JPH01103854A - 半導体の冷却装置 - Google Patents

半導体の冷却装置

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JPH01103854A
JPH01103854A JP16873788A JP16873788A JPH01103854A JP H01103854 A JPH01103854 A JP H01103854A JP 16873788 A JP16873788 A JP 16873788A JP 16873788 A JP16873788 A JP 16873788A JP H01103854 A JPH01103854 A JP H01103854A
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忠克 中島
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桑原 平吉
Shigeo Ohashi
繁男 大橋
Motohiro Sato
佐藤 元宏
Kenichi Kasai
憲一 笠井
Hisashi Nakayama
中山 恒
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、狭い空間内−に高密度に多数配列された電子
計算機用集積回路等の高発熱部材の沸騰冷却装置すなわ
ち半導体冷却装置に関する。
〔従来の技術〕
特公昭52−15358号公報に記載されている従来の
半導体冷却装置はチップが搭載された基板を容器に封入
された冷媒液に浸漬し、チップから発生した沸騰気泡が
上昇して上部の蒸気溜りに達し、蒸気は容器内に突出し
た冷却板により凝縮し、下部の液溜りに還元されるもの
である。しかしながら、この方法では、上部に搭載され
たチップは下部から蓄積されてくる沸騰気泡のため冷媒
液との接触が悪くなる。そのため、上部はど液量を多く
して気泡が散るようにするため容器を大きくせざるを得
なかった。
また、他の従来例としては、特開昭57−204156
号公報が挙げられる。この例においては、発熱体が冷媒
液に浸され、沸騰した蒸気は上部に設けられた凝縮器に
よって凝縮液化し、発熱体と凝縮器との間に設けられた
ガイド板によって蒸気と凝縮液とが干渉することなく循
環できる構造になっている。この方法では、発熱体の発
熱量が大きいとき、発熱部での激しい沸騰のため発熱郡
全体が上昇気液流となり、凝縮落下してきた液が発熱体
に十分供給されず冷却性能は低下する。
さらに別の従来例として特開昭62−85448号のも
のがある。これは垂直状に配置された基板に多数のLS
Iが搭載された装置を冷媒液中に浸漬して、LSIを沸
騰冷却するもので、冷媒中に熱交換パイプを挿入して冷
却性能を高めているものである。
〔発明が解決しようとする課題〕
前述した特公昭52−15358号公報及び特開昭57
−204156号公報に記載されたものでは、発熱郡全
体にわたって冷媒液と充分に接触させる方法について考
慮されておらず、冷却性能の低下を招くという問題があ
った。また、考慮されていても、十分な接触を確保する
ため容器が大きくなり、計算機等のように高発熱チップ
を搭載した基板が多数枚積層される構造においては、基
板間の配線距離が長くなり、演算速度の高速化が妨げら
れる問題があった。さらに、空気などの不凝縮ガスが冷
媒液内に浸入してくると、冷却性能の低下が著しくなる
。これに対して、特開昭62−85448号公報に記載
のものでは冷媒液中に熱交換パイプを挿入しておくので
、仮に不凝縮ガスが冷媒容器内に侵入した場合でも、冷
却性能を一定の値に維持するこ(]1) とが可能となる。しかし、冷却性能そのものの値は、冷
媒蒸気中に熱交換パイプを挿入した前述の従来例の場合
よりも低いため、LSI部で沸騰発生した冷媒蒸気を熱
交換パイプ部に集め、冷却性能を高めている。
しかし、LSIチップ1個当たりの発熱量が近年増加し
ており、またLSIチップの間隔も比較的狭くなる傾向
にあり、単位体積当りの蒸気量が増大する。冷媒液中に
熱交換パイプを挿入する構造においては、熱交換パイプ
部に冷媒蒸気を集める構造としているが、高集積化され
た半導体素子では、蒸気量が増すため、熱交換パイプ回
りに冷媒蒸気が蓄積され、冷媒蒸気がLSIチップの回
りをもおおい、LSIチップの沸騰性能が低下する問題
があった。
本発明の目的は、冷媒液の液量を必要以上に多くするこ
となく、該冷媒液を効率的に自然循環させ、発熱郡全体
にわたって冷媒液を略−様に供給できるようにし、以っ
て高い冷却性能を有する半導体の冷却装置及び冷却方法
を得ることにある。
本発明の他の目的は、発生蒸気量の一部を冷媒液中で凝
縮させ、残りを上方に逃して、上方の冷媒蒸気層部で凝
縮させると共に、飽和温度よりも過冷却された冷媒液を
、それぞれのLSIチップ部に導く構成を実現すること
によって、より一層の冷却性能の向上を図ることにある
〔課題を解決するための手段〕
上述の目的を達成するため本発明は、沸騰促進用伝熱体
を取り付けた半導体素子を複数個搭載した基板を冷媒液
を封入した容器内に浸して該冷媒液の沸騰によって半導
体素子の熱を吸収し、発生した蒸気を該容器上方に設け
られた凝縮器で凝縮させて容器下方に返送する半導体冷
却装置において、前記蒸気の流路と凝縮液の流路とを隔
壁にて分離すると共に、該隔壁に返送された凝縮液を前
記沸騰促進用伝熱体の各々に向って供給し且つ逆流防止
手段を備えた流路を設けたものである。
本発明の他の特徴は、半導体素子の裏面側(反基板側)
に多孔構造の沸騰促進用伝熱体を取付け、この伝熱体か
ら発生する冷媒蒸気が通過する位置の冷媒液中に液冷却
器を設けて、この液冷却器内を前記冷媒蒸気が通過する
ようにし、これによって冷媒蒸気の一部を凝縮させ、残
りの冷媒蒸気を上方の冷媒蒸気層部に設けた凝縮器で凝
縮させて容器下方に返送し、この返送された凝縮液を冷
媒液中に設けた液冷却器を通して前記沸騰促進用伝熱体
のそれぞれに供給するようにしたものである。
本発明の更に他の特徴は、基板上に多数の発熱体を搭載
し、この基板を実質的に垂直な状態にして冷媒液中に浸
漬し、前記発熱体の反基板側に隔壁構成部材を準備し、
前記発熱体の冷却によって発生した冷媒蒸気を前記基板
と隔壁構成部材との間を上昇させて冷媒の蒸気層部で凝
縮させ、この凝縮冷媒を前記隔壁構成部材の反基板側に
形成された流路を通って流下させ、その流下させた凝縮
冷媒を前記隔壁構成部材に形成した通路を通して前記発
熱体の部分に供給する半導体の冷却方法にある。
〔作用〕
冷媒液は、集積回路チップ等の発熱体の発生熱により液
相から気相へと相変化する。発生した蒸気の泡は上昇し
、発熱郡全体では上昇流となる。
一方、発熱部上方の凝縮器で凝縮されて液化した冷媒液
は発熱部側にむかって下降流となる。沸騰が効率的に起
こるには発熱部への十分な液供給がなされる必要がある
ため、本発明では発熱部の上昇気液流と凝縮液化した下
降液流とが干渉しない様にし、これら両流路を分離する
ことによって前記発熱部へ冷媒液を戻す。例えば前記両
流路を分離するために隔壁を設けただけでは、沸騰部へ
の冷媒液の供給は隔壁の下端である発熱部最下部だけに
なる。これでは、発熱部上方には下方から蒸気が蓄積さ
れて上昇してくるため、上方はど冷媒液との接触が悪く
なる。そこで、蒸気が部側に逆流して液流を妨げること
なく冷媒液が発熱部に流入できるように複数個の流路を
設け、隔壁最下部のみならず下降液流路の途中からも直
接発熱部への冷媒液供給がされる様にする。これによっ
て、発熱郡全体にねって十分な液供給がなされ、高発熱
時においても発熱体を効果的に冷却することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の具体的実施例を図面により詳細に説明す
る。
第1図は、本発明の一実施例を示す図である。
図において、配線基板上には多数配列された集積回路チ
ップ1が偏平容器2内の下部に設置されている。容器2
内にはC3F14等の冷媒液3が封入され、チップ1は
完全に浸されている。
冷媒液3はチップ1の発熱により沸騰して蒸気の泡とな
り、蒸気流路4を通り容器2上部の凝縮部へ流れる。チ
ップ1には沸騰促進用伝熱体が取り付けられている。凝
縮部には凝縮器5が備えられ、蒸気は、該凝縮器5内を
流れる水と熱交換し、凝縮されて再び液化し、重力によ
り落下して液流路6を通り下部発熱部に戻る。
蒸気流路4と凝縮液流路6とは隔壁7で分離されている
。チップ1の発熱により発生した蒸気の泡は上昇するた
め、発熱郡全体では上昇流となる。
一方、凝縮器5で液化した冷媒液3は重力落下しく16
) た下降流となるが、蒸気流路4と凝縮液流路6は分離さ
れているため互いに干渉することなくスムーズに冷媒液
3の循環が行なわれる。下降して凝熱部に戻ってきた冷
媒液3は、再びチップ1のまわりに供給されて熱を奪う
わけであるが、発熱部全面の蒸気流路4と凝縮液流路6
とを分離する隔壁7には案内流路(案内部材)としてバ
イブ8が設けられており、各バイブ8を通して発熱郡全
体の各チップ1に冷媒液3が供給できるようになってい
る。
第2図を用いて本発明の作用について説明する。
多数配列されたチップ1からの除熱が効率的になされる
には、チップ1に取り付けられた沸騰促進用伝熱体10
において沸騰が効率的に起こる必要がある。すなわち、
沸騰によって生じた蒸気泡11によって該伝熱体10が
包まれて乾かないようにする必要がある。そのためには
、発生した蒸気が速やかに該伝熱体10から離れ、冷媒
液3が該伝熱体10に供給されるように容器内での気液
の循環がスムーズに行なわれる必要がある。気液(]7
) の流れを考えてみると発熱部ではチップ1全部から蒸気
が発生し、蒸気泡11となって上昇するため全体として
激しい上昇流12となり、凝縮液化して発熱部に戻る液
は下降流13になる。気液の流れがスムーズに起こるに
は、上昇流12と下降流13が干渉しないようにする必
要がある。これは、隔壁7によって各流路を分離するこ
とによって達成される。ところが、上方に配列されたチ
ップ1においては、下方からの上昇蒸気泡11が蓄積さ
れて上方のチップ及び伝熱体はど該蒸気泡11におおわ
れて乾きやすくなる。また、隔壁7を設けただけでは、
冷媒液3は隔壁7最下部14からしか流入しないため上
方のチップには冷媒液が十分供給されず、冷却性能が著
しく低下する。
そこで、この実施例では隔壁7に各チップ1に対応して
バイブ8を設けることによって」二カの該伝熱体10へ
も冷媒液3の流入]5を可能にしている。このとき、上
昇気液流12の速度は、下降液流13の速度に比べ極め
て大きく、圧力差によって冷媒液3が蒸気流路4側へ吸
い込まれる。気液流の速度は上方はど速くなり、したが
って、乾きの生じゃいす上方はど冷媒液3がパイプ8を
介して多く吸い込まれ、それぞれの発熱郡全体に効率的
に冷媒液3を供給することができる。パイプ8は該伝熱
体10に向かって斜め上方に向けられており、したがっ
て蒸気泡11が凝縮液流路6側に流入することはなく、
冷媒液の流入15が妨げられることはない。本実施例で
はパイプ8の前記斜め構造により冷媒液の凝縮液流路6
側への逆流防止手段が構成されている。また、パイプ8
を該伝熱体10の根元付近まで届く長さにすることによ
って、温度が高く乾きの生じやすい伝熱体10の根元部
分への冷媒液供給を可能にしている。さらに、第3図に
示したように、パイプ8は下方からの上昇流12をさえ
ぎる作用もあり、伝熱体10を下方からの蒸気泡11で
包まれに<<シている。
したがって、全チップ1が高発熱量であっても沸騰が効
率的に起こり、高い冷却性能が得られる。
また、パイプ8の径及び数を変えることにより、熱積回
路チップ1の発熱量に応じた伝熱性能が得られ、発熱量
の異なるチップ1が混在する場合でも該チップ1の温度
を均一に保つことができる。
第4図に本実施例の効果を示す。曲線Aは、多数配列さ
れた発熱体を偏平容器内で隔壁7を用いないで冷却した
場合の比較例の結果である。曲線Bは、本発明の実施例
によるもので、発熱体と隔壁7との間隙を、該隔壁7を
用いない場合の発熱体と発熱体前面の容器壁との間隙と
同一にして、この隔壁7にパイプ8を設けた場合の結果
で、大幅な性能向上がみられる。
第5図は第2図の例とは別の例を示す。この例では、隔
壁7に液流入用の開孔27を設け、さらに、蒸気泡11
の下降液流13側への逆流を防ぐ爪状部材28が逆流防
止手段として設けられている。これら部材27.28に
より案内部材(案内流路)が構成され、冷媒液3の流入
15が、蒸気泡11の下降流路側への逆流によって妨げ
られることがなくなり、冷媒液は集積回路チップ1が多
数実装されてもすべての該伝熱体10に効果的に供給さ
れ、高い冷却効率が得られる。
第6図に更に他の例を示す。本実施例は、冷却装置に極
薄形の構造が要求される場合に適したものである。冷却
構造を薄形にする場合、チップ1に沸騰促進用伝熱体1
0を取り付けると、第7図に示した如く、該発熱体10
の前面に設けられる冷媒液流路6用のスペースが極めて
小さくなるため該伝熱体10の側方に隔壁7を設ける。
発熱体で発生した蒸気泡11は側方にもまわり込むため
隔壁7によって発熱体側方を上昇流12.下降流13の
各流路4,6に分離する。隔壁7には間隙30が設けら
れ、かつ1発生した蒸気泡11が凝縮液流路6側に逆流
するのを防ぐための爪状部材29が逆流防止手段として
設けられている。これにより、冷媒液3は、蒸気泡11
の逆流に妨げられることなく、すべての該伝熱体10に
スムーズに供給される。さらに、集積回路チップ1の発
熱量に応じて間隔30の大きさ、爪状部材29の隔壁7
とのなす角を変えることにより該伝熱体10の性能を制
御することができる。したがって、すべての該伝熱体1
0で効率よく沸騰がおこり、高い冷却性能が得られるだ
けでなく冷却構造を薄形にすることができ、集積回路チ
ップ1の高密度実装を可能にする。
第8図は第6図の更に他の例を示す。この例では、該伝
熱体10の側方に複数のパイプ状の隔壁31が設けられ
、下降流13と上昇流12とが分離されている。パイプ
状隔壁31には、液供給用パイプ8が、気泡11の逆流
を防ぐため該伝熱体10に向って斜め上方に向って取り
付けられている。この斜め構造により逆流防止手段が構
成されている。
容器上部に設けられた凝縮器5で凝縮された液は、直下
のパイプ状隔壁31の拡大部を通して各発熱部に戻され
る。下降液は、パイプ8を通して、各伝熱体で発生する
蒸気泡11に邪魔されることなくすべての伝熱体に供給
される。これによって、冷媒液の沸騰、蒸発、凝縮、液
戻り、伝熱体への液供給がスムーズに行なわれ、高い冷
却性能が得られるだけでなく、第9図に示した如く冷却
構造の薄型化及びコンパクト化が図れる。
第10図は更に他の例を示す。この例では、該伝熱体1
0が取り付けられた集積回路チップ1を搭載した複数の
配線基板40がバックボード41に取り付けられ、冷媒
液3に浸されている。容器上部には凝縮器5が取り付け
られている。各配線基板40の間隔は、集積回路チップ
1の実装密度を上げるためにできるだけ小さくおさえる
。この場合、該伝熱体10の周囲の冷媒液流路が狭くな
り、配線基板40の最下部14からの液供給だけでは、
配線基板40上部に搭載された該伝熱体10の冷却性能
は著しく低下する。そのため、該伝熱体10に対して斜
め上方(逆流防止手段をなしている)に向かうパイプ8
を備えたパイプ状隔壁31を伝熱体10同士及び配線基
板40とでできる間隙に設け、蒸気流路4と凝縮液流路
6とを分離する。これによって、上昇流12.下降流1
3μは干渉することなく、どの配線基板40に対しても
気液の循環が効率的に行なわれ、かつ該伝熱体10への
基板下部からの液供給14のみならず上方の伝熱体10
へも大量の蒸気泡11に阻止されることなく、パイプ8
を通し冷媒液を供給できる。したがって、高密度実装状
態においても高い冷却性能が得られる。なお、パイプ状
隔壁31の代わりに、第2図、第5図、第6図に示した
流路構造のものとすることもできる。
第11図に更に他の例を示す。この例では、集積回路チ
ップ1に縦横に貫通孔を有する多孔構造沸騰促進用伝熱
体10が取り付けられ、隔壁7によって流路が上昇流1
2と下降流13とに分離されている。該伝熱体10は隔
壁7を貫通し、伝熱体前面は凝縮液流路6に面している
。これにより、冷媒液は、毛細管現象に基づく表面張力
によって直接に該伝熱体10内に、蒸気泡11に妨げら
れることなく流入できる。なお、該伝熱体10内部で発
生する蒸気が逆に凝縮液流路6側へ流出しないようにす
るため、凝縮液流路6に面する先端部の貫通孔の孔径を
他部より小さくして、空隙率を小さくしてもよい。これ
により逆流防止手段を形成することができる。したがっ
て、沸騰、凝縮。
発熱部の液戻り、各伝熱体10への液供給が効率良くな
され、高い冷却性能が得られる。尚、横方向の貫通孔を
水平ではなく、伝熱体10側が上方となる斜めに形成す
れば、この斜め構造により逆流防止手段は一層確実なも
のとなる。
第12図も更に他の例である。本実施例では、集積回路
チップ1に縦横に貫通孔を有する多孔構造の沸騰促進用
伝熱体10が取り付けられ、該伝熱体10内部にまで直
接到達するパイプ8が隔壁7に設けられている。流路は
、隔壁7によって上昇流12.下降流13の各流路に分
離され、冷媒液は、隔壁7に設けられたパイプ8を通し
て該伝熱体10に供給される。そのため、蒸気泡11の
影響を受けることなく効率よく冷媒液が各伝熱体10に
供給される。また、冷媒液は、圧力差によって該伝熱体
10の貫通孔内に吸い込まれる。このとき、冷媒液は、
乾きの生じやすい伝熱体の貫通孔内部に直接供給される
ため、該伝熱体の沸騰伝熱性能の向上に対する液供給の
効果は非常に大きくなる。したがって、すべての集積回
路チップ1に取り付けられた該伝熱体に対してすぐれた
冷動性能が得られる。
本発明装置の更に他の例を第13図〜第18図により説
明する。
まず第13図及び第14図により説明する。基板40の
面上には多数のチップ1が搭載され、各チップ1には多
数の半導体素子が内挿され、基板40内の配線とチップ
1内の素子とが電気的に接続されている。半導体素子が
ONの状態になると、信号のやりとりをして、チップ1
内の半導体素子が発熱する。また、基板40.チップ1
に電気入力を給電するための給電系50も発熱するため
、これも冷却しなければならない。本発明ではこれらを
冷媒液3中に浸漬して、その沸騰によって、チップ1及
び給電系50を冷却する。
チップ1の背面側(基板40と反対側)には沸騰性能を
向上させるために多孔構造の沸騰促進用伝熱体10が装
着されている。伝熱体10の先端側には、その先端に対
向するように間隙をおいて液冷却器51が配置され、基
板40.チップ1、及び液冷却器51の上方には凝縮器
5が配置されている。基板40.チップ1.給電系50
.液冷却器51、及び凝縮器5はチャンバー(容器)5
2内に挿入され、チャンバー52内には、低沸点の冷媒
液3が封入されている。冷媒液3は第14図に示す如く
、液冷却器51と凝縮器5の間に液面が存在する程度に
封入されている。チャンバー52の外部から給電系50
及び基板40への信号、給電等の配線は、例えばハーメ
チックシールなどの機構を用いて行う。その機構は給電
系50の裏側にあるシール板53などに設置する。
シール板53は1枚でもよいが、チャンバー52内の冷
媒液3の圧力が変動する場合があるため、複数枚として
シール板をできるだけ小さく配分すると耐圧的に楽にな
る。シール板固定枠54は0リング55を介してチャン
バー52に固定される。
チャンバー52内が例えば負圧(大気圧よりも低い圧力
)になると、チャンバー52内に空気等が侵入して、凝
縮器5の凝縮性能を低下する恐れがある。そこで図に示
すように、チャンバー52に対してシール板固定枠54
が外側にくるように配置して、0リング55によるシー
ルを行う機構とする。このようにすると、チャンバー5
2内が負圧になると、シール板固定枠54がチャンバー
52内へ押し込まれる構造になっているため、空気など
の侵入を防ぐことができる。給電系50゜基板40、及
びチップ1の配置される広さは、メンテナンス時に、シ
ール板固定枠54をチャンバー52からはずすことによ
り、前記給電源50゜基板40、及びチップ1を共にチ
ャンバー52外へ取り出せるような大きさとしている。
次に、液冷却器51及び凝縮器5の構造について説明す
る。液冷却器51の構造は、例えば銅。
アルミニュームなどの金属性のパイプ56に、例えばア
ルミニュームなどの金属性のフィン57を半田付等によ
って装着したものである。パイプ56内には、チラーな
どから導びがれた冷たい流体が流れる。パイプ56は、
はぼ水平に、基板40に平行になるように配置され、フ
ィン57はパイプ56にほぼ直交するように配置される
。フィン57は、上方側がチップ1に近く、下方側がチ
ップ1から遠ざかるように、基板4oに対して傾斜した
配置としている。また、水平方向各列のフィン群におい
て、チップ1に近い上方側はフィンが粗に、チップ1か
ら遠い下方側はフィンが密になるように構成されている
。この実施例では図に示すように、各列フィン群の下方
側は上方側よりも2倍の密度でフィンが設けられている
凝縮器5は、金属性パイプ58に金属性フィン59を半
田付けして構成されている。
次に作動原理について説明する。半専体索子がONの状
態になり、チップ1が発熱すると、冷媒3が低沸点の液
体であるため、沸騰を開始してチップ1の熱を除去する
。チップ1の表面のみからの沸騰であると、核沸騰によ
る除熱限界が存在するため、それほどの熱をとれない。
せいぜい単位面積当り、20w/cJ程度であり、これ
以上の熱を冷媒液側へ伝えようとすると、チップ1側の
温度が急激に上昇してしまう。チップ1背面側に多孔構
造の伝熱体5を設けておくと、伝熱面積の増加による効
果ばかりでなく、伝熱面から気泡が発生する点、すなわ
ち気泡発生核が飛躍的に増加する効果が相乗し、沸騰性
能が向上して、単位面積当り100W/cJ程度の熱が
とれるようになり、発生する冷媒蒸気量も大幅に増大す
る。
多孔構造の伝熱体10が基板40上に多数搭載された場
合の沸騰性能をまず液冷却器51がない場合について第
15図及び第16図により説明する。基板40の下側か
ら各チップ1をみていくと、下側から2段目、3段目と
上側になるにしたがって、下方のチップ部から発生した
上昇蒸気泡11の液撹拌効果(矢印60)によって伝熱
性能が向上する。ところが更に上段になると、冷媒液3
中の蒸気含有量が増加して、伝熱体10のまわりが冷媒
蒸気でおおわれてしまう。このような状態になると沸騰
性能が低下して、チップ1内の素子温度が上昇し、許容
値を越えてしまう。第15図に示した装置の伝熱性能の
分布状況を第16図に示す。
次に液冷却器51を設置した場合を第17図及び第18
図により説明する。下段チップから発生した蒸気泡が積
算されて増加してゆくと、その蒸気は液冷却器51のフ
ィン57の間を上昇するようになる。パイプ56内には
、冷媒3よりも低い温度の流体を流すので、液冷却器5
1のパイプ56及びフィン57は冷媒3よりも低い温度
になっている。そのため、フィン57間を上昇する冷媒
蒸気(蒸気泡11)は凝縮され、冷媒液自身は蒸気含有
量をそれほど増加させない。更にパイプ56及びフィン
57は冷媒蒸気を凝縮するばかりでなく、冷媒液3を冷
却する。この冷たい冷媒液3を多孔構造の伝熱体10の
まわりに導びくことにより、伝熱体10まわりの冷媒蒸
気を凝縮することも可能になる。本発明においては、液
冷却器51が上下方向に複数設(第13図及び第14図
の例では6段)にわかれている。各段のフィン群はチッ
プ1に近づいている上方側が粗にチップ1から離れてい
る下方側は密に配置されているので、上昇する冷係蒸気
11はフィンが粗(流路面積が大)の部分を第17図の
ように流れる。一方冷媒液3は、前記上昇気泡11のい
わゆるボンピング作用によって、各フィン群下方側の密
(流路面積が小)な部分を矢印61のように流れ、多孔
構造の伝熱体10側へ導びかれる。伝熱体10まわりに
導びかれた冷たい冷媒液3は、伝熱体10の沸騰性能を
より一層向上できる効果がある。更に各段のフィン群で
凝縮しきれない冷媒蒸気は、より上段のフィン群へ導び
かれて凝縮されていき、液冷却器51で凝縮しきれなか
った冷媒蒸気は、チャンバー52内の上方に設けた冷媒
蒸気層部3aへ導びかれ、凝縮器5によって凝縮される
。凝縮器5によって凝縮し、液化した冷媒液は重力落下
して、再び下方の冷媒液層部36へと導びかれる。
この液は液冷却51のフィンが密に配列された側へ矢印
62に示すように流下し、矢印61で示すようにフィン
57間を通って伝熱体10側へ流れていく。このように
、液冷却器51は発生した蒸気泡11の上昇流路と凝縮
した液冷媒3の下降流路とを分離し交通整理する隔壁と
しての働きもあり、この隔壁としても作用する液冷却器
51は凝縮した液冷媒3を更に冷却して伝熱体10へ導
くと共に冷媒液3の逆流防止機能も備えた案内部材(案
内流路)としての作用をも有するものである。
以上説明した実施例の沸騰性能を第18図により説明す
る。この実施例によれば、上段側のチップの部分でも、
冷媒液中の蒸気泡11の含有量が液冷却器51により低
くおさえられるので、高い伝熱性能を維持することがで
きる。
尚、半導体素子の集積度が高まるにしたがって、給電系
50の発熱量も増加するが、本実施例では給電系50も
チャンバー52内に挿入して冷媒液に触れる構造にして
いるので給電源50の表面からも冷媒液は沸騰し、これ
によって給電源をも冷却できる。ここで発生した冷媒蒸
気は上昇して、チャンバ−8上部の凝縮器5において凝
縮液化さ九で、再び下部の冷媒液相部3bへ戻る。更に
、基板40の発熱量も多い場合には、給電系の場合と同
様に、基板40も冷却することができる。
本実施例によれば液冷却器によって発生蒸気泡を凝縮す
るため、集積回路チップ群の上方における冷媒液中の蒸
気含有量を11%さくおさえることができると共に、冷
媒液をも冷却し、その冷たい液を効率よく、チップの背
面に装着された多孔構造の伝熱体まわりに導びくことに
よって、沸騰による冷却性能を高めることができる。
また、本実施例の液冷却器は、パイプ56にフィン57
を取り付けたものであり、フィン間部を冷媒蒸気及び冷
媒液が流れるため、伝熱性能を大きくとれ、冷媒蒸気の
凝縮性能、冷媒液の冷却性能を高めることができる。そ
して、フィンの板はほぼ垂直に配置されているため、フ
ィン間を冷媒蒸気及び冷媒液がスムーズに流れることが
できる。
さらに本発明では、各段の液冷却器で冷媒蒸気を凝縮す
るが、全ての蒸気を各段部冷却器で保持して凝縮すると
いうのではなく、残った蒸気を上方の段の液冷却器、さ
らに上方に設けた凝縮器へと尊くものであるので、常に
チップが搭載された全範囲にわたって、上昇蒸気泡の液
撹拌効果を有効に働らかすことができる。また、このよ
うな構造であるため、上昇蒸気泡が液冷却器部に保持。
停滞されることがなく、チップの発熱量が増大しく34
) て、発生蒸気泡が増加しても、液冷却器の伝熱性能を低
下させることはない。
更にまた、給電系及び基板も同時に、冷媒を封入したチ
ャンバー内に挿入するため、半導体素子の高集積化が進
んで給電源、基板部における発熱量が増加した場合では
、冷媒液の沸騰によって冷却することができる。
また、シール板固定枠54とチャンバー52から取り出
すことによって、給電源50.基板40゜チップ1など
も同時に取り出すことができ、メンテナンスなども容易
になる効果がある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、隔壁によって蒸気の上昇流路と、凝縮
液の下降流路とを分離し、更に逆流防止手段を備えた流
路から返送された凝縮液すなわち冷媒液を各伝熱体の各
々に供給するようにしたので、容器内の気液流の循環が
スムーズになされるとともに、冷媒液との接触が蒸気泡
によって悪くなる部分への冷媒液供給が可能となり、小
形でかつ冷却性能の高い半導体冷却装置を得ることかで
きる。
また、液冷却器を設けるにようしたものでは、その液冷
却器によって発生蒸気泡の一部を凝縮するため、上方の
発熱体(チップ)の部分における冷媒液中の蒸気含有量
を小さくおさえることかできる。さらに、液冷却器によ
って冷媒液も冷却でき、低温の冷媒液を効率よく発熱体
背面に導くことができる。また、パイプにフィンを取り
付けた構造の液冷却器では、フィン間を冷媒蒸気及び冷
媒液が流れるため、伝熱性能を大きくとれ、冷媒蒸気の
凝縮性能、冷媒液の冷却性能を高めることができる。こ
れらの結果、発生蒸気泡の一部を冷    −媒液中で
凝縮させ、残りを上方に逃して上方の冷媒蒸気層部で凝
縮させると共に、飽和温度よりも過冷却された冷媒液を
各LSIチップ部に導くことができ、冷却性能を大幅に
向上できる効果かある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体冷却装置の一部切欠き斜視
図、第2図は第1図の要部断面図、第3図は第2図のm
−m線断面図、第4図は効果説明図、第5図及び第6図
はそれぞれ異なる他実施例の要部断面図と要部正面図、
第7図は第6図の■−■断面図、第8図は他の実施例の
要部正面図、第9図は第8図のIX−IX線断面図、第
10図は他実施例の正面図、第11図及び第12図はそ
れぞれ異なる他実施例の断面図、第13図は本発明の更
に他の実施例を示す一部切欠き斜視図、第14図は第1
3図の実施例の側断面図、第15図は液冷却器がない場
合の発生冷媒蒸気の動作を説明する要部断面図、第16
図は第15図の装置の場合の伝熱性能の分布状況を示す
線図、第17図は第13図に示す実施例における発生冷
媒蒸気の動作を説明する要部断面図、第18図は第13
図及び第17図に示す実施例における伝熱性能の分布状
況を示す線図である。 1・・・発熱体(集積回路チップ)、2・・・容器、3
・・・冷媒液、5・・・凝縮器、7・・・隔壁、8・・
・パイプ(案内部材)、10・・・沸騰促進用伝熱体、
27.28・・・案内部材または案内流路(27・・・
開孔、28・・・爪状部材)、40・・・配線基板、5
0・・・給電系、年2菌 弓 ■1 s     to     ts    2゜洗熟度(
発炒記紀し入渠) μ vrr、 −口 IX 、−。 扇15図 堝 1′7  口 葛 1? 図 8皺

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、冷媒液を封入した容器と、半導体素子を複数個搭載
    し前記容器の冷媒液中に浸された基板と、前記容器内の
    上部に設けられ発生した冷媒蒸気を凝縮させる凝縮器と
    、前記半導体素子を冷却することによつて発生した冷媒
    蒸気が上昇する流路と前記凝縮器によつて凝縮された冷
    媒液が下降する流路とを分離するための分離手段と、該
    分離手段に複数設けられ前記凝縮冷媒を前記半導体素子
    側に送る案内手段とを備えた半導体冷却装置。 2、特許請求の範囲第1項において、前記案内手段は、
    その半導体素子側が反半導体素子側よりも高位置となる
    ように構成してなる半導体冷却装置。 3、特許請求の範囲第2項において、前記案内手段はそ
    れぞれの半導体素子に対応させて設けていることを特徴
    とする半導体冷却装置。 4、半導体素子を複数個搭載した基板を冷媒液を封入し
    た容器内に浸して該冷媒液の沸騰によつて半導体素子の
    熱を吸収し、発生した蒸気を該容器上方に設けられた凝
    縮器で凝縮させて容器下方に返送する半導体冷却装置に
    おいて、前記半導体素子に設けられた沸騰促進用伝熱体
    と、前記蒸気の流路と凝縮液の流路とを分離する隔壁と
    、該隔壁に設けられ前記凝縮液を前記半導体素子側に送
    る案内流路とを備えた半導体冷却装置。 5、特許請求の範囲第4項において、前記案内流路には
    、半導体素子側から反半導体素子側へ向う流れを防止す
    る逆流防止手段を備えている半導体冷却装置。 6、特許請求の範囲第4項において、前記案内流路の先
    端出口が各沸騰促進用伝熱体の下部位置である半導体冷
    却装置。 7、特許請求の範囲第5項において、逆流防止手段は、
    流路をパイプ状にすると共に、この流路が沸騰促進用伝
    熱体に向つて斜め上方にして形成したものである半導体
    冷却装置。 8、特許請求の範囲第5項において、逆流防止手段は、
    隔壁に開孔又は間隙として形成された案内流路の下端か
    ら沸騰促進用伝熱体に向つて斜め上方に形成されたガイ
    ド片である半導体冷却装置。 9、特許請求の範囲第5項において、案内流路の流量は
    上方のものが多くなるようにした半導体冷却装置。 10、特許請求の範囲第4項において、隔壁は沸騰促進
    用伝熱体と、この伝熱体の前面の対向する壁との間に設
    けられている半導体冷却装置。 11、特許請求の範囲第4項において、隔壁は各沸騰促
    進用伝熱体の側方に設けられている半導体冷却装置。 12、冷媒液を封入した容器と、基板に搭載され前記容
    器の冷媒液中に浸された複数個の発熱部材と、この発熱
    部材に装着され縦横に多数の貫通孔が形成されている沸
    騰促進用伝熱体と、前記容器内の上部に設けられ発生し
    た冷媒蒸気を凝縮させる凝縮器と、前記発熱部材を冷却
    することによつて発生した冷媒蒸気が上昇する流路と前
    記凝縮器によつて凝縮された冷媒液が下降する流路とを
    区切るための手段と、該区切り手段に設けられ前記凝縮
    冷媒を前記発熱部材側に送る案内手段とを備えた発熱部
    材の冷却装置。 13、特許請求の範囲第12項において、冷媒蒸気の上
    昇流路と凝縮冷媒液の下降流路とを区切る手段は隔壁で
    あり、前記案内手段は前記隔壁に設けられたパイプによ
    り構成されている発熱部材の冷却装置。 14、特許請求の範囲第13項において、パイプの先端
    を沸騰促進伝熱体の内部に到達させた発熱部材の冷却装
    置。 15、冷媒液を封入した容器と、基板に搭載され前記容
    器の冷媒液中に浸された複数個の半導体素子と、前記容
    器内の上部に設けられ発生した冷媒蒸気を凝縮させる凝
    縮器と、前記半導体素子を冷却することにより発生した
    冷媒蒸気が上昇する流路と前記凝縮器により凝縮された
    冷媒液が下降する流路とを区切るための手段と、縦横に
    多数の貫通孔を有し一端が前記半導体素子に装着され他
    端が前記区切り手段を貫通して凝縮冷媒液側に設けられ
    た沸騰促進用伝熱体とを備えた半導体冷却装置。 16、特許請求の範囲第15項において、前記沸騰促進
    用伝熱体は、その貫通孔の大きさが、凝縮冷媒液側で他
    の部分よりも小さくした半導体冷却装置。 17、基板上に複数個の発熱体を搭載し、これを容器内
    に封入された冷媒液中に浸漬して冷却する装置において
    、前記発熱体に関し前記基板とは反対側の冷媒液中に、
    上下方向に複数個配置された液冷却器と、前記容器の上
    方に設けられた凝縮器とを設け、それによつて前記各発
    熱体から発生した冷媒蒸気の1部を前記液冷却器により
    凝縮し、この凝縮された冷媒液を、各液冷却器の間から
    、各発熱体へ導びくと共に、前記液冷却器において冷却
    しきれなかつた冷媒蒸気を容器上部に設けた凝縮器によ
    り凝縮することを特徴とする半導体冷却装置。 18、特許請求の範囲第17項において、前記各液冷却
    器は、冷却流体が通るパイプと、このパイプに取付けら
    れかつ垂直方向に配置されたフィンとを備え、発熱体に
    より発生した冷却蒸気が前記フィン間を通過する構成と
    した半導体冷却装置。 19、特許請求の範囲第18項において、各液冷却器に
    おけるフィンは、上方側が発熱体に近く、下方側が発熱
    体から遠ざかるように配置され、かつ発熱体に近い上方
    側はフィンが粗に、発熱体から遠い下方側はフィンが密
    に構成されている半導体冷却装置。 20、冷媒液を封入した容器と、発熱体を複数個搭載し
    前記容器の冷媒液中に浸された基板と、前記容器内上部
    の冷媒蒸気層部に設けられた凝縮器と、前記発熱体に関
    し前記基板とは反対側の冷媒液中に上下方向に複数個配
    置して設けられかつ冷却流体が通るパイプとこのパイプ
    に取付けられた多数のフィンとをもつ液冷却器とを備え
    、前記液冷却器のフィンは垂直方向に配置されると共に
    、各フィンの上方側は発熱体に近く、下方側は発熱体か
    ら遠ざかるように配置され、かつ発熱体に近い上方側は
    フィンを粗に、発熱体から遠い下方側はフィンを密に構
    成した半導体冷却装置。 21、冷媒液を封入した容器と、半導体チップを複数個
    搭載し前記容器の冷媒液中に浸された基板と、前記容器
    の冷媒液中に浸されかつ前記基板および半導体チップに
    給電する給電系と、前記容器内上部の冷媒蒸気層部に設
    けられた凝縮器と、前記発熱体に関し、前記基板とは反
    対側の冷媒液中に上下方向に複数個配置して設けられか
    つ冷却流体が通るパイプとこのパイプに取付けられた多
    数のフィンとをもつ液冷却器とを備え、前記容器はシー
    ル板とこのシール板の固定枠を有し、前記給電系及び基
    板を前記シール板固定枠よりも小さく構成し、シール板
    固定枠を容器から取外すことにより前記給電系及び基板
    を容器外へ取り出せる構成とした半導体冷却装置。 22、特許請求の範囲第21項において、半導体チップ
    の裏面に多孔構造の沸騰促進用伝熱体を装着した半導体
    冷却装置。 23、特許請求の範囲第21項において、前記液冷却器
    のフィンを垂直方向に配置すると共に、各フィンの上方
    側をチップに近く、下方側をチップから遠ざけるように
    配置し、かつチップに近い上方側はフィンを粗に、チッ
    プから遠い下方側はフィンを密に構成した半導体冷却装
    置。 24、基板上に多数の発熱体を搭載し、この基板を実質
    的に垂直な状態にして冷媒液中に浸漬し、前記発熱体の
    反基板側に隔壁構成部材を準備し、前記発熱体の冷却に
    よつて発生した冷媒蒸気を前記基板と隔壁構成部材との
    間を上昇させて冷媒の蒸気層部で凝縮させ、この凝縮冷
    媒を前記隔壁構成部材の反基板側に形成された流路を通
    つて流下させ、その流下させた凝縮冷媒を前記隔壁構成
    部材に形成した通路を通して前記発熱体の部分に供給す
    る半導体の冷却方法。 25、基板上に多数の発熱体を搭載し、この基板を実質
    的に垂直な状態にして冷媒液中に浸漬し、前記発熱体の
    反基板側の冷媒液中に上下方向に多数のフィンをもつ複
    数の液冷却器を準備し、前記発熱体の冷却によつて発生
    した冷媒蒸気を前記液冷却器のフィン間を通過させてそ
    の一部を凝縮し、冷媒蒸気の残りを冷媒の蒸気層部で凝
    縮させ、この凝縮冷媒を前記液冷却器のフィン間を通過
    させて冷却した後前記発熱体の部分に供給する半導体の
    冷却方法。
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