JPH01100203A - 銀−パラジウム複合微粉末とその製造方法 - Google Patents
銀−パラジウム複合微粉末とその製造方法Info
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- JPH01100203A JPH01100203A JP25670487A JP25670487A JPH01100203A JP H01100203 A JPH01100203 A JP H01100203A JP 25670487 A JP25670487 A JP 25670487A JP 25670487 A JP25670487 A JP 25670487A JP H01100203 A JPH01100203 A JP H01100203A
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Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は微細な恨−パラジウム複合微粉末とその製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
(従来の技術とその問題点)
電子工業の分野では、厚膜回路を作製するのに導電性ペ
ーストが利用されていて現在の主流は恨とパラジウムの
微粉末を混合したペーストである。
ーストが利用されていて現在の主流は恨とパラジウムの
微粉末を混合したペーストである。
qのAg7Pdペーストにおいてパラジウムを混合する
理由は、マイグレーションとハンダクワレを防止するた
めであり、このためには20〜30%のパラジウムを加
える必要がある。
理由は、マイグレーションとハンダクワレを防止するた
めであり、このためには20〜30%のパラジウムを加
える必要がある。
パラジウムの添加は上記2点で優れた効果があるが、銀
とパラジウムの微粉末を混合する方法では、パラジウム
を均一に分散することが困難なためその効果を十分に生
かせないという欠点を有していた。
とパラジウムの微粉末を混合する方法では、パラジウム
を均一に分散することが困難なためその効果を十分に生
かせないという欠点を有していた。
(発明の目的)
本発明は上記の欠点を解消せんがためになされたもので
あり、Ag−Pdペーストの特性を改善するために銀微
粉末中にパラジウムを均一に分散させた恨−パラジウム
複合微粉末及びその製造方法を提供せんとするものであ
る。
あり、Ag−Pdペーストの特性を改善するために銀微
粉末中にパラジウムを均一に分散させた恨−パラジウム
複合微粉末及びその製造方法を提供せんとするものであ
る。
(問題点を解決するための手段)
本発明は銀微粉末中にパラジウムを均一に分散させた恨
−パラジウム複合微粉末及び銀微粉末中にパラジウムを
均一に分散させるのに好ましくは化学還元または水素還
元を利用し、さらに合金化させるのに200〜500℃
の範囲で熱処理することを特徴とするものである。
−パラジウム複合微粉末及び銀微粉末中にパラジウムを
均一に分散させるのに好ましくは化学還元または水素還
元を利用し、さらに合金化させるのに200〜500℃
の範囲で熱処理することを特徴とするものである。
(作用)
而して銀微粉末中にパラジウムを均一に分散させる理由
は、ペーストとして用いたときパラジウムが均一に分散
した銀−パラジウム膜を形成するためである。
は、ペーストとして用いたときパラジウムが均一に分散
した銀−パラジウム膜を形成するためである。
また81m粉末中にパラジウムを均一に分散させるのに
水素還元を利用する理由は、銀微粉末中にパラジウムを
均一に分散させる条件を選ぶのに、この方法が適してい
るからであり、化学還元を利用する理由は、銀微粉末中
にパラジウムを均一に分散させるのに還元剤の種類によ
り種々の条件を選ぶことができるためである。また1艮
−パラジウム複合微粉末を200〜500℃の範囲で熱
処理する理由は、合金化させるのに200℃以下では低
すぎて拡散が十分に起こらず、500℃以上では微粉末
同士の焼結が始まるためである。
水素還元を利用する理由は、銀微粉末中にパラジウムを
均一に分散させる条件を選ぶのに、この方法が適してい
るからであり、化学還元を利用する理由は、銀微粉末中
にパラジウムを均一に分散させるのに還元剤の種類によ
り種々の条件を選ぶことができるためである。また1艮
−パラジウム複合微粉末を200〜500℃の範囲で熱
処理する理由は、合金化させるのに200℃以下では低
すぎて拡散が十分に起こらず、500℃以上では微粉末
同士の焼結が始まるためである。
ここで本発明の実施例について説明する。
(実施例1)
硝酸パラジウム水溶液(50g /β)100−を攪拌
しながら水素化ホウ素ナトリウムを加えてパラジウムが
(粒径100〜500人)均一に分散したコロイド液を
作った。
しながら水素化ホウ素ナトリウムを加えてパラジウムが
(粒径100〜500人)均一に分散したコロイド液を
作った。
このコロイド液に硝酸銀水溶液(50g/ff)4oo
mttを加え、この混合液をオートクレーブ中に装入し
、Nt雰囲気中で150℃に加熱した後、H2を20k
g/cnl加圧し、還元した。冷却後、濾過、水洗して
得られた粉末は銀微粉末中にパラジウムが均一微細に分
散したものであった。また得られた微粉末を走査電子顕
微鏡観察、X線回折、及び化学分析を行った結果、平均
粒径0.8μmのほぼ球状のAg−Pd20%複合微粉
末となっていた。
mttを加え、この混合液をオートクレーブ中に装入し
、Nt雰囲気中で150℃に加熱した後、H2を20k
g/cnl加圧し、還元した。冷却後、濾過、水洗して
得られた粉末は銀微粉末中にパラジウムが均一微細に分
散したものであった。また得られた微粉末を走査電子顕
微鏡観察、X線回折、及び化学分析を行った結果、平均
粒径0.8μmのほぼ球状のAg−Pd20%複合微粉
末となっていた。
(実施例2)
硝酸パラジウム水溶液(50g / 1 ) 150
+dを攪拌しながら水素化ホウ素ナトリウムを加えてパ
ラジウム(粒径100〜500人)が均一に分散したコ
ロイド液を作った。
+dを攪拌しながら水素化ホウ素ナトリウムを加えてパ
ラジウム(粒径100〜500人)が均一に分散したコ
ロイド液を作った。
このコロイド液にホルマリン70−を加え、攪拌しなが
らアンモニア性硝酸銀錯体溶液(50g/jり100m
1を加え還元した。濾過、水洗後、得られた粉末は銀微
粉末中にパラジウムが均一微細に分散したものであった
。また得られた微粉末を走査電子顕微鏡観察、X線回折
、及び化学分析を行った結果、平均粒径1.2μmのほ
ぼ球状のAg−Pd15%複合微粉末となっていた。
らアンモニア性硝酸銀錯体溶液(50g/jり100m
1を加え還元した。濾過、水洗後、得られた粉末は銀微
粉末中にパラジウムが均一微細に分散したものであった
。また得られた微粉末を走査電子顕微鏡観察、X線回折
、及び化学分析を行った結果、平均粒径1.2μmのほ
ぼ球状のAg−Pd15%複合微粉末となっていた。
(実施例3)
実施例1で作ったAg−Pd20%複合微粉末を300
℃で1時間熱処理を行った。
℃で1時間熱処理を行った。
得られた粉末は焼結されておらず微細なものであって、
これを走査顕微鏡観察及びX線回折を行った結果、平均
粒径0.7μmのほぼ球状のAg−Pd20%合金微粉
末となっていた。
これを走査顕微鏡観察及びX線回折を行った結果、平均
粒径0.7μmのほぼ球状のAg−Pd20%合金微粉
末となっていた。
実施例1及び3で作ったAg−Pd20%複合及び合金
粉末をペースト化し、アルミナ基板上にスクリーン印刷
後、900℃で30分間焼成してAg−Pd厚膜回路を
形“成した。この回路を使ってマイグレーション及びハ
ンダ浸漬テストを行った結果、マイグレーションが発生
するまでの平均時間は、Ag−Pd20%複合微粉末で
8分20秒、Ag−Pd20.%合金微粉末で9分30
秒でハンダ浸漬テストを10回行った後のハンダクワレ
はほとんど見られなかった。
粉末をペースト化し、アルミナ基板上にスクリーン印刷
後、900℃で30分間焼成してAg−Pd厚膜回路を
形“成した。この回路を使ってマイグレーション及びハ
ンダ浸漬テストを行った結果、マイグレーションが発生
するまでの平均時間は、Ag−Pd20%複合微粉末で
8分20秒、Ag−Pd20.%合金微粉末で9分30
秒でハンダ浸漬テストを10回行った後のハンダクワレ
はほとんど見られなかった。
尚、本発明における銀微粉末中に分散されたパラジウム
の大きさは限定するものではないが、ペーストとして使
用したときの特性上、粒径1000Å以下がより好まし
い。
の大きさは限定するものではないが、ペーストとして使
用したときの特性上、粒径1000Å以下がより好まし
い。
(従来例)
平均粒径1.0μmのAg微粉末と平均粒径1.2μm
のPd微粉末をAg−Pd20%の割合に混合、ペース
ト化し、アルミナ基板上にスクリーン印刷後、900℃
で30分間焼成してAg−Pd厚膜回路を使ってマイグ
レーション及びハンダクワレテストを行った結果、マイ
グレーションが発生するまでの平均時間が2分30秒で
ハンダ浸漬テストを5回行った後、かなりのハンダクワ
レが見られた。
のPd微粉末をAg−Pd20%の割合に混合、ペース
ト化し、アルミナ基板上にスクリーン印刷後、900℃
で30分間焼成してAg−Pd厚膜回路を使ってマイグ
レーション及びハンダクワレテストを行った結果、マイ
グレーションが発生するまでの平均時間が2分30秒で
ハンダ浸漬テストを5回行った後、かなりのハンダクワ
レが見られた。
(発明の効果)
上記の説明で明らかなように本発明の銀−パラジウム複
合粉末は銀微粉末中にパラジウムを均一に分散させた銀
−パラジウム複合微粉末であるので、ペーストに利用す
ると、従来得られなかったパラジウムが均一に分散した
銀−パラジウム膜を形成できるので、従来の粉末にとっ
て代わることのできる画期的なものと言える。
合粉末は銀微粉末中にパラジウムを均一に分散させた銀
−パラジウム複合微粉末であるので、ペーストに利用す
ると、従来得られなかったパラジウムが均一に分散した
銀−パラジウム膜を形成できるので、従来の粉末にとっ
て代わることのできる画期的なものと言える。
また本発明の製造方法は、恨−パラジウム複合粉末を容
易に製造できるものである。
易に製造できるものである。
出願人 田中貴金属工業株式会社
永井忠雄
Claims (5)
- (1)銀微粉末中にパラジウムを均一に分散させた銀−
パラジウム複合微粉末。 - (2)銀−パラジウム複合粉末が熱処理されたことを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の銀−パラジウム複
合微粉末。 - (3)熱処理温度が200〜500℃の範囲であること
を特徴とする特許請求の範囲第2項記載の銀−パラジウ
ム複合微粉末。 - (4)銀微粉末中にパラジウムを均一に分散させる際に
還元反応を利用することを特徴とする銀−パラジウム複
合微粉末の製造方法。 - (5)銀微粉末中にパラジウムを均一に分散させる際の
還元反応が化学還元又は水素還元であることを特徴とす
る特許請求の範囲第4項記載の銀−パラジウム複合微粉
末の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25670487A JPH01100203A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 銀−パラジウム複合微粉末とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25670487A JPH01100203A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 銀−パラジウム複合微粉末とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01100203A true JPH01100203A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17296314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25670487A Pending JPH01100203A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 銀−パラジウム複合微粉末とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01100203A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10599995B2 (en) | 2015-06-02 | 2020-03-24 | Seiko Epson Corporation | Teaching device and robot system |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP25670487A patent/JPH01100203A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10599995B2 (en) | 2015-06-02 | 2020-03-24 | Seiko Epson Corporation | Teaching device and robot system |
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