JPH01116453A - 電圧測定装置 - Google Patents
電圧測定装置Info
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- JPH01116453A JPH01116453A JP62273480A JP27348087A JPH01116453A JP H01116453 A JPH01116453 A JP H01116453A JP 62273480 A JP62273480 A JP 62273480A JP 27348087 A JP27348087 A JP 27348087A JP H01116453 A JPH01116453 A JP H01116453A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 24
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- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003578 releasing effect Effects 0.000 abstract 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
試料に対して電子ビームを照射し、その試料から放出さ
れる二次電子を検出して電圧測定を行う電圧測定装置に
関し、 電子ビームの照射電流変化や試料の二次電子放出効果の
変化および局所電界効果等の影響を受けることなく、高
精度に試料の電圧を測定することを目的とし、 試料に対して電子ビームを照射し、該試料から放出され
る二次電子を分析電極に印加する電圧を変化させて検出
し、前記試料の電圧を測定する電圧測定装置であって、
前記分析電極を通過した二次電子を検出する通過二次電
子検出手段と、前記分析電極で阻止された二次電子を検
出する阻止二次電子検出手段とを具備し、前記通過二次
電子検出手段の出力と前記阻止二次電子検出手段の出力
とから前記試料の電圧を算出するように構成する。
れる二次電子を検出して電圧測定を行う電圧測定装置に
関し、 電子ビームの照射電流変化や試料の二次電子放出効果の
変化および局所電界効果等の影響を受けることなく、高
精度に試料の電圧を測定することを目的とし、 試料に対して電子ビームを照射し、該試料から放出され
る二次電子を分析電極に印加する電圧を変化させて検出
し、前記試料の電圧を測定する電圧測定装置であって、
前記分析電極を通過した二次電子を検出する通過二次電
子検出手段と、前記分析電極で阻止された二次電子を検
出する阻止二次電子検出手段とを具備し、前記通過二次
電子検出手段の出力と前記阻止二次電子検出手段の出力
とから前記試料の電圧を算出するように構成する。
本発明は電圧測定装置に関し、特に、試料に対して電子
ビームを照射し、その試料から放出される二次電子を検
出して電圧測定を行う電圧測定装置に関する。
ビームを照射し、その試料から放出される二次電子を検
出して電圧測定を行う電圧測定装置に関する。
近年、高速駆動されるLSI内部の動作解析を行うため
に、LSI内部の配線パターンや電極等に電子ビームを
照射し、電子ビーム照射によりLSI内部の電極等から
二次電子を放出させ、その放出された二次電子を検出し
て電圧を測定する電圧測定装置が注目されている。
に、LSI内部の配線パターンや電極等に電子ビームを
照射し、電子ビーム照射によりLSI内部の電極等から
二次電子を放出させ、その放出された二次電子を検出し
て電圧を測定する電圧測定装置が注目されている。
第5図は従来の電圧測定装置の一例を一部模式的に示す
ブロック図である。同図に示されるように、従来の電圧
測定装置は、対物レンズ108により試料101(具体
的に、試料101上の配線パターンや電極等)に対して
電子ビーム102を収束させ、試料101から放出され
る二次電子103を分析電極104でエネルギー分析し
てマイクロチャンネルプレート105により検出するよ
うになされている。
ブロック図である。同図に示されるように、従来の電圧
測定装置は、対物レンズ108により試料101(具体
的に、試料101上の配線パターンや電極等)に対して
電子ビーム102を収束させ、試料101から放出され
る二次電子103を分析電極104でエネルギー分析し
てマイクロチャンネルプレート105により検出するよ
うになされている。
すなわち、電子ビーム102の照射により試料101か
ら放出された二次電子103は引出電極107により加
速され、分析電極104に印加される電圧でエネルギー
分析される。分析電極104を通過した二次電子(成る
値よりも大きいエネルギーを有する二次電子)103a
は、反射電極121の周囲に設けられた円板形状のマイ
クロチャンネルプレート105で検出される。ここで、
分析電極104で阻止された二次電子103bは、引出
電極107の方向に戻されることになる。
ら放出された二次電子103は引出電極107により加
速され、分析電極104に印加される電圧でエネルギー
分析される。分析電極104を通過した二次電子(成る
値よりも大きいエネルギーを有する二次電子)103a
は、反射電極121の周囲に設けられた円板形状のマイ
クロチャンネルプレート105で検出される。ここで、
分析電極104で阻止された二次電子103bは、引出
電極107の方向に戻されることになる。
マイクロチャンネルプレート105の出力は、増幅器1
91で増幅されて差動増幅器193の一方の入力端子に
供給される。差動増幅器193の他方の入力端子には基
準電圧発生器196の出力電圧(闇値電圧)Vthが印
加され、増幅器191の出力電圧と闇値電圧Vいとが差
動増幅されるようになされている。差動増幅器193の
出力は電圧発生器194に供給され、電圧発生器194
からは差動増幅器193の出力に応じた電圧が分析電極
104に印加されることになる。また、電圧発生器19
4の出力はA/Dコンバータ195にも供給され、そし
て、へ/ロコンバータ195の出力は分析電圧データと
なる。
91で増幅されて差動増幅器193の一方の入力端子に
供給される。差動増幅器193の他方の入力端子には基
準電圧発生器196の出力電圧(闇値電圧)Vthが印
加され、増幅器191の出力電圧と闇値電圧Vいとが差
動増幅されるようになされている。差動増幅器193の
出力は電圧発生器194に供給され、電圧発生器194
からは差動増幅器193の出力に応じた電圧が分析電極
104に印加されることになる。また、電圧発生器19
4の出力はA/Dコンバータ195にも供給され、そし
て、へ/ロコンバータ195の出力は分析電圧データと
なる。
上述したように、第5図に示した従来の電圧測定装置は
、分析電極104を通過した二次電子103aだけをマ
イクロチャンネルプレート105で検出し、そのマイク
ロチャンネルプレート105の出力から試料101の電
圧を算出するようになされている。
、分析電極104を通過した二次電子103aだけをマ
イクロチャンネルプレート105で検出し、そのマイク
ロチャンネルプレート105の出力から試料101の電
圧を算出するようになされている。
第6図は第5図の電圧測定装置で検出されたエネルギー
分析曲線を示す図である。同図に示されるように、分析
電圧■に対する増幅器191の出力電圧、すなわち、分
析電極104に印加された電圧に対してマイクロチャン
ネルプレート105で検出される分析電極104を通過
した二次電子103aの数は、S字形状の曲線(エネル
ギー分布曲線So)を示す。このエネルギー分布曲線S
0は閾値電圧Vtkによりスライスされ、そして、エネ
ルギー分布曲線S0が閾値電圧Vいと交わる分析電圧の
値v0が求められるようになされている。
分析曲線を示す図である。同図に示されるように、分析
電圧■に対する増幅器191の出力電圧、すなわち、分
析電極104に印加された電圧に対してマイクロチャン
ネルプレート105で検出される分析電極104を通過
した二次電子103aの数は、S字形状の曲線(エネル
ギー分布曲線So)を示す。このエネルギー分布曲線S
0は閾値電圧Vtkによりスライスされ、そして、エネ
ルギー分布曲線S0が閾値電圧Vいと交わる分析電圧の
値v0が求められるようになされている。
ところで、試料101を照射する電子ビーム102の強
度(照射電流)は常に一定ではなく変化し得るものであ
り、また、試料101から放射される二次電子103が
有するエネルギーは試料101上の配線パターンや電極
等(試料101)の材質や形状等により変化する。さら
に、例えば、測定する配線パターンから放出される二次
電子103のエネルギーは隣接する配線パターンの電位
変化の影響(局所電界効果の影響)を受けることになる
。第6図中、で示したエネルギー分布曲線S1は、照射
電流が変化した場合を示すもので、このように照射電流
が変化すると、闇値電圧Vいとエネルギー分布曲線S1
との交点である分析電圧の値■、は、正確な分析電圧の
値V0と相違することになる。
度(照射電流)は常に一定ではなく変化し得るものであ
り、また、試料101から放射される二次電子103が
有するエネルギーは試料101上の配線パターンや電極
等(試料101)の材質や形状等により変化する。さら
に、例えば、測定する配線パターンから放出される二次
電子103のエネルギーは隣接する配線パターンの電位
変化の影響(局所電界効果の影響)を受けることになる
。第6図中、で示したエネルギー分布曲線S1は、照射
電流が変化した場合を示すもので、このように照射電流
が変化すると、闇値電圧Vいとエネルギー分布曲線S1
との交点である分析電圧の値■、は、正確な分析電圧の
値V0と相違することになる。
すなわち、従来の電圧測定装置は、分析電極104を通
過した二次電子103aだけを検出して試料101の電
圧を算出するようになされているために、電子ビームの
照射電流変化や試料の二次電子放出効率の変化および局
所電界効果等の影響を受けて試料101の電圧測定を高
精度に行うことが困難であった。
過した二次電子103aだけを検出して試料101の電
圧を算出するようになされているために、電子ビームの
照射電流変化や試料の二次電子放出効率の変化および局
所電界効果等の影響を受けて試料101の電圧測定を高
精度に行うことが困難であった。
本発明は、上述した従来形の電圧測定装置が有する問題
点に鑑み、電子ビームの照射電流変化や試料の二次電子
放出効果の変化および局所電界効果等の影響を受けるこ
となく、高精度に試料の電圧を測定することを目的とす
る。
点に鑑み、電子ビームの照射電流変化や試料の二次電子
放出効果の変化および局所電界効果等の影響を受けるこ
となく、高精度に試料の電圧を測定することを目的とす
る。
第1図は本発明に係る電圧測定装置の構成を示す図であ
る。
る。
本発明の電圧測定装置によれば、試料lに対して電子ビ
ーム2を照射し、該試料1から放出される二次電子3を
分析電極4に印加する電圧を変化させて検出し、前記試
料1の電圧を測定する電圧測定装置であって、前記分析
電極4を通過した二次電子3aを検出する通過二次電子
検出手段5と、′前記分析電極4で阻止された二次電子
3bを検出する阻止二次電子検出手段6とを具備し、前
記通過二次電子検出手段5の出力と前記阻止二次電子検
出手段6の出力とから前記試料1の電圧を算出すること
を特徴とする電圧測定装置が提供される。
ーム2を照射し、該試料1から放出される二次電子3を
分析電極4に印加する電圧を変化させて検出し、前記試
料1の電圧を測定する電圧測定装置であって、前記分析
電極4を通過した二次電子3aを検出する通過二次電子
検出手段5と、′前記分析電極4で阻止された二次電子
3bを検出する阻止二次電子検出手段6とを具備し、前
記通過二次電子検出手段5の出力と前記阻止二次電子検
出手段6の出力とから前記試料1の電圧を算出すること
を特徴とする電圧測定装置が提供される。
上述した構成を有する本発明の電圧測定装置によれば、
電子ビーム2の照射により試料1から放出された二次電
子3は、分析電極4でエネルギー分析される。分析電極
4を通過した二次電子3aは通過二次電子検出手段5に
より検出され、また、分析電極4で阻止された二次電子
3bは阻止二次電子検出手段6により検出される。そし
て、通過二次電子検出手段5の出力と阻止二次電子検出
手段6の出力とから試料1の電圧が算出されることにな
る。
電子ビーム2の照射により試料1から放出された二次電
子3は、分析電極4でエネルギー分析される。分析電極
4を通過した二次電子3aは通過二次電子検出手段5に
より検出され、また、分析電極4で阻止された二次電子
3bは阻止二次電子検出手段6により検出される。そし
て、通過二次電子検出手段5の出力と阻止二次電子検出
手段6の出力とから試料1の電圧が算出されることにな
る。
これによって、電子ビームの照射電流変化や試料の二次
電子放出効果の変化および局所電界効果等の影響を受け
ることなく、高精度に試料の電圧を測定することができ
る。
電子放出効果の変化および局所電界効果等の影響を受け
ることなく、高精度に試料の電圧を測定することができ
る。
以下、図面を参照して本発明に係る電圧測定装置の実施
例を説明する。
例を説明する。
第2図は本発明の電圧測定装置の一実施例を一部模式的
に示すブロック図である。同図に示されるように、本実
施例の電圧測定装置は、対物レンズ8により試料1 (
具体的に、試料1上の配線パターンや電極等)に対して
電子ビーム2を収束させ、試料1から放出される二次電
子3を分析電極4でエネルギー分析してマイクロチャン
ネルプレート5および6で検出するようになされている
。
に示すブロック図である。同図に示されるように、本実
施例の電圧測定装置は、対物レンズ8により試料1 (
具体的に、試料1上の配線パターンや電極等)に対して
電子ビーム2を収束させ、試料1から放出される二次電
子3を分析電極4でエネルギー分析してマイクロチャン
ネルプレート5および6で検出するようになされている
。
すなわち、電子ビーム2の照射により試料1から放出さ
れた二次電子3は引出電極7により加速され、分析電極
4に印加される電圧でエネルギー分析される。分析電極
4を通過した二次電子(成る値よりも大きいエネルギー
を有する二次電子) 3aは、反射電極21の周囲に設
けられた円板形状のマイクロチャンネルプレート5で検
出され、また、分析電極4で阻止された二次電子(成る
値よりも小さいエネルギーを有する二次電子)3bは、
引出電極7に隣接して設けられたマイクロチャンネルプ
レート6で検出されることになる。
れた二次電子3は引出電極7により加速され、分析電極
4に印加される電圧でエネルギー分析される。分析電極
4を通過した二次電子(成る値よりも大きいエネルギー
を有する二次電子) 3aは、反射電極21の周囲に設
けられた円板形状のマイクロチャンネルプレート5で検
出され、また、分析電極4で阻止された二次電子(成る
値よりも小さいエネルギーを有する二次電子)3bは、
引出電極7に隣接して設けられたマイクロチャンネルプ
レート6で検出されることになる。
マイクロチャンネルプレート5の出力は、増幅器91で
増幅されて差動増幅器93の一方の入力端子に供給され
、また、マイクロチャンネルプレート6の出力は、増幅
器92で増幅されて差動増幅器93の他方の入力端子に
供給される。差動増幅器93の出力は電圧発生器94に
供給され、電圧発生器94からは差動増幅器93の出力
に応じた電圧が分析電極4に印加されることになる。ま
た、電圧発生器94の出力はA/ロコンバータ95にも
供給され、そして、A/Dコンバータ95の出力は分析
電圧データとなる。
増幅されて差動増幅器93の一方の入力端子に供給され
、また、マイクロチャンネルプレート6の出力は、増幅
器92で増幅されて差動増幅器93の他方の入力端子に
供給される。差動増幅器93の出力は電圧発生器94に
供給され、電圧発生器94からは差動増幅器93の出力
に応じた電圧が分析電極4に印加されることになる。ま
た、電圧発生器94の出力はA/ロコンバータ95にも
供給され、そして、A/Dコンバータ95の出力は分析
電圧データとなる。
第3図は第2図の電圧測定装置で検出されたエネルギー
分析曲線を示す図である。同図に示されるように、分析
電圧Vに対する増幅器91の出力電圧、すなわち、分析
電極4に印加された電圧に対し、マイクロチャンネルプ
レート5で検出される分析電極4を通過した二次電子3
aの数は、S字形状の曲vA(エネルギー分布曲線S、
)を示す。
分析曲線を示す図である。同図に示されるように、分析
電圧Vに対する増幅器91の出力電圧、すなわち、分析
電極4に印加された電圧に対し、マイクロチャンネルプ
レート5で検出される分析電極4を通過した二次電子3
aの数は、S字形状の曲vA(エネルギー分布曲線S、
)を示す。
また、分析電圧Vに対する増幅器92の出力電圧、すな
わち、分析電極4に印加された電圧に対し、マイクロチ
ャンネルプレート6で検出される分析電極4で阻止され
た二次電子3bの数は、逆S字形状の曲線(逆エネルギ
ー分布曲線S&)を示す。
わち、分析電極4に印加された電圧に対し、マイクロチ
ャンネルプレート6で検出される分析電極4で阻止され
た二次電子3bの数は、逆S字形状の曲線(逆エネルギ
ー分布曲線S&)を示す。
ここで、増幅器91および92の出力は差動増幅器93
にそれぞれ供給され、エネルギー分布曲線S、と逆エネ
ルギー分布曲線S6との交点C0が導出される。そして
、この交点C0から分析電圧の値vcが求められるよう
になされている。
にそれぞれ供給され、エネルギー分布曲線S、と逆エネ
ルギー分布曲線S6との交点C0が導出される。そして
、この交点C0から分析電圧の値vcが求められるよう
になされている。
ところで、試料lを照射する電子ビーム2の強度(照射
電流)が変化すると、エネルギー分布曲線S、および逆
エネルギー分布曲線Sbは、第3図中の破線で示される
ように、それぞれ曲線SSIおよびS61のようにシフ
トする。しかし、電子ビニム2の照射電流変化はエネル
ギー分布曲線SS+および逆エネルギー分布曲線Sol
を同等にシフトさせることになるため、エネルギー分布
曲線SS+と逆エネルギー分布曲線S61との交点C0
lから求めた分析電圧の値■ゎは、電子ビーム2の照射
電流変化がない場合の分析電圧の値と一致することにな
る。また、局所電界効果の影響により試料1から放出さ
れる二次電子3が変化した場合も、電子ビーム2の照射
電流が変化した場合と同様に、エネルギー分布曲線35
1と逆エネルギー分布曲線S6□との交点C0から電子
ビーム2の照射電流変化がない場合の分析電圧の値と同
一の分析電圧の値■ゎが得られることになる。
電流)が変化すると、エネルギー分布曲線S、および逆
エネルギー分布曲線Sbは、第3図中の破線で示される
ように、それぞれ曲線SSIおよびS61のようにシフ
トする。しかし、電子ビニム2の照射電流変化はエネル
ギー分布曲線SS+および逆エネルギー分布曲線Sol
を同等にシフトさせることになるため、エネルギー分布
曲線SS+と逆エネルギー分布曲線S61との交点C0
lから求めた分析電圧の値■ゎは、電子ビーム2の照射
電流変化がない場合の分析電圧の値と一致することにな
る。また、局所電界効果の影響により試料1から放出さ
れる二次電子3が変化した場合も、電子ビーム2の照射
電流が変化した場合と同様に、エネルギー分布曲線35
1と逆エネルギー分布曲線S6□との交点C0から電子
ビーム2の照射電流変化がない場合の分析電圧の値と同
一の分析電圧の値■ゎが得られることになる。
このように、本実施例の電圧測定装置は、分析電極4を
通過した二次電子3aおよび分析電極4で阻止された二
次電子3bを共に検出してエネルギー分布曲線S、およ
び逆エネルギー分布曲線S6を導出し、これらエネルギ
ー分布曲線S、と逆エネルギー分布曲線S、との交点C
0から分析電圧の値VCが求めるものである。そのため
に、たとえ、電子ビーム2の照射電流が変化したり、局
所電界効果の影響が生じたとしても、導出されたエネル
ギー分布曲線S、および逆エネルギー分布曲線S6から
得られた分析電圧の値■。は変化せず、試料1の電圧測
定を高精度に行うことができる。
通過した二次電子3aおよび分析電極4で阻止された二
次電子3bを共に検出してエネルギー分布曲線S、およ
び逆エネルギー分布曲線S6を導出し、これらエネルギ
ー分布曲線S、と逆エネルギー分布曲線S、との交点C
0から分析電圧の値VCが求めるものである。そのため
に、たとえ、電子ビーム2の照射電流が変化したり、局
所電界効果の影響が生じたとしても、導出されたエネル
ギー分布曲線S、および逆エネルギー分布曲線S6から
得られた分析電圧の値■。は変化せず、試料1の電圧測
定を高精度に行うことができる。
第4図は本発明の電圧測定装置の他の実施例を一部模式
的に示すブロック図である。この第4図に示す電圧測定
装置は、引出電極72.マイクロチャンネルプレート6
、分析電極4およびマイクロチャンネルプレート5を対
物レンズ8の位置に配設したものである。すなわち、電
子ビーム2の照射により試料1から放出された二次電子
3を第1の引出電極71で対物レンズ8のヨーク8b内
に加速して引出し、さらに、第2の引出電極72で二次
電子3を加速して分析電極4でエネルギー分析する。こ
こで、第2の引出電極72に印加される電圧は、第1の
引出電極71に印加される電圧と等しいか、または、引
出電極71の電圧よりも低くなされている。
的に示すブロック図である。この第4図に示す電圧測定
装置は、引出電極72.マイクロチャンネルプレート6
、分析電極4およびマイクロチャンネルプレート5を対
物レンズ8の位置に配設したものである。すなわち、電
子ビーム2の照射により試料1から放出された二次電子
3を第1の引出電極71で対物レンズ8のヨーク8b内
に加速して引出し、さらに、第2の引出電極72で二次
電子3を加速して分析電極4でエネルギー分析する。こ
こで、第2の引出電極72に印加される電圧は、第1の
引出電極71に印加される電圧と等しいか、または、引
出電極71の電圧よりも低くなされている。
第4図の電圧測定装置の他の構成は、第2図の電圧測定
装置と同じであり、分析電極4を通過した二次電子3a
はマイクロチャンネルプレート5で検出され、そのマイ
クロチャンネルプレート5の出力は増幅器91で増幅さ
れ、また、分析電極4で阻止された二次電子3bはマイ
クロチャンネルプレート6で検出され、そのマイクロチ
ャンネルプレート6の出力は増幅器92で増幅されるよ
うになされている。ここで、参照符号8aは、ヨーク8
bに巻設されたコイルである。
装置と同じであり、分析電極4を通過した二次電子3a
はマイクロチャンネルプレート5で検出され、そのマイ
クロチャンネルプレート5の出力は増幅器91で増幅さ
れ、また、分析電極4で阻止された二次電子3bはマイ
クロチャンネルプレート6で検出され、そのマイクロチ
ャンネルプレート6の出力は増幅器92で増幅されるよ
うになされている。ここで、参照符号8aは、ヨーク8
bに巻設されたコイルである。
以上の実施例において、通過二次電子検出手段および阻
止二次電子検出手段としては、平面形状のマイクロチャ
ンネルプレート5および6が使用されているが、本発明
の電圧測定装置に使用する二次電子検出手段はマイクロ
チャンネルプレートに限定されるものではなく、また、
二次電子検出手段および分析電極の形状も平面形状以外
に、例えば、球面形状等にすることができるのはいうま
でもない。
止二次電子検出手段としては、平面形状のマイクロチャ
ンネルプレート5および6が使用されているが、本発明
の電圧測定装置に使用する二次電子検出手段はマイクロ
チャンネルプレートに限定されるものではなく、また、
二次電子検出手段および分析電極の形状も平面形状以外
に、例えば、球面形状等にすることができるのはいうま
でもない。
以上、詳述したように、本発明に係る電圧測定装置は、
分析電極を通過した二次電子および分析電極で阻止され
た二次電子を共に検出して試料の電圧を算出することに
よって、電子ビームの照射電流変化や試料の二次電子放
出効率の変化および局所電界効果等の影響を受けること
なく、高精度に試料の電圧を測定することができる。
分析電極を通過した二次電子および分析電極で阻止され
た二次電子を共に検出して試料の電圧を算出することに
よって、電子ビームの照射電流変化や試料の二次電子放
出効率の変化および局所電界効果等の影響を受けること
なく、高精度に試料の電圧を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る電圧測定装置の構成を示す図、
第2図は本発明の電圧測定装置の一実施例を一部模式的
に示すブロック図、 第3図は第2図の電圧測定装置で検出されたエネルギー
分析曲線を示す図、 第4図は本発明の電圧測定装置の他の実施例を一部模式
的に示すブロック図、 第5図は従来の電圧測定装置の一例を一部模式的に示す
ブロック図、 第6図は第5図の電圧測定装置で検出されたエネルギー
分析曲線を示す図である。 (符号の説明) 1・・・試料、 2・・・電子ビーム、 3・・・二次電子、 3a・・・分析電極を通過した二次電子、3b・・・分
析電極で阻止された二次電子、4・・・分析電極、 5・・・通過二次電子検出手段、 6・・・阻止二次電子検出手段、 ?、71.72・・・引出電極、 8・・・対物レンズ、 21・・・反射電極、 91.92・・・増幅器、 93・・・差動増幅器、 94・・・電圧発生器、 95・・・A/Dコンバータ。
に示すブロック図、 第3図は第2図の電圧測定装置で検出されたエネルギー
分析曲線を示す図、 第4図は本発明の電圧測定装置の他の実施例を一部模式
的に示すブロック図、 第5図は従来の電圧測定装置の一例を一部模式的に示す
ブロック図、 第6図は第5図の電圧測定装置で検出されたエネルギー
分析曲線を示す図である。 (符号の説明) 1・・・試料、 2・・・電子ビーム、 3・・・二次電子、 3a・・・分析電極を通過した二次電子、3b・・・分
析電極で阻止された二次電子、4・・・分析電極、 5・・・通過二次電子検出手段、 6・・・阻止二次電子検出手段、 ?、71.72・・・引出電極、 8・・・対物レンズ、 21・・・反射電極、 91.92・・・増幅器、 93・・・差動増幅器、 94・・・電圧発生器、 95・・・A/Dコンバータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、試料(1)に対して電子ビーム(2)を照射し、該
試料(1)から放出される二次電子(3)を分析電極(
4)に印加する電圧を変化させて検出し、前記試料(1
)の電圧を測定する電圧測定装置であって、 前記分析電極(4)を通過した二次電子(3a)を検出
する通過二次電子検出手段(5)と、前記分析電極(4
)で阻止された二次電子(3b)を検出する阻止二次電
子検出手段(6)とを具備し、前記通過二次電子検出手
段(5)の出力と前記阻止二次電子検出手段(6)の出
力とから前記試料(1)の電圧を算出することを特徴と
する電圧測定装置。 2、前記分析電極(4)に印加する電圧は、前記通過二
次電子検出手段(5)の出力と前記阻止二次電子検出手
段(6)の出力とが特定の関係となるように制御される
特許請求の範囲第1項に記載の装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62273480A JP2528906B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 電圧測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62273480A JP2528906B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 電圧測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01116453A true JPH01116453A (ja) | 1989-05-09 |
JP2528906B2 JP2528906B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=17528497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62273480A Expired - Lifetime JP2528906B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 電圧測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2528906B2 (ja) |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP62273480A patent/JP2528906B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2528906B2 (ja) | 1996-08-28 |
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