JPH01112599A - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置

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Publication number
JPH01112599A
JPH01112599A JP62269674A JP26967487A JPH01112599A JP H01112599 A JPH01112599 A JP H01112599A JP 62269674 A JP62269674 A JP 62269674A JP 26967487 A JP26967487 A JP 26967487A JP H01112599 A JPH01112599 A JP H01112599A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
error
error correction
circuit
time interval
address
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62269674A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadaaki Mimura
三村 忠昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP62269674A priority Critical patent/JPH01112599A/ja
Publication of JPH01112599A publication Critical patent/JPH01112599A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体記憶装置、特に誤り訂正機能付き記憶
装置に関するものである。
従来の技術 近年、各種情報処理装置の処理量の増加、処理速度の高
速化に伴い、記憶装置の記憶容−敬も増加しており、記
憶装置の信頼性への要求はますます高くなってきている
。このため記憶装置の中に。
誤り訂正回路を内蔵し、α線等によるソフトエラーが発
生した場合に、記憶装置内部で誤り訂正を行うものが数
多く提案されている。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、従来の誤り訂正機能付き記憶装置は、い
ずれも書込み動作時に訂正符号(TLCC)の符号化を
行ない、読出し動作時て復号化、および誤り検出、誤り
訂正を行なう方式が取られている。このため、書込み動
作時の符号化、および読出し動作時の復号化に処理時間
を要し、アクセス時間の低下をもたらすという問題があ
った。
本発明はかかる問題点に鑑み、情報の書込み時。
および読出し時のアクセス時間を低下させることなく、
記憶情報の誤り訂正が可能な半導体記憶装置を提供する
ことを目的とする。
問題点を解決するための手段 本発明は、誤シ訂正機能付き記憶回路と、タイマー回路
と、所定のタイミングをつくるタイミングジェネレータ
と、前記タイミングジェネレーターにしたがい誤り検出
および訂正を行うアドレスを順次発生させるアドレス生
成部と、前記誤り訂正機能付き記憶回路から出力される
誤シ検出数通知信号より求められる誤多発生率に応じて
前記タイミングジェネレータに誤り訂正周期を通知する
誤り発生率判定回路を備え、前記誤多発生率に応じた時
間間隔で前記記憶回路の誤り訂正を行うことを特徴とす
る半導体記憶装置である。
作用 タイミングジェネレータは、誤り訂正を行う時間間隔に
応じた所定のタイミングを生成し、誤り訂正機能付き記
憶回路とアドレス生成部へ、誤り訂正起動信号を出力す
る。アドレス生成部では誤り検出および訂正を行うアド
レスを順次生成し。
誤り訂正機能付き記憶回路へ出力する。誤シ訂正機能付
き記憶回路では、内部の記憶情報の誤り検出、誤り訂正
を行ない、得られた誤り検出数を。
誤り発生率判定回路へ出力する。誤り発生率判定回路は
、誤シ検出数から誤多発生率を算出し、その値に応じた
誤り訂正の時間間隔を、タイミングジェネレータに通知
する。
以上の構成によシ、外部からの情報の書込み。
あるいは読出し要求にかかわらず、所定の時間間隔で誤
り訂正を行うことが可能となる。
実施例 本発明の一実施例による半導体記憶装置のブロック図を
第1図に示す。また、第2図は誤)訂正機能付き記憶回
路6を示すブロック図である。
誤り訂正機能付き記憶回路内のメモリセルアレイは、情
報を記憶する部分と1行アドレス内の情報に対する誤シ
訂正符号を記憶する部分と1列アドレス内の情報に対す
る誤シ訂正符号を記憶する部分に分けられている。そし
て、記憶情報の誤り訂正は1行の誤り訂正回路1oおよ
び列の誤り訂正回路13によ91行アドレス、および列
アドレスそれぞれに対しておこなわれる。第1の記憶手
段9.および第2の記憶手段12はアドレス内の情1に
対して、書込みが行なわれたか、あるいは読出しが行な
われたかを記憶する。
記憶情報の誤シ訂正は、タイマー回路1、タイミングジ
ェネレータ2.および誤シ発生率判定回路3によシ決定
される時間間隔で、記憶装置外部からのアクセスにかか
わらず、自動的に実行される。
誤シ訂正の実行時、タイミングジェネレータ2は、アド
レス生成部4、および誤シ訂正アドレス選択回路7に、
誤シ訂正起動信号を出方する。この信号を受けてアドレ
ス生成部4では、誤り訂正の対象となるアドレスを生成
し、アドレスバッファ6へ出力する。誤り訂正アドレス
選択回路7では、誤り訂正を行アドレスに対して行うか
、あるいは列アドレスに対して行うかを選択し、行の誤
シ訂正回路10.あるいは列の誤り訂正回路13に誤り
訂正起動信号を出力する。
誤シ訂正回路10.13は、それぞれ記憶手段9.12
の内容にしたがい、誤り訂正が当該アドレスへの書込み
動作後に行なわれた場合には、誤り訂正符号の符号化の
みを行なう。それ以外の場合には、復号化および誤り検
出、誤シ訂正を行なう。そして誤りが検出された場合に
は、誤り発生率判定回路3へ誤シ検出数を通知する。誤
り発生率判定回路3では、所定の時間内の誤シ検出数か
ら誤り発生率を算出する。そしてあらかじめ設定された
値にしたがって、誤シ訂正を行う時間間隔をタイミング
ジェネレータ2へ通知する。すなわち、誤り発生率が大
きい場合は、誤り訂正時間間隔を短くシ、逆に誤多発生
率が小さい場合は1時間間隔を長くする。この点が1本
発明の重要な点の一つであシ、誤り訂正時間間隔を誤多
発生率で制御することによってはじめて、情報の読出し
動作時に誤シ訂正を行わずに読出すことが可能となる。
発明の効果 本発明による半導体記憶装置は、誤り訂正を行うアドレ
スを内部で発生させる機能を有することにより、外部か
らのアクセスにかかわらず記′宜情報の誤り訂正を行う
ことができる。したが7て、情報の舊込み時、および読
出し時には、誤り訂正のための処理を行う必要がないた
め、アクセス時間を低下させることなく高速に情報の書
込み、あるいは読出しを行うことができる。
また、所定の時間間隔で誤シ訂正動作を行うため、ラン
ダムに発生するソフト誤りの累積を防ぐことができる。
以上のように1本発明による半導体記憶装置は、アクセ
ス時間の低下をもたらすことなく、効果的な誤り訂正を
行うことが可能であシ、高速でかつ信頼性の高い情報処
理システムの構築に極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体記憶装置の概念構成図。 第2図は同装置の誤り訂正機能付き記憶回路のブロック
図である。 1・・・・・・タイマー回路、2・・・・・タイミング
ジェネレータ、3・・・・・・誤シ発生率判定回路、4
・・・・−・アドレス生成部、5・・・・・・誤シ訂正
機能付き記憶回路、6・・・・・・アドレスバッファ、
7・・・・・・誤り訂正アドレス選択回路、8・・・・
・・行アドレスデコーダ、9・・・・・・第1の記憶手
段、10.13・・・・・・誤り訂正回路。 11・・・・・・110ゲート、列アドレスデコーダ。 12・・・・・・第2の記憶手段、14・・・・・・入
力バッファ、16・・・・・・入出力パッファ、16・
・・・・・メモリセルアレイ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名31

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  誤り訂正機能付き記憶回路と、タイマー回路と、所定
    のタイミングをつくるタイミングジェネレータと、前記
    タイミングジェネレーターにしたがい誤り検出および訂
    正を行うアドレスを順次発生させるアドレス生成部と、
    前記誤り訂正機能付き記憶回路から出力される誤り検出
    数通知信号より求められる誤り発生率に応じて前記タイ
    ミングジェネレータに誤り訂正周期を通知する誤り発生
    率判定回路を備え、前記誤り発生率に応じた時間間隔で
    前記記憶回路の誤り訂正を行うことを特徴とする半導体
    記憶装置。
JP62269674A 1987-10-26 1987-10-26 半導体記憶装置 Pending JPH01112599A (ja)

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JP62269674A JPH01112599A (ja) 1987-10-26 1987-10-26 半導体記憶装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5346765A (en) * 1990-02-06 1994-09-13 Sumitono Bakelite Company Limited Cover tape for packaging chip type electronic parts
KR100806844B1 (ko) * 2003-02-13 2008-02-22 오지 세이시 가부시키가이샤 전자 칩들을 수납하기 위한 수납 대지
US8082469B2 (en) 2008-08-07 2011-12-20 Hitachi, Ltd. Virtual computer system, error recovery method in virtual computer system, and virtual computer control program

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5346765A (en) * 1990-02-06 1994-09-13 Sumitono Bakelite Company Limited Cover tape for packaging chip type electronic parts
KR100806844B1 (ko) * 2003-02-13 2008-02-22 오지 세이시 가부시키가이샤 전자 칩들을 수납하기 위한 수납 대지
US8082469B2 (en) 2008-08-07 2011-12-20 Hitachi, Ltd. Virtual computer system, error recovery method in virtual computer system, and virtual computer control program

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