JP2636275B2 - Optical shutter manufacturing method - Google Patents

Optical shutter manufacturing method

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JP2636275B2
JP2636275B2 JP62281787A JP28178787A JP2636275B2 JP 2636275 B2 JP2636275 B2 JP 2636275B2 JP 62281787 A JP62281787 A JP 62281787A JP 28178787 A JP28178787 A JP 28178787A JP 2636275 B2 JP2636275 B2 JP 2636275B2
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【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、PLZT等の電気光学効果を有する材料で構
成された板状体を用いて光シャッタを製造する光シャッ
タの製造方法に関するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical shutter manufacturing method for manufacturing an optical shutter using a plate-like body made of a material having an electro-optical effect such as PLZT. is there.

[従来技術及びその問題点] 従来、PLZT等の電気光学効果を有する材料で構成され
た板状体を用いて光シャッタを製造する方法としては、
特開昭61−38927号公報に示されているように、電気光
学効果を有する板状体の表面にフォトレジストを塗布し
て露光現像した後、これに溝を切り、その上に電極用の
金属薄膜を蒸着し、リフトオフにより蒸着した金属薄膜
の一部を取り除き、シャッタを開口させると共に板状体
の表面における金属薄膜を分離させた後、レーザ等で溝
中の金属薄膜の一部を取り除いて独立した電極を設ける
ようにする方法が知られている。
[Prior art and its problems] Conventionally, as a method of manufacturing an optical shutter using a plate-like body made of a material having an electro-optic effect such as PLZT,
As shown in JP-A-61-38927, a photoresist is applied to the surface of a plate-like body having an electro-optical effect, exposed and developed, and then a groove is cut in the photoresist. After depositing the metal thin film, removing part of the metal thin film deposited by lift-off, opening the shutter and separating the metal thin film on the surface of the plate-like body, removing part of the metal thin film in the groove with a laser or the like A method for providing independent electrodes is known.

しかし、このように電気光学効果を有する板状体の表
面にフォトレジストを用いてパターンを形成したり、レ
ーザ等で溝中の金属薄膜の一部を取り除いたりすること
は非常に面倒であり、製造に時間を要する共に、板状体
の表面に溝を切削する設備の他に、このような加工を行
う設備が必要になって、設備に要するコストが高くつく
等の問題があった。
However, it is very troublesome to form a pattern using a photoresist on the surface of the plate-like body having the electro-optical effect, or to remove a part of the metal thin film in the groove with a laser or the like, In addition to the time required for the production, equipment for performing such processing in addition to equipment for cutting grooves on the surface of the plate-shaped body is required, and thus there is a problem that the cost required for the equipment is increased.

また、電極用の金属薄膜を上記板状体の表面に剥がれ
ないように強く付着させるために、板状体の表面を逆ス
パッタによりクリーニング処理した後、スパッタリング
法によってその表面に電極用の金属薄膜を付着させるこ
とが効果的であるということが知られている。
Also, in order to strongly adhere the metal thin film for the electrode to the surface of the plate-shaped body so as not to peel off, the surface of the plate-shaped body is cleaned by reverse sputtering, and then the metal thin film for the electrode is formed on the surface by a sputtering method. Is known to be effective.

しかし、上記のようにフォトレジストを設けた板状体
の表面にこれらの処理を行うと、フォトレジストが変質
する等により、電極用の金属薄膜部分に汚染が生じ、電
極用の金属薄膜の付着強度が低下する等の問題があり、
加えて、この汚染物がシャッタと電極との間に介在し、
電極からシャッタに電圧を印加する際に悪影響をおよぼ
す等の種々の問題が生じた。
However, when these treatments are performed on the surface of the plate-like body provided with the photoresist as described above, the photoresist is deteriorated and the metal thin film portion for the electrode is contaminated, and the metal thin film for the electrode is attached. There are problems such as reduced strength,
In addition, this contaminant intervenes between the shutter and the electrode,
There have been various problems such as adverse effects when applying a voltage from the electrode to the shutter.

さらに、フォトレジストが変質することによって、エ
ッチングによるフォトレジストの除去が困難になり、シ
ャッタの開口がうまく行えなくなる等の問題も生じた。
In addition, the deterioration of the photoresist makes it difficult to remove the photoresist by etching, and also causes a problem that the opening of the shutter cannot be performed well.

[発明の目的] この発明は、上記のような問題を解決せんとしてなさ
れたものであり、光シャッタの製造が簡単でかつその設
備に要するコストも低減され、また電気光学効果を有す
る材料で構成された板状体の表面に逆スパッタやスパッ
タリング法を用いて電極用の金属薄膜を付着させるよう
にした場合においても、レジスト膜による汚染等の問題
がなく、電極用の金属薄膜を上記板状体の表面に強固に
付着させることができる光シャッタの製造方法を提供す
ることを目的としたものである。
[Object of the Invention] The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and the manufacturing of the optical shutter is simple, the cost required for the equipment is reduced, and the optical shutter is made of a material having an electro-optical effect. In the case where the metal thin film for the electrode is attached to the surface of the plate-shaped body by using the reverse sputtering or the sputtering method, there is no problem such as contamination by the resist film, and the metal thin film for the electrode is formed on the plate-shaped metal body. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an optical shutter that can be firmly attached to a body surface.

[問題点を解決するための手段] この発明に係る光シャッタの製造方法においては、電
気光学効果を有する材料で構成された板状体の少なくと
も片面に、電極材料とエッチング特性が異なる耐熱性の
レジスト膜を形成した後、機械的切削加工により電極用
の溝を形成すると共に、シャッタ部領域を除く部分の表
面を機械的切削加工して、シャッタ部領域を除く部分に
おけるレジスト膜を除去し、その上に電極用の金属膜を
形成し、上記レジスト膜をエッチングによってシャッタ
部から除去してシャッタ部を開口させるようにしたので
ある。
[Means for Solving the Problems] In the method for manufacturing an optical shutter according to the present invention, at least one surface of a plate made of a material having an electro-optic effect has heat resistance different from that of an electrode material in etching characteristics. After forming the resist film, while forming a groove for the electrode by mechanical cutting, the surface of the portion except the shutter region is mechanically cut to remove the resist film in the portion except the shutter region, A metal film for an electrode is formed thereon, and the resist film is removed from the shutter portion by etching to open the shutter portion.

ここで、電極材料とエッチング特性が異なる耐熱性の
レジスト膜としては、クロム、モリブデン等の金属膜や
無機誘電体膜の他に、ポリイミド系樹脂等の合成樹脂膜
を使用することもできる。
Here, as the heat-resistant resist film having an etching characteristic different from that of the electrode material, a synthetic resin film such as a polyimide resin can be used in addition to a metal film such as chromium or molybdenum or an inorganic dielectric film.

要は、このレジスト膜が、逆スパッタやスパッタリン
グの際に、その熱作用等によって変質しないものであ
り、またエッチングによってレジスト膜をシャッタ部か
ら除去する際に、その他の部分に設けられた電極材料
が、このレジスト膜と一緒に除去されないようになって
いればよいのである。
The point is that the resist film does not deteriorate due to the thermal action or the like during reverse sputtering or sputtering. Also, when the resist film is removed from the shutter portion by etching, the electrode material provided on other portions is used. However, it is only necessary that this is not removed together with the resist film.

[作用] このように、電気光学効果を有する材料で構成された
板状体を用いて光シャッタを製造するにあたり、電極材
料とエッチング特性が異なる耐熱性のレジスト膜を板状
体の少なくとも片面に設けてシャッタ部領域を覆うよう
にすると、逆スパッタやスパッタリングによって電極用
の金属膜を設ける際に、レジスト膜が変質したりするこ
とがなく、電極用の金属膜部分に汚染を生じたりするこ
とがない。
[Operation] As described above, in manufacturing an optical shutter using a plate made of a material having an electro-optic effect, a heat-resistant resist film having an etching characteristic different from that of an electrode material is applied to at least one surface of the plate. When provided so as to cover the shutter area, the resist film is not deteriorated when the metal film for the electrode is provided by reverse sputtering or sputtering, and the metal film portion for the electrode is contaminated. There is no.

また、この発明のようにして光シャッタを製造する場
合には、従来のように電極用の溝を切削加工する工程の
他に、フォトレジストを露光現像してパターンを形成す
る等の作業を行なう必要がなく、シャッタ部にのみレジ
スト膜を形成する作業が簡単に行え、光シャッタの製造
が簡単に行えるようになると共に、フォトリソグラフィ
ー等の設備を設ける必要もない。
In the case of manufacturing an optical shutter as in the present invention, in addition to the step of cutting a groove for an electrode as in the prior art, an operation of forming a pattern by exposing and developing a photoresist is performed. There is no necessity, the operation of forming a resist film only on the shutter portion can be easily performed, the manufacture of the optical shutter can be easily performed, and no equipment such as photolithography is required.

[実施例] 以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて具体的
に説明する。
Embodiment An embodiment of the present invention will be specifically described below with reference to the accompanying drawings.

先ず、この実施例においては、電気光学効果を有する
材料で構成された板状体(1)として、第1図(a)に
示すように、表裏両面が予め光学研磨された長尺平板状
のPLZT(1)を準備した。なお、この実施例のようにPL
ZT(1)を用いると、低電圧で駆動できる光シャッタが
得られるようになる。また、このPLZT(1)として具体
的には、組成が9/65/35で、長さ100mm,幅5.0mm,厚さ0.5
mmのものを用いた。
First, in this embodiment, as shown in FIG. 1 (a), as a plate-shaped body (1) made of a material having an electro-optic effect, a long flat plate whose front and rear surfaces are optically polished in advance. PLZT (1) was prepared. Note that, as in this embodiment, the PL
When ZT (1) is used, an optical shutter that can be driven at a low voltage can be obtained. Specifically, the PLZT (1) has a composition of 9/65/35, a length of 100 mm, a width of 5.0 mm, and a thickness of 0.5.
mm.

そして、第1図(b)および第2図に示すように、こ
のPLZT(1)の片面の全面に、スパッタリング法によっ
て、レジスト膜(2)となる約2000Åのクロム膜(2)
を形成した。なお、このクロム膜(2)は耐熱性を持つ
安定な膜であると共に、後述する電極用のアルミニウム
膜(7)と異なったエッチング特性を有し、リフトオフ
法により、シャッタ部(11),(12)から除去される。
この場合、このクロム膜(2)上に形成された電極用の
アルミニウム膜(7)も一緒に除去されるようになる。
Then, as shown in FIGS. 1 (b) and 2, the chromium film (2) having a thickness of about 2000 ° which becomes a resist film (2) is formed on the entire surface of one side of the PLZT (1) by sputtering.
Was formed. The chromium film (2) is a stable film having heat resistance, and has an etching characteristic different from that of an aluminum film (7) for an electrode described later. Removed from 12).
In this case, the aluminum film (7) for the electrode formed on the chromium film (2) is also removed.

以下、説明の便宜上、第1図(b)に示すように、PL
ZT(1)の長手方向をX軸,幅方向すなわちX軸に直交
する方向をY軸とする。
Hereinafter, for convenience of explanation, as shown in FIG.
The longitudinal direction of ZT (1) is the X axis, and the width direction, that is, the direction orthogonal to the X axis is the Y axis.

そして、上記のようにクロム膜(2)を形成したPLZT
(1)の中央を、X軸方向にPLZT(1)の全長にわたっ
て精密切削し、第3図に示すような共通電極用の溝
(3)を形成した。この切削加工はダイシングソーで行
い、カッターには刃厚40μmのダイヤモンドカッターを
用いた。また、溝(3)としては、溝幅が104μm,PLZT
(1)の表面からの溝深さaが160μmのものを形成し
た。
Then, the PLZT on which the chromium film (2) is formed as described above.
The center of (1) was precision cut along the entire length of the PLZT (1) in the X-axis direction to form a common electrode groove (3) as shown in FIG. This cutting was performed with a dicing saw, and a diamond cutter having a blade thickness of 40 μm was used as the cutter. The groove (3) has a groove width of 104 μm, PLZT
A groove having a groove depth a from the surface of (1) of 160 μm was formed.

さらに、この溝(3)の両側縁から一定の間隔をおい
て、溝(3)の両側にこれと平行に、すなわちX軸方向
に、PLZT(1)の全長にわたって精密切削し、第3図に
示すように、個別電極用の溝(4),溝(5)を形成し
た。これらの溝(4),溝(5)は形状が相等しく、溝
幅を80μm、溝深さbを120μmにし、共通電極用の溝
(3)の溝深さaより浅く形成した。また、溝(3)に
対する溝(4)および溝(5)の間隔、すなわちシャッ
タ部(11),(12)となる凸部の幅長は60μmとした。
なお、シャッタ部(11),(12)の幅長や、溝(3)お
よび溝(4),(5)の深さa,bは、光シャッタアレイ
に要求される性能に応じて、かつ精密切削加工の精度の
範囲内において、任意に選択されることが可能である。
ただし、a>bを条件とする。
Further, at a fixed distance from both side edges of the groove (3), precision cutting is performed on both sides of the groove (3) in parallel with the groove (3), that is, in the X-axis direction over the entire length of the PLZT (1). As shown in (1), grooves (4) and (5) for individual electrodes were formed. The grooves (4) and (5) have the same shape, a groove width of 80 μm, a groove depth b of 120 μm, and a depth smaller than the groove depth a of the common electrode groove (3). The interval between the groove (4) and the groove (5) with respect to the groove (3), that is, the width of the convex portions serving as the shutter portions (11) and (12) was 60 μm.
The widths of the shutter portions (11) and (12) and the depths a and b of the grooves (3) and (4) and (5) are determined according to the performance required for the optical shutter array, and It can be arbitrarily selected within the range of the precision of the precision cutting.
However, it is assumed that a> b.

次に、溝(4)および溝(5)の外側を、これらの溝
(4),(5)から連続して端部まで80μmの深さdで
切削し、第3図に示すように、シャッタ部(11),(1
2)以外のクロム膜(2)を除去した。ここで使用する
ダイヤモンドカッターは、先の切削加工に用いたものと
同様のものでもよいし、厚手のカッターでもよい。例え
ば、同一のカッターを用いた場合には、一回の切削幅が
約50μm程度になるので、カッターのY軸方向への送り
ピッチをこの切削幅より小さい30μm程度にして切削を
行うようにする。このようにしてシャッタ部(11),
(12)以外のクロム膜(2)を除去すると、クロム膜
(2)が除去された領域は、切削加工により表面が荒れ
た状態になる。
Next, the outside of the groove (4) and the groove (5) was cut continuously from these grooves (4) and (5) to an end to a depth d of 80 μm, and as shown in FIG. Shutter section (11), (1
The chromium film (2) other than 2) was removed. The diamond cutter used here may be the same as that used in the previous cutting, or may be a thick cutter. For example, when the same cutter is used, a single cutting width is about 50 μm. Therefore, the cutting is performed with the feed pitch in the Y-axis direction of the cutter being about 30 μm smaller than the cutting width. . Thus, the shutter unit (11),
When the chromium film (2) other than (12) is removed, the region from which the chromium film (2) has been removed is roughened by cutting.

次に、上記加工が終了したPLZT(1)を十分に洗浄し
た後、このPLZT(1)の加工面全面に電極用の金属膜
(7)として、アルミニウム膜(7)を形成するように
した。ここで、アルミニウム膜(7)を形成するにあた
っては、その接着強度を向上させるため、下記の第1表
に示すような条件で、逆スパッタによるクリーニング処
理及びスパッタリングを行い、PLZT(1)の加工面全面
に膜厚が約4μmのアルミニウム膜(7)を形成した。
Next, the PLZT (1) after the above processing is sufficiently washed, and then an aluminum film (7) is formed as a metal film (7) for an electrode on the entire processing surface of the PLZT (1). . Here, in forming the aluminum film (7), in order to improve the adhesive strength, cleaning treatment and sputtering by reverse sputtering are performed under the conditions shown in Table 1 below to process the PLZT (1). An aluminum film (7) having a thickness of about 4 μm was formed on the entire surface.

このようにしてアルミニウム膜(7)を形成した場合
においても、シャッタ部(11),(12)に残っているク
ロム膜(2)には何ら変化がなく、アルミニウム膜
(7)の部分に対する汚染は見られなかった。また、ク
ロム膜(2)が除去されて表面が荒らされた部分におい
ては、アルミニウム膜(7)との接触面積が大きくなる
と共に、アルミニウム膜(7)がその表面の凹凸と噛み
合い、強く接着されるようになった。
Even when the aluminum film (7) is formed in this manner, there is no change in the chromium film (2) remaining in the shutter portions (11) and (12), and the contamination of the aluminum film (7) is prevented. Was not seen. In the portion where the surface is roughened by removing the chromium film (2), the contact area with the aluminum film (7) is increased, and the aluminum film (7) is engaged with the unevenness of the surface and is strongly bonded. It became so.

次に、このアルミニウム膜(7)を設けたPLZT(1)
に対し、再びダイシングソーを用いて切削を行い、各シ
ャッタ部(11),(12)の形状を決定するようにした。
この切削においては、第5図に示すような、先端角θが
60゜で刃厚Dが200mmのダイヤモンドカッターを用い
た。そして、X軸方向に対して64゜の角度でこのカッタ
ーにより、三角状の溝(6)を所要の溝ピッチで順々に
切り込んだ。ここで、溝ピッチは約144μmとし、また
この溝(6)の溝幅と溝深さeに関しては、ダイシング
ソーに付設のモニターによって、溝(6)上縁における
溝幅、すなわち表面エッヂ部での幅が72μmになるよう
に設定すると共に、その溝深さeを、上記クロム膜
(2)を除去する際に切削深さdより浅い約60μm程度
にした。このようにして溝(6)の切削を行った場合、
第4図(a)に示すように、シャッタ部(11),(12)
には溝(6)が切削され、各シャッタ部(11),(12)
の形状が決定されるが、電極部分においては、この溝
(6)の溝深さeが上記のようにクロム膜(2)を除去
する際の切削深さdより浅いため切削されず、電極とな
るアルミニウム膜(7)は分離されずに連続したままの
状態となっている。
Next, PLZT (1) provided with this aluminum film (7)
Then, cutting was performed again using a dicing saw to determine the shapes of the shutter portions (11) and (12).
In this cutting, the tip angle θ as shown in FIG.
A diamond cutter of 60 mm and a blade thickness D of 200 mm was used. Then, the triangular grooves (6) were sequentially cut at a required groove pitch by the cutter at an angle of 64 ° with respect to the X-axis direction. Here, the groove pitch is about 144 μm, and the groove width and the groove depth e of the groove (6) are determined by a monitor attached to the dicing saw, ie, the groove width at the upper edge of the groove (6), that is, at the surface edge. Was set to be 72 μm, and the groove depth e was about 60 μm, which was shallower than the cutting depth d when removing the chromium film (2). When the groove (6) is cut in this way,
As shown in FIG. 4 (a), the shutter sections (11) and (12)
The groove (6) is cut in the shutter, and each shutter part (11), (12)
However, in the electrode portion, since the groove depth e of the groove (6) is smaller than the cutting depth d when the chromium film (2) is removed as described above, the groove is not cut, and the electrode is not cut. The aluminum film (7) is continuously separated without being separated.

そして、この溝(6)の中央に、さらに刃厚15μmの
ダイヤモンドカッターを用いて、溝幅が約20μm、溝深
さcが140μmの溝(6′)を形成し、各シャッタ部(1
1),(12)を深く分離させると共に、PLZT(1)の表
面および溝(4),(5)中のアルミニウム膜(7)を
この溝(6′)箇所において切断し、シャッタエレメン
ト(11),(12)、個別電極(14),(15)及び電極リ
ード部(14l),(15l)を分離させた。
Using a diamond cutter with a blade thickness of 15 μm, a groove (6 ′) having a groove width of about 20 μm and a groove depth c of 140 μm is formed at the center of the groove (6).
1) and (12) are deeply separated, and the surface of the PLZT (1) and the aluminum film (7) in the grooves (4) and (5) are cut at the positions of the grooves (6 '), and the shutter element (11) is cut. ), (12), the individual electrodes (14), (15) and the electrode leads (14l), (15l) were separated.

ここで、各切削における切削深さの関係を整理する
と、第6図に示すように、a>b>c>d>eの条件を
満足するようになっている。
Here, when the relationship of the cutting depth in each cutting is arranged, as shown in FIG. 6, the condition of a>b>c>d> e is satisfied.

このように、溝(6′)の溝深さc(=140μm)
を、溝(3)の溝深さa(=160μm)より浅くする一
方、溝(4),(5)の溝深さb(=120μm)より深
くすると、この溝(6′)の切削により、PLZT(1)の
表面および溝(4),(5)中のアルミニウム膜(7)
が、この溝(6′)箇所において切断され、各シャッタ
部(11),(12)、個別電極(14),(15)及び電極リ
ード部(14l),(15l)が分離形成される一方、共通電
極(13)となる溝(3)の底面部のアルミニウム膜
(7)は切削されずに連続した状態で残る。すなわち、
この溝(6′)の切削により、立体状の各シャッタ部
(11),(12)と同時に平行な個別電極(14),(15)
をも作ることができるのである。従って、特開昭61−38
927号公報のもののように、フォトレジストを用いてパ
ターンを形成したり、レーザ等で溝中の金属薄膜の一部
を取り除いて独立した電極を設ける等の面倒な工程を必
要とせず、製作工程を大幅に簡略化することができるよ
うになる。
Thus, the groove depth c (= 140 μm) of the groove (6 ′)
Is made shallower than the groove depth a (= 160 μm) of the groove (3), and is made deeper than the groove depth b (= 120 μm) of the grooves (4) and (5). , PLZT (1) surface and aluminum film (7) in grooves (4), (5)
Is cut at the groove (6 '), and the shutter portions (11) and (12), the individual electrodes (14) and (15) and the electrode lead portions (14l) and (15l) are separately formed. The aluminum film (7) on the bottom of the groove (3) serving as the common electrode (13) remains in a continuous state without being cut. That is,
By cutting the groove (6 '), the individual electrodes (14), (15) which are parallel to the three-dimensional shutter portions (11), (12) at the same time.
Can also be made. Therefore, JP-A-61-38
No need for a complicated process such as forming a pattern using a photoresist or removing a part of a metal thin film in a groove with a laser or the like to provide an independent electrode as in the publication of Japanese Patent No. 927, and Can be greatly simplified.

なお、この溝(6′)の切削によって切削箇所におけ
るアルミニウム膜(7)は削り取られるが、その周囲に
おけるアルミニウム膜(7)はPLZT(1)と強く接着さ
れているため、切削に伴って剥離するということはなか
った。
Although the aluminum film (7) at the cut portion is cut off by cutting the groove (6 '), the aluminum film (7) around the cut portion is strongly adhered to the PLZT (1), and thus peels off with the cutting. I never did.

また、溝(6)の溝深さeを、クロム膜(2)を除去
した際の切削深さdより浅くし、溝(6)の切削におい
ては、PUZT(1)表面のアルミニウム膜(7)が切削さ
れず、溝(6′)によって分離されるようにしたたた
め、電極リード部(14l),(15l)が広く形成され、外
部の駆動回路と接続が容易に行えるようになっている。
Further, the groove depth e of the groove (6) is made shallower than the cutting depth d when the chromium film (2) is removed, and in the cutting of the groove (6), the aluminum film (7) on the surface of the PUZT (1) is cut. ) Are not cut and are separated by the groove (6 '), so that the electrode lead portions (14l) and (15l) are formed widely, so that connection with an external drive circuit can be easily performed. .

そして、製作工程の最後として、各シャッタ部(1
1),(12)上面の窓部上に形成されているクロム膜
(2)を、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸と
を加えた溶液を用いて化学エッチングし、このケロム膜
(2)と共にその上に形成されているアルミニウム膜
(7)を剥離させて、各シャッタ部(11),(12)上面
の窓部を開口させた。この時、その他の部分に付着され
たアルミニウム膜(7)は剥離されなかった。
At the end of the manufacturing process, each shutter unit (1
1), (12) The chromium film (2) formed on the window on the upper surface is chemically etched using a solution containing ceric ammonium nitrate and perchloric acid, and this kerom film (2) At the same time, the aluminum film (7) formed thereon was peeled off, and windows on the upper surfaces of the shutter portions (11) and (12) were opened. At this time, the aluminum film (7) adhered to other portions was not peeled off.

以上のようにして、第4図(b)に示すように、複数
のシャッタ部(11),(12)が配列された2列のシャッ
タアレイ(11A),(12A)を持つ光シャッタアレイ(1
0)を得た。
As described above, as shown in FIG. 4 (b), an optical shutter array having two rows of shutter arrays (11A) and (12A) in which a plurality of shutter sections (11) and (12) are arranged. 1
0).

このようにして製造された光シャッタアレイ(10)に
おいては、各シャッタ部(11),(12)を切削加工によ
って形成したにも拘らず、これらのエッヂ部において
は、加工歪みによる漏れ光がほとんどなく、極めて高い
光学的コントラストが得られるようになった。これは、
各シャッタ部(11),(12)の上縁が溝(6)によって
角取りされているため、第7図(b)に示すように、そ
のエッヂ部分に入射された光が、この角取りされた箇所
において反射されるためであると考えられる。
In the optical shutter array (10) manufactured in this way, although the shutter portions (11) and (12) are formed by cutting, leakage light due to processing distortion is generated in these edge portions. Very little and very high optical contrast can be obtained. this is,
Since the upper edges of the shutters (11) and (12) are chamfered by the grooves (6), the light incident on the edges of the shutters (11) and (12) is cut off as shown in FIG. It is considered that this is because the light is reflected at the point where the light is applied.

次に、この光シャッタアレイ(10)を外部回路と接続
させて使用する例を第8図に示す。同図中(20)はシャ
ッタアレイ(11A)の各シャッタ部(11)に駆動パルス
を与えて駆動させる駆動回路(半導体チップ状の回路を
含む)、(21)はシャッタアレイ(12A)の各シャッタ
部(12)を駆動させる駆動回路である。駆動回路(20)
は、シャッタアレイ(11A)における奇数番目のシャッ
タ部(11)の個々の電極リード部(14l)と接続されて
おり、一方駆動回路(21)は、シャッタアレイ(12A)
における偶数番目のシャッタ部(12)の個々の電極リー
ド部(15l)と接続されている。
Next, FIG. 8 shows an example in which the optical shutter array (10) is used by connecting it to an external circuit. In the figure, reference numeral (20) denotes a drive circuit (including a semiconductor chip-shaped circuit) for driving each shutter section (11) of the shutter array (11A) by applying a drive pulse, and (21) denotes each of the shutter arrays (12A). A drive circuit for driving the shutter section (12). Drive circuit (20)
Are connected to the individual electrode leads (14l) of the odd-numbered shutter section (11) in the shutter array (11A), while the drive circuit (21) is connected to the shutter array (12A)
Are connected to the individual electrode leads (15l) of the even-numbered shutter section (12).

駆動回路(20),(21)は時分割で作動され、第9図
(a),(b)に示すように、画像情報に基づく2列の
シャッタアレイ(11A),(12A)のシャッタ作用で、ラ
イン1本の画像を形成する。時間差は、画像形成部たと
えば感光体ドラムの回転速度と同期に整合される。この
ように駆動させることにより、この光シャッタアレイ
(10)では、80μmピッチ、すなわち12.5ドット/mmの
高解像度を達成することができるようになった。
The drive circuits (20) and (21) are operated in a time-division manner, and as shown in FIGS. 9 (a) and 9 (b), the shutter action of two rows of shutter arrays (11A) and (12A) based on image information. Thus, an image of one line is formed. The time difference is synchronized with the rotation speed of the image forming unit, for example, the photosensitive drum. By driving in this manner, this optical shutter array (10) can achieve a high resolution of 80 μm pitch, that is, 12.5 dots / mm.

この実施例においては、レジスト膜にクロム膜を用い
た場合の例を示したが、レジスト膜はこのようなものに
限られず、モリブデンやポリイミド系樹脂等を用いるこ
とも可能である。なお、モリブデンを用いたレジスト膜
の場合には、燐酸と硝酸とを加えた水溶液を用いて、ま
たポリイミド系樹脂を用いたレジスト膜の場合には、ヒ
ドラゾン系溶液を用いて化学エッチングを行うことによ
り、電極材料であるアルミニウム膜(7)は剥離されず
に、これらのレジスト膜だけが除去されるようになる。
In this embodiment, an example in which a chromium film is used as the resist film has been described. However, the resist film is not limited to such a film, and molybdenum, a polyimide resin, or the like can be used. In the case of a resist film using molybdenum, chemical etching should be performed using an aqueous solution containing phosphoric acid and nitric acid, and in the case of a resist film using a polyimide resin, chemical etching should be performed using a hydrazone-based solution. As a result, the aluminum film (7) as the electrode material is not peeled off, and only these resist films are removed.

また、ポリイミド系樹脂からなるレジスト膜を形成す
る場合には、通常350℃程度でのベーキングを行うが、
このような加熱によって光シッタを構成するPLZTが変化
することはなかった。
When forming a resist film made of a polyimide resin, baking is usually performed at about 350 ° C.
PLZT constituting the optical sitter did not change due to such heating.

[発明の効果] 以上詳述したように、この発明に係る光シャッタの製
造方法においては、電極用の溝を形成する場合と同様
に、シャッタ部領域を除く部分の表面を機械的切削加工
してレジスト膜を除去するようにしたため、従来のよう
に電極用の溝を切削加工する工程の他に、フォトレジス
トを露光現像してパターンを形成する等の作業を行なう
必要がなく、シャッタ部にのみレジスト膜を形成する作
業が簡単に行えると共に、フォトリソグラフィー等の設
備を設ける必要もなく、光シャッタの製造が簡単に行え
るようになると共に、設備に要するコストを低減するこ
とができた。
[Effects of the Invention] As described in detail above, in the method of manufacturing an optical shutter according to the present invention, similarly to the case of forming a groove for an electrode, the surface of a portion excluding a shutter portion region is mechanically cut. Since the resist film is removed by a conventional method, there is no need to perform operations such as forming a pattern by exposing and developing a photoresist in addition to a step of cutting a groove for an electrode as in the related art. Only the operation of forming a resist film can be easily performed, and there is no need to provide facilities such as photolithography, so that an optical shutter can be easily manufactured and the cost required for the facilities can be reduced.

また、この発明においては、板状体の表面に耐熱性の
レジスト膜を設けるようにしたため、逆スパッターやス
パッタリングによって電極用の金属膜を設けるようにし
た場合に、レジスト膜が変質して電極用の金属膜部分に
汚染が生じるということがなく、付着強度の高い電極用
の金属膜が形成されるようになると共に、汚染物がシャ
ッタと電極との間に入り込んで電極からシャッタに電圧
を印加する際に悪影響を及ぼすということもなく、安定
した駆動が行える光シャッタが得られるようになった。
Further, in the present invention, since the heat-resistant resist film is provided on the surface of the plate-like body, when the metal film for the electrode is provided by reverse sputtering or sputtering, the resist film is deteriorated and the electrode film is deteriorated. No contamination occurs in the metal film portion of the substrate, and a metal film for the electrode having high adhesion strength is formed, and contaminants enter between the shutter and the electrode, and a voltage is applied from the electrode to the shutter. Thus, an optical shutter capable of performing stable driving without adversely affecting the operation is obtained.

更に、電極用の金属膜を設ける際にレジスト膜が変質
してエッチングによるレジスト膜の除去が困難になると
いうこともなく、エッチングによってシャッタ部をうま
く開口できるようになった。
Furthermore, the opening of the shutter portion can be successfully performed by the etching without the resist film being deteriorated when the metal film for the electrode is provided and the removal of the resist film by the etching becomes difficult.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図(a),(b)、第2図、第3図及び第4図
(a),(b)はこの発明の一実施例に係る光シャッタ
アレイの製作工程の説明図、なお第2図は第1図(b)
のI−I線に沿う部分拡大断面図、第5図は同実施例で
使用したダイヤモンドカッターの断面図、第6図は第4
図(b)のII−II線に沿う断面図、第7図(a),
(b)は同実施例のシャッタエレメントの平面図及び正
面図、第8図は同実施例の光シャッタアレイと駆動回路
との接続図、第9図(a),(b)は同実施例のシャッ
タ駆動の説明図、第10図は第4図(b)のIII−III線に
沿う断面図である。 (1)……電気光学効果を有する板状体(PLZT)、
(2)……レジスト膜(クロム膜)、(3)……共通電
極用の溝、(4),(5)……個別電極用の溝、(7)
……電極用の金属膜(アルミニウム膜)、(11),(1
2)……シャッタ部。
FIGS. 1 (a) and 1 (b), FIGS. 2 and 3, and FIGS. 4 (a) and 4 (b) are explanatory views of a manufacturing process of an optical shutter array according to an embodiment of the present invention. Fig. 2 is Fig. 1 (b)
5 is a partially enlarged sectional view taken along line II of FIG. 5, FIG. 5 is a sectional view of the diamond cutter used in the embodiment, and FIG.
FIG. 7 (a) is a sectional view taken along the line II-II of FIG.
(B) is a plan view and a front view of the shutter element of the embodiment, FIG. 8 is a connection diagram between the optical shutter array and the drive circuit of the embodiment, and FIGS. 9 (a) and (b) are the embodiment. FIG. 10 is a sectional view taken along line III-III of FIG. 4 (b). (1) ... a plate-like body (PLZT) having an electro-optic effect,
(2) ... resist film (chromium film), (3) ... groove for common electrode, (4), (5) ... groove for individual electrode, (7)
...... Metal film (aluminum film) for electrodes, (11), (1
2) Shutter section.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松原 兼 大阪府大阪市東区安土町2丁目30番地 大阪国際ビル ミノルタカメラ株式会社 内 (72)発明者 益田 朋彦 大阪府大阪市東区安土町2丁目30番地 大阪国際ビル ミノルタカメラ株式会社 内 (72)発明者 北野 博久 大阪府大阪市東区安土町2丁目30番地 大阪国際ビル ミノルタカメラ株式会社 内 (56)参考文献 特開 昭61−38927(JP,A) 特開 昭51−39062(JP,A) 特表 昭62−502783(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kane Matsubara 2--30 Azuchicho, Higashi-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Osaka International Building Minolta Camera Co., Ltd. (72) Tomohiko Masuda 2--30 Azuchicho, Higashi-ku, Osaka, Osaka Address: Osaka International Building Minolta Camera Co., Ltd. (72) Inventor Hirohisa Kitano 2-30 Azuchicho, Higashi-ku, Osaka City, Osaka Prefecture Osaka International Building Minolta Camera Co., Ltd. (56) References JP-A-61-38927 (JP, A) JP-A-51-39062 (JP, A) JP-T-62-502783 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】電気光学効果を有する材料で構成された板
状体の少なくとも片面に、電極材料とエッチング特性が
異なる耐熱性のレジスト膜を形成した後、機械的切削加
工により電極用の溝を形成すると共に、シャッタ部領域
を除く部分の表面を機械的切削加工して、シャッタ部領
域を除く部分におけるレジスト膜を除去し、その上に電
極用の金属膜を形成し、上記レジスト膜をエッチングに
よってシャッタ部から除去してシャッタ部を開口させる
ようにしたことを特徴とする光シャッタの製造方法。
An electrode groove is formed by mechanical cutting after forming a heat-resistant resist film having an etching characteristic different from that of an electrode material on at least one surface of a plate made of a material having an electro-optical effect. At the same time, the surface of the portion excluding the shutter portion region is mechanically cut to remove the resist film in the portion excluding the shutter portion region, a metal film for an electrode is formed thereon, and the resist film is etched. And removing the shutter from the shutter to open the shutter.
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