JPH01102977A - 半導体レーザの評価方法 - Google Patents
半導体レーザの評価方法Info
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- JPH01102977A JPH01102977A JP26058287A JP26058287A JPH01102977A JP H01102977 A JPH01102977 A JP H01102977A JP 26058287 A JP26058287 A JP 26058287A JP 26058287 A JP26058287 A JP 26058287A JP H01102977 A JPH01102977 A JP H01102977A
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- laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ＩＩ要〕
超大容量・高速光通信システムに適した分布帰還型半導
体レーザに関し、 直接変調される分布帰還型半導体レーザの光パルスの過
渡状態における振舞いを測定して分布帰還型半導体を評
価することを目的とし、゛分布帰還型半導体レーザに、
緩和振動の一発目の光パルスのみを生じさせる電流を印
加することにより得た光パルスを観測することにより、
分布帰還型半導体レーザを評価することにある。
体レーザに関し、 直接変調される分布帰還型半導体レーザの光パルスの過
渡状態における振舞いを測定して分布帰還型半導体を評
価することを目的とし、゛分布帰還型半導体レーザに、
緩和振動の一発目の光パルスのみを生じさせる電流を印
加することにより得た光パルスを観測することにより、
分布帰還型半導体レーザを評価することにある。
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザに関し、特に、超大容量・高速光
通信システムに適した分布帰還型半導体レーザに関する
。本発明をより特定すれば、上記半導体レーザの光パル
スを観測して評価する方法に関する。
通信システムに適した分布帰還型半導体レーザに関する
。本発明をより特定すれば、上記半導体レーザの光パル
スを観測して評価する方法に関する。
今日、光通信は急速に普及しつつある。現在、広く実用
化されていｔ光通信のビットレートは・数百メガピット
台である。この光通信では、埋込み型（ＢＨ）レーザが
広く用いられている。また、ビットレートがギガビット
台の超大容覆・高速光通信も広く研究されている。この
ギガビット台のビットレートを達成するためには、半導
体レーザは単一波長（単一モード）で発振することが要
求される。分布帰還型半導体レーザ（以下、ＤＦＢレー
ザという）は、この種のレーザの１つである。
化されていｔ光通信のビットレートは・数百メガピット
台である。この光通信では、埋込み型（ＢＨ）レーザが
広く用いられている。また、ビットレートがギガビット
台の超大容覆・高速光通信も広く研究されている。この
ギガビット台のビットレートを達成するためには、半導
体レーザは単一波長（単一モード）で発振することが要
求される。分布帰還型半導体レーザ（以下、ＤＦＢレー
ザという）は、この種のレーザの１つである。
ＤＦＢレーザは回折格子をヘテロ結合の界面に具備して
いる。
いる。
このＤＦＢレーザは直接変調で用いる。この変調は高速
で行なわれるため、定常（ＣＷ）発振では予想し得ない
発振スペクトルの発生が予期される。このような発振ス
ペクトルは、伝送特性を劣化させる原因となる。従って
、直接変調時の発振スペクトルの詳しい解析は重要であ
る。
で行なわれるため、定常（ＣＷ）発振では予想し得ない
発振スペクトルの発生が予期される。このような発振ス
ペクトルは、伝送特性を劣化させる原因となる。従って
、直接変調時の発振スペクトルの詳しい解析は重要であ
る。
一般に、ＤＦＢレーザの定常発振でのスペクトルの振舞
いは広く研究されている。これに対し、直接変調時での
発振スペクトルは、以下に詳述する緩和振動している過
渡状態と定常状態とに分けることができる。従来方法で
は、この２つの状態が混在した光スペクトルを測定して
いる。
いは広く研究されている。これに対し、直接変調時での
発振スペクトルは、以下に詳述する緩和振動している過
渡状態と定常状態とに分けることができる。従来方法で
は、この２つの状態が混在した光スペクトルを測定して
いる。
（従来の技術〕
第６図は、従来のＤＦＢレーザの評価方法の説明図であ
る。ＤＦＢレーザに、第６図（Ａ）に示す矩形パルスを
印加する。ＤＦＢレーザからは、第６図（Ｂ）に示す光
波形が得られる。図中、１０で示す波形部分は緩和振動
を示し、１２で示す波形部分は定常状態を示す。緩和振
動は、ＤＦＢレーザの活性層のキャリアがゆれているこ
とにより発生する。また定常状態では、しきい値キャリ
ア密度は固定されており、これに対応する波長で発振す
る。緩和振動では、活性層にキャリアがたまると屈折率
が下がり、第６図（Ｃ）に示すように短波長から発振を
開始し、波長が次第に長くなって行く。そして、定常状
態になると、一定波長のＤＦＢモードで発振する。
る。ＤＦＢレーザに、第６図（Ａ）に示す矩形パルスを
印加する。ＤＦＢレーザからは、第６図（Ｂ）に示す光
波形が得られる。図中、１０で示す波形部分は緩和振動
を示し、１２で示す波形部分は定常状態を示す。緩和振
動は、ＤＦＢレーザの活性層のキャリアがゆれているこ
とにより発生する。また定常状態では、しきい値キャリ
ア密度は固定されており、これに対応する波長で発振す
る。緩和振動では、活性層にキャリアがたまると屈折率
が下がり、第６図（Ｃ）に示すように短波長から発振を
開始し、波長が次第に長くなって行く。そして、定常状
態になると、一定波長のＤＦＢモードで発振する。
第７図は、ＤＦＢレーザの波長と利得の関係（ゲインカ
ーブ）を示す図である。定常状態では、図の曲線（＋に
示すＤＦＢモードで発振する。この状態でＤＦＢレーザ
にキャリアが注入される（直接変調）と、曲ＩＩ Ｇ
＋はＣ２の、ように変化する。そして、ファブリペロモ
ード（ＦＰ：Ｅ−ド）のしきいＷＩＴＨを越えると、Ｄ
ＦＢモードとは波長の異なるＦＰモードでも発振するよ
うになる（マルチモード）。この様子を第６図（Ｄ）に
示す。このＦＰモード発振は伝送特性を劣化させる。
ーブ）を示す図である。定常状態では、図の曲線（＋に
示すＤＦＢモードで発振する。この状態でＤＦＢレーザ
にキャリアが注入される（直接変調）と、曲ＩＩ Ｇ
＋はＣ２の、ように変化する。そして、ファブリペロモ
ード（ＦＰ：Ｅ−ド）のしきいＷＩＴＨを越えると、Ｄ
ＦＢモードとは波長の異なるＦＰモードでも発振するよ
うになる（マルチモード）。この様子を第６図（Ｄ）に
示す。このＦＰモード発振は伝送特性を劣化させる。
しかしながら、上記従来のＤＦＢレーザの評価方法では
、緩和振動１０の過渡状態と定常状態１２が混った状態
の光出力を観測するため、過渡状態の発振スペクトルの
振舞いをはっきり把握することができないという問題点
があった。
、緩和振動１０の過渡状態と定常状態１２が混った状態
の光出力を観測するため、過渡状態の発振スペクトルの
振舞いをはっきり把握することができないという問題点
があった。
第８図（Ａ）は伝送特性で不良だったＤＦＢレーザの発
振スペクトルを示し、第８図（Ｂ）は伝送特性で良かっ
たＤＦＢレーザの発振スペクトルを示す。図中、１４及
び１８はＤＦ８モードの発振スペクトル、１６及び２０
はＦＰモードの発振スペクトルを示す。両図を比較して
も、ＦＰモードの発振スペクトルにほとんど差がない。
振スペクトルを示し、第８図（Ｂ）は伝送特性で良かっ
たＤＦＢレーザの発振スペクトルを示す。図中、１４及
び１８はＤＦ８モードの発振スペクトル、１６及び２０
はＦＰモードの発振スペクトルを示す。両図を比較して
も、ＦＰモードの発振スペクトルにほとんど差がない。
従って、第８図（Ａ）の発振スペクトルを示すＤＦＢレ
ーザは伝送特性を劣化させるものであるにもかかわらず
良品と評価されてしまう。
ーザは伝送特性を劣化させるものであるにもかかわらず
良品と評価されてしまう。
従って、本発明は上記問題点を解決し、直接変調される
ＤＦＢレーザの光パルスの過渡状態における振舞いを測
定して、ＤＦＢレーザを評価することを目的とする。
ＤＦＢレーザの光パルスの過渡状態における振舞いを測
定して、ＤＦＢレーザを評価することを目的とする。
本発明は、ＤＦＢレーザに緩和振動の一発目の光パルス
のみを生じさせる電流を印加することにより得た光パル
スを観測するよう槙成される。この光パルスは、例えば
ＤＦＢレーザのバイアスを第６図の時より下げることに
より得られる。
のみを生じさせる電流を印加することにより得た光パル
スを観測するよう槙成される。この光パルスは、例えば
ＤＦＢレーザのバイアスを第６図の時より下げることに
より得られる。
ＤＦＢレーザからは緩和振動のみに対応した光パルスが
得られるので、過渡状態での発振スペクトルの振舞いを
明確に知ることができ、ＤＦＢレーザの伝送特性の評価
を精度良く行なうことができる。
得られるので、過渡状態での発振スペクトルの振舞いを
明確に知ることができ、ＤＦＢレーザの伝送特性の評価
を精度良く行なうことができる。
〔実施例〕
第１１ｉ！Ｉは本発明の一実施例のブロック構成図であ
る。
る。
同図において、伝送特性測定用のパルスパターン発生器
２２は、端子Ｔ１を介して、ＤＦ８レーザ２４に緩和振
動の一発目の光パルスのみを生じさせる直流バイアス電
流とこれに重畳された電気パルスを印加する。この直流
バイアス電流は、第６図のバイアスに対し、バイアスを
下げることにより得られる。また、電気パルスはサイン
波や矩形波を用いる。抵抗ＲはＤＦＢレーザとマツチン
グ（例えば５０Ω）をとるための抵抗（例えば４５Ω）
である。パルスパターン発生器２２はまた、端子Ｔ２を
介してストリークカメラ３８にトリガ用のクロック−（
例えば８０ＭＨｚ ）を出力する。
２２は、端子Ｔ１を介して、ＤＦ８レーザ２４に緩和振
動の一発目の光パルスのみを生じさせる直流バイアス電
流とこれに重畳された電気パルスを印加する。この直流
バイアス電流は、第６図のバイアスに対し、バイアスを
下げることにより得られる。また、電気パルスはサイン
波や矩形波を用いる。抵抗ＲはＤＦＢレーザとマツチン
グ（例えば５０Ω）をとるための抵抗（例えば４５Ω）
である。パルスパターン発生器２２はまた、端子Ｔ２を
介してストリークカメラ３８にトリガ用のクロック−（
例えば８０ＭＨｚ ）を出力する。
コリメータレンズ２６ａはＤＦＢレーザ２４からの光を
平行光線とし、アイソレータ２８及び集光レンズ２６ｂ
を介して単一モード光ファイバ４０８に与える。チャネ
ルセレクタ３０は光ファイバ４０ａと、単一モード光フ
ァイバ４０ｂ。
平行光線とし、アイソレータ２８及び集光レンズ２６ｂ
を介して単一モード光ファイバ４０８に与える。チャネ
ルセレクタ３０は光ファイバ４０ａと、単一モード光フ
ァイバ４０ｂ。
４０Ｃ及び４０Ｇとを切換えて接続する。
光パワーメータ３２は、光ファイバ４０Ｇからの光パル
スの強度を測゛定する。光スペクトルアナライザ３４は
、光ファイバ４０Ｇからの光パルスのスペクトルを測定
する。分光器３６は、光ファイバ４０ｄからの光パルス
を分光する。ストリークカメラ３８は分光された光パル
スを撮影する。
スの強度を測゛定する。光スペクトルアナライザ３４は
、光ファイバ４０Ｇからの光パルスのスペクトルを測定
する。分光器３６は、光ファイバ４０ｄからの光パルス
を分光する。ストリークカメラ３８は分光された光パル
スを撮影する。
次に、動作を説明する。
まず、パルスパターン発生器２２から抵抗Ｒを介して、
ＤＦＢレーザ２４に通常のバイアス状態で電気パルスを
印加する。この電気パルスを第３１１（Ａ）に示す。図
示する電気パルスは矩形波である。これにより発振した
ＤＦＢレーザ２４の光パルスはコリメータレンズ２６ａ
、アイソレータ２８、集光し・ンズ２６ｂ１光ファイバ
４０ａ、チャネルセレクタ３０及び光ファイバ４０ｃを
介して光パワーメータ３２に送られる。そして、光パワ
ーメータ３２で光パルスの強度が最大となるように、光
フフイバ４０ａの輪合わせを行なう。
ＤＦＢレーザ２４に通常のバイアス状態で電気パルスを
印加する。この電気パルスを第３１１（Ａ）に示す。図
示する電気パルスは矩形波である。これにより発振した
ＤＦＢレーザ２４の光パルスはコリメータレンズ２６ａ
、アイソレータ２８、集光し・ンズ２６ｂ１光ファイバ
４０ａ、チャネルセレクタ３０及び光ファイバ４０ｃを
介して光パワーメータ３２に送られる。そして、光パワ
ーメータ３２で光パルスの強度が最大となるように、光
フフイバ４０ａの輪合わせを行なう。
次に、チャネルセレクタ３０ｂを光フアイバ４０ｄ側に
切替える。この状態で、パルスパターン発生器２２は、
オフセットにより直流バイアス電流を下げた状態で、電
気パルスをＯＦＢレーザ２４に印加する。これにより、
ＤＦ８レーザ２４は第３図（Ｂ）（示すように、緩和振
動１０が第６図（Ｂ）にくうべ実時間で連れ、かつ定常
状態のない、すなわち、緩和振動のみの光パルスを出力
する。このときの波長の変動を第３図（Ｃ）に示す二図
示するように、緩和振動１０に対応して、波長は短波長
から長波長側へ変化している。定常状態での発ｓ猛励起
されないので、第６ｍ！１（Ｃ）に示すような被〜長一
定の領域は見られない。以上の状！Ｊｌ＄：ＯＦＢレー
ザ２４がなりたこ−とを、ストリークカメラ３８で撮影
して確認する。第３図（Ｄ）は撮影結果を示す。すなわ
ち、図示するように、ＦＰモードが発生していることを
確ｉ！する。
切替える。この状態で、パルスパターン発生器２２は、
オフセットにより直流バイアス電流を下げた状態で、電
気パルスをＯＦＢレーザ２４に印加する。これにより、
ＤＦ８レーザ２４は第３図（Ｂ）（示すように、緩和振
動１０が第６図（Ｂ）にくうべ実時間で連れ、かつ定常
状態のない、すなわち、緩和振動のみの光パルスを出力
する。このときの波長の変動を第３図（Ｃ）に示す二図
示するように、緩和振動１０に対応して、波長は短波長
から長波長側へ変化している。定常状態での発ｓ猛励起
されないので、第６ｍ！１（Ｃ）に示すような被〜長一
定の領域は見られない。以上の状！Ｊｌ＄：ＯＦＢレー
ザ２４がなりたこ−とを、ストリークカメラ３８で撮影
して確認する。第３図（Ｄ）は撮影結果を示す。すなわ
ち、図示するように、ＦＰモードが発生していることを
確ｉ！する。
次に、チャネルセレクタ３０を光ファイバ４０ｂ側に切
替え、ＤＦＢレーザ２４の発振スペクトルをｍｌ測する
。
替え、ＤＦＢレーザ２４の発振スペクトルをｍｌ測する
。
第４図（Ａ）及び（８）は、２つのＤＦＢレーザの発振
スペクトルを示す図である。同図（Ａ）は伝送特性を劣
化させる不良品のＤＦＢレーザであり、同図（Ｂ）は良
品のＤＦＢレーザである。
スペクトルを示す図である。同図（Ａ）は伝送特性を劣
化させる不良品のＤＦＢレーザであり、同図（Ｂ）は良
品のＤＦＢレーザである。
図中、４２及び４６はＤＦＢモードの発振スペクトル、
４４及び４８はＦＰモードの発振スペクトルである。両
図を比較すると、不良品と良品とでは、ＦＰモードの発
振スペクトルの様子が異なる。
４４及び４８はＦＰモードの発振スペクトルである。両
図を比較すると、不良品と良品とでは、ＦＰモードの発
振スペクトルの様子が異なる。
すなわち、不良品のＦＰモードの発振スペクトルはその
深さｄが大であるのに対し、良品では極めて小さい。従
りて、このＦＰモードの深さｄに基づき、良品か不良品
かを判定することができる。
深さｄが大であるのに対し、良品では極めて小さい。従
りて、このＦＰモードの深さｄに基づき、良品か不良品
かを判定することができる。
第５ＷＪはＦＰモードの深さｄとピットエラー率との剖
検を示す図である。ＩＷ４示するように、ＦＰモードの
深さｄが４ｄＢ以下ではピットエラー率は１ｏ１１以下
におさまる。従って、上述した発振スペクトルを解析し
て、Ｆ、Ｐモードの深さｄが４ｄＢ以下のときはＤＦＢ
レーザは良品であり、４ｄＢを越えるときは伝送特性を
劣化させる不良品であると評価することができる。
検を示す図である。ＩＷ４示するように、ＦＰモードの
深さｄが４ｄＢ以下ではピットエラー率は１ｏ１１以下
におさまる。従って、上述した発振スペクトルを解析し
て、Ｆ、Ｐモードの深さｄが４ｄＢ以下のときはＤＦＢ
レーザは良品であり、４ｄＢを越えるときは伝送特性を
劣化させる不良品であると評価することができる。
第２図はＤＦＢレーザ駆動回路の一例を示す。
上記実施例ではオフセットによりバイアスを調整してい
たが、これに代えて図示する回路によりＤＦＢレーザ２
４を駆動することができる。５２からパルス信号を印加
して、５４から直流バイアスを加える。コイルしは５４
にパルス電流が流れないためで、コンデンサＣは直流電
流が５２方向に流れないためである。更に、別の構成例
として、コムジェネレータから出力されるくし状の電気
パルスを印加しても、第３図（Ｂ）に示す光パルスが得
られる。（市販のバイアスインサージョンユニット（ヒ
ユーレットバラカード社）である）。
たが、これに代えて図示する回路によりＤＦＢレーザ２
４を駆動することができる。５２からパルス信号を印加
して、５４から直流バイアスを加える。コイルしは５４
にパルス電流が流れないためで、コンデンサＣは直流電
流が５２方向に流れないためである。更に、別の構成例
として、コムジェネレータから出力されるくし状の電気
パルスを印加しても、第３図（Ｂ）に示す光パルスが得
られる。（市販のバイアスインサージョンユニット（ヒ
ユーレットバラカード社）である）。
以上説明したように、本発明によれば、ＤＦＢレーザに
緩和振動の一発目の光パルスのみを生じさせる電流を印
加することにより、ＤＦＢレーデの過渡状態における発
振スベクｉ・ルを観測して伝送特性を精度良く評価する
ことができる。
緩和振動の一発目の光パルスのみを生じさせる電流を印
加することにより、ＤＦＢレーデの過渡状態における発
振スベクｉ・ルを観測して伝送特性を精度良く評価する
ことができる。
第１図は本発明の一実施例のブロック図、第２図はＤＦ
Ｂレーザの駆動回路の一構成例を示す図、 第３図は本実施例の説明図、 第４図は本実施例で得られた発掘スペクトルを示す図、 第５図はＦＰモードの深さとビットエラー率との関係を
示ず図、 第６図は従来方法の説明図、 第７図はＤＦＢレーザの波長と利得の関係を示す図、及
び 第８図は従来方法で得られた発振スペクトルを示す図で
ある。 図において、 １０は緩和振動、 １２は定常状態、 ２２はパルスパターン発生器、 ２４はＤＦＢレーザ、 ２６ａはコリメータレンズ、 ２６ｂは集光レンズ、 ２８はアイソレータ、 ３０はチャネルセレクタ、 ３２は光パワーメータ、 ３４は光スペクトルアナライザ、 ３６は分光器、 ３８はストリークカメラ、 ４０８〜４０ｄは光ファイバー、 ４２．４６はＤＦＢモードの発振スペクトル、４４．４
８はＦＰモードの発振スペクトルを示す。 本発明の一実施例のブロック構成図 。 第１図 ＯＦＢレーザ駆動回路 第２図 ＯＦＢレーザの波長と利得の関係図 第７図 （Ｃ） （Ｃ）従来方法の説
明図 本発明の詳細な説明図第６図 第３図 波長 ５ｎｍ／１ｉｖ （Ａ） 波長 ５ｎｒｎ／ｄｌｖ 本実施例で得られた発振スペクトルを示す図第４図 ＦＰモードの深さ （ｄＢ） 第５図
Ｂレーザの駆動回路の一構成例を示す図、 第３図は本実施例の説明図、 第４図は本実施例で得られた発掘スペクトルを示す図、 第５図はＦＰモードの深さとビットエラー率との関係を
示ず図、 第６図は従来方法の説明図、 第７図はＤＦＢレーザの波長と利得の関係を示す図、及
び 第８図は従来方法で得られた発振スペクトルを示す図で
ある。 図において、 １０は緩和振動、 １２は定常状態、 ２２はパルスパターン発生器、 ２４はＤＦＢレーザ、 ２６ａはコリメータレンズ、 ２６ｂは集光レンズ、 ２８はアイソレータ、 ３０はチャネルセレクタ、 ３２は光パワーメータ、 ３４は光スペクトルアナライザ、 ３６は分光器、 ３８はストリークカメラ、 ４０８〜４０ｄは光ファイバー、 ４２．４６はＤＦＢモードの発振スペクトル、４４．４
８はＦＰモードの発振スペクトルを示す。 本発明の一実施例のブロック構成図 。 第１図 ＯＦＢレーザ駆動回路 第２図 ＯＦＢレーザの波長と利得の関係図 第７図 （Ｃ） （Ｃ）従来方法の説
明図 本発明の詳細な説明図第６図 第３図 波長 ５ｎｍ／１ｉｖ （Ａ） 波長 ５ｎｒｎ／ｄｌｖ 本実施例で得られた発振スペクトルを示す図第４図 ＦＰモードの深さ （ｄＢ） 第５図
Claims (2)
- （１）分布帰還型半導体レーザに、緩和振動の一発目の
光パルスのみを生じさせる電流を印加することにより得
た光パルスを観測することにより、前記分布帰還型半導
体レーザを評価することを特徴とする半導体レーザの評
価方法。 - （２）前記緩和振動の一発目のみを生じさせる電流は、
前記分布帰還型半導体レーザのバイアス電流を下げるこ
とにより得られることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の半導体レーザの評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26058287A JPH01102977A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 半導体レーザの評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26058287A JPH01102977A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 半導体レーザの評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102977A true JPH01102977A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=17349946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26058287A Pending JPH01102977A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 半導体レーザの評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01102977A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005217011A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの検査方法および検査装置 |
| JP2006203099A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積デバイス |
| JP2010165416A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Sony Corp | 光ディスク再生装置及び光ディスク再生方法 |
| CN113252951A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-08-13 | 陕西开尔文测控技术有限公司 | 减小半导体测试夹具脉冲源延时的装置及方法 |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP26058287A patent/JPH01102977A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005217011A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの検査方法および検査装置 |
| JP4537082B2 (ja) * | 2004-01-28 | 2010-09-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの検査方法および検査装置 |
| JP2006203099A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積デバイス |
| JP4578989B2 (ja) * | 2005-01-24 | 2010-11-10 | 日本電信電話株式会社 | 光集積デバイス |
| JP2010165416A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Sony Corp | 光ディスク再生装置及び光ディスク再生方法 |
| CN113252951A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-08-13 | 陕西开尔文测控技术有限公司 | 减小半导体测试夹具脉冲源延时的装置及方法 |
| CN113252951B (zh) * | 2021-06-24 | 2021-10-22 | 陕西开尔文测控技术有限公司 | 减小半导体测试夹具脉冲源延时的装置及方法 |
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