JPH01104075A - フラビン誘導体およびその製造方法 - Google Patents
フラビン誘導体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、新規なフラビン誘導体およびその製造方法
に関するものである。
に関するものである。
従来、フラビン誘導本体としては、例えばリボフラビン
やルミフラビンが市販されていた。
やルミフラビンが市販されていた。
〔発明が解決しようとする問題点Ｊ
上記リボフラビンやルミフラビンを、例えばチトクロー
ムＣやルブレドキシン等の電子伝達タンパク質を環元す
るための電極の修飾剤として用いることは困難であった
。
ムＣやルブレドキシン等の電子伝達タンパク質を環元す
るための電極の修飾剤として用いることは困難であった
。
コノ発明は、従来に代わる新規なフラビン誘導体および
その製造方法を得ることを目的とする。
その製造方法を得ることを目的とする。
この発明のフラビン誘導体は、−数式
％式％
（式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ，、Ｒ，
ｌは水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を
、Ｒ４はチオシアナト基またはメルカプト基を表わす。
ｌは水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を
、Ｒ４はチオシアナト基またはメルカプト基を表わす。
）
で示されるものである。
この発明の別の発明のフラビン誘導体の製造方法は、−
数式 ％式％ （式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ，、Ｒ，
。
数式 ％式％ （式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ，、Ｒ，
。
は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を、
Ｒ４はアミノ基を表わす） で示される６−７ミノフラビン誘導体をジアゾ化合物と
した後、チオシアン酸塩と作用させ、また必要に応じエ
ステルを加水分解して、−数式％式％ （式中、Ｒ，は水素原子またはアシ゛ル基を、Ｒ２，Ｒ
１は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を
、Ｒ４はチオシアナト基を表わす。）で示される６チオ
シアナトフラビン誘導体を得るものである。
Ｒ４はアミノ基を表わす） で示される６−７ミノフラビン誘導体をジアゾ化合物と
した後、チオシアン酸塩と作用させ、また必要に応じエ
ステルを加水分解して、−数式％式％ （式中、Ｒ，は水素原子またはアシ゛ル基を、Ｒ２，Ｒ
１は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を
、Ｒ４はチオシアナト基を表わす。）で示される６チオ
シアナトフラビン誘導体を得るものである。
この発明の別の発明のフラビン誘導体の製造方法は、−
数式 ％式％ （式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ２ｔ Ｒ
１１は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基
を、Ｒ４はアミノ基を表わす） で示される６−アミノフラビン誘導体をジアゾ化合物と
した後、チオシアン酸塩と作用させ、また必要に応じエ
ステルを加水分解して一般式％式％ Ｃ式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ２，Ｒ３
は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を、
Ｒ４はチオシアナト基を表わす。）で示される６チオシ
アナトフラビン誘導体を得、これを還元した後、必要に
応じエステルを加水分解して一般式 ％式％ （式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ，、Ｒｓ
は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を、
Ｒ４はメルカプト基を表わす） テ示される６−メルカプトフラビン誘導体を得るもので
ある。
数式 ％式％ （式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ２ｔ Ｒ
１１は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基
を、Ｒ４はアミノ基を表わす） で示される６−アミノフラビン誘導体をジアゾ化合物と
した後、チオシアン酸塩と作用させ、また必要に応じエ
ステルを加水分解して一般式％式％ Ｃ式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ２，Ｒ３
は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を、
Ｒ４はチオシアナト基を表わす。）で示される６チオシ
アナトフラビン誘導体を得、これを還元した後、必要に
応じエステルを加水分解して一般式 ％式％ （式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ，、Ｒｓ
は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を、
Ｒ４はメルカプト基を表わす） テ示される６−メルカプトフラビン誘導体を得るもので
ある。
以下、この発明の実施例について述べるが、これに限定
されない。
されない。
この発明の新規なフラビン誘導体は一般式％式％
１式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ，、ＲＲ
は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を、
Ｒ４はチオシアナト基またはメルカプト基を表わす） で示される。この発明の新規なフラビン誘導体としては
、例えば６チオシアナトー２７ 、３１ 、４／ 、
ｓ／−テトラアセチルリボフラビンおよび６メルカブト
ー ２’ 、３’ 、４’ 、５’ −テトラアセチル
リボフラビンなどがある。
は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を、
Ｒ４はチオシアナト基またはメルカプト基を表わす） で示される。この発明の新規なフラビン誘導体としては
、例えば６チオシアナトー２７ 、３１ 、４／ 、
ｓ／−テトラアセチルリボフラビンおよび６メルカブト
ー ２’ 、３’ 、４’ 、５’ −テトラアセチル
リボフラビンなどがある。
一般式（１）で示されるフチビン誘導体中、Ｒ４カテオ
シアナト基である６−チオシアナトフラビン誘導体は、
文献上既知の６−アミノフラビン誘導体（バイオケミス
トリイ、 １９．２５３７（１９８０）等）を１５〜４
０％の硫酸もしくは塩酸酸性水溶液中、１．５〜５倍モ
ルの亜硝酸ナトリウムと作用させ、６−ジアシフラビン
誘導体を生じさせた後、これを単離することなくチオシ
アン酸カリウムと作用させることにより合成出来る。
シアナト基である６−チオシアナトフラビン誘導体は、
文献上既知の６−アミノフラビン誘導体（バイオケミス
トリイ、 １９．２５３７（１９８０）等）を１５〜４
０％の硫酸もしくは塩酸酸性水溶液中、１．５〜５倍モ
ルの亜硝酸ナトリウムと作用させ、６−ジアシフラビン
誘導体を生じさせた後、これを単離することなくチオシ
アン酸カリウムと作用させることにより合成出来る。
また、６−チオシアナトフラビン誘導体を水溶液中、還
元剤（例えばハイドロサルファイナトリウム、水酸化ホ
ウ素ナトリウム、ジチオスレイトールなど）と作用させ
るか、または光照射下にＥ ＤＴＡと作用させることに
より目的とする一般式（Ｉ）中、Ｒ４がメルカプト基で
ある６−メルカプトフラビン誘導体が合成出来る。６−
チオシアナトフラビン誘導体、および６−メルカプトフ
ラビン誘導体の何れも通常の再結晶法または分子ふるい
、シリカゲルカラム、樹脂カラム等の精製法により単離
することが可能である。
元剤（例えばハイドロサルファイナトリウム、水酸化ホ
ウ素ナトリウム、ジチオスレイトールなど）と作用させ
るか、または光照射下にＥ ＤＴＡと作用させることに
より目的とする一般式（Ｉ）中、Ｒ４がメルカプト基で
ある６−メルカプトフラビン誘導体が合成出来る。６−
チオシアナトフラビン誘導体、および６−メルカプトフ
ラビン誘導体の何れも通常の再結晶法または分子ふるい
、シリカゲルカラム、樹脂カラム等の精製法により単離
することが可能である。
この発明のフラビン誘導体の製造方法の一実施例の６−
チオシアナト−２／ 、 ３／ 、 ４／ 、 ５／−
テトラアセチルリボフラビンの合成について述べる。即
ち、６−アミノ−２／ 、３／ 、４／ 、５／−テト
ラアセチルリボフラビン１．（）Ｏｇ（１，７９ｍｍｏ
ｌｅ）を、濃硫酸１０ｍｌおよび氷水３０ｍ１の０℃混
液中に懸濁する。９７％亜硝酸ナトリウム１９０．５ｍ
ｇ （１６８ｍｍｏｌｅ）を０℃で添加後、１５分間同
温で攪拌する。尿素１９５．５ｍｇを０℃で添加し、過
剰の亜硝酸ナトリウムを分解して、さらに１５分間・攪
拌する。充分に分解させた後、飽和チオシアン酸カリウ
ム水溶液０．８５ｍ／を０℃で加え、窒素ガスの発生が
止むまで（約３０分）攪拌する。
チオシアナト−２／ 、 ３／ 、 ４／ 、 ５／−
テトラアセチルリボフラビンの合成について述べる。即
ち、６−アミノ−２／ 、３／ 、４／ 、５／−テト
ラアセチルリボフラビン１．（）Ｏｇ（１，７９ｍｍｏ
ｌｅ）を、濃硫酸１０ｍｌおよび氷水３０ｍ１の０℃混
液中に懸濁する。９７％亜硝酸ナトリウム１９０．５ｍ
ｇ （１６８ｍｍｏｌｅ）を０℃で添加後、１５分間同
温で攪拌する。尿素１９５．５ｍｇを０℃で添加し、過
剰の亜硝酸ナトリウムを分解して、さらに１５分間・攪
拌する。充分に分解させた後、飽和チオシアン酸カリウ
ム水溶液０．８５ｍ／を０℃で加え、窒素ガスの発生が
止むまで（約３０分）攪拌する。
２５％アンモニア水３ｏｍｅをを内温１５℃以下で、最
終液性がｐＨ２になるようにする。反応液をり１０ロホ
ルムの５０ｍＡ’で３回、合計１５０ ｍｌで抽出を行
い、合わせたクロロホルム溶液を無水硫酸ナトリウムで
乾燥させる。減圧上溶媒を留去させた後、残渣をシリカ
ゲルカラム（溶出液：アセトン−ベンゼン＝ｌ： Ｓ
）に付し、目的のフラクションを合わせ、減圧上溶媒を
留去する。残留物をクロロホルムとヘキサンの混合物よ
り再結晶することにより、目的の６−チオジアトー２／
、 ３／ 、４／ 、 ５／−テトラアセチルリボフ
ラビンの黄色結晶３６７ｍｇかえられる。収率は、３Ｌ
１％である。
終液性がｐＨ２になるようにする。反応液をり１０ロホ
ルムの５０ｍＡ’で３回、合計１５０ ｍｌで抽出を行
い、合わせたクロロホルム溶液を無水硫酸ナトリウムで
乾燥させる。減圧上溶媒を留去させた後、残渣をシリカ
ゲルカラム（溶出液：アセトン−ベンゼン＝ｌ： Ｓ
）に付し、目的のフラクションを合わせ、減圧上溶媒を
留去する。残留物をクロロホルムとヘキサンの混合物よ
り再結晶することにより、目的の６−チオジアトー２／
、 ３／ 、４／ 、 ５／−テトラアセチルリボフ
ラビンの黄色結晶３６７ｍｇかえられる。収率は、３Ｌ
１％である。
なお、上記化合物が以下゛に示す測定結果により、目的
化合物であることを同定した。
化合物であることを同定した。
融点 １３８°−１４２℃
元素分析ｃ％）計測値Ｃ，５１，９２、Ｈ，４，５２、
Ｎ、 １１．６２実測値Ｃ，５１，６５、Ｈ，４，５２
、Ｎ、 １１．５２赤外線吸収スペクトルＩＲ（ＫＢｒ
ｌｃｍ ’）３４７０ 、２１５０゜１７４０ 、１５
８０ 、１５３５ 、１２１５核磁気共鳴ＮＭＲ（ＣＤ
ＣＩｓ １’ ｐｐｍ） ！、 ８２．２．０９．２．
２１．２．３１．２．６６．２．７６ （ｅａｃｂ３Ｈ
ｓ ｓ）、４．２５．４．４４ （ｅａｃｈＩＨ，ｄ）
、ｓ、 ４．１ （４Ｈ、ｂｒｏａｄ ）、５．６０
（ＩＨ，ｂｒｏａｄ ）、７．７７．８．６１ （ｅａ
ｃｈ ＩＨｌＳ）次に、この発明のフラビン語導体の製
造方法の一実施例の６−メルカプト−２／ 、 ３／
、４１．５１−テトラアセチルリボフラビンの合成につ
いて述べる。
Ｎ、 １１．６２実測値Ｃ，５１，６５、Ｈ，４，５２
、Ｎ、 １１．５２赤外線吸収スペクトルＩＲ（ＫＢｒ
ｌｃｍ ’）３４７０ 、２１５０゜１７４０ 、１５
８０ 、１５３５ 、１２１５核磁気共鳴ＮＭＲ（ＣＤ
ＣＩｓ １’ ｐｐｍ） ！、 ８２．２．０９．２．
２１．２．３１．２．６６．２．７６ （ｅａｃｂ３Ｈ
ｓ ｓ）、４．２５．４．４４ （ｅａｃｈＩＨ，ｄ）
、ｓ、 ４．１ （４Ｈ、ｂｒｏａｄ ）、５．６０
（ＩＨ，ｂｒｏａｄ ）、７．７７．８．６１ （ｅａ
ｃｈ ＩＨｌＳ）次に、この発明のフラビン語導体の製
造方法の一実施例の６−メルカプト−２／ 、 ３／
、４１．５１−テトラアセチルリボフラビンの合成につ
いて述べる。
即ち、と記のようにして得た６−チオシアナト−２’
、３’ 、４’ 、５’、−テトラアセチルリボフラビ
ンの０．０５Ｍりん酸２水素カリウムーりん酸２ナトリ
ウム緩衝液（ｐＨ７，０） を用いた５、１０Ｘ１０
’ Ｍ濃度の溶液をｍ整した後、安定剤としてＥＤＴ
Ａ２ナトリウムを１．０ＸＩＯ’Ｍとなるように加え試
料溶液とする。
、３’ 、４’ 、５’、−テトラアセチルリボフラビ
ンの０．０５Ｍりん酸２水素カリウムーりん酸２ナトリ
ウム緩衝液（ｐＨ７，０） を用いた５、１０Ｘ１０
’ Ｍ濃度の溶液をｍ整した後、安定剤としてＥＤＴ
Ａ２ナトリウムを１．０ＸＩＯ’Ｍとなるように加え試
料溶液とする。
これに、ジチオスレイトールを８．０刈０−４Ｍとなる
ようζζ力Ｕえる。室温下、２時ｆｍｉＪ、拌すると目
的の６−メルカプト−２／ 、 ３／ 、 ４／ 、
ｓ／−テトラアセチルリボフラビンが生じる。第１図に
可視紫外吸収スペクトル図を示す。
ようζζ力Ｕえる。室温下、２時ｆｍｉＪ、拌すると目
的の６−メルカプト−２／ 、 ３／ 、 ４／ 、
ｓ／−テトラアセチルリボフラビンが生じる。第１図に
可視紫外吸収スペクトル図を示す。
次に６−メルカプト−２／ 、 ３１ 、４１ 、５／
−テトラアセチルリボフラビンの製造の他の方法につい
て説明する。
−テトラアセチルリボフラビンの製造の他の方法につい
て説明する。
ＥＤＴＡ２ナトリウムを加えない以ガは前述の実施例と
同様に試料溶液を調整した後、窒素雰囲気下、ハイドロ
サルファイドナトリウムを８．０ＸＩＯ−’ Ｍになる
ように加え室温で１時ｆ１ｒＵ３０分攪拌する。本操作
により生じた６−メルカプト−２７、３／ 、 ４／
、 ｓ／ −テトラアセチルリボフラビンの紫外吸収ス
ペクトルは上記のそれと一致した。
同様に試料溶液を調整した後、窒素雰囲気下、ハイドロ
サルファイドナトリウムを８．０ＸＩＯ−’ Ｍになる
ように加え室温で１時ｆ１ｒＵ３０分攪拌する。本操作
により生じた６−メルカプト−２７、３／ 、 ４／
、 ｓ／ −テトラアセチルリボフラビンの紫外吸収ス
ペクトルは上記のそれと一致した。
なお、上記のようにして得られたフラビン誘導体を用い
て下記修飾法により例えば安定なフラビン修飾電極を製
造することができる。
て下記修飾法により例えば安定なフラビン修飾電極を製
造することができる。
上記のように合成したフラビン誘導体を例えば０．１ｍ
ｇ／ｌ 〜１００ｍｇ／ｌ の濃度で水または緩衝液
に溶解し、この溶液中に、水または濃い酸または有機溶
剤等で洗浄した金、銀、白金などの金属、酸化スズなど
の金属酸化物、シリコンや炭素などの半導体、等の導電
性基板をＯ，１秒から１時間浸せきすることによって、
フラビン修飾電極を得ることができ、る。
ｇ／ｌ 〜１００ｍｇ／ｌ の濃度で水または緩衝液
に溶解し、この溶液中に、水または濃い酸または有機溶
剤等で洗浄した金、銀、白金などの金属、酸化スズなど
の金属酸化物、シリコンや炭素などの半導体、等の導電
性基板をＯ，１秒から１時間浸せきすることによって、
フラビン修飾電極を得ることができ、る。
下記に、例えば金蒸着電極上へのチオシアナトテトラア
セチルリボフラビンの修飾について示す。
セチルリボフラビンの修飾について示す。
即ち、第２図の金電極の正面図に示すように金を蒸着し
たガラス基板を蒸留水で洗浄した後、濃硝酸中に１０分
間浸せきして洗浄金電極とする。また、６−チオジアナ
ー２７ 、３／ 、 ４１ 、５／−テトラアセチルリ
ボフラビンをリン酸緩衝液（ｐＨ７，０，２０ｍＭ ）
中に１０ｍｇ／ｌの濃度に溶解する。この水溶液に上述
の洗浄金電極を１０分間浸せきした後、水洗して、安定
なフラビン修飾電極を得た。なお、図において、（ＩＩ
はガラス基板、（２〕は金蒸着膜、囚は５０ｍｍ１（ロ
）は３ｍｍ 、 （Ｑは１０ｒｎη、（ト）は２薗を示
す。
たガラス基板を蒸留水で洗浄した後、濃硝酸中に１０分
間浸せきして洗浄金電極とする。また、６−チオジアナ
ー２７ 、３／ 、 ４１ 、５／−テトラアセチルリ
ボフラビンをリン酸緩衝液（ｐＨ７，０，２０ｍＭ ）
中に１０ｍｇ／ｌの濃度に溶解する。この水溶液に上述
の洗浄金電極を１０分間浸せきした後、水洗して、安定
なフラビン修飾電極を得た。なお、図において、（ＩＩ
はガラス基板、（２〕は金蒸着膜、囚は５０ｍｍ１（ロ
）は３ｍｍ 、 （Ｑは１０ｒｎη、（ト）は２薗を示
す。
サイクリックポルタンメトリによる修飾電極の安定性試
験 リン酸緩衝液（ｐＨ７，０、２０ｍ？ｖｆ ）中に過塩
素酸ナトリウムを１００ｍＭの濃度に溶解し、アルゴン
通気により脱酸素し、これを電解液として上記修飾電極
のサイクリックポルタンメトリを（０〜−６００ｍＶｖ
ｓ、 Ａｇ／ＡｇＣ１、掃引速度５０ｍＶ／ｓ）測定し
、このときのサイクルによる還元ピークの高さの変化を
示す特性図を第３図に示す。３サイクル以降、還元ピー
クの高さは、はとんど変化せず、６−チオジアナー２／
、 ３１．４／ 、５／−テトラアセチルリボフラビ
ンが安定に全表面に吸着していることを示すものである
。なお、図において、縦軸はピーク電流値（μＡ）を横
軸はサイクル（回）を示す。
験 リン酸緩衝液（ｐＨ７，０、２０ｍ？ｖｆ ）中に過塩
素酸ナトリウムを１００ｍＭの濃度に溶解し、アルゴン
通気により脱酸素し、これを電解液として上記修飾電極
のサイクリックポルタンメトリを（０〜−６００ｍＶｖ
ｓ、 Ａｇ／ＡｇＣ１、掃引速度５０ｍＶ／ｓ）測定し
、このときのサイクルによる還元ピークの高さの変化を
示す特性図を第３図に示す。３サイクル以降、還元ピー
クの高さは、はとんど変化せず、６−チオジアナー２／
、 ３１．４／ 、５／−テトラアセチルリボフラビ
ンが安定に全表面に吸着していることを示すものである
。なお、図において、縦軸はピーク電流値（μＡ）を横
軸はサイクル（回）を示す。
チトクロームＣの還元
チトクロームＣを３３０μＭ の濃度になるよう番こ上
記電解液ζこ溶解し、この溶液中で上記フラビン修飾電
極を用いてサイクリックポルタンメトリを行った結果を
チトクロームＣを含まない場合と比較して幻４図のサイ
クリックポルタモグラムに示す。酸化ピークは認められ
ず、大きく還元電流が流れるようになることから、この
修飾電極を用いることによって、チトクロームＣを還元
はできるが酸化はできないようにすること、すなわち、
電極からチトクロームＣへの一方向の電子移動のみ起こ
すこと、が可能になることがわかる。
記電解液ζこ溶解し、この溶液中で上記フラビン修飾電
極を用いてサイクリックポルタンメトリを行った結果を
チトクロームＣを含まない場合と比較して幻４図のサイ
クリックポルタモグラムに示す。酸化ピークは認められ
ず、大きく還元電流が流れるようになることから、この
修飾電極を用いることによって、チトクロームＣを還元
はできるが酸化はできないようにすること、すなわち、
電極からチトクロームＣへの一方向の電子移動のみ起こ
すこと、が可能になることがわかる。
図において、（ト）はチトクロムＣを含まない時のサイ
クリックポルタモグラム、（Ｆ）はチトクロムＣを含む
サイクリックポルタモグラムを示す。又、縦軸は電流（
μＡ）を横軸はＡｇ／Ａｇ Ｃ１電極に対する電圧（ｍ
Ｖ）を示す。
クリックポルタモグラム、（Ｆ）はチトクロムＣを含む
サイクリックポルタモグラムを示す。又、縦軸は電流（
μＡ）を横軸はＡｇ／Ａｇ Ｃ１電極に対する電圧（ｍ
Ｖ）を示す。
なお、電子伝達タンパク質として、チトクロームＣの代
りに、ルミフラビンを用いた場合も同様である。
りに、ルミフラビンを用いた場合も同様である。
以上説明したとおり、この発明は
一般式
％式％
（式中、Ｒ３は水素原子またはアシル基を、Ｒ，、Ｒｓ
は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を、
Ｒ４はチオシアナト基またはメルカプト基を表わす。） で示される新規なフラビン誘導体である。
は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を、
Ｒ４はチオシアナト基またはメルカプト基を表わす。） で示される新規なフラビン誘導体である。
又この発明の別の発明は
一般式
％式％
（式中、Ｒ７は水素原子またはアシル基を、Ｒ，、Ｒ。
は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基をＮ
Ｒ４はアミノ基を表わす） で示される６−アミノフラビン誘導体をジアゾ化金物と
した後、チオシアン酸塩と作用させ、また必要に応じエ
ステルを加水分解して一般式％式％ （式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ，、Ｒ。
Ｒ４はアミノ基を表わす） で示される６−アミノフラビン誘導体をジアゾ化金物と
した後、チオシアン酸塩と作用させ、また必要に応じエ
ステルを加水分解して一般式％式％ （式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ，、Ｒ。
は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を、
Ｒ１はチオシアナト基を表わす。）で示される６チオシ
アナトフラビン誘導体の製造方法を得ることができる。
Ｒ１はチオシアナト基を表わす。）で示される６チオシ
アナトフラビン誘導体の製造方法を得ることができる。
又、この発明の別の発明は
一般式
％式％
（式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ２＋ Ｒ
１”１は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル
基を、Ｒ４はアミノ基を表わす） で示される６−アミノフラビン誘導体をジアゾ化合物と
した後、チオシアン酸塩と作用させ、ま、た必要に応じ
エステルを加水分解して一般式％式％ （式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ，、Ｒ。
１”１は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル
基を、Ｒ４はアミノ基を表わす） で示される６−アミノフラビン誘導体をジアゾ化合物と
した後、チオシアン酸塩と作用させ、ま、た必要に応じ
エステルを加水分解して一般式％式％ （式中、Ｒ１は水素原子またはアシル基を、Ｒ，、Ｒ。
は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を、
Ｒ４はチオシアナト基を表わす。）で示される６チオシ
アナトフラビン誘導体を得、これを還元した後、必要に
応じエステルを加水分解して一般式 ％式％ Ｃ式中、Ｒ２は水素原子またはアシル基を％ Ｒ２ｓ
ＲＭは水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基
を、Ｒ４はメルカプト基を表わす） で示される６−メルカプトフラビン誘導体の製造方法を
得ることができる。
Ｒ４はチオシアナト基を表わす。）で示される６チオシ
アナトフラビン誘導体を得、これを還元した後、必要に
応じエステルを加水分解して一般式 ％式％ Ｃ式中、Ｒ２は水素原子またはアシル基を％ Ｒ２ｓ
ＲＭは水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基
を、Ｒ４はメルカプト基を表わす） で示される６−メルカプトフラビン誘導体の製造方法を
得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例の６−メルカブド−２７．
３／ 、４１．５／−テトラアセチルリボフラビンの可
視紫外吸収スペクトル図、第２図は金電極の正面図、第
３図はこの発明の一実施例の６−チオシアナト−２／
、３１．４１ 、５／−テトラアセチルリボフラビンに
よる金電極の修飾に得られた修飾電極のサイクルｃ回）
による還元ピークの高さ（μＡ）変化を示す特性図、第
４図は上記修飾電極を用いたサイクリックポルタモグラ
ムを示す。
３／ 、４１．５／−テトラアセチルリボフラビンの可
視紫外吸収スペクトル図、第２図は金電極の正面図、第
３図はこの発明の一実施例の６−チオシアナト−２／
、３１．４１ 、５／−テトラアセチルリボフラビンに
よる金電極の修飾に得られた修飾電極のサイクルｃ回）
による還元ピークの高さ（μＡ）変化を示す特性図、第
４図は上記修飾電極を用いたサイクリックポルタモグラ
ムを示す。
Claims (3)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１は水素原子またはアシル基を、Ｒ＿２、
Ｒ＿３は水素原子またはアシル基を、Ｒ＿２、Ｒ＿３は
水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル基を、Ｒ
＿４はチオシアナト基またはメルカプト基を表わす。）
で示されるフラビン誘導体。 - （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１は水素原子またはアシル基を、Ｒ＿２、
Ｒ＿３は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル
基を、Ｒ＿４はアミノ基を表わす） で示される６−アミノフラビン誘導体をジアゾ化合物と
した後、チオシアン配塩と作用させ、また必要に応じエ
ステルを加水分解する、一般式▲数式、化学式、表等が
あります▼ （式中、Ｒ＿１は水素原子またはアシル基を、Ｒ＿２、
Ｒ＿３は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル
基を、Ｒ＿４はナオシアナト基を表わす。）で示される
６チオシアナトフラビン誘導体の製造方法。 - （３）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１は水素原子またはアシル基を、Ｒ＿２、
Ｒ＿３は水素原子または炭素原子１〜４個の低級アルキ
ル基を、Ｒ＿４はアミノ基を表わす） で示される６−アミノフラビン誘導体をジアゾ化合物と
した後、チオシアン酸塩と作用させ、また必要に応じエ
ステルを加水分解して一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１は水素原子またはアシル基を、Ｒ＿２、
Ｒ＿３は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル
基を、Ｒ＿４はテオシアナト基を表わす。）で示される
６チオシアナトフラビン誘導体を得、これを還元した後
、必要に応じてエステルを加水分解する一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１は水素原子またはアシル基を、Ｒ＿２、
Ｒ＿３は水素原子または炭素数１〜４個の低級アルキル
基を、Ｒ＿４はメルカプト基を表わす） で示される６−メルカプトフラビン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262256A JPH01104075A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | フラビン誘導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262256A JPH01104075A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | フラビン誘導体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01104075A true JPH01104075A (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=17373251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62262256A Pending JPH01104075A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | フラビン誘導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01104075A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004013142A1 (fr) * | 2002-08-02 | 2004-02-12 | The Institute Of Radiation Medicine, Academy Of Miilitary Medical Sciences, People's Liberation Army | Derive de riboflavine ainsi que sa fabrication et ses utilisations |
| US7300372B2 (en) | 2002-07-16 | 2007-11-27 | Dayco Europe S.R.L. Con Unico Socio | Integrated pulley-torsional damper assembly |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62262256A patent/JPH01104075A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7300372B2 (en) | 2002-07-16 | 2007-11-27 | Dayco Europe S.R.L. Con Unico Socio | Integrated pulley-torsional damper assembly |
| WO2004013142A1 (fr) * | 2002-08-02 | 2004-02-12 | The Institute Of Radiation Medicine, Academy Of Miilitary Medical Sciences, People's Liberation Army | Derive de riboflavine ainsi que sa fabrication et ses utilisations |
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