JPH01122125A - 半導体基板の湿式処理法及びその装置 - Google Patents
半導体基板の湿式処理法及びその装置Info
- Publication number
- JPH01122125A JPH01122125A JP27965687A JP27965687A JPH01122125A JP H01122125 A JPH01122125 A JP H01122125A JP 27965687 A JP27965687 A JP 27965687A JP 27965687 A JP27965687 A JP 27965687A JP H01122125 A JPH01122125 A JP H01122125A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- guide plate
- processing
- liquid
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 43
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 32
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 241001062872 Cleyera japonica Species 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板の洗浄、エツチング、陽極酸化、
メツキ、ホトレジストの現像などの湿式処理法及びその
装置に関する。
メツキ、ホトレジストの現像などの湿式処理法及びその
装置に関する。
半導体基板の湿式処理法としては、浸漬法即ち被処理基
板を適当な容器に満たした処理液に浸漬する方法、被処
理面に処理液を噴霧したり、シャワー状にふりかける方
法や処理液の表面張力を利用して被処理表面上に液盛り
をする方法などがある。
板を適当な容器に満たした処理液に浸漬する方法、被処
理面に処理液を噴霧したり、シャワー状にふりかける方
法や処理液の表面張力を利用して被処理表面上に液盛り
をする方法などがある。
これら従来の方法とその装置は各々に特長を有するもの
であるが、他方に於て解決しなげればならない問題点が
存在する。
であるが、他方に於て解決しなげればならない問題点が
存在する。
浸漬法は装置的には単純であり、−度に多量の基板処理
を実施するには有利であるが、ｉ浴後の液寿命が短い場
合や少数圓の処理により液の劣化を生じる場合には、処
理基板当りの液消費量が多くなってしまう。これは噴霧
又はシャワー法に於て同様である。また浸漬法による処
理に於ては処理基板の片面のみを処理したい場合には他
面が接液しないよプな保護膜の形成等が必要となる。
を実施するには有利であるが、ｉ浴後の液寿命が短い場
合や少数圓の処理により液の劣化を生じる場合には、処
理基板当りの液消費量が多くなってしまう。これは噴霧
又はシャワー法に於て同様である。また浸漬法による処
理に於ては処理基板の片面のみを処理したい場合には他
面が接液しないよプな保護膜の形成等が必要となる。
さらに、浸漬法の特長である一度に多量の基板処理を実
施する場合は、基板間や基板内の温度や攪拌効果等の均
一性において問題を生じる。
施する場合は、基板間や基板内の温度や攪拌効果等の均
一性において問題を生じる。
噴霧又はシャワー法は、片面処理や攪拌効果を被処理基
板面内及び基板間で均一にする特長を有するが、陽極酸
化やメツキといった溶液を介してｔＸ的導通を得たい場
合や、超音波によるキャビテーシ冒ン効果を利用したい
場合には不適である、また処理液に気化しやすい成分が
含まれる場合には、液組成の変化や温度変化を生じ易く
なる欠点がある。
板面内及び基板間で均一にする特長を有するが、陽極酸
化やメツキといった溶液を介してｔＸ的導通を得たい場
合や、超音波によるキャビテーシ冒ン効果を利用したい
場合には不適である、また処理液に気化しやすい成分が
含まれる場合には、液組成の変化や温度変化を生じ易く
なる欠点がある。
表面張力を利用して被処理表面に液盛りする方法は、浸
漬法の変形であり基板の片面のみを処理しようとする場
合には都合がよく、また比較的処理液の消費量が少なく
て済む場合が多い。さらに処理の反応が拡散律速で進行
するような場合には、被処理基板面内の均一性という点
でシャワーや噴霧法よりも有利である。しかし、この方
法は被処理基板面の親液性が充分でない場合や基板表面
の形状と処理液の表面張力が整合しない場合には、被処
理基板面内の均一性という点でシャワーや噴霧法よりも
有利である。しかし、この方法は被処理基板面の親液性
が充分でない場合や基板表面の形状と処理液の表面張力
が整合しない場合には、基板表面への均一な液盛りが難
かしく、また処理液の表面張力によって決まる厚み以下
の液盛り、即ち液消費量の更なる節減は不可能である。
漬法の変形であり基板の片面のみを処理しようとする場
合には都合がよく、また比較的処理液の消費量が少なく
て済む場合が多い。さらに処理の反応が拡散律速で進行
するような場合には、被処理基板面内の均一性という点
でシャワーや噴霧法よりも有利である。しかし、この方
法は被処理基板面の親液性が充分でない場合や基板表面
の形状と処理液の表面張力が整合しない場合には、被処
理基板面内の均一性という点でシャワーや噴霧法よりも
有利である。しかし、この方法は被処理基板面の親液性
が充分でない場合や基板表面の形状と処理液の表面張力
が整合しない場合には、基板表面への均一な液盛りが難
かしく、また処理液の表面張力によって決まる厚み以下
の液盛り、即ち液消費量の更なる節減は不可能である。
従って、本発明は上、記の諸点に鑑み、榊造的に簡単で
あって処理液の使用量を節減すると同時に、被処理基板
表面への均一な接液が確保され、通電や温度制御、電磁
波の照射等の同時操作が可能な半導体基板の湿式処理法
及びその装置を提供することを主たる目的とする。
あって処理液の使用量を節減すると同時に、被処理基板
表面への均一な接液が確保され、通電や温度制御、電磁
波の照射等の同時操作が可能な半導体基板の湿式処理法
及びその装置を提供することを主たる目的とする。
本発明によれば半導体基板と対面させた案内板を設置し
、両者を充分接近させる事により少量の処理液により被
処理表面への均一な接液が確保されることを特徴とする
湿式処理法及びこの湿式処理法を具現化する装置が与え
られる。
、両者を充分接近させる事により少量の処理液により被
処理表面への均一な接液が確保されることを特徴とする
湿式処理法及びこの湿式処理法を具現化する装置が与え
られる。
又、上記案内板を介してヒーターによる加熱や通電、電
磁波の照射、超音波等の振動といった処理な接液と同時
に行う湿式処理法及びこの湿式処理法な具現化する装置
も与えら′れる。
磁波の照射、超音波等の振動といった処理な接液と同時
に行う湿式処理法及びこの湿式処理法な具現化する装置
も与えら′れる。
更には又、案内板の数と大きさ形状を選び半導体基板の
保持・運搬機構と連動させることにより半導体基板の多
面同時処理２分割処理が可能な装置や、案内板が半導体
基板の保持、運搬、運動機構ともなる湿式処理装置も与
えられる。
保持・運搬機構と連動させることにより半導体基板の多
面同時処理２分割処理が可能な装置や、案内板が半導体
基板の保持、運搬、運動機構ともなる湿式処理装置も与
えられる。
第１図に示す様に、本発明は液体の表面張力を利用し被
加工基板表面と案内板との間隙に処理溶液を保持するこ
とにより、少量の溶液黛で均一な接液状態が得られる。
加工基板表面と案内板との間隙に処理溶液を保持するこ
とにより、少量の溶液黛で均一な接液状態が得られる。
案内板に給液機構を付加すると同時に温度調整、電磁波
の照射等の機構を併設し、案内板の接液面を介して同時
処理する事により、均一で精密な湿式処理が得られる。
の照射等の機構を併設し、案内板の接液面を介して同時
処理する事により、均一で精密な湿式処理が得られる。
また第２図に示す様に、案内板の接液面に突起を設け、
被処理表面との間隙を常に一定距離に保つと同時に、第
３図に示す様な案内板接液面の傾斜づけＫより、安定し
た均一な接液状態を得る事ができる〔実施例〕 本発明の実施例を図面を以って説明する。
被処理表面との間隙を常に一定距離に保つと同時に、第
３図に示す様な案内板接液面の傾斜づけＫより、安定し
た均一な接液状態を得る事ができる〔実施例〕 本発明の実施例を図面を以って説明する。
第４図には、ポジ型ホトレジストを現像する場合の好麺
な実施例の一例を模式的に説明する為の説明図が示され
る。
な実施例の一例を模式的に説明する為の説明図が示され
る。
第４図に於て、案内板１３は現像液供給機構１９を内蔵
し、温度調整用の熱媒体１６が内部を循環する構成とな
っ【いる。さらに案内板には被処理半導体基板１４との
間隙を一定に保つ為の突起１７及び、垂直方向移動機構
１１．水平方向移動機構兼接液面洗浄機構１２が付加さ
れている。
し、温度調整用の熱媒体１６が内部を循環する構成とな
っ【いる。さらに案内板には被処理半導体基板１４との
間隙を一定に保つ為の突起１７及び、垂直方向移動機構
１１．水平方向移動機構兼接液面洗浄機構１２が付加さ
れている。
パルプ１８はタンク９に保持されている現像液１０を供
給・遮断する為に設けられている。
給・遮断する為に設けられている。
第４図の実施例では熱媒体１６は温度調整機構８により
一定温度に制御され案内板１３の内部を循環しているが
、処理温度をより精密に制御する為には、温度検出機構
を案内板１３の接液面表面に設置し温度ａｌｌＩＭ機構
８と連動させても良い。
一定温度に制御され案内板１３の内部を循環しているが
、処理温度をより精密に制御する為には、温度検出機構
を案内板１３の接液面表面に設置し温度ａｌｌＩＭ機構
８と連動させても良い。
第４図の実施例に於ては、被処理半導体基板１４は、単
に支持台１５上に設置されているが、被処理半導体基板
１４の除給材機構及び支持台１５に基板固定機構、基板
回転機構の付加、排液機構や現像液処理後の水洗機構等
を設置しておけば、枚葉式の連続処理装置の形成が可能
となる。
に支持台１５上に設置されているが、被処理半導体基板
１４の除給材機構及び支持台１５に基板固定機構、基板
回転機構の付加、排液機構や現像液処理後の水洗機構等
を設置しておけば、枚葉式の連続処理装置の形成が可能
となる。
第４図に示される構成の湿式処理法を具体的に説明すれ
ば、支持台１５上に設置された半導体基板１４に対し、
垂直方向移動機構１１及び水平方向移動機構兼接液面洗
浄機構１２により、案内板１３を突起１７を介して接触
させる事により、半導体基板１４と案内板１３との間に
均一な間隙が与えられる。次いでバルブ１８を操作する
ことにより一定量の現像液１０を現像液供給機構を通じ
て上記間隙に充填する。この時突起１７が間隙を密封し
ない形状とし、かつ案内板１３の接液面に傾斜をもたせ
間隙の周辺方向での間隙が徐々に広くなるようにしてお
けば、半導体基板１４の被加工表面に均一な接液状態が
与えられ、同時に案内板１３の接液面を介して熱媒体１
６による温度調整が行なわれる。
ば、支持台１５上に設置された半導体基板１４に対し、
垂直方向移動機構１１及び水平方向移動機構兼接液面洗
浄機構１２により、案内板１３を突起１７を介して接触
させる事により、半導体基板１４と案内板１３との間に
均一な間隙が与えられる。次いでバルブ１８を操作する
ことにより一定量の現像液１０を現像液供給機構を通じ
て上記間隙に充填する。この時突起１７が間隙を密封し
ない形状とし、かつ案内板１３の接液面に傾斜をもたせ
間隙の周辺方向での間隙が徐々に広くなるようにしてお
けば、半導体基板１４の被加工表面に均一な接液状態が
与えられ、同時に案内板１３の接液面を介して熱媒体１
６による温度調整が行なわれる。
以上の様な実施例において案内板を用いることｋより少
量の液量で均一な接液が得られる上、温度制御や電磁波
の照射等の処理を案内板を介して同時処理する事により
液消費量の少ない均一な湿式処理法及び装置が得られる
。
量の液量で均一な接液が得られる上、温度制御や電磁波
の照射等の処理を案内板を介して同時処理する事により
液消費量の少ない均一な湿式処理法及び装置が得られる
。
本発明は、以上説明したように、被加工面に対面して案
内板を配置するという簡単な方法によって、毛細管現像
として知られる液体の表面張力による移動を利用し、極
めて少量の液量で均一な接液状態が得られると同時に、
案内板に温度調整、電磁波の照射、振動、通電等の機構
を付加し、均一な同時処理を容易にする効果がある。
内板を配置するという簡単な方法によって、毛細管現像
として知られる液体の表面張力による移動を利用し、極
めて少量の液量で均一な接液状態が得られると同時に、
案内板に温度調整、電磁波の照射、振動、通電等の機構
を付加し、均一な同時処理を容易にする効果がある。
第１図は本発明の詳細な説明するための模式的説明図、
第２図、第３図は本発明の案内板に関する構造を説明す
るための模式的説明図。第４図は本発明の好適な実施例
に於いて用いた湿式処理装置の模式的断面図である。 １．４，６．１５・・・・・・案内板 ２・・・・・・処理液 ３．１４・・・・・・半導体基板 ５．１７・・・・・・突 起 ７・・・・・・接液面の傾斜 ８・・・・・・温度調整＠構 ９・・・・・・現像液槽 １０・・・現像液 １１・・・垂直方向移動機構 １２・・・水平方向移動機構兼接液面洗浄機構１５・・
・支持台 １６・・・熱媒体 １Ｂ・・・バルブ １９・・・現像液供給機構 第１ 図 乙 第 ３１
第２図、第３図は本発明の案内板に関する構造を説明す
るための模式的説明図。第４図は本発明の好適な実施例
に於いて用いた湿式処理装置の模式的断面図である。 １．４，６．１５・・・・・・案内板 ２・・・・・・処理液 ３．１４・・・・・・半導体基板 ５．１７・・・・・・突 起 ７・・・・・・接液面の傾斜 ８・・・・・・温度調整＠構 ９・・・・・・現像液槽 １０・・・現像液 １１・・・垂直方向移動機構 １２・・・水平方向移動機構兼接液面洗浄機構１５・・
・支持台 １６・・・熱媒体 １Ｂ・・・バルブ １９・・・現像液供給機構 第１ 図 乙 第 ３１
Claims (2)
- （１）半導体基板の被湿式処理表面に対面して近接させ
た案内板を設置し、該被湿式処理表面と該案内板との間
隙に処理液を充填し湿式処理を行う事を特徴とする半導
体基板の湿式処理法。 - （２）半導体基板の被湿式処理表面に対面して近接させ
た案内板を設置し、該被湿式処理表面と該案内板との間
隙に処理液を充填し湿式処理を行う事を特徴とする半導
体基板の湿式処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27965687A JPH01122125A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 半導体基板の湿式処理法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27965687A JPH01122125A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 半導体基板の湿式処理法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01122125A true JPH01122125A (ja) | 1989-05-15 |
Family
ID=17614023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27965687A Pending JPH01122125A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 半導体基板の湿式処理法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01122125A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655047A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method and device therefor |
| JPS57117237A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-21 | Toshiba Corp | Manufacturing device for semiconductor device |
-
1987
- 1987-11-05 JP JP27965687A patent/JPH01122125A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655047A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method and device therefor |
| JPS57117237A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-21 | Toshiba Corp | Manufacturing device for semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI385276B (zh) | 無電電鍍方法及設備 | |
| KR100666357B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| US4239789A (en) | Maskless method for electroless plating patterns | |
| US20090071503A1 (en) | Method and device for treating substrates and nozzle unit therefor | |
| JP3167317B2 (ja) | 基板処理装置及び同方法 | |
| KR20050057334A (ko) | 무전해 도금 장치 및 무전해 도금 방법 | |
| JPH1112746A (ja) | 基板の湿式めっき用めっき装置 | |
| JP2006507404A (ja) | 無電解メッキ槽の温度制御手順 | |
| JP6215787B2 (ja) | 現像方法、現像装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JPH01122125A (ja) | 半導体基板の湿式処理法及びその装置 | |
| JP2004193329A (ja) | 基板処理装置 | |
| CN109656108A (zh) | 显影处理装置、显影处理方法以及存储介质 | |
| JP4007742B2 (ja) | 超音波洗浄方法 | |
| JPS6253591B2 (ja) | ||
| JPS636843A (ja) | 基板現像処理方法 | |
| JPH06256998A (ja) | メッキ液の攪拌方法 | |
| JPH0143452B2 (ja) | ||
| JPH0225501B2 (ja) | ||
| KR20150103575A (ko) | 레이저를 이용한 초정밀 미세 부분도금장치 및 부분도금방법 | |
| JP7441620B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JP2001262392A (ja) | 浸漬型アレイによるメガソニックめっき | |
| JP2000226671A (ja) | 無電解めっき装置 | |
| JP3418616B2 (ja) | 液晶表示素子の製造方法および製造装置 | |
| JP6482597B2 (ja) | 現像方法、現像装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JPS6076395A (ja) | 印刷版の溶出装置 |