷射繪圖方法與裝置
US4986634A (en) Beam-combining laser beam source device
CN101142534A (zh) 曝光设备和曝光方法
US4958893A (en) Semiconductor laser beam source apparatus
US4969699A (en) Light beam scanning apparatus
JP2631666B2 (ja) 合波用レーザ光源装置
JPH01125735A (ja) 合波用半導体レーザ光源装置
EP0117971A1 (en) Optical system for scanning with laser beam
JPH01118813A (ja) 合波用半導体レーザ光源装置
JPH01125736A (ja) マルチ半導体レーザ光源装置
JPH0261611A (ja) 合波用レーザ光源装置
JPH01125887A (ja) マルチレーザ光源装置
JPS56156937A (en) Optical pickup device
JPS607416A (ja) 画像走査読取装置
JPH01101508A (ja) マルチレーザ光源装置
JPH0260162B2 (ja)
JPS61223807A (ja) 光合波装置
JPH0260181A (ja) 合波用レーザ光源装置
JPH0477911B2 (ja)
JPS61186914A (ja) マルチ光源装置
JPS6113215A (ja) 半導体レ−ザ走査装置
JPS6366527A (ja) レ−ザ−光学系
JPS61230106A (ja) 光合波装置

Legal Events

Date Code Title Description
A761 Written withdrawal of application

Effective date: 20061115

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761