JPH01101404A - レーザ光位置センサ - Google Patents
レーザ光位置センサInfo
- Publication number
- JPH01101404A JPH01101404A JP25824487A JP25824487A JPH01101404A JP H01101404 A JPH01101404 A JP H01101404A JP 25824487 A JP25824487 A JP 25824487A JP 25824487 A JP25824487 A JP 25824487A JP H01101404 A JPH01101404 A JP H01101404A
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- Japan
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- laser
- laser beam
- sensor
- waveguide
- fixing ring
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- Pending
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明はレーザ光の位置を検出するレーザ光位置セン
サに関するものである。
サに関するものである。
[従来の技術]
第2図は鉤えば特開昭60−227990号公報に示さ
れた従来のレーザ光位置センサを示し、第2図(a)は
正面図、第2図(b)は断面図、第2図(e)はレーザ
光りのセンサ入口のレーザエネルギー分布を示すグラフ
、第2図(d)はレーザ光りのセンサ出口のレーザエネ
ルギー分布を示すグラフで、斜線部はセンサに入るレー
ザエネルギーを示す。図において(1)は炭酸ガスのレ
ーザ光りを内側で通過させるセンサ固定リング、(2)
は4つの熱電対で、各熱電対(2)はセンサ固定リング
(1)に基端部が軸対称に固定され、先端側がセンサ固
定リング(1)の内側に臨んでいる。
れた従来のレーザ光位置センサを示し、第2図(a)は
正面図、第2図(b)は断面図、第2図(e)はレーザ
光りのセンサ入口のレーザエネルギー分布を示すグラフ
、第2図(d)はレーザ光りのセンサ出口のレーザエネ
ルギー分布を示すグラフで、斜線部はセンサに入るレー
ザエネルギーを示す。図において(1)は炭酸ガスのレ
ーザ光りを内側で通過させるセンサ固定リング、(2)
は4つの熱電対で、各熱電対(2)はセンサ固定リング
(1)に基端部が軸対称に固定され、先端側がセンサ固
定リング(1)の内側に臨んでいる。
(+X) 、 (−X) 、 (+Y) 、 (−Y)
はそれぞれの熱電対(2)の出力信号を示す。
はそれぞれの熱電対(2)の出力信号を示す。
次に従来のレーザ光位置センサの動作につい−で説明す
る。
る。
4つの熱電対(2)はセンサ固定リング(1)に軸対称
に配置されており第2図(C)に示すようなレーザエネ
ルギー分布をもっレーザ光りがセンサ固定リング(1)
内に入ると、熱電対(2)は第2図(d)の斜線部分の
エネルギーを電気信号として取り出す。レーザ光りのレ
ーザエネルギー分布は軸対称である場合、(+X)−(
−X)、 (+Y)−(−Y)の信号条件ではレーザ光
りのビーム中心位置はセンサ固定リング(1)の中心と
なる。又、レーザ光りのレーザエネルギー分布が非対称
の場合二あ・らがじめエネルギー分布の係数Kを求めて
おけば[例えば(+X)= K (−X)、 (+Y)
−K (−Y)] セ>す固定リング(1)の中心に対
してどの位置にレーザ光りのビーム中心位置が有るか分
かる。
に配置されており第2図(C)に示すようなレーザエネ
ルギー分布をもっレーザ光りがセンサ固定リング(1)
内に入ると、熱電対(2)は第2図(d)の斜線部分の
エネルギーを電気信号として取り出す。レーザ光りのレ
ーザエネルギー分布は軸対称である場合、(+X)−(
−X)、 (+Y)−(−Y)の信号条件ではレーザ光
りのビーム中心位置はセンサ固定リング(1)の中心と
なる。又、レーザ光りのレーザエネルギー分布が非対称
の場合二あ・らがじめエネルギー分布の係数Kを求めて
おけば[例えば(+X)= K (−X)、 (+Y)
−K (−Y)] セ>す固定リング(1)の中心に対
してどの位置にレーザ光りのビーム中心位置が有るか分
かる。
[発明が解決しようとする問題点]
上記のような従来のレーザ光位置センサでは各熱電対(
2)の基端部がセンサ固定リング(1)に固定され、各
熱電対(2)の先端側がセンサ固定リング(1)の内側
に臨み、センサ固定リング(1)の内側に位置する熱電
対(2)の先端側全体でレーザ光りを受けて第2図(d
)に示す斜線の部分即ちレーザエネルギー分布の広い幅
の部分でレーザエネルギーを検知するようにしているか
ら、レーザ光りのビーム中心位置が若干変化しても検知
されるレーザエネルギー量の変化としては余り現れない
ために熱電対(2)の出力値は殆んど変化せず、しかも
熱電対(2)自身の熱容量が大きいために応答時間が1
secと遅いという問題点があった。
2)の基端部がセンサ固定リング(1)に固定され、各
熱電対(2)の先端側がセンサ固定リング(1)の内側
に臨み、センサ固定リング(1)の内側に位置する熱電
対(2)の先端側全体でレーザ光りを受けて第2図(d
)に示す斜線の部分即ちレーザエネルギー分布の広い幅
の部分でレーザエネルギーを検知するようにしているか
ら、レーザ光りのビーム中心位置が若干変化しても検知
されるレーザエネルギー量の変化としては余り現れない
ために熱電対(2)の出力値は殆んど変化せず、しかも
熱電対(2)自身の熱容量が大きいために応答時間が1
secと遅いという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、レーザ光のビーム中心位置変化に対してのセ
ンサ感度を大きくすることができると共に応答時間の早
いレーザ光位置センサを得ることを目的とする。
たもので、レーザ光のビーム中心位置変化に対してのセ
ンサ感度を大きくすることができると共に応答時間の早
いレーザ光位置センサを得ることを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
この発明に係るレーザ光位置センサはレーザ光を内側で
通過させるセンサ固定リングと、センサ固定リングに基
端部が固定され、先端開口部がセンサ固定リングの内側
で軸対称に配置され、且っレーザ光入射側に向けて臨む
複数の導波管と、センサ固定リングに設けられ、各導波
管の基端部から出射されるレーザ光の一部エネルギーを
検知するレーザエネルギー検出素子とを備えるようにし
たものである。
通過させるセンサ固定リングと、センサ固定リングに基
端部が固定され、先端開口部がセンサ固定リングの内側
で軸対称に配置され、且っレーザ光入射側に向けて臨む
複数の導波管と、センサ固定リングに設けられ、各導波
管の基端部から出射されるレーザ光の一部エネルギーを
検知するレーザエネルギー検出素子とを備えるようにし
たものである。
[作用]
この発明においては、先端開口部がセンサ固定リングの
内側でレーザ光入射側に向けて臨むように導波管がセン
サ固定リングに設けられ、導波管はその先端開口部より
センサ固定リング内に入ってきたレーザ光の一部を限定
して導入し、レーザエネルギー検出素子まで導くから、
レーザ光のビーム中心が変化することにより生じるエネ
ルギー量の変化がそのまま導波管内に導入されることと
なり、そのレーザエネルギー量の変化をレーザエネルギ
ー検出素子で検出でき、しかもレーザエネルギー検出素
子まで導かれるレーザエネルギー量は少ないからレーザ
エネルギー検出素子は、熱容量が小さく、応答時間の早
いものを使用できる。
内側でレーザ光入射側に向けて臨むように導波管がセン
サ固定リングに設けられ、導波管はその先端開口部より
センサ固定リング内に入ってきたレーザ光の一部を限定
して導入し、レーザエネルギー検出素子まで導くから、
レーザ光のビーム中心が変化することにより生じるエネ
ルギー量の変化がそのまま導波管内に導入されることと
なり、そのレーザエネルギー量の変化をレーザエネルギ
ー検出素子で検出でき、しかもレーザエネルギー検出素
子まで導かれるレーザエネルギー量は少ないからレーザ
エネルギー検出素子は、熱容量が小さく、応答時間の早
いものを使用できる。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図はこの発明の一実施例を示し、第1図(a)は正
面図、第1図(b)は断面図、第1図(c)はレーザ光
りのセンサ入口のレーザエネルギー分布を示すグラフ、
第1図(d)はレーザ光りのセンサ出口のレーザエネル
ギー分布を示すグラフで、斜線部はセンサに入るレーザ
エネルギーを示す。
面図、第1図(b)は断面図、第1図(c)はレーザ光
りのセンサ入口のレーザエネルギー分布を示すグラフ、
第1図(d)はレーザ光りのセンサ出口のレーザエネル
ギー分布を示すグラフで、斜線部はセンサに入るレーザ
エネルギーを示す。
図において、(1)はレーザ光りを内側で通過させるセ
ンサ固定リング、(3)は内壁が反射面である4つの導
波管で、各導波管(3)はその基端部(3b)がセンサ
固定リング(1)に固定され、その先端開口部(3a)
がセンサ固定リング(1)の内側で軸対称に配置され、
且っレーザ光入射側に向けて臨んでいる。(4)はセン
サ固定リング(1)に取り付は固定されたレーザエネル
ギー検出素子である光型素子タイプの薄膜センサである
。(+X) 、 (−X) 。
ンサ固定リング、(3)は内壁が反射面である4つの導
波管で、各導波管(3)はその基端部(3b)がセンサ
固定リング(1)に固定され、その先端開口部(3a)
がセンサ固定リング(1)の内側で軸対称に配置され、
且っレーザ光入射側に向けて臨んでいる。(4)はセン
サ固定リング(1)に取り付は固定されたレーザエネル
ギー検出素子である光型素子タイプの薄膜センサである
。(+X) 、 (−X) 。
(+Y) 、 (−Y)はそれぞれの薄膜センサ(4)
の出力信号を示す。
の出力信号を示す。
次に上記実施例の動作について説明する。
センサ固定リング(1)内に第1図(e)に示すような
レーザエネルギー分布をもつレーザ光りが入ると、導波
管(3)の先端開口部(3a)より第1図(d)に示す
斜線部分のレーザエネルギーが導波管(3)内に導入さ
れる。そのレーザエネルギーは導波管(3)の内壁で多
重反射を繰り返しなから導波管(3)内を伝播して導波
管(3)の基端部(3b)より出射され、薄膜センサ(
4)に確実に導かれる。それぞれの薄膜センサ(4)か
らは電気信号として(+X) 、 (−X) 、 (+
Y) 、 (−Y)が出力される。この薄膜センサ(4
)からの電気信号を従来例と同一の処理を行うことによ
り、レーザ光りのビーム中心位置が検出される。このよ
うに、導波管(3)の先端開口部(3a)より第1図(
d)に示す斜線部分のみ、即ちレーザエネルギー分布の
狭い幅の部分でレーザエネルギーを導入し、そのレーザ
エネルギーを薄膜センサ(4)に入力するようにしたの
で、レーザ光りのビーム中心が変化してレーザエネルギ
ー分布が変化すれば、レーザエネルギー分布の狭い幅の
部分のレーザエネルギー量も変化し、それがそのまま導
波管(3)に導入されて薄膜センサ(4)に入力される
こととなり、レーザ光りのビーム中心の位置ずれに対す
る変化量が従来より大きくとれ、レーザ光りのビーム中
心の位置ずれに対する感度が向上した。
レーザエネルギー分布をもつレーザ光りが入ると、導波
管(3)の先端開口部(3a)より第1図(d)に示す
斜線部分のレーザエネルギーが導波管(3)内に導入さ
れる。そのレーザエネルギーは導波管(3)の内壁で多
重反射を繰り返しなから導波管(3)内を伝播して導波
管(3)の基端部(3b)より出射され、薄膜センサ(
4)に確実に導かれる。それぞれの薄膜センサ(4)か
らは電気信号として(+X) 、 (−X) 、 (+
Y) 、 (−Y)が出力される。この薄膜センサ(4
)からの電気信号を従来例と同一の処理を行うことによ
り、レーザ光りのビーム中心位置が検出される。このよ
うに、導波管(3)の先端開口部(3a)より第1図(
d)に示す斜線部分のみ、即ちレーザエネルギー分布の
狭い幅の部分でレーザエネルギーを導入し、そのレーザ
エネルギーを薄膜センサ(4)に入力するようにしたの
で、レーザ光りのビーム中心が変化してレーザエネルギ
ー分布が変化すれば、レーザエネルギー分布の狭い幅の
部分のレーザエネルギー量も変化し、それがそのまま導
波管(3)に導入されて薄膜センサ(4)に入力される
こととなり、レーザ光りのビーム中心の位置ずれに対す
る変化量が従来より大きくとれ、レーザ光りのビーム中
心の位置ずれに対する感度が向上した。
また、レーザエネルギー分布の狭い幅の部分を導波管(
3)によって導入するようにしたので、導波管(3)に
導入されるレーザ光のレーザエネルギー量は少ない。従
って、熱容量が少ない応答時間の早い薄膜センサ(4)
の使用が可能となった。
3)によって導入するようにしたので、導波管(3)に
導入されるレーザ光のレーザエネルギー量は少ない。従
って、熱容量が少ない応答時間の早い薄膜センサ(4)
の使用が可能となった。
更に、導波管(3)の内壁での多重反射はレーザエネル
ギーを減衰させる働きがあり、例えば、内壁が反射率9
0%の鏡面とすると、n回反射を繰り返した後、薄膜セ
ンサ(4)にレーザエネルギーが入るとすれば、薄膜セ
ンサ(4)に入るレーザエネルギーPはp−poxo、
gnとなる(Poは導波管(3)の入口レーザエネルギ
ー)。従って、高感度でより熱容量が少なく、より応答
時間の早い薄膜センサ(4)の使用が可能となる。
ギーを減衰させる働きがあり、例えば、内壁が反射率9
0%の鏡面とすると、n回反射を繰り返した後、薄膜セ
ンサ(4)にレーザエネルギーが入るとすれば、薄膜セ
ンサ(4)に入るレーザエネルギーPはp−poxo、
gnとなる(Poは導波管(3)の入口レーザエネルギ
ー)。従って、高感度でより熱容量が少なく、より応答
時間の早い薄膜センサ(4)の使用が可能となる。
なお、上記実施例ではレーザエネルギー検出素子として
レーザ受光素子である薄膜セン4J−(4)を用いてい
るが、薄膜センサ(4)の代りに熱容量の小さい熱検出
素子である熱電対、白金側温体、サーミスタであっても
よいことは勿論である。また、上記実施例では炭酸ガス
レーザ光のレーザエネルギー検出素子として薄膜センサ
(4)を使用したが、他のレーザ光の場合は、そのレー
ザ光の波長を感じる受光素子であれば、上記実施例と同
様に作用し得ることはいうまでもない。
レーザ受光素子である薄膜セン4J−(4)を用いてい
るが、薄膜センサ(4)の代りに熱容量の小さい熱検出
素子である熱電対、白金側温体、サーミスタであっても
よいことは勿論である。また、上記実施例では炭酸ガス
レーザ光のレーザエネルギー検出素子として薄膜センサ
(4)を使用したが、他のレーザ光の場合は、そのレー
ザ光の波長を感じる受光素子であれば、上記実施例と同
様に作用し得ることはいうまでもない。
[発明の効果]
この発明は以上説明したとおり、先端開口部がセンサ固
定リングの内側でレーザ光入射側に向けて臨むように導
波管がセンサ固定リングに設けられ、導波管はその先端
開口部よりセンサ固定リング内に入ってきたレーザ光の
一部を限定して導入し、レーザエネルギー検出素子まで
導くようにしたので、レ−ザ光のビーム中心が変化する
ことにより生じるレーザエネルギー量の若干の変化もレ
ーザエネルギー検出素子で検出でき、しかもレーザエネ
ルギー量は従来の熱電対全体でレーザエネルギーを検出
するものに比べて少ないために、熱容量が小さくて応答
時間の早いレーザエネルギー検出素子を使用することが
でき、応答時間が早く、レーザ光のビーム中心の位置ず
れに対して感度が良好なレーザ光位置センサが得られる
という効果がある。
定リングの内側でレーザ光入射側に向けて臨むように導
波管がセンサ固定リングに設けられ、導波管はその先端
開口部よりセンサ固定リング内に入ってきたレーザ光の
一部を限定して導入し、レーザエネルギー検出素子まで
導くようにしたので、レ−ザ光のビーム中心が変化する
ことにより生じるレーザエネルギー量の若干の変化もレ
ーザエネルギー検出素子で検出でき、しかもレーザエネ
ルギー量は従来の熱電対全体でレーザエネルギーを検出
するものに比べて少ないために、熱容量が小さくて応答
時間の早いレーザエネルギー検出素子を使用することが
でき、応答時間が早く、レーザ光のビーム中心の位置ず
れに対して感度が良好なレーザ光位置センサが得られる
という効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示し、第1図(a)は正
面図、第1図(b)は断面図、第1図(c)はレーザ光
りのセンサ入口のレーザエネルギー分布を示すグラフ、
第1図(d)はレーザ光りのセンサ出口のレーザエネル
ギー分布を示すグラフ、第2図は従来のレーザ光位置セ
ンサを示し、第2図(a)は正面図、第2図(b)は断
面図、第2図(c)はレーザ光りのセンサ入口のレーザ
エネルギー分布を示すグラフ、第2図(d)はレーザ光
りのセンサ出口のレーザエネルギー分布を示すグラフで
ある。 図において、(1)はセンサ固定リング、(3)は導波
管、(4)は薄膜センサ(レーザエネルギー検出素子)
である。 なお各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
面図、第1図(b)は断面図、第1図(c)はレーザ光
りのセンサ入口のレーザエネルギー分布を示すグラフ、
第1図(d)はレーザ光りのセンサ出口のレーザエネル
ギー分布を示すグラフ、第2図は従来のレーザ光位置セ
ンサを示し、第2図(a)は正面図、第2図(b)は断
面図、第2図(c)はレーザ光りのセンサ入口のレーザ
エネルギー分布を示すグラフ、第2図(d)はレーザ光
りのセンサ出口のレーザエネルギー分布を示すグラフで
ある。 図において、(1)はセンサ固定リング、(3)は導波
管、(4)は薄膜センサ(レーザエネルギー検出素子)
である。 なお各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (4)
- (1)レーザ光の一部分エネルギーを複数箇所で検知し
、レーザ光の位置を検出するレーザ光位置センサにおい
て、レーザ光を内側で通過させるセンサ固定リングと、
センサ固定リングに基端部が固定され、先端開口部がセ
ンサ固定リングの内側で軸対称に配置され、且つレーザ
光入射側に向けて臨む複数の導波管と、センサ固定リン
グに設けられ、各導波管の基端部から出射されるレーザ
光の一部エネルギーを検知するレーザエネルギー検出素
子とを備えたことを特徴とするレーザ光位置センサ。 - (2)は導波管の内壁は反射率が100%以下の鏡面で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のレー
ザ光位置センサ。 - (3)レーザエネルギー検出素子はレーザ受光素子であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記
載のレーザ光位置センサ。 - (4)レーザエネルギー検出素子は熱容量の小さい熱検
出素子であることを特徴とする特許請求の範囲第1項又
は第2項記載のレーザ光位置センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25824487A JPH01101404A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | レーザ光位置センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25824487A JPH01101404A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | レーザ光位置センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01101404A true JPH01101404A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17317530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25824487A Pending JPH01101404A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | レーザ光位置センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01101404A (ja) |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP25824487A patent/JPH01101404A/ja active Pending
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