JPH01100514A - 液晶電気光学装置作製方法 - Google Patents
液晶電気光学装置作製方法Info
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- JPH01100514A JPH01100514A JP25789987A JP25789987A JPH01100514A JP H01100514 A JPH01100514 A JP H01100514A JP 25789987 A JP25789987 A JP 25789987A JP 25789987 A JP25789987 A JP 25789987A JP H01100514 A JPH01100514 A JP H01100514A
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔従来の技術〕
パーソナルコンピュータ、ワープロ等の表示部に液晶電
気光学装置が多く用いられている。これら液晶電気光学
装置はＴＮ型の液晶材料を用いていた。
気光学装置が多く用いられている。これら液晶電気光学
装置はＴＮ型の液晶材料を用いていた。
最近、ネマチック相以外にもＳｍＡ、 ＳｍＣ”相を用
いた液晶電気光学装置が開発されている。このスメクチ
ック相を用いたパネルの場合、パネルに外部より加わる
衝撃による分子配向乱れ又は層構造の乱れ等が発生する
。また表示方式として複屈折モードを用いた場合不均一
セル厚による色むら等の問題が発生する。これらの対策
のために、上下ガラス基板をセル内部でなんらかの方法
で接着させる方法が注目を浴び、実用化が進められてい
る。
いた液晶電気光学装置が開発されている。このスメクチ
ック相を用いたパネルの場合、パネルに外部より加わる
衝撃による分子配向乱れ又は層構造の乱れ等が発生する
。また表示方式として複屈折モードを用いた場合不均一
セル厚による色むら等の問題が発生する。これらの対策
のために、上下ガラス基板をセル内部でなんらかの方法
で接着させる方法が注目を浴び、実用化が進められてい
る。
第１図に液晶セルの断面図を示す。（１）は偏光板、（
２）は基板、（３）は透明電極、（４）は配向処理層、
（５）は液晶、（６）はセル外周シール、（７）は偏光
板、（８）は内部接着用樹脂、（９）はギャップ制御用
スペーサである。偏光板（１）、（７）の偏光軸のなす
角は表示モードの種類等により異なるが、通常は互いに
垂直となるように設けられている。また配向処理層（４
）は絶縁性被膜上に水平配向処理を施したもので外周シ
ールによる注入口と水平配向処理方向配置は任意のもの
が通常は用いられる。
２）は基板、（３）は透明電極、（４）は配向処理層、
（５）は液晶、（６）はセル外周シール、（７）は偏光
板、（８）は内部接着用樹脂、（９）はギャップ制御用
スペーサである。偏光板（１）、（７）の偏光軸のなす
角は表示モードの種類等により異なるが、通常は互いに
垂直となるように設けられている。また配向処理層（４
）は絶縁性被膜上に水平配向処理を施したもので外周シ
ールによる注入口と水平配向処理方向配置は任意のもの
が通常は用いられる。
このような液晶表示素子を作成するには必ずこのセルに
液晶を注入することが必要となる。
液晶を注入することが必要となる。
この注入法において、従来用いられた方法は液晶材料と
液晶セルを真空チャンバ内に設置し、チャンバ内に設置
し、チャンバ内を真空に排気した後、液晶セルの注入口
付近に液晶材料を接触させた後チャンバ内を徐々に大気
圧に戻してセル内の圧力とチャンバ内との圧力差により
液晶材料をセル内に注入するものであった。このとき液
晶材料が粘性の低い状態又は流動性のある状態になるよ
うに液晶セルを液晶材料を適当に加熱し、接触させて、
充填させた後すぐに取り出していた。しかしながら、こ
のような従来の方法では液晶の温度変化に対応する体積
変化により、セル内部に液晶の充填されない局所が発生
し、製品として歩留りを下げていた。
液晶セルを真空チャンバ内に設置し、チャンバ内に設置
し、チャンバ内を真空に排気した後、液晶セルの注入口
付近に液晶材料を接触させた後チャンバ内を徐々に大気
圧に戻してセル内の圧力とチャンバ内との圧力差により
液晶材料をセル内に注入するものであった。このとき液
晶材料が粘性の低い状態又は流動性のある状態になるよ
うに液晶セルを液晶材料を適当に加熱し、接触させて、
充填させた後すぐに取り出していた。しかしながら、こ
のような従来の方法では液晶の温度変化に対応する体積
変化により、セル内部に液晶の充填されない局所が発生
し、製品として歩留りを下げていた。
本発明はセル内部をなんらかの方法で接着してセルに液
晶を充填した後に液晶の温度変化に対応する体積変化に
よる未充填部分の発生を防止する方法を提供するもので
ある。
晶を充填した後に液晶の温度変化に対応する体積変化に
よる未充填部分の発生を防止する方法を提供するもので
ある。
本発明は上記目的を達成するために第２図（Ａ）（Ｂ）
に示すように、内部接着用樹脂＠とギャップ制御用スペ
ーサ■と周囲が封止された一定の間融を持つ硝子基板■
［相］により形成された空間へ周囲への封止部■の水平
配向処理方向（分子長軸が向く方向）と垂直方向に少な
くとも１ケ所に設けられた液晶注入口０より液晶材料を
注入する。
に示すように、内部接着用樹脂＠とギャップ制御用スペ
ーサ■と周囲が封止された一定の間融を持つ硝子基板■
［相］により形成された空間へ周囲への封止部■の水平
配向処理方向（分子長軸が向く方向）と垂直方向に少な
くとも１ケ所に設けられた液晶注入口０より液晶材料を
注入する。
前述のように形成された液晶セルを、気密性の減圧容器
内に設は容器内を排気し、液晶注入口［相］を液晶材料
でふさぐ。この後、減圧容器内圧力を徐々に戻すことに
より液晶容器内に液晶材料を注入する。この後液晶セル
をあらかじめ等方性液体又は粘性の低い状態の温度にし
た恒温槽に移しセルを均一に除冷する。その時の徐冷５
ｐｅｅｄは液晶材料と注入口の大きさにより違う。使用
温度により低温になった。適当温度で封止し液晶を注入
する工程を終了するものである。
内に設は容器内を排気し、液晶注入口［相］を液晶材料
でふさぐ。この後、減圧容器内圧力を徐々に戻すことに
より液晶容器内に液晶材料を注入する。この後液晶セル
をあらかじめ等方性液体又は粘性の低い状態の温度にし
た恒温槽に移しセルを均一に除冷する。その時の徐冷５
ｐｅｅｄは液晶材料と注入口の大きさにより違う。使用
温度により低温になった。適当温度で封止し液晶を注入
する工程を終了するものである。
以下に実施例により本発明の詳細な説明する。
第２図（Ａ）、（Ｂ）に本実施例で用いたセル構造を示
す。
す。
実施例においては公知の真空液晶注入装置を使用した。
第２図に示すように、本実施例にて用いた液晶セルは硝
子等の絶縁性透光性基板■［相］上に形成された透明電
極［相］及び配向処理層■を内側に対抗させてギャップ
制御材■で支持し、内部接着用樹脂＠でセル内部を固定
し、周囲を封止０し、水平配向処理方向（液晶分子長軸
が向く方向）と垂直方向に数ケ所の注入口０を設けるよ
うに硝子基板■［相］を張り合わせた。
子等の絶縁性透光性基板■［相］上に形成された透明電
極［相］及び配向処理層■を内側に対抗させてギャップ
制御材■で支持し、内部接着用樹脂＠でセル内部を固定
し、周囲を封止０し、水平配向処理方向（液晶分子長軸
が向く方向）と垂直方向に数ケ所の注入口０を設けるよ
うに硝子基板■［相］を張り合わせた。
このような構造を持つ液晶セルを液晶注入装置内に入れ
、装置内を減圧状態とする。本実施例の場合は６ Ｘｌ
０−３ｔｏｒｒまで減圧した。この後液晶材料をデイス
ペンサーにより滴下して注入孔［相］をふさいだ。この
際、液晶材料の流動性を増すためにＮｅｍａｔｉｃ相又
はｌ５ｏｔｒｏｐｉｃ相領域付近まで温度を上げた。
、装置内を減圧状態とする。本実施例の場合は６ Ｘｌ
０−３ｔｏｒｒまで減圧した。この後液晶材料をデイス
ペンサーにより滴下して注入孔［相］をふさいだ。この
際、液晶材料の流動性を増すためにＮｅｍａｔｉｃ相又
はｌ５ｏｔｒｏｐｉｃ相領域付近まで温度を上げた。
次に減圧容器内の圧力をゆっくり戻してゆき注入孔より
液晶材料をセル内に注入した。
液晶材料をセル内に注入した。
その後液晶セルをあらかじめｌ５ｏｔｒｏｐｉｃ相又は
Ｎｅｍａｔｉｃ相の温度に調整した恒温槽に移しセルを
面的に均一に徐冷する。本実施例では一５°Ｃ／ｈｒの
速度で行った。これをＯ″Ｃになった時に紫外線硬化エ
ポキシ接着剤によりその注入口［相］を封止し、周囲に
付着した液晶材料を除去し液晶セルを完成させた。
Ｎｅｍａｔｉｃ相の温度に調整した恒温槽に移しセルを
面的に均一に徐冷する。本実施例では一５°Ｃ／ｈｒの
速度で行った。これをＯ″Ｃになった時に紫外線硬化エ
ポキシ接着剤によりその注入口［相］を封止し、周囲に
付着した液晶材料を除去し液晶セルを完成させた。
また液晶セルの構造は第２図に限られず、例えば第３図
のような構造でも本発明方法は適用できる。
のような構造でも本発明方法は適用できる。
本発明はセル内部をなんらかの方法で接着し、注入孔を
水平配向処理方向（液晶分子長軸が向く方向）と垂直方
向に少なくとも１ケ所に設けられた液晶セルにスメクチ
ック液晶材料を注入する際に液晶の温度に対応する体積
変化による未充填か所をなくすことができるものである
。
水平配向処理方向（液晶分子長軸が向く方向）と垂直方
向に少なくとも１ケ所に設けられた液晶セルにスメクチ
ック液晶材料を注入する際に液晶の温度に対応する体積
変化による未充填か所をなくすことができるものである
。
さらに、本発明によりセル厚の均一な液晶セルを提供で
きセル厚の不均一による色ムラの発生をおさえることが
できた。
きセル厚の不均一による色ムラの発生をおさえることが
できた。
第１図は本発明の液晶セルの断面構造を示す。
第２図及び第３図は本発明の液晶セルの配向制御方向と
液晶材料の注入の方向との関係を示す。
液晶材料の注入の方向との関係を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、減圧注入法にて液晶材料を液晶セルに注入する際に
、液晶セルの液晶配向制御方向に対して垂直方向に設け
られた液晶注入口より液晶材料を注入する工程と、該工
程の後前記液晶セルを使用温度以下にまで冷却する工程
と該工程の後、液晶注入口を封止する工程とを有するこ
とを特徴とする液晶電気光学装置作製方法。 ２、特許請求の範囲第１項において前記液晶材料はスメ
クチック液晶相を有することを特徴とする液晶電気光学
装置作製方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62257899A JPH087344B2 (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 液晶電気光学装置作製方法 |
| EP19880309073 EP0310403B1 (en) | 1987-09-29 | 1988-09-29 | Liquid crystal electro-optical device |
| US07/254,096 US4917473A (en) | 1987-10-13 | 1988-10-06 | Method of manufacturing liquid crystal devices |
| DE88116958T DE3883341T2 (de) | 1987-10-13 | 1988-10-12 | Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristallvorrichtungen. |
| EP88116958A EP0312028B1 (en) | 1987-10-13 | 1988-10-12 | A method of manufacturing liquid crystal devices |
| US07/704,022 US5193019A (en) | 1987-10-13 | 1991-05-22 | Method of manufacturing liquid crystal devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62257899A JPH087344B2 (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 液晶電気光学装置作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100514A true JPH01100514A (ja) | 1989-04-18 |
| JPH087344B2 JPH087344B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=17312734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62257899A Expired - Lifetime JPH087344B2 (ja) | 1987-09-29 | 1987-10-13 | 液晶電気光学装置作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087344B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59149323A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-27 | Sharp Corp | 液晶表示セルの製造方法 |
| JPS6230222A (ja) * | 1985-08-01 | 1987-02-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | スメクテイツク液晶装置の製造方法 |
| JPS62247327A (ja) * | 1986-04-21 | 1987-10-28 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-10-13 JP JP62257899A patent/JPH087344B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59149323A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-27 | Sharp Corp | 液晶表示セルの製造方法 |
| JPS6230222A (ja) * | 1985-08-01 | 1987-02-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | スメクテイツク液晶装置の製造方法 |
| JPS62247327A (ja) * | 1986-04-21 | 1987-10-28 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH087344B2 (ja) | 1996-01-29 |
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Legal Events
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