JPH01123215A - Production of optical shutter - Google Patents

Production of optical shutter

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JPH01123215A
JPH01123215A JP28178787A JP28178787A JPH01123215A JP H01123215 A JPH01123215 A JP H01123215A JP 28178787 A JP28178787 A JP 28178787A JP 28178787 A JP28178787 A JP 28178787A JP H01123215 A JPH01123215 A JP H01123215A
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shutter
film
groove
resist film
electrode
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Koichi Aragaki
新垣 康一
Itaru Saito
格 齊藤
Ken Matsubara
兼 松原
Tomohiko Masuda
朋彦 益田
Hirohisa Kitano
博久 北野
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Minolta Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To easily produce the title shutter and to eliminate problems such as contamination by a resist film by providing the heat-resistant resist film having the etching characteristic different from the etching characteristic of an electrode material so as to cover a shutter part region. CONSTITUTION:The heat-resistant resist film having the etching characteristic different from the etching characteristic of the electrode material is provided to cover the shutter part region on at least one face of a plate body 1 constituted of a material having an electro-optic effect. After grooves for electrodes are provided to said film, a metallic film 7 for the electrodes is formed thereon and the resist film is removed from the shutter part by etching to open the shutter part. The optical shutter is thus easily produced without deteriorating the properties of the resist film at the time of providing the metallic film for the electrodes by reverse sputtering or sputtering if the shutter part region is coated with the heat-resistant resist film having the etching characteristic different from the etching characteristic of the electrode material.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、PLZT等の電気光学効果を有する材料で
構成された板状体を用いて光シャッタを製造する光シャ
ッタの製造方法に間するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method of manufacturing an optical shutter using a plate-shaped body made of a material having an electro-optic effect such as PLZT. It is something.

[従来技術及びその問題点] 従来、PLZT等の電気光学効果を有する材料で構成さ
れた板状体を用いて光シャッタを製造する方法としては
、特開昭61−38927号公報に示されているように
、電気光学効果を有する板状体の表面にフォトレジスト
を塗布して露光現像した後、これに溝を切り、その上に
電極用の金属薄膜を蒸着し、リフトオフにより蒸着した
金属薄膜の一部を取り除き、シャッタを開口させると共
に板状体の表面における金属薄膜を分離させた後、レー
ザ等で溝中の金属薄膜の一部を取り除いて独立した電極
を設けるようにする方法が知られている。
[Prior art and its problems] Conventionally, as a method for manufacturing an optical shutter using a plate-shaped body made of a material having an electro-optic effect such as PLZT, there is a method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 61-38927. As shown in the figure, a photoresist is coated on the surface of a plate-shaped body having an electro-optical effect, exposed and developed, grooves are cut in this, a metal thin film for electrodes is deposited on top of the photoresist, and the metal thin film is deposited by lift-off. A known method is to remove a portion of the groove, open the shutter, and separate the thin metal film on the surface of the plate-shaped body, and then remove a portion of the thin metal film in the groove using a laser or the like to provide an independent electrode. It is being

しかし、このように電気光学効果を有する板状体の表面
にフォトレジストを用いてパターンを形成したり、レー
ザ等で溝中の金属薄膜の一部を取り除いたりすることは
非常に面倒であり、製造に時間を要する等の問題があっ
た。
However, it is extremely troublesome to form a pattern using photoresist on the surface of a plate-shaped body that has an electro-optic effect, or to remove a part of the metal thin film in the groove using a laser or the like. There were problems such as the time required for manufacturing.

また、電極用の金属薄膜を上記板状体の表面に剥がれな
いように強く付着させるために、板状体の表面を逆スパ
ツタによりクリーニング処理した後、スパッタリング法
によってその表面に電極用の金属薄膜を付着させること
が効果的であるということが知られている。
In addition, in order to strongly adhere the metal thin film for electrodes to the surface of the plate-shaped body so as not to peel off, the surface of the plate-shaped body is cleaned by reverse sputtering, and then the metal thin film for electrodes is applied to the surface by sputtering. It is known that it is effective to attach

しかし、上記のようにフォトレジストを設けた板状体の
表面にこれらの処理を行うと、フォトレジストが変質す
る等により、電極用の金属薄膜部分に汚染が生じ、電極
用の金属薄膜の付着強度が低下する等の問題があり、加
えて、この汚染物がシャッタと電極との間に介在し、電
極からシャッタに電圧を印加する際に悪影響をおよぼす
等の種々の問題が生じな。
However, when these treatments are performed on the surface of a plate-shaped body provided with photoresist as described above, the photoresist changes in quality, causing contamination of the metal thin film for electrodes, and the adhesion of the metal thin film for electrodes. There are problems such as a decrease in strength, and in addition, various problems such as this contaminant intervening between the shutter and the electrode and having an adverse effect when applying voltage from the electrode to the shutter occur.

さらに、フォトレジストが変質することによって、エツ
チングによるフォトレジストの除去が困難になり、シャ
ッタの開口がうまく行えなくなる等の問題も生じた。
Furthermore, due to the deterioration of the photoresist, it becomes difficult to remove the photoresist by etching, which causes problems such as difficulty in opening the shutter properly.

[発明の目的コ この発明は、上記のような問題を解決せんとしてなされ
たものであり、光シャッタの製造が簡単であり、また電
気光学効果を有する材料で構成された板状体の表面に、
逆スパツタやスパッタリング法を用いて電極用の金属薄
膜を付着させるようにした場合においても、レジスト膜
による汚染等の問題がなく、電極用の金属薄膜を上記板
状体の表面に強固に付着させることができる光シャッタ
の製造方法を提供することを目的としたものである。
[Purpose of the Invention] This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to easily manufacture an optical shutter, and also to provide an optical shutter on the surface of a plate made of a material having an electro-optical effect. ,
Even when a thin metal film for electrodes is attached using a reverse sputtering or sputtering method, there is no problem such as contamination due to resist film, and the thin metal film for electrodes is firmly attached to the surface of the plate-shaped body. The object of the present invention is to provide a method for manufacturing an optical shutter that can be manufactured using the following methods.

[問題点を解決するための手段] この発明に係る光シャッタの製造方法においては、電気
光学効果を有する材料で構成された板状体の少なくとも
片面において、電極材料とエツチング特性が異なる耐熱
性のレジスト膜を少なくともシャッタ部領域を覆うよう
に設け、電極用の溝を形成した後、その上に電極用の金
属膜を形成し、上記レジスト膜をエツチングによってシ
ャッタ部から除去してシャッタ部を開口させるようにし
たのである。
[Means for Solving the Problems] In the method for manufacturing an optical shutter according to the present invention, at least one side of a plate-shaped body made of a material having an electro-optic effect is made of a heat-resistant etching material having different etching characteristics from the electrode material. A resist film is provided to cover at least the shutter region, a groove for the electrode is formed, a metal film for the electrode is formed thereon, and the resist film is removed from the shutter region by etching to open the shutter region. I decided to let them do it.

ここで、電極材料とエツチング特性が異なる耐熱性のレ
ジスト膜としては、クロム、モリブデン等の金属膜や無
機誘電体膜の他に、ポリイミド系樹脂等の合成樹脂膜を
使用することもできる。
Here, as the heat-resistant resist film having different etching characteristics from the electrode material, a synthetic resin film such as polyimide resin can be used in addition to a metal film such as chromium or molybdenum or an inorganic dielectric film.

要は、このレジスト膜が、逆スパツタやスパッタリング
の際に、その熱作用等によって変質しないものであり、
またエツチングによってレジスト膜をシャッタ部から除
去する際に、その他の部分に設けられた電極材料が、こ
のレジスト膜と一緒に除去されないようになっていれば
よいのである。
The important thing is that this resist film does not change in quality due to heat effects during reverse sputtering or sputtering.
Further, when the resist film is removed from the shutter portion by etching, it is sufficient that the electrode material provided in other parts is not removed together with the resist film.

[作用コ このように、電気光学効果を有する材料で構成された板
状体を用いて光シャッタを製造するにあたり、電極材料
とエツチング特性が異なる耐熱性のレジスト膜で少なく
ともシャッタ部領域を覆うようにすると、逆スパツタや
スパッタリングによって電極用の金属膜を設ける際に、
レジスト膜が変質したりすることがなく、電極用の金属
膜部分に汚染を生じたりすることがない。
[Function] When manufacturing an optical shutter using a plate-shaped body made of a material having an electro-optic effect, it is necessary to cover at least the shutter area with a heat-resistant resist film that has different etching characteristics from the electrode material. When forming a metal film for electrodes by reverse sputtering or sputtering,
The resist film is not altered in quality, and the metal film portion for the electrode is not contaminated.

また、この発明のようにして光シャッタを製造する場合
には、フォトレジストを露光現像してパターンを形成す
る等の面倒な作業を行う必要がない。
Further, when manufacturing an optical shutter as in the present invention, there is no need to perform troublesome operations such as exposing and developing a photoresist to form a pattern.

[実施例コ 以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて具体的に
説明する。
[Embodiments] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on the accompanying drawings.

先ず、この実施例においては、電気光学効果を有する材
料で構成された板状体(1)として、第1図(a)に示
すように、表裏両面が予め光学研磨されな長尺平板状の
PLZT(1)を準備した。なお、この実施例のように
PLZT(1)を用いると、低電圧で駆動できる光シャ
ッタが得られるようになる。また、このPLZT(1)
として具体的には、組成が9/65/35で、長さ 1
00開9幅5.0mm、厚さ帆5開のものを用いた。
First, in this embodiment, as a plate-shaped body (1) made of a material having an electro-optical effect, as shown in FIG. PLZT (1) was prepared. Note that when PLZT (1) is used as in this embodiment, an optical shutter that can be driven with a low voltage can be obtained. Also, this PLZT (1)
Specifically, the composition is 9/65/35 and the length is 1
00 opening 9 width 5.0 mm and thickness sail 5 opening were used.

そして、第1図(b)および第2図に示すように、この
PLZT(1)の片面の全面に、スパッタリング法によ
って、レジスト膜(2)となる約2000人のクロム膜
(2)を形成しな。なお、このクロム膜(2)は耐熱性
を持つ安定な膜であると共に、後述する電極用のアルミ
ニウム膜(7)と異なったエツチング特性を有し、リフ
トオフ法により、シャッタ部(11)、(12)から除
去される。この場合、このクロム膜(2)上に形成され
た電極用のアルミニウム膜(7)も−緒に除去されるよ
うになる。
Then, as shown in FIG. 1(b) and FIG. 2, a chromium film (2) of approximately 2,000 layers, which will become a resist film (2), is formed on the entire surface of one side of this PLZT (1) by sputtering. Shina. Note that this chromium film (2) is a stable film with heat resistance, and has different etching characteristics from the aluminum film (7) for electrodes, which will be described later. 12). In this case, the aluminum film (7) for electrodes formed on the chromium film (2) is also removed at the same time.

以下、説明の便宜上、第1図(b)に示すように、PL
ZT(1)の長手方向をX軸、幅方向すなわちX軸に直
交する方向をY軸とする。
Hereinafter, for convenience of explanation, as shown in FIG. 1(b), PL
The longitudinal direction of ZT(1) is the X axis, and the width direction, that is, the direction perpendicular to the X axis is the Y axis.

そして、上記のようにクロム膜(2)を形成したPLZ
T(1)の中央を、X軸方向にPLZT(1)の全長に
わたって精密切削し、第3図に示すような共通電極用の
溝(3)を形成した。この切削加工はダイシングソーで
行い、カッターには刃厚40μmのダイヤモンドカッタ
ーを用いた。また、溝(3)としては、溝幅が104μ
m。
Then, the PLZ with the chromium film (2) formed as described above
The center of T(1) was precisely cut along the entire length of PLZT(1) in the X-axis direction to form a groove (3) for a common electrode as shown in FIG. This cutting process was performed with a dicing saw, and a diamond cutter with a blade thickness of 40 μm was used as the cutter. In addition, the groove (3) has a groove width of 104 μm.
m.

PLZT(1)の表面からの溝深さaが160μmのも
のを形成した。
A groove having a depth a of 160 μm from the surface of PLZT (1) was formed.

さらに、この溝(3)の両側縁から一定の間隔をおいて
、渭(3)の両側にこれと平行に、すなわちX軸方向に
、PLZT(1)の全長にわたりて精密切削し、第3図
に示すように、個別電極用の溝(4)、溝(5)を形成
した。これらの溝(4)。
Furthermore, precision cutting is performed over the entire length of the PLZT (1) on both sides of the groove (3) parallel to this, that is, in the X-axis direction, at a constant interval from both sides of the groove (3). As shown in the figure, grooves (4) and grooves (5) for individual electrodes were formed. These grooves (4).

講(5)は形状が相等しく、溝幅を80μm、溝深さb
を120μmにし、共通電極用の溝(3)の溝深さaよ
り浅く形成した。また、溝(3)に対する溝(4)およ
び溝(5)の間隔、すなわちシャッタ部(11)、(1
2>となる凸部の幅長け60μmとしな、なお、シャッ
タ部(11)、(12)の幅長や、溝(3)および渭(
4)、(5)の深さa、bは、光シヤツタアレイに要求
される性能に応じて、かつ精密切削加工の精度の範囲内
において、任意に選択されることが可能である。ただし
、a>bを条件とする。
In case (5), the shapes are the same, the groove width is 80 μm, and the groove depth is b.
was set to 120 μm, and was formed shallower than the groove depth a of the common electrode groove (3). Also, the distance between the groove (4) and the groove (5) with respect to the groove (3), that is, the shutter portion (11), (1
2>, the width of the convex part is 60 μm, and the width of the shutter parts (11) and (12), the groove (3) and the edge (
The depths a and b in 4) and (5) can be arbitrarily selected depending on the performance required of the optical shutter array and within the accuracy of precision cutting. However, the condition is a>b.

次に、溝(4)および渭(5)の外側を、これらの71
1(4)、(5)から連続して端部まで80μmの深さ
dで切削し、第3図に示すように、シャッタ部(11)
、(12)以外のクロム膜(2)を除去した。
Next, line the outside of the groove (4) and the edge (5) with these 71
The shutter part (11) was cut continuously from 1 (4) and (5) to the end at a depth d of 80 μm, as shown in Fig. 3.
, chromium film (2) other than (12) was removed.

ここで使用するダイヤモンドカッターは、先の切削加工
に用いたものと同様のものでよいし、厚手のカッターで
もよい。例えば、同一のカッターを用いた場合には、−
回の切削幅が約50μm程度になるので、カッターのY
軸方向への送りピッチをこの切削幅より小さい30μm
程度にして切削を行うようにする。このようにしてシャ
ッタ部(11)、(12)以外のクロム膜(2)を除去
すると、クロム膜(2)が除去された領域は、切削加工
により表面が荒れた状態になる。
The diamond cutter used here may be the same as that used in the previous cutting process, or may be a thick cutter. For example, when using the same cutter, -
Since the cutting width per cycle is about 50 μm, the Y of the cutter
The feed pitch in the axial direction is 30 μm, which is smaller than this cutting width.
Cutting should be done at a certain level. When the chromium film (2) other than the shutter parts (11) and (12) is removed in this manner, the surface of the area where the chromium film (2) has been removed becomes rough due to cutting.

次に、上記加工が終了したPLZT(1)を十分に洗浄
した後、このPLZT(1)の加工面全面に電極用の金
属膜(7)として、アルミニウム膜(7)を形成するよ
うにした。ここで、アルミニウム膜(7)を形成するに
あたっては、その接着強度を向上させるため、下記の第
1表に示すような条件で、逆スパツタによるクリーニン
グ処理及びスパッタリングを行い、PLZT(1)の加
工面全面に膜厚が約4μmのアルミニウム膜(7)を形
成した。
Next, after thoroughly cleaning the PLZT (1) after the above processing, an aluminum film (7) was formed as a metal film (7) for an electrode on the entire processed surface of this PLZT (1). . Here, in forming the aluminum film (7), in order to improve its adhesive strength, cleaning treatment and sputtering using reverse sputtering were performed under the conditions shown in Table 1 below, and the PLZT (1) was processed. An aluminum film (7) having a thickness of about 4 μm was formed over the entire surface.

第1表 このようにしてアルミニウムwX(7)を形成した場合
においても、シャッタ部(11)、(,12)に残って
いるクロム膜(2)には何ら変化がなく、アルミニウム
膜(7)の部分に対する汚染は見られなかった。また、
クロム膜(2)が除去されて表面が荒らされた部分にお
いては、アルミニウム膜(7)との接触面積が大きくな
ると共に、アルミニウム膜(7)がその表面の凹凸と噛
み合い、強く接着されるようになった。
Table 1 Even when aluminum wX (7) is formed in this way, there is no change in the chromium film (2) remaining on the shutter parts (11) and (, 12), and the aluminum film (7) No contamination was observed in this area. Also,
In the area where the chromium film (2) has been removed and the surface has been roughened, the contact area with the aluminum film (7) increases, and the aluminum film (7) engages with the unevenness of the surface and is strongly bonded. Became.

次に、このアルミニウム膜(7)を設けたPLZT(1
)に対し、再びグイシングツ−を用いて切削を行い、各
シャッタ部(11)、(12)の形状を決定するように
した。この切削においては、第5図に示すような、先端
角θが60°で刃厚りが200mmのダイヤモンドカッ
ターを用いた。そして、X軸方向に対して64°の角度
でこのカッターにより、三角状の溝(6)を所要の溝ピ
ッチで順々に切り込んだ。ここで、講ピッチは約144
μmとし、またこの溝(6)の溝幅と渭深さeに関して
は、ダイシングソーに付設のモニターによって、溝(6
)上縁における溝幅、すなわち表面エッヂ部での幅が7
2μmになるように設定すると共に、その溝深さeを、
上記クロム膜(2)を除去する際の切削深さdより浅い
約60μm程、度にした。このようにして溝(6)の切
削を行った場合、第4図(a)に示すように、シャッタ
部(11)、(12>には溝(6)が切削され、各シャ
ッタ部(11)、(12)の形状が決定されるが、電極
部分においては、この溝(6)の溝深さeが上記のよう
にクロム膜(2)を除去する際の切削深さdより浅いた
め切削されず、電極となるアルミニウム膜(7)は分離
されずに連続したままの状態となっている。
Next, PLZT (1) provided with this aluminum film (7)
) was again cut using a cutting tool to determine the shape of each shutter part (11), (12). In this cutting, a diamond cutter having a tip angle θ of 60° and a blade thickness of 200 mm as shown in FIG. 5 was used. Then, triangular grooves (6) were sequentially cut at a required groove pitch using this cutter at an angle of 64° with respect to the X-axis direction. Here, the pitch is about 144
μm, and the groove width and depth e of this groove (6) are determined by the monitor attached to the dicing saw.
) The groove width at the upper edge, that is, the width at the surface edge is 7
In addition to setting the groove depth to 2 μm, the groove depth e is
The cutting depth was approximately 60 μm shallower than the cutting depth d used to remove the chromium film (2). When the grooves (6) are cut in this way, the grooves (6) are cut in the shutter parts (11) and (12>), as shown in FIG. ) and (12) are determined, but in the electrode part, the groove depth e of this groove (6) is shallower than the cutting depth d when removing the chromium film (2) as described above. The aluminum film (7), which is not cut and becomes an electrode, remains continuous without being separated.

そして、この溝(6)の中央に、さらに刃厚15μmの
ダイヤモンドカッターを用いて、溝幅が約20μm、溝
深さCが140μmの溝(6′)を形成し、各シャッタ
部(11)、(12)を深く分離させると共に、PLZ
T(1)の表面および溝(4)、<5)中のアルミニウ
ム膜(7)をこの講(6°)箇所において切断し、シャ
ッタエレメント(11)、(12)、個別電極(14)
、(15)及び電極リード部(14ft)。
Then, in the center of this groove (6), a groove (6') with a groove width of about 20 μm and a groove depth C of 140 μm is formed using a diamond cutter with a blade thickness of 15 μm, and each shutter part (11) , (12) are deeply separated, and PLZ
The surface of T (1) and the aluminum film (7) in the grooves (4), <5) are cut at this angle (6°), and the shutter elements (11), (12) and individual electrodes (14) are cut.
, (15) and electrode lead section (14ft).

(15,ff)が分離させた。(15, ff) was separated.

ここで、各切削における切削深さの関係を整理すると、
第6図に示すように、a>b>c>dieの条件を満足
するようになっている。
Here, if we organize the relationship between cutting depth in each cutting,
As shown in FIG. 6, the condition of a>b>c>die is satisfied.

このように、溝(6′)の溝深さC(・140μm)を
、溝(3)の渭深さa(・160μm)より浅くする一
方、溝(4)、(5)の溝深さb (□120μm )
より深くすると、この溝(6′)の切削により、PLZ
 T (1)の表面およびm (4)、 (5)中のア
ルミニウム膜(7〉が、この7IIt(6’)箇所にお
いて切断され、各シャッタ部(11)、(12) 、個
別電極(14)。
In this way, the groove depth C (・140 μm) of groove (6′) is made shallower than the edge depth a (・160 μm) of groove (3), while the groove depth of grooves (4) and (5) b (□120μm)
If it is made deeper, cutting this groove (6') will cause PLZ
The surface of T (1) and the aluminum film (7> in m (4), (5) are cut at this 7IIt (6') location, and each shutter part (11), (12) and individual electrode (14) are cut. ).

(15)及び電極リード部(14g>、(15ft>が
分離形成される一方、共通電極(13)となる溝(3)
の底面部のアルミニウム膜(7)は切削されずに連続し
た状態で残る。すなわち、この溝(6′)の切削により
、立体状の各シャッタ部(11)、(12)と同時に平
行な個別電極(14)、(15)をも作ることができる
のである。従って、特開昭61−38927号公報のも
ののように、フォトレジストを用いてパターンを形成し
たり、レーザ等で溝中の金属薄膜の一部を取り除いて独
立した電極を設ける等の面倒な工程を必要とせず、製作
工程を大幅に簡略化することができるようになる。
(15) and the electrode lead parts (14g>, (15ft>) are formed separately, while the groove (3) which becomes the common electrode (13)
The aluminum film (7) on the bottom surface is not cut and remains in a continuous state. That is, by cutting this groove (6'), parallel individual electrodes (14) and (15) can be made at the same time as the three-dimensional shutter parts (11) and (12). Therefore, as in the method disclosed in JP-A-61-38927, it is a cumbersome process such as forming a pattern using photoresist or removing a part of the metal thin film in the groove with a laser or the like to provide an independent electrode. This makes it possible to greatly simplify the manufacturing process.

なお、このl(6’)の切削によって切削箇所における
アルミニウム膜(7)は削り取られるが、その周囲にお
けるアルミニウム膜(7)はPLZT(1)と強く接着
されているため、切削に伴って剥離するということはな
かった。
Note that the aluminum film (7) at the cutting location is scraped off by this cutting of l (6'), but since the aluminum film (7) around it is strongly adhered to the PLZT (1), it will not peel off during cutting. There was no way I would do that.

また、溝(6)の溝深さeを、クロム膜(2)を除去し
た際の切削深さdより浅くし、溝(6)の切削において
は、PLZT(1)表面のアルミニウム膜(7)が切削
されず、溝(6′)によって分離されるようにしたため
、電極リード部(14ffl)。
In addition, the groove depth e of the groove (6) is made shallower than the cutting depth d when the chromium film (2) is removed, and when cutting the groove (6), the aluminum film (7 ) is not cut and is separated by a groove (6'), so the electrode lead part (14ffl).

(1542)が広く形成され、外部の駆動回路と接続が
容易に行えるようになっている。
(1542) is formed wide so that it can be easily connected to an external drive circuit.

そして、製作工程の最後として、各シャッタ部(11)
、(12)上面の窓部上に形成されているクロム膜(2
)を、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸とを加
えた溶液を用いて化学エツチングし、このクロム膜(2
)と共にその上に形成されているアルミニウム膜(7)
を剥離させて、各シャッタ部(11)、<12)上面の
窓部を開口させた。この時、その他の部分に付着された
アルミニウム膜(7)は剥離されなかった。
Then, as the final step of the manufacturing process, each shutter part (11)
, (12) A chromium film (2) formed on the window on the top surface.
) is chemically etched using a solution containing ceric ammonium nitrate and perchloric acid, and this chromium film (2
) and an aluminum film (7) formed thereon.
was peeled off to open the window section on the upper surface of each shutter section (11), <12). At this time, the aluminum film (7) attached to other parts was not peeled off.

以上のようにして、第4図(b)に示すように、複数の
シャッタ部(11)、(12)が配列された2列のシャ
ッタアレイ(IIA)、(12A)を持つ光シヤツタア
レイ(10)を得た。
As described above, as shown in FIG. 4(b), an optical shutter array (10 ) was obtained.

このようにして製造された光シヤツタアレイ(10)に
おいては、各シャッタ部(11)、(12)を切削加工
によって形成したにも拘らず、これらのエッヂ部におい
ては、加工歪みによる漏れ光がほとんどなく、極めて高
い光学的コントラストが得られるようになった。これは
、各シャッタ部(11)、(12)の上縁が溝(6)に
よって角取りされているなめ、第7図(b)に示すよう
に、そのエッチ部分に入射された光が、この角取りされ
た箇所において反射されるなめであると考えられる。
In the optical shutter array (10) manufactured in this way, even though the shutter parts (11) and (12) were formed by cutting, almost no light leaks from these edge parts due to processing distortion. It is now possible to obtain extremely high optical contrast. This is because the upper edges of each shutter section (11) and (12) are rounded by grooves (6), and as shown in FIG. 7(b), the light incident on the etched portions is It is thought that this is a lick that is reflected at this cornered area.

次に、この光シヤツタアレイ(10)を外部回路と接続
させて使用する例を第8図に示す。同図中(20)はシ
ャッタアレイ(IIA)の各シャッタ部(11)に駆動
パルスを与えて駆動させる駆動回路(半導体チップ状の
回路を含む) 、(21)はシャッタアレイ(12A)
の各シャッタ部(12)を駆動させる駆動回路である。
Next, FIG. 8 shows an example in which this optical shutter array (10) is used by being connected to an external circuit. In the figure, (20) is a drive circuit (including a semiconductor chip-shaped circuit) that applies a drive pulse to drive each shutter part (11) of the shutter array (IIA), and (21) is the shutter array (12A).
This is a drive circuit that drives each shutter section (12).

駆動回路(20)は、シャッタアレイ(IIA)におけ
る奇数番目のシャッタ部(11)の個々の電極リード部
(li)と接続されており、一方駆動回路(21)は、
シャッタアレイ(12A)における偶数番目のシャッタ
部(12〉の個々の電極リード部(15β)と接続され
ている。
The drive circuit (20) is connected to each electrode lead part (li) of the odd-numbered shutter part (11) in the shutter array (IIA), while the drive circuit (21)
It is connected to the individual electrode lead parts (15β) of the even-numbered shutter parts (12>) in the shutter array (12A).

駆動回路(20)、(21)は時分割で作動され、第9
図(a)、(b)に示すように、画像情報に基づく2列
のシャッタアレイ(IIA)、 (12A)のシャッタ
作用で、ライン1本の画像を形成する。時間差は、画像
形成部たとえば感光体ドラムの回転速度と同期に整合さ
れる。このように駆動させることにより、この光シヤツ
タアレイ(10)では、80μmピッチ、すなわち12
.5ドツト/ mmの高解像度を達成することができる
ようになった。
The drive circuits (20) and (21) are operated in time division, and the ninth
As shown in Figures (a) and (b), a single line image is formed by the shutter action of two rows of shutter arrays (IIA) (12A) based on image information. The time difference is adjusted to be synchronous with the rotational speed of the image forming unit, such as the photoreceptor drum. By driving in this way, this optical shutter array (10) has a pitch of 80 μm, that is, 12
.. It is now possible to achieve a high resolution of 5 dots/mm.

この実施例においては、レジスト膜にクロム膜を用いた
場合の例を示したが、レジスト膜はこのようなものに限
られず、モリブデンやポリイミド系樹脂等を用いること
も可能である。なお、モリブデンを用いたレジスト膜の
場合には、燐酸と硝酸とを加えた溶液を用いて、またポ
リイミド系樹脂を用いたレジスト膜の場合には、ヒドラ
ゾン系溶液を用いて化学エツチングを行うことにより、
電極材料であるアルミニウム膜(7)は剥離されずに、
これらのレジスト膜だけが除去されるようになる。
In this embodiment, an example is shown in which a chromium film is used as the resist film, but the resist film is not limited to such a film, and it is also possible to use molybdenum, polyimide resin, or the like. In addition, in the case of a resist film using molybdenum, chemical etching should be performed using a solution containing phosphoric acid and nitric acid, and in the case of a resist film using polyimide resin, chemical etching should be performed using a hydrazone solution. According to
The aluminum film (7), which is the electrode material, is not peeled off,
Only these resist films are now removed.

また、ポリイミド系樹脂からなるレジスト膜を形成する
場合には、通常350°C程度でのベーキングを行うが
、このような加熱によって光シックを構成するPLZT
が変化することはなかった。
Furthermore, when forming a resist film made of polyimide resin, baking is usually performed at about 350°C.
never changed.

E発明の効果コ 以上詳述したように、この発明に係る光シャッタの製造
方法によれば、フォトレジストを露光現像してパターン
を形成する等の面倒な作業を必要とせず、光シャッタを
簡単に製造できるようになった・ また、この発明においては、電極材料とエツチング特性
が異なる耐熱性のレジスト膜によって、電気光学効果を
有する材料で構成された板状体のシャッタ部領域を覆う
ようにしたため、逆スパツタやスパッタリングによって
電極用の金属膜を設ける際に、レジスト膜の変質等によ
って、電極用の金属膜部分に汚染を生じるということが
ない。
E. Effects of the Invention As detailed above, the method for manufacturing an optical shutter according to the present invention does not require troublesome work such as exposing and developing a photoresist to form a pattern, and it is possible to easily manufacture an optical shutter. In addition, in this invention, a heat-resistant resist film having different etching characteristics from the electrode material is used to cover the shutter region of the plate-shaped body made of a material having an electro-optical effect. Therefore, when a metal film for an electrode is provided by reverse sputtering or sputtering, there is no possibility that the metal film for the electrode is contaminated due to deterioration of the resist film or the like.

この結果、光シャッタに付着強度の高い電極用の金fi
t、Mを形成できるようになると共に、汚染物がシャッ
タと電極との間に入り込んで電極からシャッタに電圧を
印加する際に悪影響を及ぼすということもなく、安定に
駆動される光、シャッタ得られるようになった。
As a result, gold fi for electrodes with high adhesion strength was applied to the optical shutter.
In addition to being able to form t and M, contaminants do not enter between the shutter and the electrode and have a negative effect when applying voltage from the electrode to the shutter, and the light and shutter can be stably driven. Now you can.

さらに、レジスト膜が変質してエツチングによる除去が
困難になるということもなく、エツチングによるシャッ
タの開口もうまく行えるようになった。
Furthermore, the resist film does not change in quality and become difficult to remove by etching, and the shutter can now be opened successfully by etching.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)、(b) 、第2図、第3図及び第4図(
a)、(b)はこの発明の一実施例に係る光シヤツタア
レイの製作工程の説明図、なお第2図は第1図(b)の
I−I線に沿う部分拡大断面図、第5図は同実施例で使
用したダイヤモンドカッターの断面図、第6図は第4図
(b)の■−■線に沿う断面図、第7図(a)、(b)
は同実施例のシャッタエレメントの平面図及び正面図、
第8図は同実施例の光シヤツタアレイと駆動回路との接
続図、第9図(a)、(b)は同実施例のシャッタ駆勤
の説明図、第10図は第4図(b)のIII−I線に沿
う断面図である。 (1)・・・電気光学効果を有する板状体(PLZT)
、(2)・・・レジスト膜(クロム膜)、(3)・・・
共通電極用の溝、(4>、(5)・・・個別電極用の溝
、(7)・・・電極用の金属膜(アルミニウム膜)、(
11)、(12)・・・シャッタ部。 特許出願人  ミノルタカメラ株式会社代 理 人  
弁理士  松 川 克 明第1図 (a) 第3図 (又   ) 第4図 第4図 (b) 工、 ・  ) 5i 第5図 1−D−→ 第6図 第7図 (a) 第8図 ↓ 第9図 (a) 第10図
Figure 1 (a), (b), Figure 2, Figure 3 and Figure 4 (
a) and (b) are explanatory diagrams of the manufacturing process of an optical shutter array according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partially enlarged sectional view taken along line I-I in FIG. 1(b), and FIG. is a sectional view of the diamond cutter used in the same example, FIG. 6 is a sectional view taken along the line ■-■ in FIG. 4(b), and FIGS. 7(a) and (b).
are a plan view and a front view of the shutter element of the same example,
FIG. 8 is a connection diagram of the optical shutter array and drive circuit of the same embodiment, FIGS. 9(a) and (b) are explanatory diagrams of shutter driving of the same embodiment, and FIG. 10 is a diagram of FIG. 4(b). FIG. 2 is a sectional view taken along line III-I of FIG. (1)...Plate body with electro-optic effect (PLZT)
, (2)...resist film (chromium film), (3)...
Groove for common electrode, (4>, (5)... Groove for individual electrode, (7)... Metal film (aluminum film) for electrode, (
11), (12)...Shutter section. Patent applicant Minolta Camera Co., Ltd. Agent
Patent Attorney Katsuaki Matsukawa Figure 1 (a) Figure 3 (also) Figure 4 Figure 4 (b) 5i Figure 5 1-D-→ Figure 6 Figure 7 (a) Figure 8↓ Figure 9 (a) Figure 10

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、電気光学効果を有する材料で構成された板状体の少
なくとも片面において、電極材料とエッチング特性が異
なる耐熱性のレジスト膜を少なくともシャッタ部領域を
覆うように設け、電極用の溝を形成した後、その上に電
極用の金属膜を形成し、上記レジスト膜をエッチングに
よってシャッタ部から除去してシャッタ部を開口させる
ようにしたことを特徴とする光シャッタの製造方法。
1. On at least one side of a plate-shaped body made of a material having an electro-optical effect, a heat-resistant resist film having etching characteristics different from that of the electrode material is provided to cover at least the shutter region, and a groove for the electrode is formed. Thereafter, a metal film for an electrode is formed thereon, and the resist film is removed from the shutter portion by etching to open the shutter portion.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5139062A (en) * 1974-09-28 1976-04-01 Nippon Telegraph & Telephone HIKARIDOHAKAIROSAKUSEIHOHO
JPS6138927A (en) * 1984-07-31 1986-02-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Production of optical shutter
JPS62502783A (en) * 1985-09-27 1987-10-22 イ−ストマン・コダック・カンパニ− Linear light valve array with laterally driven electro-optical gates and method of manufacturing the same

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