JPH01123492A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH01123492A JPH01123492A JP28143187A JP28143187A JPH01123492A JP H01123492 A JPH01123492 A JP H01123492A JP 28143187 A JP28143187 A JP 28143187A JP 28143187 A JP28143187 A JP 28143187A JP H01123492 A JPH01123492 A JP H01123492A
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- semiconductor laser
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 20
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035755 proliferation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、埋め込みリッジ型の半導体レーザ装置に関
するものである。
するものである。
（従来の技術〕
第２図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図であり、
図において、ｌはｎ形（以下ｎ−と略す）ＧａＡｓ基板
、２はＧａＡｓ基板１上に設けられたｎ−ＡｌＧａＡｓ
第１クラッド層、３は第１クラッドＭ２上に設けられた
ｐ形（以下ｐ−と略す）ＡｌＧａＡｓ活性層、４は活性
Ｎ３上に設けられた凸状のリッジ部７を有するｐ−Ａｌ
ＧａＡｓ第２クラッド層、１１は第２クラッド層４のリ
ッジ部７以外の部分に設けられたｐ−ＧａＡｓバッファ
層、１２はバッファ層１１上に設けられたｎ−ＧａＡｓ
電流阻止層、１３はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、８はｎ
側電極、９はｐ側電極、１０は本装置に順バイアスをか
けた際に流れる電流の経路である。
図において、ｌはｎ形（以下ｎ−と略す）ＧａＡｓ基板
、２はＧａＡｓ基板１上に設けられたｎ−ＡｌＧａＡｓ
第１クラッド層、３は第１クラッドＭ２上に設けられた
ｐ形（以下ｐ−と略す）ＡｌＧａＡｓ活性層、４は活性
Ｎ３上に設けられた凸状のリッジ部７を有するｐ−Ａｌ
ＧａＡｓ第２クラッド層、１１は第２クラッド層４のリ
ッジ部７以外の部分に設けられたｐ−ＧａＡｓバッファ
層、１２はバッファ層１１上に設けられたｎ−ＧａＡｓ
電流阻止層、１３はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、８はｎ
側電極、９はｐ側電極、１０は本装置に順バイアスをか
けた際に流れる電流の経路である。
次に動作について説明する。
ｐ側電極９とｎ側電極８の間にｐ側電極９が正となるよ
うなバイアスを印加すると側電極の間にｎ−ＧａＡｓ電
流阻止層１２が介在している領域ではｎ−ＧａＡｓ電流
阻止層１２とｐ−ＧａＡｓバッファ層１１で形成される
ｐ−ｎ接合が逆方向にバイアスされるために電流は流れ
ず、リッジ部分７のみ電流が流れる。流れる電流の経路
は図中１０に示す通りである。活性層３内に注入された
電子及び正孔は再結合して光を輻射する。注入する電流
を増していくと誘導輻射が始まり、、レーザ発振に至る
。レーザ光は、装置の上下方向では活性層３と第１クラ
ッドＮ２．第２クラッドＮ４との間の実屈折率差で閉じ
込められる。また装置の左右方向ではレーザ光はｐ−Ｇ
ａＡｓバッファ層１１及びｎ丁ＧａＡｓ？ｉｔ流阻止層
５に吸収されることによるロスガイド型で導波される。
うなバイアスを印加すると側電極の間にｎ−ＧａＡｓ電
流阻止層１２が介在している領域ではｎ−ＧａＡｓ電流
阻止層１２とｐ−ＧａＡｓバッファ層１１で形成される
ｐ−ｎ接合が逆方向にバイアスされるために電流は流れ
ず、リッジ部分７のみ電流が流れる。流れる電流の経路
は図中１０に示す通りである。活性層３内に注入された
電子及び正孔は再結合して光を輻射する。注入する電流
を増していくと誘導輻射が始まり、、レーザ発振に至る
。レーザ光は、装置の上下方向では活性層３と第１クラ
ッドＮ２．第２クラッドＮ４との間の実屈折率差で閉じ
込められる。また装置の左右方向ではレーザ光はｐ−Ｇ
ａＡｓバッファ層１１及びｎ丁ＧａＡｓ？ｉｔ流阻止層
５に吸収されることによるロスガイド型で導波される。
ところてこの従来の半導体レーザ装置において、ｐ−Ａ
ｌＧａＡｓ第２クラッド層４とｎ−ＧａＡｓ電流阻止層
１２の間に一見不要なｐ−Ｇａ Ａ ｓバフフッ層が挿
入されているのは、製造時の結晶成長で２回目成長時の
再成長界面にあたるｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層と
ｐ−ＧａＡｓバッフプ層の界面からｐ−ｎ接合を離して
形成するためで、これにより再成長界面近くでのレーザ
光の吸収に伴って生ずるキャリアの再結合の頻度を下げ
て結晶欠陥の増殖による劣化を防いでいる。
ｌＧａＡｓ第２クラッド層４とｎ−ＧａＡｓ電流阻止層
１２の間に一見不要なｐ−Ｇａ Ａ ｓバフフッ層が挿
入されているのは、製造時の結晶成長で２回目成長時の
再成長界面にあたるｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層と
ｐ−ＧａＡｓバッフプ層の界面からｐ−ｎ接合を離して
形成するためで、これにより再成長界面近くでのレーザ
光の吸収に伴って生ずるキャリアの再結合の頻度を下げ
て結晶欠陥の増殖による劣化を防いでいる。
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されており
、リッジ部以外に流れる電流を阻止するためにｐ−ｎ接
合の逆バイアス効果を利用しているため、ｐ−ｎ接合の
特性が悪いとリーク電流が発生したり、ｐ−ｎ接合に基
づく大きな寄生容量を持つことによる応答性の低下が発
生するという問題点があった。
、リッジ部以外に流れる電流を阻止するためにｐ−ｎ接
合の逆バイアス効果を利用しているため、ｐ−ｎ接合の
特性が悪いとリーク電流が発生したり、ｐ−ｎ接合に基
づく大きな寄生容量を持つことによる応答性の低下が発
生するという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、リーク電流を防止し易く、かつ寄生容量の増
加による応答性の低下のない半導体レーザ装置を得るこ
とを目的とする。
たもので、リーク電流を防止し易く、かつ寄生容量の増
加による応答性の低下のない半導体レーザ装置を得るこ
とを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、電流阻止層として
ｎ−ＧａＡｓ層の代わりに半絶縁性のＧａＡｓ層を用い
、ｐ−ｎ接合の逆バイアス効果ではなく、層そのものの
絶縁性によりリッジ部以外の部分への電流を阻止するよ
うにしたものである。
ｎ−ＧａＡｓ層の代わりに半絶縁性のＧａＡｓ層を用い
、ｐ−ｎ接合の逆バイアス効果ではなく、層そのものの
絶縁性によりリッジ部以外の部分への電流を阻止するよ
うにしたものである。
この発明においては、電流阻止層として半絶縁性のＧａ
Ａｓ１ｉを用い、層そのものの絶縁性によりリッジ部以
外の部分への電流を阻止するようにしたから、リーク電
流を防止し易く、かつｐ−ｎ接合に基づく寄生容量の増
加による応答性の低下が生じない。
Ａｓ１ｉを用い、層そのものの絶縁性によりリッジ部以
外の部分への電流を阻止するようにしたから、リーク電
流を防止し易く、かつｐ−ｎ接合に基づく寄生容量の増
加による応答性の低下が生じない。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置を示
す断面図であり、図において、１はｎ −ＧａＡａ基板
、２はｎ−ＧａＡｓ基板１上に形成されたｎ−Ａ’１Ｇ
ａＡｓ第１クラッド層、３は第１クラッド層２上に形成
されたｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層、４は活性Ｎ３上に形成
された凸状のリッジ部７を有するｐ−ＡｌＧａＡｓ第２
クラッド層、１１は第２クラフト層４のリッジ部７以外
の部分に設けられたｐ−ＧａＡｓバッファ層、５はバッ
ファ層１１上に設けられた半絶縁性ＧａＡｓ１ｉ流阻止
層、６はリッジ部７上部に形成されたｐ−ｃａＡｓコン
タクト層、８はｎ側電極゛、９はｐ側電極、１０は本装
置に順バイアスをかけた際に流れる電流の経路である。
す断面図であり、図において、１はｎ −ＧａＡａ基板
、２はｎ−ＧａＡｓ基板１上に形成されたｎ−Ａ’１Ｇ
ａＡｓ第１クラッド層、３は第１クラッド層２上に形成
されたｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層、４は活性Ｎ３上に形成
された凸状のリッジ部７を有するｐ−ＡｌＧａＡｓ第２
クラッド層、１１は第２クラフト層４のリッジ部７以外
の部分に設けられたｐ−ＧａＡｓバッファ層、５はバッ
ファ層１１上に設けられた半絶縁性ＧａＡｓ１ｉ流阻止
層、６はリッジ部７上部に形成されたｐ−ｃａＡｓコン
タクト層、８はｎ側電極゛、９はｐ側電極、１０は本装
置に順バイアスをかけた際に流れる電流の経路である。
次に動作について説明する。
ｐ側電極９とｎ側電極８の間にｐ側電極９が正となるよ
うなバイアスを印加すると、側電極の間に半絶縁性Ｇａ
Ａｓ電流阻止層５が介在している領域では阻止層の絶縁
性により電流は流れず、リッジ部７のみに電流が流れる
。活性層３に注入された電子及び正孔は再結合して光を
輻射する。注入する電流を増していくと誘導輻射が始ま
り、レーザ発振に至る。レーザ光は装置の上下方向では
活性Ｎ３と第１クラッド１２．第２クラッド層４との間
の実屈折率差で閉じ込められる。また、装置の左右方向
ではレーザ光はｐ−ＧａＡｓバッファ層１１及び半絶縁
性電流阻止層５に吸収されることによるロスガイド型で
導波される。
うなバイアスを印加すると、側電極の間に半絶縁性Ｇａ
Ａｓ電流阻止層５が介在している領域では阻止層の絶縁
性により電流は流れず、リッジ部７のみに電流が流れる
。活性層３に注入された電子及び正孔は再結合して光を
輻射する。注入する電流を増していくと誘導輻射が始ま
り、レーザ発振に至る。レーザ光は装置の上下方向では
活性Ｎ３と第１クラッド１２．第２クラッド層４との間
の実屈折率差で閉じ込められる。また、装置の左右方向
ではレーザ光はｐ−ＧａＡｓバッファ層１１及び半絶縁
性電流阻止層５に吸収されることによるロスガイド型で
導波される。
このような本実施例装置では、電流狭窄は上述のように
、半絶縁性のＧａＡｓ電流阻止層の絶縁性により行なわ
れるので、ｐ−ｎ接合による電流狭窄と異なり、ｐ−ｎ
接合の劣化によるリーク電流増加がなく、またｐ−ｎ接
合に基づく寄生容量増加による応答特性の低下もなく、
電流狭窄特性。
、半絶縁性のＧａＡｓ電流阻止層の絶縁性により行なわ
れるので、ｐ−ｎ接合による電流狭窄と異なり、ｐ−ｎ
接合の劣化によるリーク電流増加がなく、またｐ−ｎ接
合に基づく寄生容量増加による応答特性の低下もなく、
電流狭窄特性。
応答特性に秀れている。
以上のように、この発明によれば半導体レーザ装置にお
いて、電流阻止層として半絶縁性のＧａＡｓＮを用い、
層そのものの絶縁性によりリッジ部以外の部分への電流
を阻止する構成としたから、リーク電流を防止し易く、
かつｐ−ｎ接合に基づく寄生容量の増加による応答性の
低下が生じない電流狭窄機構の安定性ならびに周波数応
答特性に秀れた高性能の半導体レーザ装置が得られる効
果がある。
いて、電流阻止層として半絶縁性のＧａＡｓＮを用い、
層そのものの絶縁性によりリッジ部以外の部分への電流
を阻止する構成としたから、リーク電流を防止し易く、
かつｐ−ｎ接合に基づく寄生容量の増加による応答性の
低下が生じない電流狭窄機構の安定性ならびに周波数応
答特性に秀れた高性能の半導体レーザ装置が得られる効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す断面図、第２図は従来の半導体レーザ装置を示す断
面図である。 １はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−ＡｌＧａＡｓ第１クラ
ッド層、３はｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層、４はｐ−ＡｌＧ
ａＡｓ第２クラッド層、５は半絶縁性ＧａＡｓ電流阻止
層、６はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、７はリッジ部、１
１はｐ−ＧａＡｓバッファ層・。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
示す断面図、第２図は従来の半導体レーザ装置を示す断
面図である。 １はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−ＡｌＧａＡｓ第１クラ
ッド層、３はｐ−ＡｌＧａＡｓ活性層、４はｐ−ＡｌＧ
ａＡｓ第２クラッド層、５は半絶縁性ＧａＡｓ電流阻止
層、６はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、７はリッジ部、１
１はｐ−ＧａＡｓバッファ層・。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）第１導電形ＧａＡｓ基板上に形成された第１導電
形ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層と、 該第１クラッド層上に設けられたＡｌＧａＡｓ活性層と
、 該活性層上に設けられた第２導電形のＡｌＧａＡｓによ
り形成されストライプ状のリッジ部を有する第２クラッ
ド層と、 該第２クラッド層のリッジ部上部以外の上の設けられた
第２導電形ＧａＡｓバッファ層と、該バッファ層上に設
けられた半絶縁性のＧａＡｓ電流阻止層と、 上記第２クラッド層のリッジ部上に設けられた第２導電
形ＧａＡｓコンタクト層とを備えたことを特徴とする半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28143187A JPH01123492A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28143187A JPH01123492A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123492A true JPH01123492A (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=17639069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28143187A Pending JPH01123492A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01123492A (ja) |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP28143187A patent/JPH01123492A/ja active Pending
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