JPH01100433U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01100433U JPH01100433U JP19632387U JP19632387U JPH01100433U JP H01100433 U JPH01100433 U JP H01100433U JP 19632387 U JP19632387 U JP 19632387U JP 19632387 U JP19632387 U JP 19632387U JP H01100433 U JPH01100433 U JP H01100433U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- growth chamber
- growth
- chamber reaction
- steep
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図ａは本考案の一実施例を示す横断面図、
第１図ｂは同縦断面図、第２図ａは従来例を示す
横断面図、第２図ｂは同縦断面図である。 １……反応管、２……仕切板、３……ガス導入
口、４……基板、５……基板ホルダ、１１……成
長室。
第１図ｂは同縦断面図、第２図ａは従来例を示す
横断面図、第２図ｂは同縦断面図である。 １……反応管、２……仕切板、３……ガス導入
口、４……基板、５……基板ホルダ、１１……成
長室。
Claims (1)
- エピタキシヤル層の組成若しくは不純物プロフ
アイルの急峻な形成に用いる多成長室反応管にお
いて、反応管内に管軸方向に沿つて、水平、垂直
若しくは放射状に多分割して複数の成長室を形成
したことを特徴とする多成長室反応管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19632387U JPH01100433U (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19632387U JPH01100433U (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100433U true JPH01100433U (ja) | 1989-07-05 |
Family
ID=31486946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19632387U Pending JPH01100433U (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01100433U (ja) |
-
1987
- 1987-12-24 JP JP19632387U patent/JPH01100433U/ja active Pending