JPH0110075Y2 - - Google Patents

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JPH0110075Y2
JPH0110075Y2 JP1191982U JP1191982U JPH0110075Y2 JP H0110075 Y2 JPH0110075 Y2 JP H0110075Y2 JP 1191982 U JP1191982 U JP 1191982U JP 1191982 U JP1191982 U JP 1191982U JP H0110075 Y2 JPH0110075 Y2 JP H0110075Y2
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JP
Japan
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plate
frame
opening
piezoelectric ceramic
thin plate
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JP1191982U
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JPS58114698U (ja
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  • Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
  • Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、振動子として圧電セラミツク薄板を
用いたトランスデユーサに係り、特に圧電セラミ
ツク薄板のアコーステイツクエミツタ板への装着
構造に関する。
振動子として圧電セラミツク薄板を用いたトラ
ンスデユーサは、小型、小電力である他、殊に超
薄型構造にできるため、ラジオやテープレコーダ
等の各種音声機器に広く用いられるようになつて
きた。この種トランスデユーサは、圧電セラミツ
ク薄板自体の屈曲モードにより空気を励振して発
音するものであつたが、セラミツクの機械的強度
は小さいため大口径状の振動子を得ることは難し
く、従つて高音は良好であるが低音に劣る欠点が
あつた。このため、第1図に示すように圧電セラ
ミツク薄板1をドーム状に湾曲させてリング状枠
体2に装着し、この枠体2をアコーステイツクエ
ミツタ板3に形成された開口4に挿着し、圧電セ
ラミツク薄板1の振動を枠体2を介してアコース
テイツクエミツタ板3に伝達し、アコーステイツ
クエミツタ板3を振動させて低音特性を補償する
手段が提案された。しかし、図示するように圧電
セラミツク薄板1を装着するための枠体2の断面
形状は矩形であつたため、圧電セラミツク薄板1
の拡張によりアコーステイツクエミツタ板3が点
線にて示すように屈曲すると、開口周面と枠体2
の間に隙間aを生じ、単に圧電セラミツク薄板1
からアコーステイツクエミツタ板3に伝達される
振動の伝達ロスを生じるだけでなく、周波数特性
にも異常を生じ、更に枠体2の下縁部に当接する
開口周縁部bに応力が集中する結果、開口4が変
形するなどの欠点があつた。また、枠体2の外周
面は垂直面であるため、この枠体2を開口4に強
制的に挿入密嵌して強固に保持することは難し
く、熟練度を要し、また長期間の駆動により開口
が拡開変形すると、枠体2は開口4から容易に脱
落するなどの欠点もあつた。
そこで、本考案はかかる従来のものの欠点を解
消したトランスデユーサを提供する目的でなされ
たものであつて、両主面に電極が形成された圧電
セラミツク薄板を、ドーム状に湾曲させて装着す
るリング状枠体の外周面をテーパ状とすることに
より、圧電セラミツク薄板の振動をロスなく確実
にアコーステイツクエミツタ板に伝達する他、上
記した従来のものの諸欠点を解消するようにした
ものであり、以下図面に沿つて本考案の実施例の
説明を行う。
第2図は、圧電セラミツクトランスデユーサの
切欠斜視図、第3図は要部断面図、第4図は組立
て中の要部断面図であつて、振動子の主体となる
圧電セラミツク薄板5(以下薄板と略す)の両主
面には、銀電極6,6が焼き付けられている。こ
の薄板5は円板状であり、その直径よりやや小さ
い内径を有するリング状の枠体7に、ドーム状に
強制的に湾曲されて装着されている。従つて、薄
板5には主面圧縮方向へのストレスが付加されて
おり、その反力として枠体7を押し拡げようとす
る力が常時作用している。この枠体7の断面形状
は台形状であり、その上底イは薄板5の内凹側
に、また下底ロは外凸側に対応し、外周面7′は
テーパ状となつている。なお、この枠体7の材料
としては、真鍮もしくはポリカーボネート樹脂の
ような強度と弾性を具有する振動伝達性の高いも
のが使用される。
8はアコーステイツクエミツタ板(以下AE板
と略す)であつて、発泡スチロールや発泡ポリウ
レタン等の発泡樹脂にて形成されており、その中
央には薄板5を装着した枠体7を挿着するための
円形の開口9が形成されている。而して、この開
口9の直径は、枠体7の下底ロ側直径より小さ
く、また上底イ側直径と略同一、若しくは僅かに
大きくしてある。従つて、組立てに際しては、第
4図に示すように枠体7のテーパ状外周面7′を
開口9の周縁に強く押し付ければ、開口周縁は強
制的に圧縮変形されて、枠体7は容易に挿入さ
れ、且つテーパ状外周面7′のクサビ効果により、
きわめて強固に開口9に密嵌される。しかも、こ
の場合AE板の上面側ほど圧縮される量は大きい
から、上面側ほど密度は高くなつて振動伝達性は
きわめて良好となる。なお、テーパ状外周面7′
に弾性接着剤などの接着剤を塗布しておけば、枠
体7はより強固にAE板8に保持される。
ここで、テーパ状外周面7′は、垂直面に対し
傾斜角θを有しており、枠体7の厚さlと外周面
7′の長さLとはL=l・1/cosθの関係があり、外 周面7′の長さLは枠体7の厚さlよりもかなり
長く、従つて枠体外周面7′と開口周縁には十分
な接触面積が確保され、且つ接触面は垂直面に対
し角度θを有している。
本トランスデユーサは、上記のような構成より
成り、銀電極6,6に音声信号が印加されると薄
板5は主面方向に沿つて伸縮し、その力は枠体7
を介してAE板8に伝達され、AE板8も振動して
音圧を発する。なお、銀電極6,6への音声信号
伝達手段は、本考案とは直接関係ないので説明は
省略する。
ここで、AE板8は強く振動させて大きな音声
を得るには、枠体外周面7′とAE板開口周縁の接
触面における振動伝達ロスをできるだけ小さく
し、薄板5の振動を効率よくAE板8に伝達せね
ばならない。而して、本枠体7の外周面7′は、
垂直面に対し傾斜角θが付与され、且つ開口周縁
との接触面積は十分確保されているから、薄板5
の振動はロスなくAE板8に伝達され、AE板8は
強く励振されることとなる。従つて、AE板8が
発する音圧は強く、低中音域の周波数特性は大い
に補償されて均一な周波数特性の音声が得られ
る。
第5図は、傾斜角θと音圧(dB)の関係を表
す実験結果のグラフであつて、これによるとθ=
20゜〜45゜において大きな音圧が得られ、30゜付近で
最大となる。しかし、θが0゜に近づくにつれて外
周面7′のテーパ状傾斜効果は薄れて音圧は小さ
くなり、またこれと反対にθが90゜に近づくにつ
れ、同様に音圧は小さくなる。これは、θが大き
くなるにつれ、AE板8に伝達される振動力は、
テーパ状外周面7′と開口周面との接触面におい
て、消費減殺されるためと考えられる。
第6図は、本考案の他の実施例の要部断面図で
あつて、リング状枠体0の断面形状は平行四辺形
であり、その外周面10′はテーパ状となつてい
る。従つて、本トランスデユーサにおいても、上
記第一実施例のものと同様の効果が得られる。
以上説明したように、本考案によれば両主面に
電極6,6が形成された薄板5を、ドーム状に湾
曲させて装着するリング状枠体7,10の外周面
7′,10′をテーパ状とし、この枠体7,10を
AE板8に形成された開口9に装着するようにし
ているので、薄板5の振動は枠体7,10を介し
てロスなく確実にAE板8に伝達され、AE板8は
特性の良好な強い音圧を発する。また、枠体7,
10の開口9への装着もきわめて容易となり、し
かもテーパ状外周面7′〜10′のクサビ効果によ
り枠体7,10はきわめて強固にAE板8に保持
され、更に開口周縁は強制的に圧縮されて密度を
増すから、振動伝達性が一層改善される長所を有
する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来のものの要部断面図、第2図、
第3図、第4図は、それぞれ本考案の実施例の切
欠斜視図、要部断面図、組立て中の要部断面図、
第5図は実験結果グラフ、第6図は他の実施例の
要部断面図である。 5……圧電セラミツク薄板、6……銀電極、
7,10……枠体、7′,10′……外周面、8…
…アコーステイツクエミツタ板、9……開口。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 両主面に電極6,6が形成された圧電セラミツ
    ク薄板5を、ドーム状に湾曲させて装着するリン
    グ状枠体7,10の外周面7′,10′をテーパ状
    とし、該リング状枠体7,10をアコーステイツ
    クエミツタ板8に形成された開口9に装着するよ
    うにした圧電セラミツクトランスデユーサ。
JP1191982U 1982-01-28 1982-01-28 圧電セラミツクトランスデユ−サ Granted JPS58114698U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1191982U JPS58114698U (ja) 1982-01-28 1982-01-28 圧電セラミツクトランスデユ−サ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1191982U JPS58114698U (ja) 1982-01-28 1982-01-28 圧電セラミツクトランスデユ−サ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58114698U JPS58114698U (ja) 1983-08-05
JPH0110075Y2 true JPH0110075Y2 (ja) 1989-03-22

Family

ID=30024507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1191982U Granted JPS58114698U (ja) 1982-01-28 1982-01-28 圧電セラミツクトランスデユ−サ

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JPS58114698U (ja) 1983-08-05

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